初始化TFT Τ4的漏电极D4耦合至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cstl、补偿TFT Τ3的漏电极D3以及驱动TFT Tl的栅电极G1。初始化TFT Τ4根据经由先前扫描线122接收到的先前扫描信号Sn-1而被导通，并且通过将初始化电压Vint传送至驱动TFT Tl的栅电极Gl而通过初始化驱动TFT Tl的栅电极Gl的电压来执行初始化操作。
[0043]操作控制TFT Τ5的栅电极G5耦合至发射控制线123，操作控制TFT Τ5的源电极S5耦合至驱动电压线172，并且操作控制TFT Τ5的漏电极D5耦合至驱动TFT Tl的源电极SI和开关TFT Τ2的漏电极D2。
[0044]发射控制TFT Τ6的栅电极G6耦合至发射控制线123，发射控制TFT Τ6的源电极S6耦合至驱动TFT Tl的漏电极Dl以及补偿TFT Τ3的源电极S3，并且发射控制TFT Τ6的漏电极D6电耦合至有机发光器件OLED的像素电极。操作控制TFT Τ5和发射控制TFT Τ6根据经由发射控制线123接收到的发射控制信号En而被同时(例如，同步地)导通，并且向有机发光器件OLED传送驱动电压ELVDD以使得驱动电流IaED流过有机发光器件0LED。
[0045]存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2耦合至驱动电压线172，并且有机发光器件OLED的对电极耦合至公共电压ELVSS。因此，有机发光器件OLED通过从驱动TFT Tl接收驱动电流1_而发光，从而显示了图像。
[0046]下面将对这种有机发光显示设备中的像素的详细操作进行简要描述。
[0047]首先，在初始化周期期间，经由先前扫描线122供给处于低电平的先前扫描信号Sn-1。随后，初始化TFT T4响应于处于低电平的先前扫描信号Sn-1而被导通，并由此，初始化电压Vint从初始化电压线124经由初始化TFT T4传送至驱动TFT Tl的栅电极G1，并且驱动TFT Tl通过初始化电压Vint而被初始化。
[0048]随后，在数据编程周期期间，经由扫描线121供给处于低电平的扫描信号Sn。因此，开关TFT T2和补偿TFT T3响应于处于低电平的扫描信号Sn而被导通。由此，驱动TFTTl通过导通的补偿TFT T3而被二极管耦合并且正向偏置。随后，通过在从数据线171供给的数据信号Dm上减去驱动TFT Tl的阈值电压Vth而获得的补偿电压(Dm+Vth，其中，Vth具有负值)被施加至栅电极Gl。接着，驱动电压ELVDD和补偿电压被施加至存储电容器Cst的两端，并由此，与两端之间的电压差相对应的电荷被存储在存储电容器Cst中。
[0049]随后，在发射周期期间从发射控制线123供给的发射控制信号En从高电平转变成低电平。因此，在发射周期期间，操作控制TFT T5和发射控制TFT T6根据处于低电平的发射控制信号En而被导通。随后，生成基于驱动TFT Tl的栅电极Gl的电压与驱动电压ELVDD之间的电压差来确定的驱动电流1。_，并且驱动电流1。_经由发射控制TFT T6供给至有机发光器件0LED。在发射周期期间，驱动TFT Tl的栅-源电压Vtis通过存储电容器Cst保持为‘(Dm+Vth)-ELVDD’，并且因为驱动电流1_与‘(Dm-ELVDD) 2’ (即，根据驱动TFT Tl的电流-电压关系，在栅-源电压Vtis上减去阈值电压Vth而获得的值的平方)成比例，因此驱动电流1。_的确定可与驱动TFT Tl的阈值电压Vth无关。
[0050]现在将参照图2至图10对图1的有机发光显示设备的(子)像素的更加详细的结构进行描述。
[0051]图2是示出根据本发明实施方式的图1的(子)像素的多个TFT和电容器的位置的示意图。图3至图6是按照各个层来示出图2的多个TFT和电容器的部件的示意图。换言之，图3至图6中的每个示出了布置在同一层中的布线和半导体层的布局，并且绝缘层可位于图3至图6中示出的层之间。例如，图7的第一绝缘层141可位于图3的层与图4的层之间，图7的第二绝缘层142可位于图4的层与图5的层之间，并且图7的层间绝缘层160可位于图5的层与图6的层之间。此处，接触孔等可形成在这种绝缘层上，以使得图3至图6的层彼此电耦合。
[0052]根据当前实施方式的有机发光显示设备的(子)像素包括扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124，其中，扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124分别施加扫描信号Sn、先前扫描信号Sn_l、发射控制信号En和初始化电压Vint并且沿着行方向形成。并且，根据当前实施方式的有机发光显示设备的(子)像素可包括数据线171和驱动电压线172，其中，数据线171和驱动电压线172与扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123以及初始化电压线124交叉并且分别向(子)像素施加数据信号Dm和驱动电压ELVDD。
[0053]并且，(子)像素可包括驱动TFT Tl、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6、存储电容器Cst、以及有机发光器件OLED。
[0054]驱动TFT Tl、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和发射控制TFT T6形成在如图3中所示的半导体层上，其中，半导体层可具有弯曲或呈任意形状轮廓的形状。半导体层可包括与驱动TFT Tl相对应的驱动半导体层131a、与开关TFT T2相对应的开关半导体层131b、与补偿TFT T3相对应的补偿半导体层131cl、131c2和131c3、与初始化TFT T4相对应的初始化半导体层131dl、131d2和131d3、与操作控制TFT T5相对应的操作控制半导体层131e、以及与发射控制TFT T6相对应的发射控制半导体层131f。换言之，驱动半导体层131a、开关半导体层131b、补偿半导体层131cl、131c2和131c3、初始化半导体层131dl至131d3、操作控制半导体层131e和发射控制半导体层131f可理解为构成图3的半导体层的部分区域。
[0055]半导体层可包括多晶硅。并且，半导体层可包括例如不掺杂杂质的沟道区、以及通过在沟道区的两侧上掺杂杂质而形成的源区和漏区。此处，杂质根据TFT的类型而有所不同，并且可为N-型杂质或P-型杂质。并且，源区或漏区可被解释为TFT的源电极或漏电极。换言之，例如，驱动源电极176a可与在图3的半导体层的驱动半导体层131a附近掺有杂质的驱动源区相对应，驱动漏电极177a可与在图3的半导体层的驱动半导体层131a附近掺有杂质的驱动漏区相对应。并且，TFT之间的图3中的半导体层的区域可掺有杂质以操作作为电耦合TFT的布线。
[0056]与此同时，存储电容器Cst可被形成。存储电容器Cst可包括第一存储电容器板125a和第二存储电容器板127，其中，第二绝缘层142位于第一存储电容器板125a与第二存储电容器板127之间。此处，第一存储电容器板125a也可操作作为驱动TFT Tl的驱动栅电极。换言之，驱动栅电极和第一存储电容器板125a可形成为一体。下文中，为了便利起见，可对驱动栅电极使用与第一存储电容器板125a相同的参考编号。
[0057]如图4中所示，第一存储电容器板125a可具有与相邻的(子)像素隔离的矩形形状。如图4中所示，这种第一存储电容器板125a可形成在与扫描线121、先前扫描线122和发射控制线123相同的层中并且由与扫描线121、先前扫描线122和发射控制线123相同的材料形成。
[0058]作为参考，开关栅电极125b和补偿栅电极125cl和125c2可为扫描线121中与半导体层交叉的一部分或者从扫描线121突出的一部分，初始化栅电极125dl和125d2可为先前扫描线122中与半导体层交叉的部分或者从先前扫描线122突出的部分，并且操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f可为发射控制线123中与半导体层交叉的部分或者从发射控制线123突出的一部分。
[0059]相邻的(子)像素的第二存储电容器板127可彼此耦合，并且如图5中所示，可形成在与初始化电压线124相同的层中并且由与初始化电压线124相同的材料形成。存储开口 27可形成在第二存储电容器板127上并且可使得第一存储电容器板125a和补偿TFT T3的补偿漏电极177c经由将在稍后更加详细描述的连接单元174而彼此电耦合。第二存储电容器板127可经由形成在层间绝缘层160上的接触孔168耦合至驱动电压线172。
[0060]驱动TFT Tl包括驱动半导体层131a、驱动栅电极125a、驱动源电极176a和驱动漏电极177a。如上所述，驱动栅电极125a也可作为第一存储电容器板125a操作。驱动源电极176a为驱动栅电极125a的外部区域(在图3中的_x方向上)，并且驱动漏电极177a为驱动栅电极125a的外部区域(在图3中的+X方向上)并且布置成基于驱动栅电极125a与驱动源电极176a相对。
[0061]开关TFT T2包括开关半导体层131b、开关栅电极125b、开关源电极176b和开关漏电极177b。开关源电极176b可经由穿过第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔164电耦合至数据线171。此处，如果需要，则数据线171中位于接触孔164附近的一部分可被理解为开关TFT T2的源电极S2。开关漏电极177b与在开关半导体层131b附近掺有杂质的开关漏区相对应。
[0062]补偿TFT T3包括补偿半导体层131cl、131c2和131c3、补偿栅电极125cl和125c2、补偿源电极176c和补偿漏电极177c。补偿源电