显示面板的制作方法

文档序号:21278846发布日期:2020-06-26 23:27阅读:212来源:国知局
显示面板的制作方法

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种大尺寸的mask拼接的显示面板。



背景技术:

因应市场的需求,大尺寸,高解析度的显示器及超窄边框(unb:ultranarrowborder)成为市场的趋势,拼接屏的需求对窄边框的要求更是必然,拼接屏要求拼接缝越小越好,拼接缝需求小于1mm已经成为未来的趋势。随着解析度变高,像素尺寸(pixelsize)缩小,栅极线(gate)设计在水平侧,随之需要空间也变大,如何实现窄边框成为必须克服的难关。

图1为goa面板的示意图,goa分布在面板的左右两侧。显示区外围由goa电路、goa总线、公共电极(com)三大部分构成,goa总线因应大尺寸高解析度产品,接触电阻负载(rcloading)较重,故而需要搭配goa总线设计,进而需要的较大的外围区。如图2以及图3所示,gate设计在电路板的覆晶薄膜(chiponflim,cof)侧,这样可以大大减低面板远离cof侧的边界,实现边界距离小于1mm,进而实现三边无缝拼接。

如图2所示,由于goa驱动单元需要设计在电路板的cof侧,65英寸以上的面板需要多个掩膜板(mask)拼接方可完成,在mask重复单元内需要完成所有goa的设计(例如,一般65英寸的面板具有4524个子像素,高清晰画质(ud)为2160级),则goa驱动单元重复次数为n(4524/2160≈2)。如图3所示,将栅极扇出线直接连接至cof侧,重复次数选用n为3。

如图4所示,标准清晰画质(std)像素设计,通过在每个子像素的数据线(图4中纵向设置点填充图案)侧边走一条栅极扇出线(图4中纵向设置斜线填充图案),goa的输出讯号需要连接至薄膜晶体管的栅极(图4中横向设置未填充图案),由于栅极扇出线与栅极并不设置在同一金属层,这样多根栅极扇出线会影响面板的开口率(ar%)以及响应时间(tr%)。



技术实现要素:

本发明的目的,提供一种显示面板,改变布局方式,减少栅极扇出线,这样可以提升像素的开口率以及响应时间。

为了达到上述目的,本发明提供一种显示面板,包括:基板;多根栅极线,横向设置于所述基板上;多根栅极扇出线,纵向设于所述基板上且与所述栅极线绝缘;其中,在所述栅极线与所述栅极扇出线的每个交叉区域均形成一子像素单元;

在所述子像素单元中,包括至少两个子像素,所述栅极扇出线通过一过孔与所述栅极线连接。

进一步地,所述子像素单元通过所述栅极扇出线连接一goa驱动单元,所述goa驱动单元连接至总线。

进一步地,每个子像素单元还包括至少两根数据线,分别对应每一子像素。

进一步地,还包括:像素驱动线,与所述栅极扇出线同层设置,所述像素驱动线、所述栅极线以及所述栅极扇出线被绝缘层覆盖。

进一步地,还包括rgb色阻,设于所述绝缘层上;钝化层,设于所述rgb色阻上;像素电极,设于所述钝化层上且连接所述像素驱动线;黑色矩阵,设于所述像素电极上;盖板,设于所述黑色矩阵上。

进一步地,所述绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层,所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层上;所述栅极线设于所述第一绝缘层中;所述像素驱动线以及所述栅极扇出线设于所述第二绝缘层中。

进一步地,所述过孔形成于所述第一绝缘层,向下延伸至所述栅极线表面。

进一步地,所述钝化层设有一通孔,所述通孔向下延伸至所述像素驱动线表面,所述像素电极通过所述通孔连接所述像素驱动线。

进一步地,每根栅极线对应至少一过孔。

进一步地,所述子像素单元通过所述栅极扇出线连接覆晶薄膜。。

本发明的有益效果是:本发明提供一种显示面板,通过将多个子像素作为一子像素单元,每一子像素单元对应一根栅极扇出线,可以减小像素单元的栅极扇出线的数量,可以增加像素开口区域的宽度,可以提高面板的开口率(ar%)以及响应时间(tr%)。

附图说明

下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术的显示面板的平面示意图。

图2为现有技术的显示面板布局的平面示意图。

图3为现有技术的显示面板布局的平面示意图。

图4为现有技术的显示面板布局的平面示意图。

图5为本发明提供的显示面板布局的平面示意图。

图6为图5在过孔处横向的剖面图。

显示面板100;子像素单元110;子像素120;

基板101;栅极线102;数据线104;

栅极扇出线103;过孔105;像素驱动线113;

rgb色阻107;钝化层108;像素电极112;

黑色矩阵109;盖板111;第一绝缘层1061;

第二绝缘层1062。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“集成”、“相连”、“连接”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

同时参照图5以及图6所示,本发明提供一种显示面板100,包括:基板101、多根栅极线102、数据线104以及多根栅极扇出线103。

所述栅极线102横向设置于所述基板101上,每根栅极线102之间相互平行。

所述栅极扇出线103纵向设于所述基板101上且与所述栅极线102绝缘,每根栅极扇出线103之间相互平行,所述栅极扇出线103与所述栅极线102设于绝缘层106中。

其中,在所述栅极线102与所述栅极扇出线103的每个交叉区域均形成一子像素单元110。

所述子像素单元110包括至少两个子像素120,所述栅极扇出线103通过一过孔105与所述栅极线102连接。

每根栅极线102对应至少一过孔105。

所述子像素单元110通过所述栅极扇出线103连接一goa驱动单元,通过goa驱动单元连接goa总线(如图2所示)。在其它实施例中,所述栅极扇出线103可以直接连接gate-cof(如图3所示)。

即本发明将多个子像素120作为一子像素单元110,每一子像素单元110对应一根栅极扇出线103,可以减小像素单元的栅极扇出线103的数量,可以增加像素开口区域的宽度,可以提高面板的开口率(ar%)以及响应时间(tr%,至少提升10%)。

在所述子像素单元110中,每一子像素120对应一根数据线104,在本实施例中,至少包括两根数据线104,数据线104连接面板一侧的cof(覆晶薄膜,图2所示);在其实施例中,所述数据线104连接至面板的date-cof(如图3所示)。

本发明的子像素120宽度为a2,图4中的现有技术宽度为a1,则本发明较现有技术增加的宽度为n为一个子像素单元110中子像素120的个数。

所述显示面板100还包括:像素驱动线113、rgb色阻107、钝化层108、像素电极112、黑色矩阵109以及盖板111。

所述像素驱动线113与所述栅极扇出线103同层设置,所述像素驱动线113、所述栅极线102以及所述栅极扇出线103被绝缘层106覆盖。

所述绝缘层106包括第一绝缘层1061以及第二绝缘层1062,所述第二绝缘层1062设于所述第一绝缘层1061上。

所述过孔105形成于所述第一绝缘层1061,向下延伸至所述栅极线102表面。

所述栅极线102设于所述第一绝缘层1061中;所述像素驱动线113以及所述栅极扇出线103设于所述第二绝缘层1062中。

所述rgb色阻107设于所述绝缘层106上。

所述钝化层108设于所述rgb色阻107上。所述钝化层108设有一通孔,所述通孔向下延伸至所述像素驱动线113表面。

所述像素电极112设于所述钝化层108上且连接所述像素驱动线113;所述像素电极112通过所述通孔连接所述像素驱动线113。

所述黑色矩阵109设于所述像素电极112上。所述盖板111设于所述黑色矩阵109上。

本发明在制备的时候较现有技术只是多了对设置掩膜板步骤以及通过掩膜板对所述第一绝缘层1061进行刻蚀形成过孔105的步骤。

以上对本发明进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

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