专利名称：行波电极型零空隙定向耦合型光开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光开关。
目前，光开关(列阵)是采用集总电极型结构，其结构依次为上电极、上限层、波导层、下限层、重掺杂层、下电极构成。集总电极结构光开关的开关速度和调制带宽(一般为几个GHz)受调制电极间电容的限制，使该光开关不适用于高速场合应用。
本实用新型的目的是提供一种适用于高速场合应用的行波电极型零空隙定向耦合型光开关。
本实用新型的目的是通过下述方案实现的包括上电极、上限层、波导层、下限层、下电极、重掺杂层，特征是所述重掺杂层的宽度大于下限层的宽度，在重掺杂层两边宽出部分的上面分别布置一条所述的下电极，在重掺杂层的下面设置一层半绝缘的衬底，重掺杂层的厚度小于衬底的厚度。
本实用新型由于采用了行波电极型和零空隙定向耦合型改变了光开关的结构，从而提高了光开关的速度，实现了调制微波和光波的速度匹配，得到了大于20GHz的调制带宽。
以下结合附图对本实用新型作详细说明。
图1是本实用新型的横截面结构示意图。
参照
图1，行波电极型零空隙定向耦合型光开关，是由上电极1、上限层2、波导层3、下限层4、下电极5、重掺杂层6和衬底7构成。上电极1为复合电极，依次是金、镍、铝，铝层与波导层形成肖特基(Schottky)结构，厚度为0.2μm。镍层厚度为0.02μm，金层厚度为0.2μm。上限层2为外延生长层Ga07Al0.3As，掺杂为1×1017cm-3，厚度为1.5μm。2条下电极5为金锗镍合金(AuGeNi)，与外延片的重掺杂层6合金化，并成欧姆接触。重掺杂层6为外延生长层GaAs，掺杂为1×1018cm-3，厚度为2.0μm。衬底7为半绝缘体SIGaAs，起支持作用，厚度是250μm。重掺杂层6和衬底7的宽度大于下限层4、波导层3、上限度2的宽度。2条下电极5分别在重掺杂层6宽出下限层4两边部分的上表面。
权利要求1.一种行波电极型零空隙定向耦合型光开关，包括上电极[1]、上限层[2]、波导层[3]、下限层[4]、下电极[5]、重掺杂层[6]，其特征在于所述重掺杂层[6]的宽度大于下限层[4]的宽度，在其两边宽出部分的上面分别布置一条所述的下电极[5]，在重掺杂层[6]的下面设置一层半绝缘的衬底[7]，重掺杂层[6]的厚度小于衬底[7]的厚度。
专利摘要一种行波电极型零空隙定向耦合型光开关,由上电极、上限层、波导层、下限层、下电极、重掺杂层、衬底构成,重掺杂层和衬底的宽度分别大于上面的上限层、波导层、下限层的宽度,2条下电极分别位于重掺杂层宽出下限层两边部分的上表面,衬底为半绝缘体,厚度比重掺杂层的厚度大得多,是起支持作用。本光开关的开关速度快,实现了调制微波和光波的速度匹配,得到了大于20GHz的调制带宽。
文档编号G02B6/35GK2479520SQ0124599
公开日2002年2月27日 申请日期2001年6月14日 优先权日2001年6月14日
发明者王明华, 江晓清, 黄旭涛, 李锡华, 周强 申请人:浙江大学