电光装置以及电子设备的制作方法

专利名称：电光装置以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明属于例如有源矩阵驱动的液晶装置，电子纸等电泳装置，EL(场致发光)显示装置等电光装置的技术领域。另外，本发明还属于具备这种电光装置的电子设备的技术领域。
背景技术：
以往，已知在基板上通过具备矩阵形排列的像素电极以及连接在该电极的每一个上的薄膜晶体管(薄膜晶体管；以下，称为「TFT」。)，连接在该TFT的每一个上，沿着行以及列方向分别平行设置的数据线以及扫描线等，能够进行所谓的有源矩阵驱动的电光装置。
在这样的电光装置中，除去上述以外，具备与上述基板对向配置的对向基板，同时，在该对向基板上，具备与像素电极对向的对向电极等，进而，通过具备夹在像素电极以及对向电极之间的液晶层，连接了像素电极以及上述TFT的存储电容器等，能够进行图像显示。即，液晶层内的液晶分子根据设定在像素电极以及对向电极之间的预定的电位差，适当变更其取向状态，由此，通过使透过了该液晶层的光的透射率发生变化，能够进行图像的显示。
这种情况下，上述的存储电容器具有使像素电极中的电位保持特性提高的功能。从而，例如在顺序驱动由n条构成的扫描线的情况下，在使连接到其第1条扫描线上的TFT以及像素电极成为导通以后，至在下次机会中该TFT以及像素电极成为导通的期间，由于能够把该像素电极与与之对向的对向电极间的电位差维持为所希望的状态，因此能够显示更高品质的图像。
另外，上述的电光装置中的上述基板具有设置了扫描线，数据线，像素电极以及存储电容器等的图像显示区，设置了扫描线驱动电路，数据线驱动电路，用于在这些电路上供给预定信号的外部电路连接端子等的周边区。
但是，在以往的电光装置中，具有以下的问题。即，上述的存储电容器构成为具备一对对向的电极以及夹在该电极之间的电介质膜等，其中，一对电极的一方(以下，有时称为「电容电极」。)最好预先维持为预定的电位。为了满足该要求，以往，谋求电容电极与从外部供给了预定电位的上述外部电路连接端子的连接。该连接必须跨过上述图像显示区以及周边区之间进行。另一方面，上述一对电极的另一方必须与像素电极以及TFT电连接。这是为了使存储电容器承担提高上述电极的电位保持特性的功能所必需的条件。从这些方面出发，在上述基板上构成存储电容器必须清除某些制约，而这将存在带来困难的问题。
首先，一般来讲，在满足电光装置的小型化、高清晰的要求的同时，为了谋求上述那样的存储电容器的设置则将产生困难。为了实现这一点，在谋求兼顾在基板上构筑的扫描线，数据线以及像素电极等存储电容器的周围结构的基础上，需要把由这些各结构要素构成的叠层构造尽可能取为适宜的构造。
另外，具体地讲，对于上述电容电极，由于必须将其连接到外部电路连接端子，因此下面的问题十分显著。即，以往，例如，有时采用在不同的层形成从外部电路连接端子延伸的布线，电容电极或者从该电容电极延伸的布线，同时，经过接触孔把两者之间连接起来等形态(这样的形态在谋求构筑适宜的叠层构造的尝试中，是要实现上述连接的一个例子。)。但是，为了实现上述连接如果利用接触孔，则由该接触孔带来的高电阻化的可能性很大，另外，在每个接触孔还可能产生特性相异这样的事态等，因此电容电极或者从该电极延伸的布线的时间常数增大，其结果，在图像上有时将发生交调失真等不理想状态。另外，上述的布线在形成为横跨过图像显示区的情况下，观察到所谓的横向交调失真。

发明内容
本发明是鉴于以上的问题而产生的，目的是提供通过适宜地在构成存储电容器的电容电极上供给预定电位，极力抑制在图像上发生交调失真等不理想状况，而且能够显示高品质的图像的电光装置。另外，本发明的目的还在于提供具备了这种电光装置的电子设备。
本发明的电光装置为了解决上述课题，在基板上具备沿着预定方向延伸的数据线以及沿着与该数据线交叉的方向延伸的扫描线；由上述扫描线供给扫描信号的开关元件；由上述数据线经过上述开关元件供给图像信号的像素电极，上述基板具有作为上述像素电极以及上述开关元件的形成区所规定的图像显示区；规定该图像显示区的周边的周边区，在上述周边区上具备沿着上述基板的边缘部分所形成的外部电路连接端子，在上述图像显示区上具备把上述像素电极中的电位保持预定期间的存储电容器；在构成该存储电容器的电容电极上供给预定电位的同时与构成上述外部电路连接端子的电极作为同一膜形成的电容布线。
如果依据本发明的电光装置，则通过扫描线对于作为开关元件一例的薄膜晶体管供给扫描信号，由此控制其导通、截止。另一方面，对于像素电极，通过数据线供给图像信号，由此根据上述薄膜晶体管导通、截止，在像素电极上进行该图像信号的施加·非施加。由此，本发明的电光装置能够进行所谓的有源矩阵驱动。另外，在本发明中，通过形成把像素电极中的电位保持预定期间的存储电容器，提高该像素电极的电位保持特性。
而且，在本发明中，特别是上述基板具有图像显示区以及周边区，其中，在前者中形成上述的像素电极，开关元件，存储电容器以及电容布线，在后者中形成外部电路连接端子。另外，这里所说的外部电路连接端子典型地能够设想为电极，形成在该电极上的绝缘膜，以及为了使该电极的全部或者一部分露出到外部由在上述绝缘膜上开孔的接触孔构成的部分。
在这样的结构中，进而在本发明中，在周边区上，具备在构成上述存储电容器的电容电极上供给预定电位的同时与构成上述外部电路连接端子的电极作为同一膜形成的电容布线。这里所谓「作为同一膜」形成意味着在该电光装置的制造工艺中，上述电极以及电容布线两者的前驱膜在同一个机会成膜，而且，对于该前驱膜同时实施预定的图形化处理(例如，光刻以及刻蚀工艺等)。如果依据这样的方法，则这些电极以及电容布线形成在由数据线，扫描线以及像素电极等构成的叠层构造中的同一个层上，另外，两者由相同的材料构成。
由此，如果依据本发明，则由于电容布线在图像显示区以及周边区的双方都作为同一膜形成，因此不需要像背景技术的项目中叙述的那样，用接触孔电连接从构成外部电路连接端子的电极延伸的布线；构成图像显示区内的存储电容器的电容电极，或者在该电容电极上供给预定电位的布线。从而，能够极力地防止发生由该接触孔的不确定引起的横向交调失真等图像上的不理想状态。另外，由于构成外部电路连接端子的电极以及电容布线由同一材料构成，因此作为材料如果选择适当的材料，则能够达到两者的低电阻化等，根据这一点也能够减少图像上发生不理想状态的可能性。
另外，在本发明中，电容布线作为起到在电容电极上供给预定电位的作用的结构，例如，该电容布线可以采用连接于电容电极或者从电容电极延伸的结构。这里，所谓「连接于电容电极」，例如，包括在基板上所构筑的叠层构造中在不同的层中形成电容电极以及电容布线的情况下，两者之间通过接触孔，把两者连接起来等情况。另外，所谓电容布线「从电容电极延伸」，例如，包括具有与该电容电极平面连续的形状的图形(即，在该图形中，在成形该图形的平面内成为包括称作电容布线的部分和称作电容电极的部分的双方。)形成在同一层上等情况。
在本发明的电光装置的一个形态中，上述电容布线在上述数据线上经过第1层间绝缘膜形成。
如果依据该形态，则能够适宜地构成由在基板上构筑的扫描线，数据线，像素电极以及外部电路连接端子等构成的叠层构造。
即，首先，外部电路连接端子由于必须具备暴露在外部的电极，因此在上述的叠层构造中，最好形成在对向的上层。
这是因为如果不这样做，就必须开孔比较深的接触孔等使得从叠层构造的最上层部分通到上述电极。另一方面，如果依据本形态，由于电容布线形成在数据线的上方，因此与在电容布线作为同一膜形成，构成外部电路连接端子的电极也形成在数据线的上方。从而，该电极在上述的叠层构造中形成在对向的上层。
根据上述，如果依据本形态，则能够适宜地形成上述的叠层构造。
在本发明的电光装置的其它形态中，上述电容布线形成在包括上述像素电极的层的正下方的层上。
如果依据该形态，则能够更适宜地形成由在基板上构筑的扫描线，数据线，像素电极以及外部电路连接端子等构成的叠层构造。即，如果由于像素电极需要与电光物质对向，则电容布线形成在包括像素电极的层的正下方的层上，典型地设想该电容布线从电光物质的层观看，与像素电极之间形成为仅夹住一层绝缘膜的情况。而且，该情况下，构成与电容布线作为同一膜形成的外部电路连接端子的电极由于也形成在包括像素电极的层的正下方的层上，因此在该电极上，通常仅存在上述绝缘膜。这是因为在周边区中，通常形成在像素电极正下方的绝缘膜的表面暴露在外部。从而，如果依据本形态，把外部电路连接端子或者构成该端子的电极暴露在外部是极其容易的。
在本发明的电光装置的其它形态中，上述电容电极在上述数据线的下方经过第2层间绝缘膜形成。
如果依据该形态、则通过在数据线的下方形成电容电极，能够适宜地构成由在基板上构筑的扫描线，数据线以及像素电极等构成的叠层构造。
首先，电容电极由于不形成在至少形成了数据线的层上，因此只要不存在其它构成要件，则也能够把该电容电极形成在该数据线的正下方的区域中。这种情况下，由于电容电极构成存储电容器的一部分，因此通过该电极的面积增大能够容易地实现该存储电容器的大电容化。另外，通过把电容电极以及数据线形成在不同的层上，能够用不同的材料构成这两者，因此能够采用对于前者，作为存储电容器的电极选择更适宜的材料，对于后者，采用导电性更高的材料等这样的结构，能够进一步提高设计的自由度。
另外，在本形态的结构的基础上，如果兼用电容布线形成在数据线的上方的上述形态，则能够更好地实现叠层构造的理想结构。这种情况下，上述的叠层构造从下方开始顺序地包括电容电极，数据线以及电容布线，而如果依据该构造，就能够同时享受由上述各形态所起到的作用效果。另外，在该情况下，电容电极以及电容布线的电连接能够通过设置贯通上述第1以及第2层间绝缘膜的接触孔实现。
在本发明的电光装置的其它形态中，在上述电容布线上供给的电位包括供给到上述扫描线驱动电路上的电位。
如果依据该形态，则供给到电容布线上的电位由于包括供给到上述扫描线驱动电路上的电位，因此例如不需要采取为两者而分别准备电源等措施，其结果能够简化该电光装置的结构。
另外，本形态中所说的「供给到扫描线驱动电路中的电位」理想的是包括供给到该扫描线驱动电路的低电位一侧的电位。
在本发明的电光装置的其它形态中，还具备与上述基板对向配置的对向基板和形成在该对向基板上的对向电极，供给到上述电容布线上的电位包括供给到上述对向电极上的电位。
如果依据该形态，则由于供给到电容布线上的电位包括供给到上述对向电极上的电位，因此例如不需要采取为了两者而分别准备电源等的措施，其结果能够简化该电光装置的结构。
在本发明的电光装置的其它形态中，电容布线由遮光性材料构成。
如果依据该形态，则由于电容布线由遮光性材料构成，因此在图像显示区内，能够实现与形成了该电容布线的区域对向应的遮光。由此，在构成作为上述开关元件一例的薄膜晶体管的半导体层(有源层)中，由于能够事先防范入射杂散光，因此能够抑制该半导体层中的光漏电流的发生，从而，能够预先防止图像上发生闪烁等。
另外，由于电容布线与构成外部电路连接端子的电极作为同一膜形成，因此该电容布线也形成在周边区域上，从而如果依据该形态，在周边区中也能够享受遮光性能。例如，对于作为形成在周边区上的开关元件的薄膜晶体管，能够起到与上述相同的作用效果，进而，能够期待该薄膜晶体管的正确工作。
另外，作为在本形态中所说的「遮光性材料」，例如除包括光反射率比较大的Al(铝)等以外，也包括Ti(钛)，Cr(铬)，W(钨)，Ta(钽)，Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种，还包括金属单质，合金，金属硅化物，聚硅化物，以及把它们叠层了的材料。
在本发明的电光装置的其它形态中，上述电容布线具有由不同材料构成的叠层构造。
如果依据该形态，例如，构成为在电容布线的下层由铝构成的层，在其上层由氮化钛构成的层等这样的两层构造。这种情况下，如果依据下层的铝层，则能够享受高导电性能以及由比较高的光反射率产生的遮光性能，同时，如果根据上层的氮化钛层，则在图形化处理在电容布线上的层间绝缘膜等的前驱膜时，或者在该层间绝缘膜等上形成接触孔时，能够享受防止发生所谓的穿透的功能(即，由该氮化构成的层起到所谓的阻挡刻蚀的作用)。
这样，如果依据本形态，则通过电容布线构成为具有「叠层构造」的构造，使该电容布线承担在电容电极上供给电位的功能的基础上，还能够提供新的功能，谋求其高功能化。
另外，作为本形态中所说的「叠层构造」，除去上述以外，当然也能够采用各种结构。
本发明的电子设备为了解决上述课题具备上述本发明的电光装置(其中，包括其各种形态。)。
如果依据本发明的电子设备，则由于具备上述的本发明的电光装置，因此能够实现可以显示不发生横向交调失真等高品质图像的投影机，液晶电视，移动电话机，电子笔记本，文字处理器，取景器型或者监视器直视型的摄像机，工作站，电视电话，POS终端，触摸屏等各种电子设备。
本发明的这种作用及其优点将从以下所说明的实施形态中明确。


图1是与形成在TFT阵列基板上的各构成要件一起从对向基板一侧观看TFT阵列基板的电光装置的平面图。
图2是图1的H-H’剖面图。
图3是矩阵形地形成了电光装置的图像显示区的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。
图4是形成了数据线，扫描线，像素电极等的TFT阵列基板相邻接的多个像素群的平面图，仅示出下层部分(至图6中的符号70(存储电容器)为止的下层部分)中的结构。
图5是形成数据线，扫描线，像素电极等的TFT阵列基板相邻接的多个像素群的平面图，仅示出上层部分(越过图6中的符号70(存储电容器)的上层部分)的结构。
图6是把图4以及图5重叠在一起时的A-A’剖面图。
图7是图2中的标注了符号Z的圆内部分的放大图，是与图6所示的叠层构造对向应的剖面图。
图8是与图4以及图5相同意义的图，是形成了数据线，扫描线，像素电极等的TFT阵列基板相邻接的多个像素组的平面图。
图9是图8的B-B’剖面图以及周边区上的叠层构造物的剖面图。
图10是本发明实施形态的投射型液晶装置的平面图。
图11是与形成在TFT阵列基板上的各构成元件一起从对向基板一侧观看TFT阵列基板的电光装置的另一实施形态的平面图。
具体实施例方式
以下，参照

本发明的实施形态。以下的实施形态把本发明的电光装置适用在液晶装置中。
电光装置的整体结构首先，参照图1以及图2说明本发明的电光装置的实施形态的整体结构。这里，图1是与形成在TFT阵列基板上的各构成元件一起从对向基板一侧观看TFT阵列基板的电光装置的平面图，图2是图1的H-H’剖面图。这里，以作为电光装置一例的驱动电路内装型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。
在图1以及图2中，在本实施形态的电光装置中，TFT阵列基板10与对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10与对向基板20之间封入液晶层50，TFT阵列基板10和对向基板20由设置在位于图像显示区10a周围的密封区的密封材料52相互粘接。
密封材料52由用于把两个基板粘接在一起的例如紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，在制造工艺中，在TFT阵列基板10上涂敷了以后，通过紫外线照射、加热等使其硬化。另外，在密封材料52中散布用于使TFT阵列基板10与对向基板20的间隔(基板间缝隙)成为预定值的玻璃纤维或者玻璃珠等缝隙材料。即，本实施形态的电光装置作为投影机的光阀用，在小型而且进行放大显示方面是十分适宜的。
与配置了密封材料52的密封区的内侧相并行，规定图像显示区10a的边缘区的遮光性的边缘遮光膜53设置在对向基板20一侧。其中，这种边缘遮光膜53的一部分或者全部也可以设置为在TFT阵列基板10一侧作为内置遮光膜。另外，在本实施形态中，存在规定上述图像显示区10a的周边的周边区。换言之，在本实施形态中，特别是从TFT阵列基板10的中心观看，把从该边缘遮光膜53以远的部分规定为周边区。
这里，如在图11中所示的其它实施形态那样，边缘遮光膜53的内侧拐角部分可以不是曲线、没有圆弧的角。另外，边缘遮光膜53的外侧拐角部分也可以不是曲线、没有圆弧的角。
在周边区中，位于配置了密封材料52的密封区外侧的区域中，沿着TFT阵列基板10的一条边特别地设置数据线驱动电路101以及外部电路连接端子102。另外，扫描线驱动电路104设置成沿着与该一条边相邻的两条边，而且覆盖上述边缘遮光膜53。进而，由于这样连接设置在图像显示区10a两侧的2个扫描线驱动电路104，因此设置多条布线105使得沿着TFT阵列基板10剩余的一条边，而且覆盖上述边缘遮光膜53。其中，数据线驱动电路101以及扫描线驱动电路104经过延伸电容布线404和外部电路连接端子102连接。在本实施形态中，对于该延伸电容布线404的具体结构具有特征，而关于这一点参照图7等在后面详细叙述。
另外，在对向基板20的4个拐角部分中，配置作为两个基板之间的上下导通端子起作用的上下导通构件106。另一方面、在TFT阵列基板10上，在与这些拐角对向应的区域中设置上下导通端子。由此，能够在TFT阵列基板10与对向基板20之间取得电导通。
图2中，在TFT阵列基板10上，在像素开关用的TFT和形成了扫描线，数据线等布线以后的像素电极9a上形成取向膜。另一方面，在对向基板20上，除去对向电极21以外，形成网格形或者条带形的取向膜23，进而在最上层部分中形成取向膜。另外，液晶层50例如由一种或者混合了多种向列液晶的液晶构成，在这些一对取向膜之间采取预定的取向状态。
另外，在图1以及图2所示的TFT阵列基板的10上，除去这些数据线驱动电路101，扫描线驱动电路104等以外，还可以形成抽样图像信号线上的图像信号供给到数据线上的抽样电路，先于图像信号分别在多条数据线上供给预定电压电平的预充电信号的预充电电路，用于检查制造过程中或者出厂时的该电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。
像素部分中的结构以下，参照图3到图7说明本实施形态中的电光装置的像素中的结构。这里，图3是构成电光装置的图像显示区的矩阵形地形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图，图4以及图5是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板相邻接的多个像素区的平面图。另外，图4以及图5在后述的叠层构造中分别把下层部分(图4)与上层部分(图5)分开进行图示。
另外，图6是把图4以及图5重叠在一起时的A-A’剖面图，图7是图2中的标注了符号Z的圆内部的放大图，是与图6所示的叠层构造对向应的剖面图。另外，在图6以及图7中，为了使各层·各部件成为在图面上可识别程度的大小，在该各层·各部件中使比例尺不同。
像素部分的电路结构图3中，在构成本实施形态的电光装置的图像显示区的矩阵形地形成的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a的TFT30，供给图像信号的数据线6a电连接到该TFT30的源上。写入到数据线6a中的图像信号S1、S2、……、Sn可以按照该顺序线顺序地供给，也可以对于相互邻接的多条数据线6a之间，按照每一组供给。
另外，构成为在TFT30的栅上电连接栅电极3a，按照预定的定时，在扫描线11a以及栅电极3a上按照该顺序线顺序地脉冲形地施加扫描信号G1、G2、……、Gm。像素电极9a电连接到TFT30的漏上，通过仅在预定期间把作为开关元件的TFT30闭合其开关，按照预定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、……、Sn。
经过像素电极9a写入到作为电光物质一例的液晶中的预定电平的图像信号S1、S2、……、Sn在与形成在对向基板上的对向电极之间保持预定期间。根据所施加的电压电平，通过液晶的分子集合的取向或者秩序发生变化，把光进行调制，能够进行色调显示。如果是常白模式，则根据按照各像素的单位施加的电压减少对于入射光的透射率。如果是常黑模式，则根据按照各像素的单位施加的电压增加对于入射光的透射率，作为整体，从电光装置出射具有与图像信号对向应的对比度的光。
在这里为了防止所保持的图像信号漏泄，在像素电极9a与对向电极之间形成的液晶电容上并联添加存储电容器70。该存储电容器70并排地设置在扫描线11a上，包括固定电位侧电容电极的同时，还包括固定在恒定电位上的电容电极300。
像素部分的具体结构以下，参照图4至图7说明由上述数据线6a，扫描线11a以及栅电极3a，TFT30等实现上述那样的电路工作的电光装置的具体结构。
首先，在图4以及图5中，在TFT阵列基板10上矩阵形地设置多条像素电极9a(由虚线部分示出的轮廓)，沿着像素电极9a的各纵横边界设置数据线6a以及扫描线11a。数据线6a如后述那样由包括铝膜等的叠层构造构成，扫描线11a例如由导电性的多晶硅膜构成。另外，扫描线11a在半导体层1a中经过接触孔12c与图中右上斜线区域中所示的沟道区1a’对向的栅电极3a电连接，该栅电极3a成为包括在该扫描线11a中的形式。
即，在栅电极3a与数据线6a交叉的位置，在沟道区1a’上，分别设置与包括在扫描线11a中的栅电极3a对向配置的像素开关用的TFT30。由此TFT30(除去栅电极。)成为存在于栅电极3a与扫描线11a之间的形态。
其次，电光装置如图4以及作为图5的A-A’线剖面图的图6所示，例如，具备由石英基板，玻璃基板，硅基板构成的TFT阵列基板10以及与其对向配置的例如由玻璃基板或者石英基板构成的对向基板20。
在TFT阵列基板10的一侧，如图6所示，设置上述的像素电极9a，在其上侧，设置实施了摩擦处理等预定的取向处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO膜等透明导电性膜构成。另一方面，在对向基板20的一侧，在其整个表面设置对向电极21，在其下侧设置实施了摩擦处理等预定的取向处理的取向膜22。对向电极21与上述的像素电极9a相同，例如由ITO膜等透明导电性膜构成。
在这样对向配置的TFT阵列基板10以及对向基板20之间，在由上述的密封材料52(参照图1以及图2)包围的空间中封入液晶等电光物质，形成液晶层50。液晶层50在没有施加来自像素电极9a的电场的状态下根据取向膜16以及22采取预定的取向状态。
另一方面，在TFT阵列基板10上，除去上述的像素电极9a以及取向膜16以外，具备包括这些部分的各种结构构成的叠层构造。该叠层构造如图6所示，从下方开始顺序地由包括扫描线11a的第1层，包括含有栅电极3a的TFT30等的第2层，包括存储电容器70的第3层，包括数据线6a等的第4层，包括作为本发明中所说的「电容布线」一例的电容布线400等的第5层，包括上述的像素电极9a以及取向膜16等的第6层(最上层)构成。
另外，在第1层以及第2层之间，设置基底绝缘膜12，在第2层以及第3层之间设置第1层间绝缘膜41，在第3层以及第4层之间设置第2层间绝缘膜42，在第4层以及第5层之间设置第3层间绝缘膜43，在第5层以及第6层之间设置第4层间绝缘膜44，防止上述的各部分之间短路。另外，在这些各种绝缘膜12、41、42，43以及44上，例如还设置TFT30的半导体层1a中的高浓度源区1d与数据线6a电连接的接触孔等。以下，关于这些各部分，从下方开始顺序地进行说明。另外，上述中从第1层到第3层在图4中图示为下层部分，第4层到第6层在图5中图示为上层部分。
叠层构造·第1层的结构-扫描线等-首先，在第1层中，设置了包括由例如Ti，Cr，W，Ta，Mo等的高熔点金属中的至少一种的金属单质，合金，金属硅化物，聚硅化物，叠层了它们的部分或者导电性多晶硅膜构成的扫描线11a。该扫描线11a从平面观看如沿着图4的X方向所示，条带形地图形化。如果更详细观看，则条带形的扫描线11a具备沿着图4的X方向延伸的主线部分和沿着数据线6a或者电容布线400延伸出的图4的Y方向延伸的突出部分。另外，从相邻的扫描线11a延伸的突出部分并不相互连接，从而，该扫描线11a成为一条一条分断了的形式。
叠层构造·第2层的结构-TFT等-其次，作为第2层设置包括栅电极3a的TFT30。TFT30如图6所示，具有LDD(Lightly Doped Drain)构造，作为其构成要素，具备上述的栅电极3a，例如由多晶硅膜构成，通过来自栅电极3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区1a’，包括把栅电极3a与半导体层1a绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2，半导体层1a中的低浓度源区域1b和低浓度漏区1c，以及高浓度源区1d和高浓度漏区1e。
另外，在第1实施形态中，在该第2层上，与上述的栅电极3a作为同一膜形成中继电极719。该中继电极719从平面观看如图4所示，岛形地形成使得位于沿着各像素电极9a的X方向延伸的一条边的大致中央。由于中继电极719与栅电极3a作为同一膜形成，因此后者例如在由导电性多晶硅膜等构成的情况下，前者也由导电性多晶硅膜构成。
叠层构造·第1层以及第2层之间的结构-基底绝缘膜-如图6所示，在以上说明的扫描线11a的上方，而且TFT30的下方，设置例如由氧化硅膜等构成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除去把TFT30从扫描线11a进行层间绝缘的功能以外，通过形成在TFT阵列基板10的整个表面上，还具有能够防止TFT阵列基板10的表面研磨时的皲裂或者洗净以后残留的污物等引起像素晶体管用的TFT30的特性变化的功能。
在该基底绝缘膜12上，从平面观看，在半导体层1a的两个侧部，挖掘沿着从后述的数据线6a延伸的半导体层1a的沟道长度方向的槽形的接触孔12cv，与该接触孔12cv对向应，包括在下侧凹形地形成叠层在其上方的栅电极3a的部分。另外，通过形成栅电极3a使得填埋该接触孔12cv的整体，在该栅电极3a上延伸设置与其形成为一体的侧壁部分3b。由此，TFT30的半导体层1a如图4中清楚地示出的那样，从平面观看，成为从侧方覆盖，成为至少抑制来自该部分的光的入射。
另外，该侧壁部分3b如图4所示，形成为使得填埋上述的接触孔12cv的同时，还使得其下端与上述的扫描线11a连接。在这里，扫描线11a如上述那样由于形成为条带形，因此在某行中存在的栅电极3a以及扫描线11a若只着眼于该行则通常成为等电位。
叠层构造·第3层的结构-存储电容器等-进而，如图6所示，在与上述的第2层连续的第3层中，设置存储电容器70。存储电容器70通过经由电介质膜75与TFT30的高浓度漏区1e以及像素电极9a连接的作为像素电位侧电容电极的下部电极71，作为固定电位侧电容电极的电容电极300对向配置而形成。如果依据该存储电容器70，则能够显著地提高像素电极9a中的电位保持特性。另外，第1实施形态的存储电容器70如观看图4的平面图所知道的那样，由于形成为使得在像素电极9a的形成区中没有到达几乎对应的光透射区(换言之，由于形成为收容在遮光区内)，因此能够比较大地维持电光装置整体的像素开口率，由此，能够显示更明亮的图像。
更详细地讲，下部电极71例如由导电性的多晶硅膜构成，起到像素电位侧电容电极的功能。其中，下部电极71也可以由包括金属或者合金的单一层膜或多层膜构成。另外，该下部电极71除去起到像素电位侧电容电极的功能以外，还具有把像素电极9a与TFT30的高浓度漏区1e进行中继连接的功能。顺便指出，这里所说的中继连接经过上述的中继电极719进行。
电容电极300起到存储电容器70的固定电位侧电容电极的作用。在第1实施形态中，为了使电容电极300成为固定电位，通过谋求与取为固定电位的电容布线400(后述。)的电连接完成。另外，电容电极300由包括Ti，Cr，W，Ta，Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单质，合金，金属硅化物，聚硅化物，叠层了它们的结构或者更理想的是由钨硅化物构成。
由此，电容电极300具有在TFT30上遮挡要从上侧入射的光的功能。
电介质膜75如图6所示，例如由膜厚5～200nm左右的比较薄的HTO(High Temperature Oxide)膜，LTO(Low Temperature Oxide)膜等氧化硅膜或者氮化硅膜等构成。从增大存储电容器70的电容的观点出发，在能够充分地得到膜的可靠性的限制内，电介质膜75越薄越好。
在第1实施形态中，该电介质膜75如图6所示，成为具有下层是氧化硅膜75a，上层是氮化硅膜75b这样的两层结构。上层的氮化硅膜75b图形化为比像素电位侧电容电极的下部电极71稍大的尺寸，形成为使得收容在遮光区(非开口区)内。
叠层构造·第2层以及第3层间的结构-第1层间绝缘膜-在以上说明的TFT30至栅电极3a以及中继电极719的上方，而且存储电容器70的下方，形成例如NSG(非搀杂硅酸盐玻璃)，PSG(磷硅酸盐玻璃)，BSG(硼硅酸盐玻璃)，BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或氧化硅膜等，或者更理想的是由NSG构成的第1层间绝缘膜41。
而且，在该第1层间绝缘膜41上，贯通后述的第2层间绝缘膜42，开孔把TFT30的高浓度源区1d与后述的数据线6a电连接的接触孔81。另外，在第1层间绝缘膜41上，开孔把TFT30的高浓度漏区1e与构成存储电容器70的下部电极71电连接的接触孔83。进而，在该第1层间绝缘膜41上，开孔用于把构成存储电容器70的作为像素电位侧电容电极的下部电极71与中继电极719电连接的接触孔881。进而，在第1层间绝缘膜41上，贯通后述的第2层间绝缘膜开孔用于把中继电极719与后述的第2中继电极6a2电连接的接触孔882。
叠层构造·第4层的结构-数据线等-在与上述第3层连续的第4层中设置数据线6a。该数据线6a如图6所示，作为具有三层构造的膜，从下层开始顺序地形成由铝构成的层(参照图6中的符号41A)，由氮化钛构成的层(参照图6中的符号41TN)，由氮化硅膜构成的层(参照图6中的符号401)。氮化硅膜构成为稍大的尺寸使得覆盖其下层的铝层和氮化钛层。
另外，在该第4层中，作为与数据线6a同一膜，形成电容布线用中继层6a1以及第2中继电极6a2。这些部分如图5所示，如果平面观看，并不是形成为具有与数据线6a连续的平面形状，每一个之间形成为图形上分断。例如，如果着眼于在图5中位于最左方的数据线6a，则在其正右方形成具有大致四边形的电容布线用中继层6a1，进而在其右方形成具有比电容布线用中继层6a1大一些的面积的大致四边形的第2中继电极6a2。
叠层构造·第3层以及第4层之间的结构-第2层间绝缘膜-在以上说明的存储电容器70的上方，而且数据线6a的下方，形成例如NSG，PSG，BSG，BPSG等硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或者氧化硅膜等，或者更理想的是通过使用了TEOS气体的等离子CVD法形成的第2层间绝缘膜42。在该第2层间绝缘膜42上，开孔把TFT30的高浓度源区1d与数据线6a电连接的上述的接触孔81的同时，开孔把上述电容布线用中继层6a1与存储电容器70的上部电极的电容电极300电连接的接触孔801。进而，在第2层间绝缘膜42上，形成用于把第2中继电极6a2与中继电极719电连接的上述的接触孔882。
叠层构造·第5层的结构-电容布线等-在与上述第4层连续的第5层上形成电容布线400。
该电容布线400如果从平面观看，则如图5所示网格形地形成，使得分别沿着图中的X方向以及Y方向延伸。在该电容布线400中关于沿着图中的Y方向延伸的部分，特别地形成为覆盖数据线6a，而且比在数据线6a宽。另外，对于沿着图中的X方向延伸的部分，为了确保形成后述的第3中继电极402的区域，在各个像素电极9a的一条边的中央附近具有切口部分。
进而，图5中，在分别从XY方向延伸的电容布线400的交叉部分的拐角部分中，设置大致三角形的部分使得填埋该拐角部分。在电容布线400中，通过设置该大致三角形的部分，能够有效地遮挡对于TFT30的半导体层1a的光。即，对于半导体层1a要从斜上方进入的光通过由该三角形的部分反射或者吸收，不会到达半导体层1a。从而，抑制发生光漏电流，能够显示没有闪烁等的高品质的图像。
该电容布线400从配置了像素电极9a的图像显示区10a延伸到其周围，通过与恒定电位源电连接，成为固定电位(参照后述的有关延伸电容布线404的说明。)。
这样，形成使得覆盖数据线6a整体的同时，如果根据成为固定电位的电容布线400的存在，则能够排除在该数据线6a以及像素电极9a之间发生的电容耦合的影响。即，通过向数据线6a的通电，能够预先避免像素电极9a的电位变动的事态，在图像上能够降低发生沿着该数据线6a的显示不均匀等的可能性。在本实施形态中，特别是由于网格形地形成电容布线400，因此即使对于扫描线11a延伸的部分，也能够将其抑制成使得不发生无用的电容耦合。
另外，在第5层中，作为与这种电容布线400的同一膜，形成第3中继电极402。该第3中继电极402具有经过后述的接触孔804以及89，把第2中继电极6a2以及像素电极9a之间的电连接进行中继的功能。另外，在这些电容布线400以及第3中继电极402之间，并不是平面形地连续形成，两者之间形成为在图形上分断。
另一方面，上述的电容布线400以及第3中继电极402在下层具有由铝构成的层，在上层由氮化钛构成的层的二层构造。这样，电容布线400以及第3中继电极402包括光反射型能比较出色的铝，而且，包括光吸收性能比较出色的氮化钛，因此该电容布线400以及该第3中继层402能够起到遮光层的作用。即，如果依据这些构造，则能够在上侧遮挡对于TFT30的半导体层1a的入射光(参照图6)的行进。
而且，在本实施形态中，特别是在周边区中，也如图7所示，延伸设置上述的电容布线400(以下，为了与图像显示区10a中的电容布线400区别，把该周边区中的电容布线称为「延设电容布线404」。)。即，该延设电容布线404在第3层间绝缘膜43上，与电容布线400以及第3中继电极402(以下，有时称为「电容布线400等」。)形成为同一膜。由此，延设电容布线404与上述的电容布线400以及第3中继电极402相同，具有下层由铝构成的层，上层由氮化钛构成的层这样的两层构造。
该延设电容布线404的一部分构成参照图1以及图2说明的外部电路连接端子102。具体地讲，在形成于延设电容布线404上的第4层间绝缘膜44上，通过形成向延设电容布线404通过的接触孔44H，该延设电容布线404的上面露出到外部，由此形成外部连接端子102。另外，如从图中所明确的那样，该延设电容布线404的一部分与本发明所说的「构成外部电路连接端子的电极」相当。
顺便指出，对于图1所示的外部电路连接端子102全部同样地形成图7所示的延设电容布线404，而其中在电容布线400上延伸的部分，即谋求与该电容布线400的电联络的部分是其中的一部分。即，如图1所示，在外部电路连接端子102中，只有与特定的外部电路连接端子102对应的延设电容布线404形成为从电容布线400延伸，关于其余的与外部电路连接端子102对应的延设电容布线404，虽然与电容布线400等作为同一膜形成，但是两者形成为图形上分断。另外，上述的特定外部电路连接端子102(换言之，通过与延设电容布线404电连接，成为供给要向电容电极300供给的预定电位的外部电路连接端子102)例如图1中绘出的多个外部电路连接端子102中的某一个以上可以与其相当。更具体地讲，这些多个外部电路连接端子102除去采用在与沿着图中上下行走的中心线(未图示)对称的位置，设置2个该特定的外部电路连接端子102的形态以外，也可以采用从上述中心线观看，仅在图1中左侧以及右侧的某一方，设置该特定的外部电路连接端子102的形态。
另外，在本实施形态中，上述的特定外部电路连接端子102连接到扫描线驱动电路104上的同时，在该特定的外部电路连接端子102上供给在扫描线驱动电路104上供给的低电位一侧的恒定电位。由此，该电容布线400上成为供给与该恒定电位相同的电位，从而，在经过接触孔801和803以及电容布线用中继层6a1电连接到该电容布线400上的电容电极300(参照图6)也成为供给与该恒定电位相同的电位。其中，作为要供给到电容电极300上的「恒定电位」，代替上述的结构，也可以使用供给到数据线驱动电路101上的电位，还可以使用供给到对向基板20的对向电极21上的恒定电位。这些结构能够通过采取使应该从电容布线400延伸的延设电容布线404与上述不同等的措施容易地实现。这里所谓「使其不同」，具体地讲，可以适当地变更第3层间绝缘膜43上的图形化处理的具体形态(图形化形状)，或者代替该方法或在其基础上，适当地变更应该连接到外部电路连接端子102上的电源的顺序等。
另外，在图7中，作为与形成在图像显示区中的扫描线11a的同一膜，形成台阶调整膜11aP，另外，作为与栅电极3a以及中继电极719的同一膜，形成台阶调整膜3aP。通过这些台阶调整膜11aP以及3aP的存在，能够进行使得图像显示区与周边区中的叠层构造整体的高度几乎相同等的调整。由此，还能够进行使图像显示区中的电容布线400的高度与外部电路连接端子102的高度几乎相同等的调整。由此，例如在TFT阵列基板上涂敷取向膜，进行摩擦的取向工艺时，也能够几乎均匀地把TFT阵列基板表面进行取向处理。特别是，该台阶调整膜11aP不限于扫描线，栅线和中继电极，也可以是图形化形成的膜。
叠层构造·第4层以及第5层之间的结构-第3层间绝缘膜-如图6所示，在数据线6a的上方而且电容布线400的下方，形成NSG，PSG，BSG，BPSG等的硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或者氧化硅膜等，或者更理想的是由使用了TEOS气体的等离子CVD法形成的第3层间绝缘膜43。在该第3层间绝缘膜43上分别开孔用于把上述的电容布线400与电容布线用中继层6a1电连接的接触孔803，以及用于把第3中继电极402与第2中继电极6a2电连接的接触孔804。
叠层构造·第6层以及第5场及第6层之间的结构-像素电极等-最后，在第6层上，如上述那样矩阵形地形成像素电极9a，在该像素电极9a上形成取向膜16。而且，在该像素电极9a的下方，形成NSG，PSG，BSG，BPSG等硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或者氧化硅膜等，或者更理想的是由NSG构成的第4层间绝缘膜44。在该第4层间绝缘膜44上，开孔用于把像素电极9a以及上述第3中继电极402之间电连接的接触孔89。在像素电极9a与TFT30之间，经过该接触孔89及第3中继层402，以及上述的接触孔804，第2中继层602，接触孔882，中继电极719，接触孔881，下部电极71以及接触孔83进行电连接。
另外，在本实施形态中，在第4层间绝缘膜44的表面通过CMP(Chemical Mechanical Polishing)处理等使其平坦，降低由存在于其下方的各种布线或者元件等的台阶引起的液晶层50的取向不良。其中，代替这样在第4层间绝缘膜44上实施平坦处理，或者在其基础上，也可以通过在TFT阵列基板10，基底绝缘膜12，第1层间绝缘膜41，第2层间绝缘膜42以及第3层间绝缘膜43中的至少一个上开槽，埋入数据线6a等布线或者TFT30等，进行平坦处理。
该电光装置的作用效果如果依据以上结构的本实施形态的电光装置，特别是由于形成作为第5层的结构所说明的延设电容布线404，因此起到以下的作用效果。
首先，第一，在本实施形态中，由于电容布线400与延设电容布线404在第3层间绝缘膜上作为同一膜形成，因此如从图6以及图7所明确的那样，不需要用于谋求两者之间的电联络的接触孔等。从而，能够极力地防止发生由该接触孔的不稳定引起的横向交调失真等图像上的不理想状况。
这种本实施形态的电光装置的作用效果从与作为比较例所示的图8以及图9的对比出发将更明确。这里，图8是与图4以及图5相同意义的图，是形成了比较例的电光装置的数据线，扫描线和像素电极等TFT阵列基板相邻接的多个像素群的平面图，图9是图8的B-B’剖面图以及周边区上的叠层构造物的剖面图。另外，在这些图中，为了示出图示的各要素(例如，数据线，扫描线，TFT，存储电容器等)，有时使用与在图4至图7中所使用的符号相同的符号，而这样做表示两者之间是实质上起到相同作用的要素。例如，在图8以及图9中所示的数据线「6a」意味着是具有与在图4至图7中所示的数据线「6a」相同的功能，即，对于像素电极9a经过TFT30供给图像信号的功能的要素(另外，关于像素电极「9a」以及TFT「30」，在这两者之间使用相同的符号也是根据相同的意义。)。
在这些图8以及图9中，作为从与图4至图7的对比出发显著不同的结构，能够举出电容线300’。即，在图8以及图9中，构成存储电容器70的一方的电极，并不是岛形地形成电容电极300(参照图4)，而是形成为沿着图8中的X方向条带形地延伸的电容线300’。其中，该电容线300’与电容电极300相同，由于具有遮挡从上侧入射到TFT30的光的作用，因此与上述例示的相同，由钨硅化物等遮光性材料构成。
另外，在图8以及图9中，如果与图4至图7相比较，则叠层的层数成为减少一层的形式(即，在图4至图7中，存在至第4层间绝缘膜44为止的层，与之不同，在图8以及图9中，仅存在至第3层间绝缘膜43为止的层。)。与此相伴随，在图8以及图9中，为了构成外部电路连接端子102，在周边区中，形成与数据线6a形成为同一膜的布线6aP。外部电路连接端子102由通过在第3层间绝缘膜43上开孔的接触孔43H露出到外部的布线6aP的一部分构成。
而且，在图8以及图9的比较例的电光装置中，为了把电容线300’取为恒定电位，该电容线300’与布线6aP如果是图1，则在大致用符号G表示的区域内，如图9的正中间的图所示，成为经过接触孔63进行电连接。即，与沿着图8中的X方向延伸的一条一条的电容线300’对向应，形成多个接触孔63，通过在这些多个接触孔63上形成沿着图8中的Y方向延伸的布线6aP，使得在该电容线300’上供给恒定电位。这种情况下，布线6aP虽然与数据线6a形成为同一膜，但是两者形成为在图形上完全分断(如果不这样做，则数据线6a不能够起到供给图像信号的作用)，另外，该布线6aP与电容线300’没有形成为同一膜。
在成为这种结构的图8以及图9的电光装置中，有可能发生由把电容线300’以及布线6aP之间电连接的接触孔63或者电容线300’自身引起的横向交调失真。这是因为由接触孔63带来的高电阻化的可能性很大，另外在上述的多个接触孔63之间可能发生特性的分散性等，难以在各条电容线300’上稳定提供预定的恒定电位。另外，在该电容线300’如上述那样用钨硅化物等高电阻材料构成的情况下显著地出现由电容线300’引起的横向交调失真。为了防止这一点，还必须考虑用适当的低电阻材料构成该电容线300’，而如果这样做，则有可能不能够充分地享有遮光性能。另外，在制造该电容线300’上的构成元件时，有可能不能够利用高温处理。
而如果依据本实施形态，则可以不存在上述那样的各种不理想状况。之所以这样讲，是因为如已经叙述的那样，在本实施形态中，构成外部电路连接端子102的延设电容布线404与电容布线400作为同一膜，而且构成为电联络。从而，不发生以存在接触孔为原因的高电阻化等。另外，在本实施形态中，如电容线300’那样，由钨硅化物等高电阻材料构成的布线在图像显示区中并不是条带形地形成，而只是形成岛形的电容电极300，因此即使假设该电容电极300由钨硅化物等高电阻材料构成，发生以此为原因的横向交调失真的可能性也极小。
另外，虽然与本发明的电光装置的作用效果没有直接关系，但是与在图4至图7中形成在第1层上的扫描线11a对向应的部分并没有在图8以及图9中形成，代替该扫描线11a，形成仅具有防止来自TFT30下侧的光入射功能的下侧遮光膜11z。顺便指出，下侧遮光膜11z与扫描线11a不同，由于不需要一条一条地分断，因此如图8所示形成为网格形。另外，在图4至图7中，形成在第2层上的栅电极3a在图8以及图9中没有作为单独的栅电极形成，而形成为扫描线3z(栅电极作为该扫描线3z的一部分形成。)。
其次，作为本实施形态的第二个作用效果，对实施形态中的延设电容布线404以及电容布线400通过经由第3层间绝缘膜43形成于数据线6a上，能够比较容易达到延设电容布线404以及电容布线400作为同一膜形成，以及外部电路连接端子102必须露出到外部这样的要求(参照图7)。另外，在本实施形态中，特别是延设电容布线404以及电容布线400由于仅经过第4层间绝缘膜44，形成在包括像素电极9a的第6层的正下方，即与该像素电极9a之间，因此将进一步起到上述的作用效果。即，根据这样的结构，用于构成外部电路连接端子102的接触孔44H如图7所示，由于可以仅对于第4层间绝缘膜44形成，因此其深度比较浅，能够比较容易地进行该接触孔44H的形成。
另外，与这样的结构并用，在本实施形态中，电容电极300经过第2层间绝缘膜42形成在数据线6a的下方。由此，能够更适宜地构筑包括电容布线400和存储电容器70等的叠层构造。即，电容电极300形成在数据线6a的下方这一点意味着能够在数据线6a的正下方的区域中形成该电容电极300。实际上，在本实施形态中，图5中，形成电容电极300以及下部电极71(参照图4)，使得在沿着Y方向延伸的数据线6a的下方，具有相同地沿着Y方向突出的部分。如果这样做，则由于能够谋求存储电容器70的面积增大，能够实现其大电容化。
如以上那样，在本实施形态中，由于从下方开始顺序地构筑电容电极300，数据线6a以及电容布线400的叠层构造，因此能够同时享有上述的各种作用效果。
其次，作为本实施形态的第三个作用效果，在本实施形态中，延设电容布线404中的一部分形成为从电容布线400延伸，该一部分延伸电容布线404通过电连接到特定的外部电路连接端子102(在该端子102上，如上述那样供给扫描线驱动电路104上所供给的低电压位一侧的电位。)上，不需要用于使电容布线400以及电容电极300成为恒定电位的特别的电源。由此，能够使该电光装置的结构简化相应的部分。
第四，在本实施形态中，通过延设电容布线404与电容布线400等作为同一膜形成，两者同时具有下层由铝构成的层，上层由氮化钛构成的层这样的两层构造，由此，即使在延设电容布线404中也能够得到与对于电容布线400等所述的相同的作用效果。即，延设电容布线404由于包括光反射性能比较出色的铝，而且光吸收性能比较出色的氮化钛，因此该延设电容布线404能够适宜地起到遮光层的作用。
另外，由于延设电容布线404包括由氧化钛构成的层，因此能够在形成于该延设电容布线404上的第4层间绝缘膜44中比较容易地形成接触孔44H。这是因为在通过对于第4层间绝缘膜44的干法刻蚀等开孔接触孔44H时，由上述氮化钛构成的层起到刻蚀阻止层或者阻挡金属的作用，即，通过由上述氮化钛构成的层预先防止发生所谓的穿透，在上述干法刻蚀的终点探测时不需要加以特殊的注意。其中，对接触孔44H的开口如图7所示，也可以去除延设电容布线404上层的由氮化钛构成的膜。由此，在把该延设电容布线404与外部电路电连接时，该外部电路由于直接与下层的由铝构成的膜连接，因此能够在接触面中实现低电阻。
电子设备其次，对于把以上详细地说明了的电光装置用作为光阀的电子设备一例的投射型彩色显示装置的实施形态，说明其总体结构，特别是光学结构。这里，图10是投射型彩色显示装置的图式的剖面图。
图10中，作为本发明实施形态的投射型彩色显示装置一例的液晶投影机1100，准备3个包括在TFT阵列基板上搭载了驱动电路的液晶装置的液晶模块，构成分别用作为RGB用的光阀100R，100G以及100B的投影机。在液晶投影机1100中，如果从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发出投射光，则由3片反射镜1106以及2片分色镜1108，分开为与RGB三原色对向应的光成分R，G以及B，分别被导向与各颜色对向应的光阀100R，100G以及100B。这时，B光为了防止比较长的光路引起的光损失，经过由入射透镜1122，中继透镜1123以及出射透镜1124构成的中继透镜系统1121导入。而且，分别由光阀100R，100G以及100B调制了的与三原色对向应的光成分由分色棱镜1112再次合成了以后，经过投射透镜1114在屏幕1120上投射为彩色图像。
本发明并不限于上述的实施形态，在不违反从技术方案的范围以及说明书总体中读出的本发明的宗旨或者思想的范围内能够适当地变更，与其变更相伴随的电光装置以及电子设备也包含在本发明的技术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板之上具备沿着预定方向延伸的数据线以及沿着与该数据线交叉的方向延伸的扫描线；通过上述扫描线供给扫描信号的开关元件；通过上述数据线经由上述开关元件供给图像信号的像素电极；上述基板中的作为上述像素电极以及上述开关元件的形成区所规定的图像显示区；规定该图像显示区的周边的周边区；在上述周边区之上沿着上述基板的边缘部分所形成的外部电路连接端子；在上述图像显示区之上把上述像素电极中的电位保持预定期间的存储电容器；在构成该存储电容器的电容电极上供给预定电位，并且与构成上述外部电路连接端子的电极形成在同一膜上的电容布线。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于在上述数据线上经过第1层间绝缘膜形成有上述电容布线。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容布线形成在包括上述像素电极的层的正下方的层上。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于在上述数据线的下方经过第2层间绝缘膜形成有上述电容电极。
5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于供给到上述电容布线上的电位包括供给到上述扫描线驱动电路上的电位。
6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于还具备与上述基板对向配置的对向基板和形成在该对向基板上的对向电极，供给到上述电容布线上的电位包括供给到上述对向电极上的电位。
7.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容布线由遮光性材料构成。
8.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容布线具有由不同材料构成的叠层构造。
9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电容布线在上述图像显示区上形成为俯视网格形。
10.根据权利要求9所述的电光装置，其特征在于在上述网格形地形成的电容布线的交叉部分的角部，设置有从上述电容布线延长的基本呈三角形的部分使得填埋上述角部。
11.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于在与上述外部电路连接端子对向应的区域的下方设置有以上述基板表面为基准，使上述电容布线的高度与上述外部电路连接端子的高度成为基本相同的高度调整用的台阶调整膜。
12.一种电子设备，其特征在于具备权利要求1至11的任一项所述的电光装置。
全文摘要
本发明的电光装置具备数据线，扫描线，TFT，像素电极，包括与TFT以及像素电极连接的电容电极的存储电容器等，在图像显示区中，形成与上述电容电极连接或者延伸的电容布线，该电容布线延伸到周边区上的外部电路连接端子，由此，通过在构成存储电容器的电容电极上适宜地供给预定电位，极力防止发生使得在图像上发生交调失真等不理想的状况，显示更高品质的图像。
文档编号G02F1/1368GK1542710SQ200410037359
公开日2004年11月3日 申请日期2004年4月27日 优先权日2003年5月2日
发明者村出正夫 申请人:精工爱普生株式会社