电光装置、电子设备和驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电光装置以及电子设备。详细而言，涉及电光装置中的静电对策。进 一步地，涉及驱动电路等。
【背景技术】
[0002] 作为电光装置，已知具有实施了制造期间以及使用期间的静电破坏防止对策的电 路基板的电光装置（专利文献1)。
[0003] 上述专利文献1记载的电路基板具备形成于基板上的多个端子、和形成于彼此相 邻的端子间的电阻，多个端子中连接于模拟端子的电阻是示出了比连接于数字端子的电阻 高的电阻值的构成。由此，既能够对所有端子谋求通过电阻进行的静电保护、又能够排除模 拟端子中的串扰的产生。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2004-152901号公报
【发明内容】
[0007] 发明要解决的问题
[0008] 然而，若要导入静电对策用的电阻，则需要修正以往的布线图案。若以往的布线图 案复杂或高精细化，则存在布线图案的修正困难这样课题。
[0009] 用于解决问题的手段
[0010] 本发明是用于解决上述问题的至少一部分而做出的，能够以以下的实施方式或应 用例实现。
[0011] [应用例1]本应用例的电光装置的特征在于，具备像素电路和对所述像素电路进 行驱动控制的周边电路，所述周边电路具有附加于所述周边电路中的初级电路以及最终级 电路中至少一方的电路所包含的晶体管的电阻。
[0012] 在对像素电路进行驱动控制的周边电路，在布线布局的关系中，连接有面积比像 素电路大的布线（例如，电源布线、定电位布线等），因此，该布线成为天线而容易招引静 电。即，周边电路容易发生静电破坏。
[0013] 根据本应用例，具有附加于周边电路中的初级电路以及最终级电路中至少一方的 电路所包含的晶体管的电阻，因此，即使静电进入周边电路，也能够利用该电阻消耗静电。 即，能够提供具备对静电耐受性强的周边电路的电光装置。
[0014] [应用例2]也可以是，在上述应用例的电光装置中，所述电阻串联地附加于所述 晶体管的栅极与栅极布线之间、所述晶体管的源极与源极布线之间、和所述晶体管的漏极 与漏极布线之间中至少一方。
[0015] 根据该结构，能够减少静电对周边电路的晶体管的破坏。
[0016] [应用例3]也可以是，在上述应用例的电光装置中，所述电阻为设置于所述晶体 管的栅极与栅极布线之间、所述晶体管的源极与源极布线之间、和所述晶体管的漏极与漏 极布线之间中至少一方的接触部，所述接触部的大小比所述周边电路中的除了初级电路以 及最终级电路以外的电路所包含的晶体管的接触部的大小小。
[0017][应用例4]也可以是，在上述应用例的电光装置中，所述电阻为设置于所述晶体 管的栅极与栅极布线之间、所述晶体管的源极与源极布线之间、和所述晶体管的漏极与漏 极布线之间中至少一方的接触部，所述接触部的数量比所述周边电路中的除了初级电路以 及最终级电路以外的电路所包含的晶体管的接触部的数量少。
[0018] 根据上述结构，能够减少静电对周边电路的晶体管的破坏。另外，由于通过改变 接触部的大小、数量来设置静电对策用的电阻，因此，即便不新附加静电对策用的电阻也可 以，周边电路中的布线图案无需变复杂。
[0019][应用例5]也可以是，在上述应用例的电光装置中，所述晶体管具备半导体层，该 半导体层具有沟道区域和与所述沟道区域相接的LDD区域即轻掺杂漏极区域，所述电阻为 所述LDD区域，所述LDD区域的LDD长度比所述周边电路的除了初级电路以及最终级电路 以外的电路所包含的晶体管的LDD区域的LDD长度大。
[0020] [应用例6]也可以是，在上述应用例的电光装置中，所述晶体管具备半导体层，该 半导体层具有沟道区域和与所述沟道区域相接的LDD区域即轻掺杂漏极区域，所述电阻为 所述LDD区域，所述LDD区域的杂质离子的剂量（doseamount)比所述周边电路的除了初 级电路以及最终级电路以外的电路所包含的晶体管的LDD区域的杂质离子的剂量小。
[0021] 根据上述结构，通过增大LDD区域的长度、或减小LDD区域中的杂质离子的剂量， 从而该LDD区域作为静电对策用的电阻发挥作用，因此，能够减少静电对周边电路的晶体 管的破坏。另外，由于将LDD区域设为静电对策用的电阻，因此，即便不新附加静电对策用 的电阻也可以，周边电路中的布线图案无需变复杂。
[0022] [应用例7]本应用例的电子设备的特征在于，具备上述应用例记载的电光装置。
[0023] 根据本应用例，由于具备针对制造中或使用中的静电采取了对策的电光装置，因 此，能够提供性价比（CostPerformance)优异、与以往相比对于静电耐受性强的电子设备。
【附图说明】
[0024] 图1(a)是表示液晶装置的结构的概略俯视图，图1 (b)是沿着图1(a)所示的液晶 装置的H-H'线的概略剖视图。
[0025] 图2是表示液晶装置的电结构的等价电路图。
[0026] 图3是数据线驱动电路中的逻辑电路图。
[0027] 图4是表示数据线驱动电路的一例的电路图。
[0028] 图5(a)是表示实施例1的初级电路的晶体管的结构的概略俯视图，图5 (b)是表 示实施例1的第2级电路的晶体管的结构的概略俯视图。
[0029] 图6 (a)是表示实施例2的初级电路的晶体管的结构的概略俯视图，图6 (b)是表 示实施例2的第2级电路的晶体管的结构的概略俯视图。
[0030] 图7 (a)是表示实施例3的初级电路的晶体管的结构的概略俯视图，图7 (b)是表 示实施例3的第2级电路的晶体管的结构的概略俯视图。
[0031] 图8是表示投影型显示装置的结构的概略图。
【具体实施方式】
[0032] 以下，依照【附图说明】将本发明具体化了的实施方式。此外，为了说明的部分成为能 够识别的状态，使用的附图通过适当放大或缩小而进行表示。
[0033] 此外，在以下的实施方式中，例如在记载为"在基板上"的情况下，表示：以接触于 基板上的方式配置的情况、或隔着其他构成物配置于基板上的情况、或一部分接触于基板 上且一部分隔着其他构成物配置于基板上的情况等。
[0034] (第1实施方式）
[0035] 在本实施方式中，例举具备薄膜晶体管（ThinFilmTransistor;TFT)作为像素的 开关元件的有源矩阵型的液晶装置而进行说明。该液晶装置例如能够适宜地用作后述的投 影型显示装置（液晶投影机）的光调制元件（液晶光阀）。
[0036]〈液晶装置〉
[0037] 首先，参照图1以及图2说明作为本实施方式的电光装置的液晶装置。图1(a)是 表示液晶装置的结构的概略俯视图，图1(b)是沿着图1(a)所示的液晶装置的H-H'线的概 略剖视图。图2是表示液晶装置的电结构的等价电路图。
[0038] 如图1(a)以及（b)所示，作为本实施方式的电光装置的液晶装置100具有：相对 向配置的元件基板10以及对向基板20,和由该一对基板夹持的液晶层50。元件基板10的 基材l〇s以及对向基板20的基材20s均使用透明的基板，例如石英基板、玻璃基板。
[0039] 元件基板10比对向基板20大，两基板经由沿对向基板20的外缘配置的密封材料 40而隔有间隔地贴合，在该间隔封入具有正或负的电介质各向异性的液晶而构成液晶层 50。密封材料40例如采用热固化性或紫外线固化性的环氧树脂等粘接剂。在密封材料40 中混入有用于将一对基板的上述间隔保持为一定的间隔件（省略图示）。
[0040] 在密封材料40的内侧设置有包括排列为矩阵状的多个像素P的像素区域E。另 外，在密封材料40与像素区域E之间以包围像素区域E的方式设置有划分部21。划分部 21例如由遮光性的金属或金属氧化物等构成。此外，像素区域E除了包括有助于显示的多 个像素P之外，还可以包括以围绕多个像素P的方式配置的虚设像素。另外，虽在图1中省 略图示，在对向基板20,在像素区域E中设置有俯视看将多个像素P的各自划分的遮光部 (黑矩阵；BM)。
[0041] 在元件基板10设置有排列有多个外部连接端子104的端子部。在沿着该端子部 的第1边部与密封材料40之间设置有数据线驱动电路101。另外，在沿着与第1边部相对 向的第2边部的密封材料40和像素区域E之间设置有检查电路103。而且，在沿着与第1 边部正交且彼此相对向的第3以及第4边部的密封材料40与像素区域E之间设置有扫描 线驱动电路102。在第2边部的密封材料40与检查电路103之间设置有将2个扫描线驱动 电路102相连的多个布线105。
[0042] 与上述数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102相连的布线连接于沿着第1边部 排列的多个外部连接端子104。以后，将沿着第1边部的方向设为X方向，将沿着第3边部 的方向设为Y方向进行说明。此外，检查电路103的配置不限于此，也可以设置于沿着数据 线驱动电路101与像素区域E之间的密封材料40的内侧的位置。
[0043] 如图1 (b)所示，在元件基板10的液晶层50侧的表面形成有按各个像素P设置的 透光性的像素电极15以及作为开关元件的薄膜晶体管（以后，称作TFT)30、信号布线、和 覆盖上述像素电极15、薄膜晶体管30以及信号布线的取向膜18。另外，采用防止光入射到 TFT30中的半导体层而导致开关动作不稳定的遮光构造。元件基板10包括基材10s、和形 成于基材l〇s上的像素电极15、TFT30、信号布线、取向膜18。
[0044] 与元件基板10相对向配置的对向基板20包括基材20s、形成于基材20s上的划分 部21、以覆盖该划分部的方式成膜而成的平坦化层22、覆盖平坦化层22、至少遍及像素区 域E设置的共用电极23、以及覆盖共用电极23的取向膜24。