布线形成方法

专利名称：布线形成方法
技术领域：
本发明涉及布线形成方法。
背景技术：
众所周知，薄膜晶体管(以下称为TFT)具有在形成有漏极和源极的层和形成有栅极的层之间夹持配置有绝缘膜的构成。在制造这样的薄膜晶体管时，从提高生产性的角度来看，最好将绝缘膜薄膜化。然而，由于这种绝缘膜要发挥防止漏极及源极与栅极之间的短路的作用，因此如果对绝缘膜薄膜化，则可能成为引起漏极及源极与栅极之间的绝缘不良的原因。
在特开2002-190598号公报中公开了用于解决该问题的技术。具体地说，通过采用所谓灰色调(gray tone)曝光技术调整曝光灰度，使栅极的厚度变薄，而使栅极上的绝缘膜相对变厚，从而确保漏极及源极与栅极之间的绝缘膜厚度。
但是近年来，已提出了采用从液体喷头以液滴状喷出液体材料的液滴喷出法即喷墨法，在基板上形成图案的方法。在该方法中，将图案用的液体材料(功能液)在基板上直接进行图案配置，并在之后通过进行热处理或者激光照射，将其变换成图案。该方法有以下优点，即，不需要采用光刻法，从而能大幅简化工序的同时，还能减少原材料的使用量。
即使在应用这样的液滴喷出法，通过形成其一部分兼带栅极的栅极布线等而制造TFT的情况下，也为了提高生产性而最好将上述绝缘膜薄膜化，但是，在采用液滴喷出法形成栅极布线等的技术中，目前还没有提出通过仅使栅极变薄而确保栅极上的绝缘膜厚度的技术。
专利文献1特开2002-190598号公报。

发明内容
本发明鉴于以上的事实，其目的在于采用液滴喷出法形成栅极布线或者以与栅极布线相同工序形成的布线，且还能够防止在绝缘膜薄膜化时产生的绝缘不良现象。
为达到上述目的，本发明的布线形成方法，是薄膜晶体管的至少兼带栅极的栅极布线的形成方法，或者，以与该栅极布线相同的工序形成的布线的形成方法，其特征是通过采用将包含所述栅极布线或者所述布线的构成材料的液体材料作为液滴喷出的液滴喷出法，将所述栅极布线的一部分或者所述布线的一部分形成为与其他的所述栅极布线的部分或者其他的所述布线的部分相比更薄。
根据具有该特征的本发明的布线形成方法，通过采用液滴喷出法，将所述栅极布线的一部分或者与该栅极布线相同的工序形成的布线的一部分形成为与其他的栅极布线的部分或者其他的布线的部分相比更薄。因此，可以将位于栅极布线的一部分或者布线的一部分上的绝缘膜的厚度相对变厚，能防止栅极布线的一部分或者布线的一部分上的绝缘不良。从而，在采用本发明的布线形成方法形成栅极布线或者与栅极布线相同的工序形成的布线的情况下，即使在绝缘膜被薄膜化的时候，也能够防止由绝缘膜的薄膜化引起的绝缘不良。
另外，在本发明的布线形成方法中，可采用其他构成所述栅极布线的一部分，作为栅极或者存贮保持电容使用。
根据采用该构成的本发明的布线形成方法，由于栅极或者存贮保持电容与栅极布线的其他部分相比更薄膜化，因此可以充分确保栅极或者存贮保持电容上的绝缘膜的厚度。从而，可以防止栅极电极或者存贮保持电容上的绝缘不良。
另外，在本发明的布线形成方法，可采用其他构成所述布线的一部分，作为存贮保持电容使用。
根据采用该构成的本发明的布线形成方法，由于存贮保持电容比起与栅极布线相同的工序形成的布线的其他部分更薄膜化，因此可以充分确保存贮保持电容上的绝缘膜的厚度。从而，可以防止存贮保持电容上的绝缘不良。
另外，在本发明的布线形成方法中，可采用其他构成将由所述液滴喷出法喷出配置的所述液体材料，通过自流动流入至形成所述栅极布线的一部分或者所述布线的一部分的区域。
根据采用该构成的本发明的布线形成方法，液体材料通过自流动，流入至形成栅极布线的一部分或者布线的一部分的区域。通过像这样使液体材料流入至形成栅极布线的一部分或者布线的一部分的区域，可以使配置在形成栅极布线的一部分或者布线的一部分的区域的液体材料的量相对于其他部分更少。从而，此后，通过干燥液体材料等处理，可以容易地将栅极布线的一部分或者布线的一部分以薄厚度形成。
另外，在本发明的布线形成方法中，其可采用其他构成在形成所述栅极布线的一部分或者所述布线的一部分的区域中，采用所述液滴喷出法喷出配置比形成其他的所述栅极布线的部分或者其他的所述布线的部分的区域更少量的液体材料。
根据采用该构成的本发明的布线形成方法，在形成栅极布线的一部分或者布线的一部分的区域，喷出配置与形成其他的所述栅极布线的部分或者其他布线的部分的区域更少量的液体材料。从而，此后，通过干燥液体材料等处理，可以容易地将栅极布线的一部分或者布线的一部分以薄厚度形成。其中，在形成栅极布线的一部分或者布线的一部分的区域、和形成其他的所述栅极布线的部分或者其他的所述布线的部分的区域同时喷出配置液体材料的情况下，在各个区域喷出配置的液体材料的量有可能经趋平作用而均匀化。因此，例如优选采用以下方法，即，首先在形成其他栅极布线的部分或者其他布线的部分的区域，喷出配置液体材料，等到该液体材料干燥之后，再在形成栅极布线的一部分或者布线的一部分的区域配置液体材料。


图1是表示TFT阵列基板的概略构成的俯视图。
图2是用于说明本发明的第一实施方式的布线形成方法的图。
图3是用于说明本发明的第一实施方式的布线形成方法的图。
图4是表示液滴喷出装置的概略构成的立体图。
图5是用于说明基于压电方式的液体材料的喷出原理的图。
图6是表示具备TFT阵列基板的液晶显示装置的俯视图。
图7是沿图6的H-H’线的剖面图。
图8是液晶显示装置的等效电路图。
图9是具备TFT阵列基板的有机EL显示装置的侧剖面图。
图10是表示具备电光学装置的电子设备的一例的图。
图11是表示TFT阵列基板的概略构成的俯视图。
图12是用于说明本发明的第二实施方式的布线形成方法的图。
图中30-TFT(薄膜晶体管)，40-栅极布线，41-栅极，46-存贮保持电容，47-存贮保持电容布线(布线)，L-功能液(液体材料)。
具体实施例方式
以下参照附图，说明有关本发明的布线形成方法的一个实施方式。还有，在以下附图中，为了将各部件和各层调整到可认知的大小，对各部件以及各层的比例尺进行了适当变更。
(第1实施方式)本实施方式的布线形成方法，是在制造如图1所示的作为转换元件的薄膜晶体管(TFT)时使用。其中，图1是表示TFT阵列基板P的概略构成的俯视图。
如图1所示，在具有TFT30的TFT阵列基板P上，具备栅极布线40、源极布线42、漏极44、以及与漏极44电连接的像素电极45。栅极布线40以在X轴方向延伸的方式形成，且其一部分41以沿Y轴方向延伸的方式形成。而且，沿Y轴方向延伸的栅极布线40的一部分41作为栅极使用。其中，栅极41的宽度H2比栅极布线40的宽度H1更窄。而且，该栅极布线40是由本实施方式的布线形成方法形成的。另外，以沿Y轴方向延伸的方式形成的源极布线42的一部分43以宽度大的方式形成，该源极布线42的一部分43作为源极使用。
以下，参照图2和图3，对使用本实施方式的布线形成方法制造TFT阵列基板P的方法进行说明。
首先，如图2(a)所示，利用光刻法，在已清洗的玻璃基板610的上面形成用于设置1像素间隔的1/20～1/10的槽Ba的第一层的围堰部(bank)B。该围堰部B需要在形成后具备光透过性和防液性，因此作为其原料优选使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等的高分子材料。
为了使该形成后的围堰部B具备防液性，需要实施CF4等离子处理等(使用具有氟成分的气体的等离子处理)，但也可以作为替代方法，预先在围堰部B的原材料自身中填充防液成分(氟基等)。这种情况下，可以省略CF4等离子处理等。
按以上方式进行防液化处理的围堰部B的、作为相对于喷出印墨的接触角最好在40°以上，且作为相对于玻璃面的接触角最好确保在10°以下。即，本发明者们通过试验确认的结果表明，例如对于导电性微粒(十四烷溶剂)的处理后的接触角，在作为围堰部B的原材料采用丙烯酸树脂类的情况下能确保约54.0°(在未处理的情况下是10°以下)。其中，这些接触角是在等离子功率为550W、且以0.1L/min的速度供给四氟甲烷气体的处理条件下获得的。
在接着上述第一层的围堰部形成工序的栅极布线形成工序中，采用液滴喷出法，以充满由围堰部B区划的描绘区域即槽Ba内的方式喷出包含栅极布线形成材料的液滴，形成栅极布线40(栅极41)。而且，在形成栅极布线40时，适用本实施方式的布线形成方法。
具体地说，首先如图3(a)所示，由液滴喷出法将包含栅极布线形成材料的功能液L(液体材料)的液滴配置在沿X轴方向延伸的栅极布线形成区域Ba1的规定位置。在将功能液L的液滴配置在栅极布线形成区域Ba1时，采用液滴喷出法，将液滴从栅极布线形成区域Ba1的上方喷出到栅极布线形成区域Ba1。在本实施方式中，如图3(a)所示，功能液L的液滴沿着栅极布线形成区域Ba1的延伸方向(X轴方向)以规定间隔配置。此时，功能液L的液滴还被配置在栅极布线形成区域Ba1中的、栅极布线形成区域Ba1和栅极形成区域Ba2连接的连接部37附近(交叉区域)。
如图3(b)所示，配置在栅极布线形成区域Ba1中的功能液L，通过自流动，在栅极布线形成区域Ba1内润湿扩张。而且，配置在栅极布线形成区域Ba1中的功能液L，通过自流动，还润湿扩张到栅极形成区域Ba2。由此，不必直接从栅极形成区域Ba2上方对栅极形成区域Ba2喷出液滴，就能将功能液L配置到栅极形成区域Ba2。
就这样，通过在栅极布线形成区域Ba1内配置功能液L，借助配置在该栅极布线形成区域Ba1中的功能液L的自流动现象(毛细管现象)，可将功能液L配置到栅极形成区域Ba2。
而且，通过自流动流入到栅极形成区域Ba2中的、配置在栅极形成区域Ba2中的功能液L的量，与配置在栅极布线形成区域Ba1中的功能液L的量相比更少。因此，配置在栅极形成区域Ba2的液膜的厚度，与配置在栅极布线形成区域Ba1的液膜的厚度相比，更薄膜化。
其中，作为在功能液L中所包含的栅极布线形成材料(构成材料)，可适合采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-si、导电性聚合物等。另外，由于对围堰部B预先赋予了充分的防液性，因此能在不使功能液L从槽Ba溢出的情况下进行配置。
在基板610上配置功能液之后，为进行分散剂去除以及膜厚确保，根据需要进行中间干燥处理。干燥处理除了可以使用例如对基板610进行加热的通常的加热板、电炉等之外，还可以通过灯退火(lamp anneal)进行。
作为用于灯退火的光的光源，没有特别限定，可以将红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等的受激准分子激光器等作为光源使用。这些光源一般使用输出10W以上、5000W以下范围的光源，而在本实施方式中100W以上、1000W以下的范围就足够了。
为使微粒间的电接触更为理想，中间干燥处理后的干燥膜有必要完全去除分散剂。另外，为了在导电性微粒的表面提高分散性而涂敷有有机物等的涂敷材料的情况下，还必须去除该涂敷材料。为此，在喷出工序后的基板上实施热处理和/或光处理。
热处理和/或光处理通常在大气中进行，但根据需要，也可以在氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度，是对分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类和压力、微粒的分散性和氧化性等的热的举动、涂敷材料的有无以及量、基材的耐热温度等考虑后而适宜决定的。
例如，为了去除由有机物构成的涂敷材料，需要在约300℃下烘焙。此时，例如也可在围堰部B以及功能液的干燥膜上预先涂敷低熔点玻璃等。
另外，在使用塑料等基板的情况下，优选在室温以上100℃以下的条件下进行。
通过以上工序，喷出工序后的干燥膜确保了微粒间的电接触，且如图2(a)所示，变换成栅极布线40(栅极41)。
由此形成的栅极布线40中，作为其一部分的栅极41比栅极布线40的其他部分形成得更薄膜化。更详细的说，通过如上所述的自流动，经流入栅极形成区域Ba2而配置在栅极形成区域Ba2中的功能液L的厚度与配置在栅极布线形成区域Ba1中的功能液L的厚度相比更薄，从而对该功能液L进行中间干燥处理、热处理和/或光处理而获得的栅极41的厚度比栅极布线40的其他部分形成得更薄膜化。因此，根据本实施方式的布线形成方法，在栅极布线40以与围堰部B的上面在同一上面的方式形成的情况下，如图2(a)所示，栅极41的上面就位于比围堰部B的上面相对下方。
接着，如图2(b)所示，由等离子CVD法进行栅极绝缘膜613(绝缘膜)、活性层610、接触层609的连续成膜。通过改变原料气体和等离子条件，形成作为栅极绝缘膜613的氮化硅膜、作为活性层610的非晶硅膜、以及作为接触层609的n+型硅膜。在由CVD法形成的情况下，300℃～350℃的热过程是必须的，但通过在围堰部使用在基本构架的主链含有作为主成分的硅、在侧链上具有烃等结构的石英玻璃类的材料，可以避免有关透明性、耐热性的问题。
在这里，如上所述的栅极41比栅极布线40的其他部分更薄膜化。因此，与栅极布线40的其他部分相比，如图2(b)所示，在栅极41上就会形成厚的绝缘膜613。
在接着上述半导体层形成工序的第二围堰部形成工序中，预先蚀刻接触层609来确保沟道。而且，如图2(c)所示，在栅极绝缘膜613的上面基于光刻法形成第二层的围堰部614，该第二层的围堰部614用于设置1像素间隔的1/20～1/10且与上述槽Ba交叉的槽614a。作为该围堰部614，需要在形成后具备光透过性和防液性，因此作为其原材料优选使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
为了使该形成后的围堰部614具备防液性，有必要实施CF4等离子处理等(使用具有氟成分的气体的等离子处理)，但也可以作为替代方法，预先在围堰部614的原材料自身中填充防液成分(氟基等)。这种情况下，可以省略CF4等离子处理等。
按以上方式进行防液化处理的围堰部614的、作为相对于喷出印墨的接触角最好确保在40°以上。
接着上述第二层的围堰部形成工序的源极布线形成工序中，以填充由围堰部614划分的描绘区域即槽614a内的方式，采用液滴喷出法喷出含有源极布线形成材料的液滴，进行中间干燥处理、热处理和/或光处理，从而如图2(d)所示的那样，形成对于栅极布线40交叉的源极布线42。
作为此时的导电性材料，可适合采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-si、导电性聚合物等。由此形成的源极43以及漏极44，由于对围堰部614预先赋予充分的防液性，因此可以在不从槽614a溢出的情况下，形成微细的布线图案。
另外，以填埋配置有源极43以及漏极44的槽614a的方式配置绝缘材料617。通过以上工序，在基板610上形成围堰部614和由绝缘材料617构成的平坦的上面620。
然后，通过在绝缘材料617上形成接触孔619的同时，在上面620上形成图案化的像素电极(ITO)618，并经由接触孔619连接漏极44和像素电极618，从而制造形成有TFT的TFT阵列基板P。
在具有这样采用本第一实施方式的布线形成方法所形成的栅极布线40的TFT阵列基板P中，栅极41形成得比其他栅极布线40的部分更薄。因此，栅极41上的栅极绝缘膜613的厚度比配置在其他栅极布线40上的绝缘膜的厚度更厚。从而，即使在为了提高TFT阵列基板P的生产性而对绝缘膜薄膜化的情况下，也可以防止源极43或者漏极44和栅极41之间的绝缘不良。
另外，根据本第一实施方式的布线形成方法，通过自流动，经流入栅极形成区域Ba2而容易地配置在栅极形成区域Ba2中的液膜与配置在栅极布线形成区域Ba1中的液膜厚度相比可更容易地进行薄膜化。从而通过对该功能液L进行中间干燥处理、热处理和/或光处理，能容易地形成被薄膜化的栅极41。
其中，作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、电机械变换方式、电热变换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是，用带电电极向材料赋予电荷，在用偏向电极控制材料的飞跃方向的情况下从喷嘴喷出的方式。另外，加压振动方式是，向材料施加30kg/cm2左右的超高压而从喷嘴前端侧喷出材料的方式，而且，当不施加控制电压的情况下，材料直接从喷嘴喷出，而如果不施加控制电压，则材料间产生静电排斥，使得材料飞散而不能从喷嘴喷出。另外，电机械变换方式是，由于利用了压电元件接受到电信号而变形的性质，因此根据压电元件的变形，向贮存有材料的空间介由挠性物质施加压力，从该空间挤压出材料并从喷嘴喷出的方式。
另外，电热变换方式是，使用设在贮存有材料的空间内的加热器，将材料急速气化而产生泡沫(泡)，借助泡沫的压力使空间内的材料喷出的方式。静电吸引方式是，向贮存有材料的空间内施加微小压力，在喷嘴处形成材料的弯液面，并在该状态下施加静电引力而将材料引出的方式。此外，还可以适用基于电场的流体的粘性变化的方式或者通过放电火花飞出的方式等技术。液滴喷出法具有不浪费材料使用、而且能在规定位置确切配置期望量的材料的优点。其中，由液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量是例如1～300纳克。
图4是表示作为使用于本发明的布线形成方法的装置的一例的、采用电机械变换方式的液滴喷出装置(喷墨装置)IJ的概略构成的立体图。
液滴喷出装置IJ具备液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向引导轴5、控制装置CONT、平台7、清洁机构8、基台9、以及加热器15。
平台7是用于支撑将由该液滴喷出装置IJ设置印墨(液体材料)的基板P的部件，其具备将基板P固定在基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具备多个喷嘴的多喷嘴型的液滴喷头，且使其长边方向和Y轴方向一致。多个喷嘴在液滴喷头1的下面沿Y轴方向按一定间隔并列设置。从液滴喷头1的喷嘴，向由平台7支撑的基板P喷出含有上述导电性微粒的印墨。
在X轴方向驱动轴4上连接有X轴方向驱动电机2。X轴方向驱动电机2是步进式电机等，如果从控制装置CONT供给来X轴方向的驱动信号，则使X轴方向驱动轴4转动。如果X轴方向驱动轴4转动，则液滴喷头1沿X轴方向移动。
Y轴方向引导轴5以相对基台9不可移动的方式被固定。平台7具备Y轴方向驱动电机3。Y轴方向驱动电机3是步进式电机等，如果从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号，则沿Y轴方向移动平台7。
控制装置CONT向液滴喷头1供给液滴喷出控制用的电压。另外，向X轴方向驱动电机2供给用于控制液滴喷头1的X轴方向的移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动电机3供给用于控制平台7的Y轴方向移动的驱动脉冲信号。
清洁机构8是用于清洁液滴喷头1的机构。清洁机构8具备未图示的Y轴方向的驱动电机。通过驱动该Y轴方向驱动电机，清洁机构8沿Y轴方向引导轴5移动。清洁机构8的移动也由控制装置CONT控制。
加热器15，在此是由灯退火对基板P进行热处理的机构，对涂敷于基板P上的液体材料所包含的溶剂进行蒸发及干燥。该加热器15的电源的接通以及切断也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ在相对性扫描液滴喷头1和支撑基板P的平台7的同时，对基板P喷出液滴。在这里，在以下说明中，将X轴方向定为扫描方向，且将与X轴方向垂直的Y轴方向定为非扫描方向。因此，液滴喷头1的喷嘴在作为非扫描方向的Y轴方向以一定间隔并列设置。其中，在图4中，液滴喷头1相对于基板P的行进方向以直角配置，但也可以调整液滴喷头1的角度，使得相对于基板P的行进方向形成交叉。这样，通过调整液滴喷头1的角度，可以调节喷嘴之间的间距。另外，还可以形成为能任意调节基板P和喷嘴面之间的距离的构造。
图5是用于说明基于压电方式的液体材料的喷出原理的图。
在图5中，与收容液体材料(布线图案用印墨、功能液)的液体室21邻接地设置压电元件22。这里，经由液体材料供给系统23，将液体材料供给液体室21，其中，该液体材料供给系统23包含收容有液体材料的材料罐。
压电元件22与驱动电路24连接，并经由该驱动电路24，向压电元件22施加电压，进而通过使压电元件22变形，液体室21变形，从喷嘴25喷出液体材料。在这种情况下，通过改变外加电压的值，控制压电元件22的应变量。另外，通过改变外加电压的频率，控制压电元件22的应变速度。
由于采用压电方式的液滴喷出不向材料施加热量，因此具有不给材料的组成施加影响的优点。
图6是，对于具备使用上述的布线形成方法制造的TFT阵列基板P的液晶显示装置(电光学装置)，将各构成要素一同表示的、从相对的基板侧观察的俯视图。图7是沿图6的H-H’线的剖面图。图8是，在液晶显示装置的图像显示区域中以矩阵状形成的多个像素的各种元件、布线等的等价电路图。
在图6和图7中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100，将成对的TFT阵列基板P和对向基板20用作为光硬化性密封材料的密封材52进行粘合，并在由该密封材52划分的区域内封入液晶50，进行保持。该密封材52，以在基板面内的区域关闭的框状形式形成，不具备液晶注入口，没有被密封材料密封的痕迹。
在密封材52的形成区域的内侧区域，形成有由遮光性材料构成的周边分开部53。外密封材52的外侧区域，数据线驱动电路201和安装端子202沿着TFT阵列基板P的一边形成，且沿着与该一边邻接的两边形成有扫描驱动电路204。在TFT阵列基板P的剩下的一边，设有用于连接将在像素显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路204之间的多条布线205。另外，在对向基板20的角部的至少一处，配设有用于在TFT阵列基板P和对向基板20之间取得电导通的基板间导通材206。
其中，除了将数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204形成在TFT阵列基板P上之外，作为其替代方式，还可以将安装有驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和形成在TFT阵列基板P的周边部的端子群，夹隔各向异性导电膜以电气式以及机械式连接。其中，在液晶显示装置100中，根据使用的液晶50的种类，即，TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、ISP方式模式等的动作模式、或者常亮模式/常黑模式等的不同，将相位差板、偏光板等以规定朝向配置，但这里省略其图示。
另外，在将液晶显示装置100以彩色显示用的方式构成的情况下，在TFT阵列基板P的与后述的各像素电极对向的区域，将例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片与其保护膜一同形成。
在具有该结构的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图8所示，多个像素100a以矩阵状构成的同时，在这些像素100a的每个中形成有像素转换用的TFT(转换元件)30，且供给像素信号S1、S2、...、Sn的数据线6a与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2、...、Sn可以按该顺序以线顺序供给，也可以对相邻的多个数据线6a按每组供给。另外，在TFT30的栅极上电连接有扫描线3a，并以规定的定时，向扫描线3a将扫描信号G1、G2、...、Gm按该顺序以线顺次脉冲式施加。
像素电极45与TFT30的漏极电连接，且通过将作为转换元件的TFT30仅以一定期间调成导通状态，将从数据线6a供给来的像素信号S1、S2、...、Sn以规定时序写入到各像素。这样经由像素电极19而写入到液晶中的规定等级的像素信号S1、S2、...、Sn，在与如图7所示的对向基板20的对向电极121之间保持一定期间。
其中，在上述实施方式中，将TFT30作为用于驱动液晶显示装置100的转换元件使用，但还可以应用到液晶显示装置以外的例如有机EL(电致发光)显示器件中。有机EL显示器件具有将包含荧光性的无机以及有机化合物的薄膜用阴极和阳极夹持的结构，而且，该有机EL显示器件是，通过在上述薄膜中注入电子以及空穴(孔)并激励，从而生成激子(exciton)，利用该激子再结合时的光放出(荧光·磷光)进行发光的元件。而且，通过在上述TFT阵列基板P上，将用于有机EL显示元件的荧光性材料中呈红、绿以及蓝色的各发光色的材料即发光层形成材料以及形成空穴注入/电子输送层的材料作为印墨，并将它们各自进行图案化，从而可制造自发光全色EL器件。本发明的器件(电光学装置)的范围还包括这样的有机EL器件。
图9是，具备使用上述布线形成方法制造的TFT阵列基板P的有机EL装置的侧剖面图。下面，参照图9，说明有机EL装置的概略构成。
在图9中，有机EL装置401是，在由TFT阵列基板P、像素电极45、围堰部441、发光元件451、阴极461(对向电极)、以及密封基板471构成的有机EL元件402上，连接韧性基板(未图示)的布线以及驱动IC(未图示)的结构。电路元件部421按以下方式构成，即，作为有源元件的TFT60在基板411上形成，多个像素电极45在电路元件部421上排列而构成。
在各像素电极45之间，围堰部441以格子状形成，且在由围堰部441生成的凹部开口444中，形成发光元件451。其中，发光元件451由发出红色光的元件和发出绿色光的元件以及发出蓝色光的元件构成，并由此，有机EL装置401实现全色显示。阴极461形成在围堰部441和发光元件451的上部全面上，且阴极461之上叠层有密封用基板471。
制造包含有机EL元件的有机EL装置401的工序包括形成围堰部441的围堰部形成工序；为适当地形成发光元件451而进行的等离子处理工序；形成发光元件451的发光元件形成工序；形成阴极461的对向电极形成工序；以及，将密封用基板471叠层在阴极461上并密封的密封工序。
在发光元件形成工序中，由于通过在凹部开口444、即在像素电极45上形成空穴注入层452以及发光层453而形成发光元件451，因此具备空穴注入层形成工序以及发光层形成工序。而且，空穴注入层形成工序还包括将用于形成空穴注入层452的液状体材料喷出到各像素电极45上的第一喷出工序、以及通过使喷出的液状体材料干燥而形成空穴注入层452的第一干燥工序。另外，发光层形成工序还包括将用于形成发光层453的液状体材料喷出到空穴注入层452上的第二喷出工序、以及对喷出的液状体材料进行干燥而形成发光层453的第二干燥工序。其中，发光层453根据与上述的红、绿、蓝三色对应的材料的不同而形成三个种类，因此上述第二喷出工序也相应地由分别喷出三种类材料的三个工序构成。
在该发光元件形成工序中，可以在空穴注入层形成工序中的第一喷出工序、以及发光层形成工序中的第二喷出工序中采用上述的液滴喷出装置IJ。
另外，作为电光学装置，除了上述的之外，还可以使用于PDP(等离子显示板)、或者利用了在形成于基板上的小面积的薄膜上流过与膜面平行的电流而引起电子放出现象的表面传导型电子放出元件等中。
其中，在实施方式中，“电光学装置”在以下意义下使用，即，除了具有由电场改变物质的折射率而使光的透过率变化的电光学效果的机构之外，还包含将电能转换为光能的机构等。
接着，参照图10，对具备上述电光学装置的电子设备的具体例进行说明。
图10(a)是表示携带电话的一例的立体图。在图10(a)中，600表示携带电话主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图10(b)是表示文字处理机、个人电脑等的携带型信息处理装置的一例的立体图。在图10(b)中，700表示信息处理装置、701表示键盘等输入部、703表示信息处理主体、702表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图10(c)是表示腕表型电子设备的一例的立体图。在图10(c)中，800表示表主体，801表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
由于在图10(a)～(c)中所示的电子设备是具备上述实施方式的液晶显示装置的设备，因此可得到高的品质和性能。
还有，虽然本实施方式的电子设备具备液晶装置，但也可是具备有机电致发光显示装置、等离子型显示装置等、其他的电光学装置的电子设备。
(第二实施方式)下面，参照图11和图12，说明本发明的第二实施方式。其中，在第二实施方式的说明中，对与上述第一实施方式相同的部分，省略或简略化其说明。
图11是表示，根据本第二实施方式的布线方法形成存贮保持电容布线47以及作为布线47的一部分的存贮保持电容46的、TFT阵列基板P的概略构成俯视图。
如该图所示，在本第二实施方式的TFT阵列基板P中，形成有与栅极布线47的延长方向(X轴方向)平行延长的存贮保持电容布线47。该存贮保持电容布线47形成在与栅极布线47同样地形成在围堰部B的槽(图11中未图示)内，且与栅极布线47形成在同一层。另外，作为存贮保持电容布线47的一部分的、位于像素电极45的下方的部位，以大宽度形成，且形成在该大宽度上的部位作为存贮保持电容46被构成。另外，在存贮保持电容46和像素电极45之间，配置有与栅极绝缘膜613相同的工序形成的绝缘膜。
通过具备这样的存贮保持电容46，像素电极45的电压由存贮保持电容46保持仅比施加源极电压的时间长3位数的时间。因此，TFT阵列基板P的电荷的保持特性被改善。从而，在具备这样的TFT阵列基板P的电光学装置中，可以提高对比度。
而且，上述的存贮保持电容布线47通过本实施方式的布线形成方法形成，且以与栅极布线40相同的工序形成。
具体地说，如图12(a)所示，在由围堰部B划分的存贮保持电容形成区域Ba4中，采用液滴喷出法喷出配置与喷出配置在存贮保持电容布线形成区域Ba3中的液滴更少量的液滴La。由此，配置在存贮保持电容形成区域Ba4中的功能液La的量，与配置在存贮保持电容布线形成区域Ba3中的功能液L的量相比是更少的量。因此，配置在存贮保持电容形成区域Ba4中的液膜的厚度，与配置在存贮保持电容布线形成区域Ba3中的液膜的厚度相比更薄膜化。
而且，通过对于功能液L、La进行中间干燥工序、热处理和/或光处理，形成存贮保持电容布线47和作为其一部分构成的存贮保持电容46。由此形成的存贮保持电容46与栅极41一样，也位于围堰部B的上面的下方。从而，可以将配置在存贮保持电容46上的绝缘膜的厚度，设置得比配置在存贮保持电容布线47的其他部分上的绝缘膜的厚度更厚。
因此，根据本第二实施方式的布线形成方法，即使为了提高TFT阵列基板P的生产性而对绝缘膜进行薄膜化的情况下，也能防止存贮保持电容46和像素电极45之间的绝缘不良。
另外，根据本第二实施方式的布线形成方法，在存贮保持电容形成区域Ba4中，采用液滴喷出法喷出配置与配置在存贮保持电容布线形成区域Ba3中的功能液L更少量的功能液La，可以容易地将配置在存贮保持电容形成区域Ba4中的液膜，与配置在存贮保持电容布线形成区域Ba3中的液膜相比更薄膜化。从而，通过对于功能液L、La进行中间干燥工序、热处理和/或光处理，可以形成被容易地薄膜化的存贮保持电容46。
还有，为了防止配置到存贮保持电容布线形成区域Ba3的功能液L和配置到存贮保持电容形成区域Ba4的功能液La通过趋平作用而使其液膜厚度变相同的情况发生，最好采用以下方法，即，首选对喷出配置在存贮保持电容布线形成区域Ba3中的功能液L进行中间干燥处理，待使其固化形成如图12(b)所示的干燥膜Lx后，再向存贮保持电容形成区域Ba4喷出配置功能液La。
以上，边参照添加的附图，边对本发明的布线形成方法的适当的实施方式的例子进行了说明，但本发明当然并不限定于此。在上述的例子中展示的各构成部件的各种形状以及组合等仅仅是一个例子，而在不超出本发明主旨的范围内，可以根据设计要求等，进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，TFT30全部是作为底栅极型(bottom gate)的TFT构成。然而，本发明的布线形成方法并不仅仅适于在形成底栅极型TFT栅极布线时使用，还可以在顶栅极型TFT栅极布线时适用。
另外，在上述第二实施方式中，存贮保持电容作为与栅极布线不同体形成的存贮保持电容布线的一部分构成。然而，本发明的布线形成方法并不仅仅适用于这样的实例中，还可以在例如将栅极布线的一部分形成为大宽度并将该一部分作为存贮保持电容构成的情况下适用。
权利要求
1.一种布线形成方法，是薄膜晶体管的至少兼带栅极的栅极布线的形成方法，或者，以与该栅极布线相同的工序形成的布线的形成方法，其特征是通过采用将包含所述栅极布线或者所述布线的构成材料的液体材料作为液滴喷出的液滴喷出法，将所述栅极布线的一部分或者所述布线的一部分形成为与其他的所述栅极布线的部分或者其他的所述布线的部分相比更薄。
2.根据权利要求1所述的布线形成方法，其特征是所述栅极布线的一部分，作为栅极或者存贮保持电容使用。
3.根据权利要求1所述的布线形成方法，其特征是所述布线的一部分，作为存贮保持电容使用。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的布线形成方法，其特征是将由所述液滴喷出法喷出配置的所述液体材料，通过自流动流入至形成所述栅极布线的一部分或者所述布线的一部分的区域。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的布线形成方法，其特征是在形成所述栅极布线的一部分或者所述布线的一部分的区域中，采用所述液滴喷出法喷出配置比形成其他的所述栅极布线的部分或者其他的所述布线的部分的区域更少量的液体材料。
全文摘要
一种布线形成方法，是薄膜晶体管(30)的至少兼带栅极(41)的栅极布线(40)的形成方法，通过采用将包含所述栅极布线(40)的构成材料的液体材料作为液滴喷出的液滴喷出法，将所述栅极布线(40)的一部分(41)形成为与其他的所述栅极布线(40)的部分相比更薄。由此，根据本发明，可采用液滴喷出法形成栅极布线或者与栅极布线相同工序形成的布线，且能够防止在绝缘膜薄膜化的时候产生的绝缘不良现象。
文档编号G02F1/1368GK1722934SQ200510082499
公开日2006年1月18日 申请日期2005年7月5日 优先权日2004年7月5日
发明者平井利充 申请人:精工爱普生株式会社