显示器及其制作方法

文档序号:8944097阅读:292来源:国知局
显示器及其制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及电子技术领域,具体涉及显示设备领域,尤其涉及一种显示器及该显示器的制造方法。
【背景技术】
[0002]随着终端设备的普及,应用于终端设备上的各种显示技术也不断发展。除了普遍使用的液晶显示器之外,现有技术中还存在有其他非液晶显示器。
[0003]现有技术中的一种显示器可以在像素区上设置一个形变层,并通过控制电压来改变形变层对像素区的覆盖面积,从而实现了对像素区透光率的控制。这种显示器虽然无需采用液晶材料,相对于传统的液晶显示器,结构上要简单许多。但是,在其像素区上仍然需要依次制作参考电位层,绝缘层和形变层等结构,制作工艺还是较为复杂,成本较高。

【发明内容】

[0004]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望能够提供一种结构简单的显示方案。为了实现上述一个或多个目的,本申请实施例提供了一种显示器及该显示器的制造方法。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种显示器,该显示器包括:
[0006]相对设置的TFT基板以及彩膜基板,所述TFT基板包括:呈阵列排布的多个像素单元,每个所述像素单元均包括一个第一 TFT元件以及一个第二 TFT元件,所述像素单元中所述第一 TFT元件与第二 TFT元件之外的透光区域为显示区;
[0007]设置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一侧表面的透明参考电位层,所述透明参考电位层位于所述显示区之上;设置在所述参考电位层上的不透明形变层,所述形变层的表面覆盖有氧化层,所述氧化层用于将所述形变层与所述参考电位层绝缘;
[0008]其中,所述第一TFT元件的输出电极与所述参考电位层电连接;所述第二TFT元件的输出电极与所述形变层电连接;所述形变层用于根据其与所述参考电位层的电压差,以其与所述TFT基板的连接部分为轴发生与所述电压差对应程度的弹性形变,以改变所述形变层对所述显示区的覆盖面积。
[0009]第二方面,本申请实施例提供了一种显示器的制造方法,该方法包括:
[0010]提供TFT基板,所述TFT基板包括:多个第一 TFT元件、多个第二 TFT元件以及覆盖于所述第一 TFT元件和所述第二 TFT元件之上的透明平坦层;
[0011]在所述透明平坦层内形成与所述第一 TFT元件的输出电极贯通的第一通孔以及与所述第二 TFT元件的输出电极贯通的第二通孔;
[0012]在所述透明平坦层之上形成参考电位层,所述参考电位层通过所述第一通孔与所述第一 TFT元件的输出电极电连接;
[0013]在所述参考电位层上形成形变层,所述形变层通过所述第二通孔与所述第二 TFT元件的输出电极电连接;
[0014]在所述形变层的表面形成氧化层,所述氧化层用于将所述形变层与所述参考电位层绝缘;
[0015]提供一彩膜基板,将所述彩膜基板与所述TFT基板贴合,所述形变层以及参考电位层位于所述彩膜基板与所述TFT基板之间;
[0016]其中,所述形变层能够以其与所述TFT基板的连接部分为轴发生不同程度的弹性形变,以改变其对所述第一 TFT元件与所述笫二 TFT元件之外的显示区的覆盖面积。
[0017]本申请实施例提供的显示器及其制作方法,首先可以在TFT基板和彩膜基板之间设置参考电位层和形变层,并在形变层表面形成氧化层,以使其与参考电位层绝缘。然后可以通过参考电位层和形变层之间的电压差来使得形变层发生弹性形变,从而改变其对显示区的覆盖面积,以实现对显示区出射光线的控制。由于本申请实施例中的显示器结构较为简单,不需要在参考电位层和形变层之间设置额外的绝缘层,也不需要液晶显示器中的配向膜、偏光片等结构,因此在工艺流程上易于实现,制作成本低。
【附图说明】
[0018]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0019]图1是本申请显示器的一个实施例的结构示意图;
[0020]图2是本申请实施例中一个像素单元的电路结构示意图;
[0021]图3是本申请实施例提供的一种显示器的显示原理示意图;
[0022]图4-图7是本申请实施例提供的一种显示器的制造方法的工艺流程示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
[0024]需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0025]请参考图1,其示出了本申请显示器的一个实施例的结构示意图。
[0026]如图1所示,本实施例的显示器10包括:TFT基板11和彩膜基板12,并且TFT基板11和彩膜基板12相对设置。TFT基板11包括:第一基板111以及设置于第一基板111面向彩膜基板12 —侧表面上的、呈阵列排布的多个像素单元。为了便于理解,可以进一步参考图2,其示出了本实施例中一个像素单元的电路结构示意图。如图2所示,一个像素单元可以包括一个第一 TFT元件13以及一个第二 TFT元件14,并且像素单元中除第一 TFT元件13与第二 TFT元件14之外的透光区域可以作为显示区。可选地,TFT基板11还可以包括覆盖于所述第一 TFT元件13以及第二 TFT元件14之上的透明平坦层112。
[0027]显示器10还包括有设置在TFT基板11朝向彩膜基板12 —侧表面的透明参考电位层15。由于TFT基板11中与彩膜基板最接近的一层为透明平坦层112,因此透明参考电位层15可以设置于透明平坦层112朝向彩膜基板12 —侧的表面上。在本实施例中,该透明参考电位层15可以位于上述显示区之上。也就是说,透明参考电位层15没有覆盖TFT基板11朝向彩膜基板12 —侧的整个表面,而是呈阵列状地覆盖在TFT基板11的每个显示区之内。在参考电位层15上,还可以设置有不透明的形变层16。形变层16的表面可以覆盖有氧化层,这个氧化层可以用于将形变层16与参考电位层15绝缘。
[0028]在本实施例中,第一 TFT元件13可以包括控制电极131、输入电极132和输出电极133。其中,输出电极133可以与上述参考电位层15电连接。可选地,控制电极131、输入电极132和输出电极133可以分别是第一 TFT元件13的栅极、源极和漏极。第二 TFT元件14也可以包括控制电极141、输入电极142和输出电极143。其中,输出电极143可以与上述形变层16电连接。可选地,控制电极141、输入电极142和输出电极143可以分别是第二 TFT元件14的栅极、源极和漏极。
[0029]在本实施例中,第一 TFT元件13和第二 TFT元件14可以作为开关元件。当分别在二者的控制电极131和控制电极141上施加高电压时,第一 TFT元件13和第二 TFT元件14可以处于导通状态。此时,如果在输入电极132和输入电极142上分别施加不同的电压,则输出电极133和输出电极143可以分别输出不同的电压。相应的,参考电位层15和形变层16上被施加了不同的电压。此时,形变层16可以根据其与参考电位层15之间的电压差,以其与TFT基板11的连接部分为轴发生与上述电压差对应程度的弹性
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