专利名称：电光装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用液晶等电光物质的电光装置，特别是，涉及用来保护电光装置的各电路免遭过电压之害的技术。
背景技术：
在液晶装置等电光装置中，排列于基板的板面上的多个像素，基于从沿着该基板的周缘设置的各输入端子经由布线所供给的各种信号而被驱动。例如，是靠采样电路采样从输入端子经由图像信号线所供给的图像信号(例如具有与应显示的灰度等级对应的信号电平的信号)而供给到各像素这样的情况。由于这种构成，存在着起因于在输入端子上发生的静电有时突发的过电压(尖峰或浪涌等微分波形脉冲)施加于布线的情况。这样发生的过电压可能成为破坏例如构成采样电路的开关元件等电光装置的各部分的原因。为了解决该问题，提出了靠连接于各布线的静电保护电路抑制过电压的技术。在该构成中，从垂直于基板的板面的方向看成为配置成与从各布线分支的部分连接地配置静电保护电路的构成。但是，在像这样静电保护电路配置于从原来的布线离开的位置的构成中，有必要确保形成各布线的空间与用来个别地形成静电保护电路的空间。因此，存在着包围显示区域的区域(所谓框缘)的狭小化可能受到阻碍这样的问题。特别是，因为如果为了显示图像的高精细化而增加布线的条数，则各布线的静电保护电路所配置的空间也不得不扩大，所以该问题变得更加显著。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而作成的，其目的在于减少静电保护电路的配置所需的空间。
为了实现该目的，根据本发明的电光装置具备对应于多条扫描线与多条数据线的各交叉处而排列于基板的板面上的多个像素，在各扫描线被选择时采样图像信号而从数据线供给到各像素的采样电路，具有在过电压施加于第1端子时使该第1端子与第2端子导通的开关元件的静电保护电路，在覆盖开关元件的第1绝缘层的面上形成而被施加大致一定的电位的并且经由该第1绝缘层的接触孔连接于开关元件的第2端子的恒定电位布线，以及把供给到输入端子的图像信号传送到采样电路的图像信号线，图像信号线包括由与恒定电位布线共同的导电膜构成，与该恒定电位布线离开地形成的经由第1绝缘层的接触孔连接于开关元件的第1端子的第1布线部分，和在覆盖恒定电位布线和第1布线部分的第2绝缘层的面上形成的经由第2绝缘层的接触孔连接于第1布线部分并且从垂直于基板的板面的方向看与恒定电位布线交叉地延伸的第2布线部分。该电光装置典型地可以作为各种电子设备的显示装置被采用。再者，所谓电光装置是具备通过电流或电压这样的电能的作用而使透射率或辉度等光特性变化的物质(也就是电光物质)的装置。虽然此种电光物质的典型例子是通过对应于所施加的电压而取向方向变化使透射率变化的液晶，或对应于所供给的电流而辉度变化的有机EL(场致发光)等OLED元件，但是根据本发明的电光装置中所用的电光物质不限于此。
如果用本发明，则因为覆盖静电保护电路的开关元件地设置第1绝缘层，另一方面恒定电位布线与图像信号线的第1布线部分经由第1绝缘层的接触孔连接于开关元件并且第2布线部分经由第2绝缘层的接触孔连接于第1布线部分，所以可以在从垂直于基板的板面的方向看恒定电位布线和图像信号线重合的区域上配置静电保护电路。因而，与从垂直于基板的板面的方向看把静电保护电路配置于从图像信号线或恒定电位布线离开的位置的构成相比，图像信号线或恒定电位布线与静电保护电路的配置所需的基板上的空间减少。另外，因为本发明中的图像信号线包括连接于第1布线部分并且与恒定电位布线交叉地延伸的第2布线部分，所以可以把图像信号线的电阻抑制得很低。再者，本发明中的第2布线部分，例如，是到达基板的周缘地延伸而端部构成输入端子的部分，或到达基板的周缘地延伸而端部连接于输入端子(所谓焊盘)的部分。如果用遍布图像信号线的全长一体地形成该第2布线部分的构成，则可以更可靠地降低图像信号线的电阻。
在本发明的最佳形态中，静电保护电路具备分别具有第1端子和第2端子的第1和第2开关元件，恒定电位布线包括连接于第1开关元件的第2端子的第1恒定电位布线，和在与该第1恒定电位布线大致同方向上延伸并且连接于第2开关元件的第2端子而被施加比第1恒定电位布线低的电位的第2恒定电位布线，图像信号线当中，第1布线部分在第1恒定电位布线与第2恒定电位布线的间隙中形成，另一方面第2布线部分与第1恒定电位布线和第2恒定电位布线的双方交叉地延伸。如果用该构成，则因为静电保护电路具备连接于第1恒定电位布线的第1开关元件，和连接于被施加比第1恒定电位布线低的电位的第2恒定电位布线的第2开关元件，所以以规定的电位(例如第1电位与第2电位的中间电位)为基准时的正极性的过电压与负极性的过电压双方都受到抑制。因而，可以更可靠地防止过电压引起的电光装置的各部的破坏。在该构成中，如果把第1恒定电位布线取为电源的高位侧电位所施加的接地线，把第2恒定电位布线取为电源的低位侧电位所施加的电源线，则与把其他布线取为各恒定电位布线的场合相比构成被简化并且可靠地抑制过电压。
此外，图像信号线是供给规定像素的灰度等级的图像信号的布线。因为在该图像信号线的电阻高的场合图像信号的波形的钝化或延迟变得显著而有引起显示质量降低的危险，所以要求图像信号线低电阻。根据该观点，在本发明的最佳形态中，图像信号线具有由与各恒定电位布线和第1布线部分共同的导电膜来形成并排列于第2布线部分的延伸方向的多个第3布线部分，第2布线部分经由第2绝缘层的接触孔连接于第1布线部分与各第3布线部分。如果用该形态，则因为除了第1布线部分外第3布线部分也连接于第2布线部分，所以与仅第1布线部分连接于第2布线部分的构成相比可以降低图像信号线的电阻。在该形态中，更好是，多个第3布线部分的各个从垂直于基板的板面的方向看配置于与第1布线部分的间隙上隔着各恒定电位布线的位置。如果用该构成，则可以有效地利用基板的板面上的空间。
因为本发明中的第2布线部分经由绝缘层与各恒定电位布线绝缘，所以第2布线部分的布线宽度可以与恒定电位布线的形态无关地选定。因为如上所述要求图像信号线为低电阻，所以最好是尽可能宽地确保该图像信号线的布线宽度。因此，在本发明的另一种形态中，第1开关元件和第2开关元件从垂直于基板的板面的方向看位于第1恒定电位布线与第2恒定电位布线的间隙上，第1恒定电位布线具有在图像信号线的宽度方向的一方向第2恒定电位布线侧突出而连接于第1开关元件的第2端子的分支部分，另一方面第2恒定电位布线具有在图像信号线的宽度方向的另一方向第1恒定电位布线侧突出而连接于第2开关元件的第2端子的分支部分，图像信号线当中的第2布线部分具有从垂直于基板的板面的方向看重合于第1恒定电位布线的分支部分与第2恒定电位布线的分支部分的布线宽度(参照图12)。如果用该形态，则因为可以宽地确保第2布线部分的布线宽度所以可以降低图像信号线的电阻。
图1是表示根据本发明的实施形态的液晶装置的构成的透视图。
图2是从图1中的II-II线看的剖视图。
图3是表示该液晶装置当中的元件基板上的各要素的构成的方框图。
图4是表示各像素的电气上的构成的电路图。
图5是放大表示该液晶装置当中的一个像素相关的要素的剖视图。
图6是表示静电保护电路的电气上的构成的电路图。
图7是表示一个静电保护电路的周边的构成的俯视图。
图8是从图7中的VIII-VIII线看的剖视图。
图9是从图7中的IX-IX线看的剖视图。
图10是表示根据对比构成的液晶装置当中的一个静电保护电路的周边的构成的俯视图。
图11是从图10中的XI-XI线看的剖视图。
图12是表示根据变形例的液晶装置中的一个静电保护电路的周边的构成的俯视图。
图13是表示根据本发明的电子设备之一例的投影机的构成的图。
具体实施例方式
A液晶装置的构成首先，说明把本发明运用于作为电光物质用液晶的液晶装置的形态。图1是表示根据本实施形态的液晶装置的构成的透视图，图2是从图1中的II-II线看的剖视图。如该图中所示，液晶装置D包括保持大致一定的间隔相互对向地经由密封材料51粘贴的元件基板10与对向基板20。液晶53封固于由两个基板与密封材料51所包围的空间。对向基板20当中的对着液晶53的板面上，跨越其大致整个区域形成对向电极21。该对向电极21由ITO(氧化铟锡)等具有光透射性的导电性材料构成。
图3是表示元件基板10当中的与液晶53对着的板面上的各要素的构成的方框图。如该图中所示，在元件基板10当中的与液晶53对着的板面上，形成在X方向上延伸的总计m条扫描线11，和与之正交地在Y方向上延伸的总计6n条数据线12(m和n全都是自然数)。总计6n条数据线12按每6条划分成总计n个组。在扫描线11与数据线12的各交叉点上配置像素P。图3中所示的显示区域Ad是跨越纵m行×横6n列地像素P排列成矩阵状的区域。各像素P，如图4(a)中所示，包括连接于扫描线11和数据线12的薄膜晶体管(以下称为“像素晶体管”)14，和连接于该像素晶体管14的像素电极15。更详细地说，各像素晶体管14，其栅电极连接于扫描线11，源电极连接于数据线12，漏电极连接于像素电极15。各像素电极15，是由例如ITO等具有光透射性的导电材料构成的大致矩形的电极。液晶装置D因为成为如上所述由元件基板10与对向基板20夹持液晶53的构成，所以在各像素P中，如图4(b)中所示，就靠各像素电极15与对向电极21以及夹在两个电极间的液晶53形成液晶电容172。进而，本实施形态中的像素P具有对液晶电容172并联的存储电容171。该存储电容171一端连接于像素晶体管14的漏电极并且另一端连接于电容线322。
图5是放大表示一个像素P相关的要素的剖视图。如该图中所示，像素晶体管14包括在元件基板10的板面上由多晶硅所形成的半导体层141，通过热处理在半导体层141的表面上所形成的栅绝缘膜143，和作为从扫描线11分支的部分的栅电极145。半导体层141当中的经由栅绝缘膜143与栅电极145对向的区域成为沟道区域141G。该半导体层141，具有所谓LDD(轻掺杂漏)结构。也就是说，半导体层141包括夹持沟道区域141G所形成的低浓度源区域141Sa及低浓度漏区域141Da、邻接于低浓度源区域141Sa的高浓度源区域141S，和邻接于低浓度漏区域141Da的高浓度漏区域141D。另一方面，图5中所示的存储电容电极171a是在与栅电极145共同的工序中由同一材料(例如多晶硅)所形成的膜体，经由栅绝缘膜143与高浓度漏区域141D对向。通过像这样半导体层141的高浓度漏区域141D与存储电容电极171a经由作为电介质的栅绝缘膜143对向而形成图4(a)和(b)的存储电容171。另一方面，形成有半导体层141、栅电极145与存储电容电极171a的元件基板10的板面由第1绝缘层181a覆盖。各数据线12在第1绝缘层181a的表面上形成，经由跨第1绝缘层181a与栅绝缘膜143而形成的接触孔Ha导通于高浓度源区域141S。设置该数据线12的第1绝缘层181a的表面被第2绝缘层182a覆盖。上述电容线322在第2绝缘层182a的表面上形成，经由跨第2绝缘层182a与第1绝缘层181a而形成的接触孔Hb导通于存储电容电极171a。进而，形成电容线322的第2绝缘层182a的表面被第3绝缘层183a覆盖。像素电极15在第3绝缘层183a的表面上形成，经由跨第3绝缘层183a、第2绝缘层182a与第1绝缘层181a而形成的接触孔Hc导通于半导体层141的高浓度漏区域141D。
如图1至图3中所示，在元件基板10当中的从对向基板20伸出的区域(以下称为“周边区域”)上，配置着数据线驱动电路43与扫描线驱动电路41a和41b。这当中数据线驱动电路43沿着周边区域当中的在X方向上延伸的边缘形成，如图3中所示，包括含有相当于数据线12的总条数的6n个开关元件433a的采样电路433，与设在采样电路433的前级而控制各开关元件433a的工作的采样信号输出电路431。上述各数据线12的一端连接于采样电路433当中对应的开关元件433a。另一方面，扫描线驱动电路41a和41b在X方向上隔着显示区域Ad在周边区域上形成。上述各扫描线11，一端连接到扫描线驱动电路41a并且另一端连接到扫描线驱动电路41b上。这样构成的原因是，各扫描线驱动电路41(41a、41b)在每一个水平扫描期间依次把成为有效电平的扫描信号Gi(i是满足1≤i≤m的整数)供给到各扫描线11。这样一来如果扫描信号Gi跃迁成有效电平，则连接于第i行扫描线11的一行量的(合计6n个)像素晶体管14一齐成为接通状态。另一方面，数据线驱动电路43，如果由扫描线驱动电路41选择了某条扫描线11(也就是，如果供给到某条扫描线11的扫描信号Gi成为有效电平)，则在每组中把对应于该扫描线11的一行量的像素P的图像信号Vid1至Vid6从数据线12经由像素晶体管14供给到像素电极15。构成各扫描线驱动电路41和数据线驱动电路43的开关元件(例如采样电路433的各开关元件433a)具有与图5中所示的像素晶体管14同样的构成，用与各像素晶体管14共同的工序由同一材料来形成。也就是说，本实施形态中的液晶装置D为周边电路内置型。
进而，在由在周边区域中的X方向上延伸的周缘与数据线驱动电路43夹着的区域上，形成在X方向上排列的多个连接端子31。从装载液晶装置D所搭载的电子设备的控制装置(未画出)等外部电路所供给的各种信号经由连接端子31输入到液晶装置D。输入到各连接端子31的信号经由在元件基板10的板面上所形成的布线32供给到液晶装置D的各部。作为输入到这些连接端子31的信号，除了水平同步信号和垂直同步信号等各种控制信号(未画出)之外，还有电源的高位侧电位Vdd或低位侧电位(接地电位)Gnd，施加于对向电极21的公共电位LCcom，以及进而指定各像素P的灰度等级(辉度)的图像信号Vid1至Vid6等。
在元件基板10上，形成用来把高位侧电位Vdd供给到数据线驱动电路43或各扫描线驱动电路41这样的液晶装置D的各部的布线32(以下有时特别称为“电源线324”)，及用来供给低位侧电位Gnd的布线32(以下有时特别称为“接地线325”)。如图3中所示，电源线324和接地线325的各条从连接端子31在X方向上延伸而在元件基板10的周缘附近向Y方向弯曲，经由扫描线驱动电路41a后向X方向弯曲地沿元件基板10的边缘延伸，并且再次向Y方向弯曲而到达扫描线驱动电路41b。此外，接地线325和电源线324的各条具有在扫描线驱动电路41a的前级处在X方向上分支而到达采样信号输出电路431的部分。
此外，如图3中所示，在元件基板10中的对着对向基板20的四角的区域的各个上形成上下导通电极34。各上下导通电极34经由元件基板10上的布线323相互导通，并且经由设在元件基板10与对向基板20的间隙中的银糊剂等导通材料(未画出)与对向基板20导通。供给到连接端子31的公共电位LCcom经由连接设置于该连接端子31上的布线321与上下导通电极34被施加公共电位LCcom于对向电极21。此外，经由上下导通电极34所施加的布线323直到显示区域Ad地分支而成为电容线322。
进而，图像信号Vid1至Vid6经由对应于各个而设置的合计6条布线32(以下有时特别称为“图像信号线327”)供给到采样电路433。这些图像信号Vid1至Vid6是同步于点时钟信号(也就是同步于垂直扫描和水平扫描)并在未画出的图像处理电路中把从外部电路顺序地输出的1系统的图像信号分配给6系统并且在时间轴上伸长为6倍的信号。用来传送这些图像信号Vid1至Vid6的图像信号线327，如图3中所示，从连接端子31经由采样信号输出电路431的左端部附近与电源线324和接地线325交叉地引绕，并且在采样电路433与采样信号输出电路431的间隙中沿X方向延伸。这些各图像信号线327连接于采样电路433当中的对应于各组的6个开关元件433a。也就是说，是供给图像信号Vid1的图像信号线327连接于采样电路433的属于各组的第1级的开关元件433a，供给图像信号Vid2的图像信号线327连接于属于各组的第2级的开关元件433a这样的情况。另一方面，采样信号输出电路431是相当于划分数据线12的组的总数的合计n级的移位寄存器，把在1水平扫描期间依次成为有效电平的采样信号S1、S2、......、Sn，对对应于各组的6个开关元件433a同样地输出。例如，是将采样信号S1供给到对应于第1号的组的6个开关元件433a的栅，将采样信号S2供给到对应于第2号组的6个开关元件433a的栅这样的情况。如果是该构成者，如果在选择某条扫描线11时采样信号Sj(j是满足1≤j≤n的整数)成为有效电平而对应于第j号的组的6个开关元件433a一齐成为接通状态，则在此时经由各图像信号线327所供给的图像信号Vid1至Vid6在该组的6条数据线12的各个中被采样而被供给到像素电极15。
可是，在各图像信号线327上，起因于连接端子31上发生的静电而可能施加过电压(尖峰或浪涌这样的微分波形脉冲)。如上所述由于各图像信号线327连接于采样电路433的各开关元件433a，所以如果这种过电压从图像信号线327到达开关元件433a则这些开关元件433a存在着被破坏的可能性。进而，该过电压经由数据线12到达像素P而破坏像素晶体管14的情况也可能产生。为了抑制该在图像信号线327上发生的过电压而防止各部的破坏，在本实施形态中，如图3中所示，在各图像信号线327与电源线324和接地线325交叉的各位置上配置着静电保护电路60。
图6是表示静电保护电路60的构成的电路图。再者，虽然在该图中，仅画出对应于供给图像信号Vid1的1条图像信号线327的一个静电保护电路60，但是对应于供给图像信号Vid2至Vid6的图像信号线327的其他静电保护电路60也成为同样的构成。如该图中所示，静电保护电路60包括p沟道型的晶体管611与n沟道型的晶体管612。这些晶体管611和612在与像素晶体管14共同的工序中由同一材料一并形成。这当中晶体管611，漏电极在地点P1连接于图像信号线327，并且栅电极和源电极对电源线324共同连接而作为二极管发挥功能。另一方面，晶体管612，漏电极在地点P1连接于图像信号线327，并且栅电极和源电极对接地线325共同连接而作为二极管发挥功能。如果是该构成，则如果在图像信号线327上发生超过高位侧电位Vdd的正极性的过电压，则因为晶体管611成为接通状态而图像信号线327与电源线324导通，所以该正极性的过电压受到抑制。另一方面，如果在图像信号线327上发生低于低位侧电位Gnd的负极性的过电压，则因为晶体管612成为接通状态而图像信号线327与接地线325导通，所以该负极性的过电压受到抑制。因而，各图像信号Vid1至Vid6因静电所导致的过电压受到抑制而供给到采样电路433。
接下来，参照图7至图9，说明各静电保护电路60的具体的结构。图7是着眼于电源线324和接地线325与图像信号线327的位置关系而表示静电保护电路60的构成的俯视图。此外，图8是从图7中的VIII-VIII线看的剖视图，图9是从图7中的IX-IX线看的剖视图。如这些图中所示，静电保护电路60的晶体管611和晶体管612成为相互大致平行地配置于来在X方向上延伸的电源线324和接地线325间的区域。这里，电源线324具有从在X方向上延伸的部分向接地线325沿Y方向突出的部分(以下称为“分支部分”)324a，接地线325具有从在X方向上延伸的部分向电源线324沿Y方向突出的部分(同样称为“分支部分”)325a。静电保护电路60的晶体管611和晶体管612如图7中所示如果从垂直于元件基板10的板面的方向看，则配置于在Y方向上夹在电源线324和接地线325间并且在X方向上夹在电源线324的分支部分324a与接地线325的分支部分325a间的大致矩形的区域内。另一方面，图像信号线327在电源线324的分支部分324a与接地线325的分支部分325a的间隙中与电源线324和接地线325双方交叉地在Y方向上延伸。因而，从垂直于元件基板10的板面的方向看静电保护电路60与图像信号线327重合。
另一方面，元件基板10上的叠层结构如下。如图8和图9中所示，在元件基板10上所形成的晶体管611和晶体管612由第1绝缘层181b覆盖。该第1绝缘层181b是从图5中所示的第1绝缘层181a连续的层(也就是与第1绝缘层181a相同的层)。在第1绝缘层181b的表面上以相互离开的状态形成电源线324和接地线325与构成图像信号线327的第1布线部分71和第3布线部分73。进而，覆盖电源线324和接地线325与第1布线部分71和第3布线部分73地形成第2绝缘层182b。该第2绝缘层182b是从图5中所示的第2绝缘层182a连续的层(也就是与第2绝缘层182a相同的层)。在该第2绝缘层182b的表面上形成第2布线部分72。第2布线部分72由从图5中所示的第3绝缘层183a连续的第3绝缘层183b覆盖。这里，第1布线部分71、第2布线部分72与第3布线部分73是相互导通而构成图像信号线327的各部分。这当中第1布线部分71是在电源线324与接地线325的间隙中在Y方向上延伸的部分，第3布线部分73是隔着电源线324或接地线325与第1布线部分71并列地在Y方向上延伸的部分。另一方面，第2布线部分72与电源线324和接地线325交叉地在Y方向上延伸，隔着第2绝缘层182b与第1布线部分71和第3布线部分73对向。更详细地说，第2布线部分72是遍布从成为连接端子31的端部引绕沿着采样电路433延伸的图像信号线327的全长一体地形成的布线。该第2布线部分72经由在第2绝缘层182b上所形成的接触孔Hd与第1布线部分71电连接，并且经由同样在第2绝缘层182b上所形成的接触孔He与第3布线部分73电连接。
晶体管611和晶体管612具有与像素晶体管14同样的结构。也就是说，如图7和图9中所示，晶体管611和晶体管612的各个包括具有LDD结构的半导体层161，通过热处理在半导体层161的表面上所形成的栅绝缘膜163，以及隔着栅绝缘膜163对着半导体层161的沟道区域161G的栅电极165。如图7中所示如果从垂直于元件基板10的板面的方向看，则晶体管611的半导体层161重合于电源线324的分支部分324a与第1布线部分71地大致矩形地形成，晶体管612的半导体层161重合于接地线325的分支部分325a与第1布线部分71地大致矩形地形成。此外，晶体管611的栅电极165，其一端重合于电源线324的分支部分324a的基端部并且经由第1绝缘层181b的接触孔Hf与分支部分324a导通，另一方面从该地点沿着分支部分324a在Y方向上延伸而重合于半导体层161的沟道区域161G。同样，晶体管612的栅电极165，其一端重合于接地线325的分支部分325a的基端部并且经由第1绝缘层181b的接触孔Hf与分支部分325a导通，另一方面从该地点沿着分支部分325a在Y方向上延伸而重合于半导体层161的沟道区域161G。此外，如图9中所示，晶体管611当中的半导体层161的高浓度源区域161S经由跨第1绝缘层181b与栅绝缘膜163所形成的接触孔Hg与电源线324(更具体地说是分支部分324a)导通，晶体管612中的半导体层161的高浓度源区域161S经由跨第1绝缘层181b和栅绝缘膜163而形成的导通孔Hg与接地线325(更具体地说分支部分325a)导通。进而晶体管611的高浓度漏区域161D和晶体管612的高浓度漏区域161D的各个经由跨第1绝缘层181b与栅绝缘膜163所形成的各接触孔Hh与图像信号线327的第1布线部分71导通。
这里，图7至图9中所示的各要素在与图5中所示的像素P的各部共同的工序中由同一材料来形成。更详细地说，首先，晶体管611和晶体管612在与像素晶体管14共同的工序中由同一材料来形成。也就是说，晶体管611和晶体管612的半导体层161，栅绝缘膜163和栅电极165，分别在与像素晶体管14的半导体层141，栅绝缘膜143和栅电极145(还有扫描线11及存储电容电极171a)共同的工序中由同一材料一并地形成。此外，电源线324和接地线325，图像信号线327的第1布线部分71和各第3布线部分73，以及图5中所示的数据线12为在共同的工序中通过形成图形一并地形成在元件基板10的大致整个面(更具体地讲是第1绝缘层181a及181b的表面)上形成的单一的导电膜(由例如铝构成的膜体)。同样，图像信号线327的第2布线部分72，与图5中所示的电容线322，为在共同的工序中通过形成图形一并地形成在元件基板10的大致整个面(更详细地说第2绝缘层182a和182b的表面)上所形成的单一的导电膜(由例如铝形成的膜体)。再者，如图3中所示第2布线部分72到达连接端子31地延伸，其端部经由第3绝缘层183b的接触孔(未画出)连接于连接端子31。该连接端子31可以在与图5所示的像素电极15共同的工序中由同一材料来形成。
像以上说明的那样，在本实施形态中，与电源线324和接地线325与各图像信号线327交叉的部分重合地配置着静电保护电路60。因而，与从垂直于元件基板10的板面的方向看把静电保护电路60配置于离开电源线324和接地线325或图像信号线327的位置的构成相比，可以减少这些要素的配置所需的元件基板10上的空间。而且，由于这些各要素在与构成像素P的各要素共同的工序中由同一材料来形成，所以与在分开的工序中形成各个的场合相比可以谋求制造工序的简化及制造成本的降低。
另外，在本实施形态中，因为第2布线部分72遍布图像信号线327的全长一体地形成，所以具有可以减小图像信号线327的电阻这样的优点。这里，作为用来与电源线324和接地线325或各图像信号线327重合地配置静电保护电路60的构成，也可以采用图10和图11中所示的构成。在这些图中所示的构成(以下称为“对比构成”)中，不形成图7所示的第2布线部分72，取而代之地形成多个连接布线部分75，该连接布线部分75从垂直于元件基板10的板面的方向看与第1布线部分71及第3布线部分73部分地重合。相互相邻的第1布线部分71与第3布线部分73的各个，经由第1绝缘层181b的接触孔Hk连通于连接布线部分75。也就是说，在该对比构成中，通过使第1布线部分71与第3布线部分73经由连接布线部分75相互连接而构成图像信号线327。这里，为了谋求制造工序的简化及制造成本的降低，最好是在与其他要素共同的工序中形成连接布线部分75。基于该观点，在图10和图11中所示的对比构成中，由与构成晶体管611和晶体管612的栅电极165相同材料(也就是多晶硅)来形成连接布线部分75。但是，在该构成中，即使第1布线部分71与第3布线部分73由铝等低电阻的导电材料来形成，也因为由电阻比其高的多晶硅形成的连接布线部分75夹在第1布线部分71与第3布线部分73之间，所以把图像信号线327作为整体来看把电阻抑制得很低是困难的。如果像这样图像信号线327的电阻高，则图像信号Vid1至Vid6中可能产生波形的钝化或延迟，进而还可能招致显示质量的降低。与此相对照，在本实施形态中，因为第2布线部分72与电源线324及接地线325交叉地遍布图像信号线327的全长而形成，进而第1布线部分71和第3布线部分73导通于第2布线部分72，所以与图10中所示的对比构成相比可以把图像信号线327的电阻抑制得极低。因而，可以抑制图像信号Vid1至Vid6中可能产生的波形的钝化或延迟而把显示质量维持于高的水准。
此外，在图10中所示的对比构成中想谋求静电保护电路60的小型化的场合，有必要收窄电源线324的分支部分324a与接地线325的分支部分325a的距离，并且减小由与电源线324和接地线325共同的导电层构成的第1布线部分71的布线宽度。但是，因为在对比构成中减小第1布线部分71的布线宽度直接导致图像信号线327的电阻的上升，所以为了抑制起因于图像信号线327的电阻的显示质量的降低，就第1布线部分71而言就必须确保相当的布线宽度。因而，就对比构成而言，谋求静电保护电路60的小型化也有限制。与此相对照，像本实施形态这样在采用第2布线部分72与电源线324或接地线325交叉地一体形成的构成的情况下，因为第1布线部分71或第3布线部分73的布线宽度对图像信号线327的电阻没有那么大影响，所以在可实现与晶体管611及晶体管612的导通的限度内充分地收窄第1布线部分71的布线宽度，在可实现与第2布线部分72的导通的限度内充分地收窄第3布线部分73的布线宽度是可能的。因而，第1布线部分71或第3布线部分73的布线宽度上没有限制地可以充分地使静电保护电路60小型化。
进而，在图10中所示的对比构成中，成为栅电极165与连接布线部分75由共同的导电层来形成。就该构成而言，成为有必要使栅电极165与连接布线部分75电气上看完全绝缘地确保栅电极165与连接布线部分75的距离d。进而，如果考虑到由单一的导电层把栅电极165与连接布线部分75形成图形时的蚀刻的误差，则栅电极165与连接布线部分75的距离d有必要确保得更大。但是，像这样为了在栅电极165与连接布线部分75之间确保足够的距离还不得不加宽电源线324与接地线325的间隔。因而，就对比构成而言为了配置电源线324及接地线325这样的各部确保比较宽的空间成为必要，结果可能成为妨碍周边区域的狭小化的要因。与此相对照，因为在本实施形态中的第2布线部分72由与栅电极165或电源线324及接地线325不同的导电层来形成，所以图10中所示的距离d的如何不成问题。因而，如果用本实施形态，则与图10中所示的对比构成相比可以收窄电源线324与接地线325的间隔，进而具有可以谋求周边区域的狭小化这样的优点。
B变形例对上述实施形态可以加以种种的变形。如果举出具体的变形的形态则如下。再者，也可以采用适当组合以下的各形态的构成。
(1)虽然在上述实施形态中举例示出把图像信号线327的第2布线部分72取为与第1布线部分71及第3布线部分73大致同一的布线宽度的构成，但是因为第2布线部分72与第1布线部分71和第3布线部分73或电源线324和接地线325隔着第1绝缘层181b由分开的导电层来形成，所以第2布线部分72的布线宽度可以与这些各部无关地选定。例如，如图12(第2布线部分72的外形由双点划线表示)中所示，也可以采用电源线324的分支部分324a与接地线325的分支部分325a重合地扩大第2布线部分72的布线宽度的构成。如果用该构成，则因为与上述实施形态中所示的构成相比可以把图像信号线327的电阻抑制得很低，所以可以更可靠地抑制起因于图像信号线327的电阻的显示质量的降低。再者，第2布线部分72的布线宽度在可以实现与之邻接的图像信号线327的第2布线部分72的电绝缘的限度内可以比图12的例子扩大。
(2)虽然在上述实施形态中举例示出图像信号线327由第1布线部分71、第2布线部分72与第3布线部分73构成的构成，但是这当中第3布线部分73可以适当地省略。也就是说，图像信号线327只要是包括第2布线部分72和用来把第2布线部分72连接于晶体管611和晶体管612的第1布线部分71的构成就足够了。不过，如果从把图像信号线327的电阻抑制得很低这样的观点来说，最好是像上述实施形态那样除了第1布线部分71外使第3布线部分73导通于第2布线部分72的构成。
(3)在上述实施形态中举例示出静电保护电路60具备晶体管611与晶体管612的构成。如果用该构成，则以规定的电位(例如高位侧电位Vdd与低位侧电位Gnd的中间电位)为基准可以抑制正极性的过电压与负极性的过电压的双方。但是，在这当中的一方的极性的过电压由静电保护电路60以外的要素来抑制的构成或一方的极性的过电压没有(或者很少)发生的可能性的构成，或者原本就没有抑制一方的极性的过电压的必要的构成中，晶体管611和晶体管612的某个可以适当地省略。也就是说，如果用省略了图6中所示的晶体管611的构成则实现靠晶体管612仅抑制负极性的过电压的静电保护电路60，如果用省略了晶体管612的构成则实现靠晶体管611仅抑制正极性的过电压的静电保护电路60。由此可以明确，电源线324和接地线325这样的两种布线(也就是施加大致定电位的布线)到达静电保护电路60地形成的构成不是必须的，这些布线的某种可以根据成为抑制的对象的过电压的极性适当地省略。此外，虽然在上述实施形态中，举例示出电源线324和接地线325连接于静电保护电路60的构成，但是连接于静电保护电路60的布线不限于此。也就是说，只要是维持大致一定的电位的布线(恒定电位布线)连接于静电保护电路60的构成就足够了。
(4)虽然在上述实施形态中，举例示出静电保护电路60具备晶体管611和晶体管612的构成，但是也可以取为代替它们采用二极管的构成。也就是说，也可以用正极连接于图像信号线327并且负极连接于电源线324的二极管代替晶体管611形成，另一方面用正极连接于接地线325并且负极连接于图像信号线327的二极管代替晶体管612形成。也就是说，只要是采用以对图像信号线327的过电压的施加为契机而导通连接于图像信号线327的第1端子(晶体管611的漏电极或晶体管612的漏电极)与连接于电源线324或接地线325的第2端子(晶体管611的源电极或晶体管612的源电极)的开关元件的构成就足够了，关于该开关元件的其他条件如何是无关紧要的。
(5)虽然上述实施形态中举例示出液晶装置D，但是本发明也可以运用于用液晶以外的电光物质的装置。所谓电光物质，是通过电信号(电流信号或电压信号)的供给使透射率或辉度这样的光学上的特性变化的物质。例如，本发明可以与上述各实施形态同样地运用于把有机EL或发光聚合物等OLED元件用作电光物质的显示装置，或把含有着色的液体与分散于该液体的白色的颗粒的微胶囊用作电光物质的电泳显示装置，把在每个极性不同的区域分别涂不同颜色的扭转球用作电光物质的扭转球显示器，把黑色墨粉用作电光物质的墨粉显示器，或者把氦或氖等各种高压气体用作电光物质的等离子体显示器面板等各种电光装置。
C电子设备接下来，作为用根据上述实施形态的电光装置的电子设备的例子，就把上述液晶装置D用作光阀的投影机进行说明。图13是表示该投影机的构成的俯视图。如该图中所示，在投影机2100的内部，设有由卤素灯等白色光源构成的灯单元2102。从该灯单元2102所射出的投影光靠配置于内部的三个反射镜2106和两个分色镜2108分离成R(红)、G(绿)、B(蓝)的三原色，分别导光到对应于各原色的光阀100R、100G和100B。再者，由于B色的光与其他R色或G色相比光路长，所以为了防止其损失，经由由入射透镜2122、中继透镜2123和出射透镜2124组成的中继透镜系统2121来引导。
这里，光阀100R、100G和100B的构成与上述实施形态中的液晶装置D是同样的，是靠从处理电路(未画出)所供给的对应于R、G、B各色的图像信号分别驱动。靠光阀100R、100G、100B分别调制的光从三个方向入射于分色棱镜2112。然后，在该分色棱镜2112中，R色和B色的光折射成90°，另一方面，G色的光直进。随后，各色的图像被合成后，彩色图像靠投影透镜2114投影于屏幕2120。
再者，由于对应于R、G、B的各原色的光通过分色镜2108入射于光阀100R、100G和100B，所以没有必要设置滤色镜。此外，由于光阀100R、100B的透射像在通过分色棱镜2112反射后被投影，相对于此，光阀100G的透射镜直接被投影，所以光阀100R、100B的水平扫描方向与光阀100G的水平扫描方向相反，成为显示左右翻转像的构成。
此外，作为利用根据本发明的电光装置的电子设备，除了图13中所示的投影机之外，可以举出便携式电话机、移动式个人计算机、液晶电视机、取向器型(或监视器直观型)录像机、汽车驾驶导向装置、传呼机、电子手册、计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、具备触摸屏的设备等。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，具备对应于多条扫描线与多条数据线的各交叉处而排列于基板的板面之上的多个像素，在该各扫描线被选择时，采样图像信号从该数据线供给到各像素的采样电路，具有在过电压施加于第1端子时使该第1端子与第2端子导通的开关元件的静电保护电路，在覆盖该开关元件的第1绝缘层的面上形成施加基本一定的电位的并且经由该第1绝缘层的接触孔连接于该开关元件的第2端子的恒定电位布线，以及把供给到输入端子的该图像信号传送到该采样电路的图像信号线，图像信号线包括由与该恒定电位布线共同的导电膜构成，与该恒定电位布线离开地形成的，经由该第1绝缘层的接触孔连接于该开关元件的第1端子的第1布线部分，和在覆盖该恒定电位布线和该第1布线部分的第2绝缘层的面上形成的，经由该第2绝缘层的接触孔连接于该第1布线部分，并且从垂直于该基板的板面的方向看与该恒定电位布线交叉地延伸的第2布线部分。
2.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，该静电保护电路具备分别具有该第1端子和该第2端子的第1和第2开关元件，该恒定电位布线包括，连接于第1开关元件的第2端子的第1恒定电位布线，和在与该第1恒定电位布线基本同方向上延伸并且连接于该第2开关元件的第2端子而施加比该第1恒定电位布线低的电位的第2恒定电位布线，该图像信号线当中，该第1布线部分在该第1恒定电位布线与该第2恒定电位布线的间隙中形成，另一方面该第2布线部分与该第1恒定电位布线和该第2恒定电位布线的双方交叉地延伸。
3.如权利要求2中所述的电光装置，其特征在于，该第1恒定电位布线是施加电源的高位侧电位的电源线，该第2恒定电位布线是施加电源的低位侧电位的接地线。
4.如权利要求2中所述的电光装置，其特征在于，该图像信号线具有由与该各恒定电位布线和该第1布线部分共同的导电膜所形成的排列于该第2布线部分的延伸方向的多个第3布线部分，该第2布线部分经由该第2绝缘层的接触孔连接于该第1布线部分与该各第3布线部分。
5.如权利要求4中所述的电光装置，其特征在于，该多个第3布线部分的各个，从垂直于该基板的板面的方向看配置于在与该第1布线部分的间隙中夹着该各恒定电位布线的位置。
6.如权利要求2中所述的电光装置，其特征在于，该第1开关元件和该第2开关元件，从垂直于该基板的板面的方向看位于该第1恒定电位布线与该第2恒定电位布线的间隙中，该第1恒定电位布线具有在该图像信号线的宽度方向的一方侧向该第2恒定电位布线侧突出地连接于该第1开关元件的第2端子的分支部分，另一方面该第2恒定电位布线具有在该图像信号线的宽度方向的另一方侧向该第1恒定电位布线侧突出地连接于该第2开关元件的第2端子的分支部分，该图像信号线中的该第2布线部分，具有从垂直于该基板的板面的方向看重合于该第1恒定电位布线的分支部分与该第2恒定电位布线的分支部分的布线宽度。
7.如权利要求6中所述的电光装置，其特征在于，该第1开关元件和该第2开关元件，从垂直于该基板的板面的方向看位于该第1恒定电位布线的分支部分与该第2恒定电位布线的分支部分的间隙中。
全文摘要
本发明提供一种电光装置。其中，图像信号线(327)是用来传送图像信号的布线。静电保护电路(60)是抑制图像信号线的过电压的电路，包括晶体管(611)和晶体管(612)。晶体管(611)的源电极连接于电源线(324)，晶体管(612)的源电极连接于接地线(325)。图像信号线(327)包括经由覆盖静电保护电路(60)的第1绝缘层的接触孔连接于晶体管(611)的漏电极和晶体管(612)的漏电极的第1布线部分，和经由覆盖电源线(324)和接地线(325)和第1布线部分的第2绝缘层的接触孔连接于第1布线部分的第2布线部分。第2布线部分遍布图像信号线(327)的全长一体地形成。
文档编号G02F1/1368GK1690779SQ200510066079
公开日2005年11月2日 申请日期2005年4月20日 优先权日2004年4月20日
发明者长泽仁也, 石井贤哉 申请人:精工爱普生株式会社