画素结构及反射式显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种画素结构及显示面板，且特别涉及一种反射式画素结构及反射式显示面板。
【背景技术】
[0002]—般而言，显示设备可分为穿透式、反射式以及半穿半反式。穿透式显示设备具有背光模块，因此，即便在黑暗处，穿透式显示设备仍可清楚的显示画面。但穿透式面板的缺点为无法在光照强烈处使用且耗电量大。此外，由于穿透式显示设备具有背光模块，因此穿透式显示设备的厚度不易缩减。
[0003]反射式显示设备通过反射外部光线而显示画面。因此，在光照强烈处，反射式显示面板更能够提供质量良好的画面。此外，由于反射式显示设备不包括耗电量大的背光模块，因此反射式显示设备非常省电。然而，由于反射式显示设备不包括背光模块，因此，在黑暗处反射式显示设备便无法显示画面。有鉴于此，现已发展出在黑暗处及光照强烈处皆可使用的半穿半反式显示设备。然而，半穿半反式显示设备无论在黑暗处还是在光照强烈处，依然无法达到与穿透式显示设备或反射式显示设备同等级的显示效果。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型公开了一种画素结构及反射式显示面板，其显示效果佳。
[0005]本实用新型提供的画素结构包括主动元件、绝缘层、反射画素电极以及第一透明画素电极。绝缘层覆盖主动元件且具有暴露出主动元件的开口。反射画素电极配置于绝缘层上且填入开口，以与主动元件电性连接。第一透明画素电极配置于反射画素电极上且与反射画素电极电性连接。第一透明画素电极具有多个量子点。
[0006]本实用新型提供的反射式显示面板包括上述画素结构、第一基板、相对于第一基板的第二基板以及配置于画素结构与第二基板之间的液晶层，其中，该画素结构配置于该第一基板上。
[0007]在本实用新型的一实施例中，上述第一透明画素电极还具有透明导电体。透明导电体配置于反射画素电极上且与反射画素电极电性连接，多个量子点混入透明导电体的内部。
[0008]在本实用新型的一实施例中，上述第一透明画素电极还具有透明导电体。透明导电体配置于反射画素电极上且与反射画素电极电性连接，多个量子点位于透明导电体的表面上。
[0009]在本实用新型的一实施例中，上述画素结构还包括第二透明画素电极。第二透明画素电极覆盖透明导电体的表面以及多个量子点，以与透明导电体以及多个量子点电性连接。
[0010]在本实用新型的一实施例中，上述量子点包括多个红光量子点、多个绿光量子点以及多个蓝光量子点。
[0011]在本实用新型的一实施例中，上述反射式显示面板还包括彩色滤光层。彩色滤光层配置于第二基板与液晶层之间。
[0012]基于上述，本实用新型一实施例的反射式显示面板利用具有多个量子点的第一透明画素电极取代外部背光模块，进而让用户在任何环境下皆可清楚地观看显示画面。此外，由于具有多个量子点的第一透明画素电极内建在反射式显示面板中，因此反射式显示面板具有易于薄型化的优点。另外，具有多个量子点的第一透明画素电极的消耗功率低且其发光原理为冷光，因此反射式显示面板更兼具省电及视觉舒适的效果。
[0013]为使本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型一实施例的反射式显示面板的剖面示意图；
[0015]图2为图1中的第一透明画素电极130的放大示意图；
[0016]图3为本实用新型另一实施例的反射式显示面板的剖面示意图；
[0017]图4为图3中的第一透明画素电极130A的放大示意图；
[0018]图5为本实用新型又一实施例的反射式显示面板的剖面示意图；
[0019]图6为图5中的第一透明画素电极130A与第二透明画素电极140的放大示意图。
[0020]附图标记说明:100、100A、100B-画素结构;110_绝缘层;110a_开口 ;120_反射画素电极；130、130A-第一透明画素电极；132R、132G、132B-量子点；134_透明导电体；134a-表面；140_第二透明画素电极；1000、1000A、1000B-反射式显示面板；BM_黑色矩阵层；CF-彩色滤光层；Com-共享电极层；CH-通道；D-汲极；G_闸极；GI_绝缘层；LC_液晶层；S1-第一基板；S2-第二基板；S-源极；T-主动元件。
【具体实施方式】
[0021]图1为本实用新型一实施例的反射式显示面板的剖面示意图。如图1所示，反射式显示面板1000包括第一基板S1、配置于第一基板S1上的画素结构100、相对于第一基板S1的第二基板S2以及配置于画素结构100与第二基板S2之间的液晶层LC。在本实施例中，第二基板S2为透光基板，第一基板S1可为不透光/反光基板或透光基板。透光基板的材质可为玻璃、石英、塑料或其它可适用的材料，不透光/反光基板的材质可为导电材料、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料，但本实用新型不以此为限。
[0022]在本实施例中，反射式显示面板1000可选择性包括与反射画素电极120重迭的彩色滤光层CF。彩色滤光层CF可位于第二基板S2上。换言之，彩色滤光层CF可配置于第二基板S2与液晶层LC之间。然而，本实用新型不限于此，在其他实施例中，彩色滤光层CF也可位于第一基板S1上(意即，位于第一基板S1与液晶层LC之间)，彩色滤光层CF与画素结构100可形成彩色滤光层在矩阵上(color filter on array, COA)结构。此外，反射式显示面板1000可进一步包括遮蔽主动元件T且露出反射画素电极120的黑色矩阵层BM，以防止漏光。需说明的是，本实用新型并不限制反射式显示面板一定要包括彩色滤光层CF及/或黑色矩阵层BM，彩色滤光层CF与黑色矩阵层BM的设置与否均可视实际的需求而定。
[0023]反射式显示面板1000还包括共享电极层com。共享电极层com与反射画素电极120之间的电压差能够驱动液晶层LC，进而使反射式显示面板1000显示画面。在本实施例中，共享电极层com可位于第二基板S2上，反射式显示面板1000可为扭转向列(TN)、超级扭转向列(Super Twisted Nematic, STN)、垂直排列(Vertical Alignment, VA)或其他适当型式的反射式显示面板。然而，本实用新型不限于此，在其他实施例中，共享电极层com也可以设置在第一基板S1上，反射式显示面板也可为平面切换型(In Plane Switching，IPS)、边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)或其他适当型式的反射式显示面板。
[0024]画素结构100包括主动元件T、绝缘层110、反射画素电极120以及第一透明画素电极130。主动元件T可以为薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。薄膜晶体管具有闸极G、与闸极G重迭的通道CH以及分别位于通道CH两侧的源极S与汲极D。在本实施例中，闸极G位于通道CH下方。换言之，本实施例中的主动元件T可为底部闸极型薄膜晶体管(bottom gate TFT)。然而，本实用新型不限于此，在其他实施例中，主动元件T也可为顶部闸极型薄膜晶体管(top gate TFT)或其他适当型式的薄膜晶体管。此外，画素结构100可进一步包括夹设在闸极G与通道CH之间的绝缘层GI。绝缘层GI即俗称的闸绝缘层，其材质可为无机材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少两种材料的堆桟层)、有机材料或上述组合。
[0025]绝缘层110覆盖主动元件T且具有暴露出主动元件T的开口 110a。详言之，在本实施例中，绝缘层110的开口 110a暴露出薄膜晶体管的汲极D。绝缘层110的材质可为无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少两种材料的堆栈层)、有机材料或上述组合。反射画素电极120配置于绝缘层110上且填入开口 110a，以与主动元件T电性连接。详言之，反射画素电极120填入开口 110a，以与薄膜晶体管的汲极D电性连接。在本实施例中，反射画素电极120的材质可以为金属材料，但本实用新型不限于此，在其他实施例中，反射画素电极120也可以使用其他反光导电材料(例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或金属材料与其它导电材料的堆栈层)。
[0026]第一透明画素电极130配置于反射画素电极120上且与反射画素电极120电性连接。举例而言，在本实施例中，第一透明画素电极130可直接且完全覆盖反射画素电极120，第一透明画素电极130与反射画素电极120电性接触。但本实用新型不以此为限，在其他实施例中，第一透明画素电极130与反射画素电极120也可被导光结构(未绘示)隔开，第一透明画素电极130可不直接覆盖反射画素电极120。值得注意的是，第一透明画素电极130具有多个量子点132R、132G、132B。当第一透明画素电极130被施加适当电压(例如:7?10V)时，量子点132R、132G、132B会被激发而产生能阶跃迀的现象，进而发光。
[0027]在本实施例中，量子点132R、132G、132B包括可发出红光的红光量子点132R、可发出绿光的绿光量子点132G以及可发出蓝光的蓝光量子点132B。然而，本实用新型不限于此，在其他实施例中，第一透明画素电极130也可具有其他发光颜色的量子点。在本实施例中，红光量子点132R可为CdSe量子点(其尺寸例如:?3nm)，绿光量子点132G可为CdSe/ZnO量子点(其尺寸例如:?3.5nm)，蓝光量子点132B可为CdSe/ZnS量子点(其尺寸例如:?4nm)。更进一步地说，在同一单位面积中，红光量子点132R的粒子数:绿光量子点132G的粒子数:蓝光量子点132B的粒子数可约为1:1:1。本实用新型中的量子点材料与其比例均可视实际需求做调整，凡是在本实用新型提供的画素结构的前提下所作的衍申发明，应属本实用新型的相同立意，从而受本实用新型保护范围所涵盖。
[0028]图2为图1