光刻设备的制作方法

专利名称：光刻设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备。特别地，本发明涉及包括用于在投影系统下面延伸的体积中提供调节的气体流的气体调节结构的光刻设备。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案施加在基底上，通常施加在基底的靶部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置，可替换地称作掩模或分划板，可用于产生要形成在IC单独层上的电路图案。该图案可以传递到基底(例如硅晶片)的靶部分上(例如包括部分、一个或者多个管芯)。图案的传递通常通过成像到基底上提供的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。一般地，单个基底将包含依次构图的相邻靶部分的网格。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将全部图案一次曝光在靶部分上而辐照每一靶部分，以及所谓的扫描器，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐照每一靶部分。还可以通过将图案压印在基底上来从构图装置将图案传递到基底。
在用于在光刻系统中在较小的成像尺寸处获得较高的分辨率的正在进行的努力中，使用具有高于0.8的数值孔径的投影系统。这些系统趋向于很笨重，且尺寸宽，尤其是在辐射(光)离开投影系统用于照射基底的系统的下表面附近。而且，这些高数值孔径具有通常很小(只有几毫米)的工作距离，这可能使得投影系统放置得很靠近晶片表面。因此，在实际的配置中，有很少的空间提供用于在投影系统和基底之间的区域中可操作的构造。在上述区域中可操作的这些构造之一是空气簇射系统，该空气簇射系统存在为在该区域中调节“空气”(其通常为气体中非常精确调节的成分)。其中，该调节有助于限定稳定的气体环境，使得干涉测量束可以不受折射率波动的妨碍。这有助于获得基底相对于投影系统的位置的可靠的(低)纳米测量，使得图案可以在基底的预定的位置处可靠地成像。
这些较笨重的投影系统和较近的工作距离可能使得难以以这样的方式定位空气簇射系统，即，充分到达作为整体的该区域。尤其是，可能没有足够的空间来以这样的方式放置空气簇射系统，即，气体流能够充分调节其中基底保持器在投影系统下面移动的体积。在该体积中，干涉测量束延伸以测量基底的位置。通常，该体积可以由投影系统，例如，在投影系统中的下部透镜的离开平面确定边界。该体积也可以延伸到反射镜块下面，该反射镜块用于确定要被照射的基底的z高度(Z反射镜)。
用于空气簇射系统的当前的配置通常具有两个流的主方向在离开透镜一段距离处，气体垂直于由干涉测量束的路径限定的伸长的体积的纵轴线流动，且在较靠近透镜中心处，气体大致以相对于纵轴线的小角度流动。然而，在这些主流动方向之间延伸的过渡区域中，流通常是不确定的。该过渡区域通常在伸长的体积中具有宽的延伸，试图调节，使得在实践中，伸长的体积的大部分可以遭受亚优化的调节条件。

发明内容
本发明的一个方面是提供一种光刻系统，其中，投影系统下面的区域更好地由空气簇射系统到达。
在本发明的一个实施例中，提供了一种光刻设备，其包括用于提供辐射束的辐射系统，以及用于支撑构图装置的第一支撑件。构图装置用于构图辐射束。该设备还包括用于支撑基底的第二支撑件，用于将带图案的束投射到基底的靶部分上的投影系统，用于在投影系统下面延伸的气体的伸长的体积中提供沿着中心轴线延伸的干涉测量束的干涉仪测量系统，以及用于在伸长的体积中提供调节的气体流的气体调节结构。该气体调节结构包括设置在该结构的出口处的多个气体导向叶片，用于将气体流导向到伸长的体积。该气体导向叶片连续成形，且定向为离开伸长的体积的中心轴线发散。
在本发明的一个实施例中，提供了一种光刻设备，其包括用于在光刻设备中由干涉测量束路径限定的伸长的体积中提供调节的气体流的气体调节结构。该气体调节结构包括设置在该结构的出口处的多个气体导向叶片，用于将气体流导向到伸长的体积。该气体导向叶片连续成形，且定向为离开伸长的体积的中心轴线发散，用于提供朝向伸长的体积的大致径向的气体流模式。
在本发明的一个实施例中，提供了一种气体调节器，其在由干涉测量束路径限定的伸长的体积中提供调节的气体流。该气体调节器包括设置在该气体调节器的出口处的多个气体导向叶片，用于将气体流导向到伸长的体积。该气体导向叶片平滑地定轮廓，且从伸长的体积的中心轴线发散，用于提供朝向伸长的体积的大致径向的气体流模式。
根据本发明，在光刻设备中，用于在体积中提供调节的气体流的气体调节结构包括提供在该结构的前面出口中的多个定向的气体导向叶片，用于将气体流导向到该体积。气体导向叶片离开该体积连续地发散。
通过这样的布置，由于气体流的更好的界定，可以更好地调节垂直于纵轴线的流方向和平行于纵轴线的流态之间的过渡区域。弯曲的气体叶片不引入可能导致空气流模式中不需要的中断的锐角。这样，可以减小或者甚至防止诸如流不稳定之类的不利调节情况。


现在仅仅通过例子的方式，参照附图描述本发明的各个实施例，在图中，相应的附图标记表示相应的部件，其中图1表示根据本发明一个实施例的光刻设备；图2表示示出了当从下面观察时的投影系统的常规的实施例的平面图；图3表示示出了根据图2中的线III-III观察的投影系统的常规的实施例的侧面剖视图；图4表示示出了当从下面观察时的投影系统的根据本发明的实施例的平面图；图5表示沿着图4中的线V-V剖视图；图6表示相对于要被调节的体积的气体调节结构的一个实施例的特殊的布局；图7表示相对于要被调节的体积的气体调节结构的一个实施例的特殊的布局；图8表示相对于要被调节的体积的气体调节结构的一个实施例的特殊的布局；以及图9表示相对于要被调节的体积的气体调节结构的一个实施例的特殊的布局。
具体实施例方式
图1示意性地表示了根据本发明一个实施例的光刻设备。该设备包括构造为调节辐射束B(例如UV辐射)的照射系统(照射器)IL；构成为支撑构图装置(例如掩模)MA并与构造为根据某些参数精确定位该构图装置的第一定位器PM连接的支撑结构(例如掩模台)MT；构成为保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与构造为根据某些参数精确定位该基底的第二定位器PW连接的基底台(例如晶片台)WT，以及构造为将通过构图装置MA赋予辐射束B的图案投射在基底W的靶部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射投影透镜系统)PS。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，如包括用于引导、成形或者控制辐射的折射、反射、磁、电磁、静电或其他类型的光学部件或其任意组合。
支撑结构MT支撑构图装置MA，即承受构图装置MA的重量。该支撑结构按照如下方式保持构图装置MA，所述方式为根据构图装置MA的定向、光刻设备的设计，以及例如构图装置MA是否保持在真空环境中等其他条件。该支撑结构MT可利用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持构图装置MA。支撑结构MT可以是框架或台，例如，其根据需要可以是固定的或者是可移动的。该支撑结构MT可以确保构图装置MA位于例如相对于投影系统PS的所需位置处。这里的任何术语“分划板”或者“掩模”的使用可认为与更普通的术语“构图装置”同义。
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为指可以用于给辐射束在其截面中赋予图案，以在基底的靶部分中产生图案的任何装置。应该注意，例如，如果图案包括相移特征或者所谓的辅助特征，赋予辐射束的图案可以不与在基底的靶部分中所需图案完全一致。一般地，赋予辐射束的图案与在靶部分中形成的器件如集成电路的特定功能层相对应。
构图装置可以是透射的或是反射的。构图装置的例子包括掩模，可编程反射镜阵列和可编程LCD控制板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个例子利用小反射镜的矩阵排列，反射镜的每个能够独立地倾斜，从而沿不同方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜阵列反射的辐射束中赋予图案。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含任何类型的投影系统，包括折射、反射、反折射、磁、电磁和静电光学系统，或其任何组合，如适合，用于所用的曝光辐射，或者用于其他方面，如使用浸渍液或使用真空。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。特别地，投影系统可以包括多个部分堆叠的光学元件，其可以是透射的(透镜)，或者反射的(反射镜)。一般的，投影系统以这样的方式构造，即，辐射通过最下面的光学元件从投影系统离开，该最下面的光学元件限定投影系统的下表面。更加特别的，投影系统的下表面由存在于基底的扫描区域上的最下面的表面限定。在许多构造中，该最下面的表面可以由Z反射镜形成，该Z反射镜用于控制支撑基底的支撑结构的Z位置。
如这里描述的，设备是反射型的(例如使用反射掩模)。替代地，设备可以是透射型的(例如使用透射掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)的类型。在这种“多台式”机器中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个其它台用于曝光时，在一个或者多个台上进行准备步骤。
光刻设备也可以是这样一种类型，其中基底的至少一部分由具有相对高折射率的液体，例如水覆盖，以填充投影系统和基底之间的空间。浸渍液也可以应用于光刻设备中的其他空间，例如，掩模与投影系统之间。浸渍技术在本领域是公知的，用于增大投影系统的数值孔径。这里所用的术语“浸渍”不意味着必须将诸如基底的结构浸没在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和基底之间。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。该源和光刻设备可以是单独的机构，例如当源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为源是形成光刻设备的一部分，以及通常借助于例如包括适当的导向镜和/或扩束器的束传输系统将辐射束从源SO传送到照射器IL。在其他情况下，源可以是光刻设备的整体部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要与束传输系统一起，可称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节辐射束的角强度分布的调节器。一般地，至少可以调节照射器光瞳平面内强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可包括各种其他部件，如积分器和聚光器。照射器可用于调节辐射束，从而该辐射束在其截面具有所需的均匀度和强度分布。
辐射束B入射到保持在支撑结构(例如掩模台MT)上的构图装置(例如掩模MA)上，并由该构图装置MA对其构图。穿过掩模MA后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统将该束聚焦在基底W的靶部分C上。在第二定位器PW和位置传感器IF2(例如是干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，以例如在辐射束B的路径中定位不同的靶部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位器PM和另一个位置传感器IF1将掩模MA相对辐射束B的路径进行精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)来实现掩模台MT的移动，该长行程模块和短行程模块形成第一定位器PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块可以实现基底台WT的移动，该长行程模块和短行程模块形成第二定位器PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描器相对)，掩模台MT可以只与短行程致动器连接，或者固定。掩模MA与基底W可以利用掩模对准标记M1，M2和基底对准标记P1，P2进行对准。尽管如图所示的基底对准标记占据了专用的靶部分，但是它们也可以位于靶部分之间的空间中(这些已知为划线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在掩模MA上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可位于管芯之间。
所示的设备可以按照下面的模式中的至少一种使用1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，赋予辐射束的整个图案被一次投射到靶部分C上(即单次静态曝光)。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，以便能够曝光不同的靶部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的靶部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，同步扫描掩模台MT和基底台WT，并将赋予辐射束的图案投射到靶部分C上(即，单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中靶部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定靶部分的高度(沿扫描方向)。
3.在其他模式中，掩模台MT基本保持不动，并保持可编程构图装置，移动或扫描基底台WT，并将赋予辐射束的图案投射到靶部分C上。在这种模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在基底台WT的每次移动之后或者在扫描期间连续的辐射脉冲之间，根据需要更新可编程构图装置。这种操作模式可以很容易地应用于无掩模光刻中，所述无掩模光刻利用可编程构图装置，如上面提到的一种类型的可编程反射镜阵列。
还可以采用在上述所用模式的组合和/或变化，或者采用与所用的完全不同的模式。
图2在平面图中从下面示出了气体调节结构1的常规布置，该气体调节结构也可以称为气体调节器，用于调节体积2中的气体。图3示出了在图2中所示的布置的侧视图。在剩余部分中，该气体调节结构1也称为“空气簇射器”，尽管本领域的技术人员理解，该结构发射的空气可以通过除了环境空气以外的其它气体形成。空气簇射器1包括多个并排定向的气体导向叶片3，该气体导向叶片提供在结构的前面出口4中，用于将气体流导向到体积2。投影系统5显示为通常圆形的外壳6，其封闭多个堆叠的透镜(没有显示)。接附到外壳6，或者在外壳6附近，可以存在辅助系统(没有显示)，以调节提供在光学系统中的光学元件(部分)和邻近(离开)光学元件的环境。外壳6由下表面7确定边界。灰色的环形部分8相对于下表面7部分地倾斜，且可以提供一些空间用于容纳空气簇射器1的一部分，如从图3可以明白。在图3中，示出了Z反射镜9，其为用于确定要被照射的基底13的z高度的反射镜块(Z反射镜)。该反射镜块9实际上可以形成甚至比投影系统5的下表面7低的表面。
平行于Z反射镜9且在它下面，干涉测量束10从干涉测量单元11辐射，用于确定支撑基底13的台12的X和/或Y位置(参见图3)。可以存在独立的空气簇射器14，以在邻近测量单元11的区域中提供垂直横向流。
一般地说，要调节的体积2沿着且围绕干涉测量束10的路径形成，以便控制气体的折射率。因此，可以看出，到投影系统5的体积中心(由虚线15所示)由于其低的位置可能难以调节，因为其定位得离开空气簇射器1最远。为了能够获得投影系统5下面的中心部分15，空气簇射器1通常具有两部分气体输出的主方向第一个相对于在体积2中的束10的路径通常横向的方向P，以及较靠近透镜中心，气体在相对于束路径大致成小角度(大约45°)的方向Q上流动。可以看出，通过从这两个气体流区域的不连续的过渡，即，由16表示的区域，可能在气体流中遭受扰动，这可能导致不稳定的流动条件。因此，在该区域16中的折射率难以在空气簇射器1的常规配置来控制，从而导致关于基底13相对于投影系统5的真正位置的精确度损失。这可能导致成像缺陷，其可以影响由光刻过程制造的器件的性能。
图4示出了根据本发明的实施例的平面图，示出了当从下面观察时的投影系统5。在图4中，气体调节结构17包括多个定向的气体导向叶片18。与图3中所示的实施例形成对比，定向的叶片18由弯曲的单块叶片制造。因此，在图2中确定的流区域P和Q没有如图2中由16表示的急剧的过渡区域。相反，气体导向叶片18以连续的方式成形，且定向为离开由干涉测量束10的路径形成的中心轴线发散，从而提供更加径向的流，如由箭头R指示的。尤其是，与图2的有角的几何形状相比，在该实施例中，出口19根据环形形状的段形成。在该形式中，如沿着径向线R可见，大致相等量的气体流输出到所有方向，与图2形成对比，在图2中，由于空气簇射器1的有角的几何形状，在到区域15的方向上，只有有限量气体流是可能的，从而导致环境15的亚优化调节。气体调节结构17的纵轴线可以相对于在图2中表示的实施例旋转，特别是，叶片18和轴线之间的初始发散角可以在大约15°-45°的范围内。初始发散角可以在30°-38°的范围内。这样的初始发散可以大大减小过渡区域16，因为由于这样，空气流的横向延伸可以限制到大约7-15°，这对于跨过整个横向(相对于径向流R)延伸范围保持流动条件稳定是优化的。为了最优地到达中心区域15，叶片18和轴线之间的最终发散角位于40-50°的范围内。此外，在图4中，因为初始发散角可以是相当大的，所以在气体调节结构17和体积2之间存在“间隙”。为了提供优化的流动条件，以及朝着气体调节结构导向流，已经发现，引入导向元件20是有利的，该导向元件从出口19朝着体积2导向该流。通过该导向元件20，流朝着元件20的导向表面“粘住”，且可以优化地导向到体积2，从而大致保护径向流R的稳定的流动条件。
图5进一步示出了一个实施例，其中，气体导向叶片18以相对于彼此成一定的角度地定向，以提供相对于下表面向下延伸的第二径向气体流模式。因此，叶片18在纵向上彼此并排定向，然而，在垂直于叶片的方向上，叶片18以一定的角度定向。这样，第二径向流S提供为通常横过前面显示的径向流R，其中，最接近导向元件20轴线的叶片18定向为在上部部分中提供气体流，远离导向元件20的叶片定向为提供在体积2的下部部分中的气体流。为了提供稳定的流动条件，相对角可以范围在大约5°和大约15°之间，以及优选为大约7°±0.5°。
图6-图8进一步示出了本发明的气体调节单元设计的一些例子，其特征在于弯曲的叶片18，用于在大致整个流区域R上提供径向定向的流。这样的径向流设计为看上去像是来自局部的中心区域，这与常规使用的流动条件形成对比，其通常使用平行的非发散的流来保持流动条件稳定。在图6显示的例子中，出口19为环形的形状，且延伸大约45°的角度，并通常平行于体积2开始。在图7显示的例子中，出口19是环形的，且相对于体积相对旋转。弯曲延伸大约26°的范围。在图6和图7的例子中，提供径向流R，其中，在沿着叶片18的方向上(在切线方向上)，每角度单位空气的输出体积的比例基本是恒定的，从而给整个角度范围提供了大致类似的流动条件。为此，出口可以形成为在沿着叶片的方向上提供大致恒定的每一段距离的气体体积的比例。这优选通过在叶片的整个延伸范围上保持前面的叶片21和后面的叶片22(参见图5)之间的距离大致恒定来提供。
图8示出了可以看成在图2中所示的现有技术的实施例和在图4中所示的本发明的实施例的组合的实施例。在这个方面，气体调节结构23显示为具有连续成形的叶片24，其可以由单个块制成。叶片定向为部分平行于伸长的体积2的轴线，且部分弯曲离开该体积，以便提供径向流R，该径向流连续对齐通常横向的流方向P。
图9示出了根据本发明的一个替代的实施例，其中，示出了另一个气体调节结构25。该气体调节结构25包括连续成形且定向为离开伸长的体积2的纵轴线发散的气体导向叶片26。在这个实施例中，产生的流通常大致以相对于束路径的小的角度(大约45°)在方向Q上是单向的。在该实施例中，叶片可以成形为使得在朝向伸长的体积2指向的流的流态中没有急剧的过渡出现。
尽管在本申请中特别参考在制造IC中使用光刻设备，但是应该理解，这里描述的光刻设备可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在这里的任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别与更普通的术语“基底”或“靶部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨迹器(通常将抗蚀剂层施加于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的披露可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了产生多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理层的基底。
尽管上面特别参考将本发明的实施例用于光学光刻范围内，但是应该理解，本发明也可以用在其他应用中，例如压印光刻，和上下文允许的范围，不限于光学光刻。在压印光刻中，构图装置中的形貌限定了在基底上产生的图案。构图装置的形貌可以印制在供给到基底的抗蚀剂层中，在该抗蚀剂层上，通过作用电磁辐射、热、压力或其组合来固化该抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后，可以将构图装置从抗蚀剂处移开，将图案留在其中。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有或大约为365，355，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，如离子束或者电子束。
上下文中涉及的术语“透镜”可以指各种类型的光学部件的任一种或组合，包括折射、反射、磁、电磁和静电光学部件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解，本发明可以按照不同于所述的方式实施。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含描述如上面披露的方法的一个或多个机器可读的指令序列，或者采取其中存储这种计算机程序的数据存储媒体的形式(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是示例性的，不是限制性的。这样，本领域的技术人员可以明白，在不偏离下面权利要求书阐述的范围的情况下，可以对所述发明进行修改。
权利要求
1.一种光刻设备，其包括用于提供辐射束的辐射系统；用于支撑构图装置的第一支撑件，该构图装置用于构图辐射束；用于支撑基底的第二支撑件；以及用于将带图案的束投射到基底的靶部分上的投影系统；用于在投影系统下面延伸的气体的伸长的体积中提供沿着中心轴线延伸的干涉测量束的干涉仪测量系统；以及用于在所述伸长的体积中提供调节的气体流的气体调节结构，所述气体调节结构包括设置在所述结构的出口处的多个气体导向叶片，用于将所述气体流导向到所述伸长的体积，其中，所述气体导向叶片连续成形，且定向为离开所述伸长的体积的所述中心轴线发散。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述气体导向叶片是弯曲的，用于朝着所述伸长的体积提供大致径向的气体流模式。
3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中，所述气体导向叶片在直的方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述气体导向叶片以单个块延伸过出口的宽度。
5.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述出口根据环形形状的段形成，且其中，所述调节的气体从所述出口径向离开。
6.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述叶片和所述中心轴线之间的初始发散角位于大约15°到大约45°的范围内。
7.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，述叶片和所述中心轴线之间的最终发散角位于40°到大约50°的范围内。
8.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，流导向主体邻近所述出口布置，用于提供流导向到所述伸长的体积。
9.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述气体导向叶片相对于彼此以一定的角度定向，以提供相对于投影系统的下表面向下延伸的第二气体流。
10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中，最接近中心轴线的叶片定向为在所述体积的上部部分中提供气体流，远离中心轴线的叶片定向为提供在所述伸长的体积的下部部分中的气体流。
11.根据权利要求9所述的光刻设备，其中，所述相对角的范围在5°和15°之间。
12.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述出口形成为在沿着所述叶片的方向上提供大致恒定的每一段距离的气体体积的比例。
13.一种光刻设备包括用于在由干涉测量束路径限定的伸长的体积中提供调节的气体流的气体调节结构，所述气体调节结构包括设置在所述结构的出口处的多个气体导向叶片，用于将所述气体流导向到所述伸长的体积，其中，所述气体导向叶片连续成形，且定向为离开所述伸长的体积的中心轴线发散，用于提供朝向所述伸长的体积的大致径向的气体流模式。
14.一种气体调节器，其在光刻设备中由干涉测量束路径限定的伸长的体积中提供调节的气体流，所述气体调节器包括设置在所述气体调节器的出口处的多个气体导向叶片，用于将所述气体流导向到所述伸长的体积，其中，所述气体导向叶片平滑地定轮廓，且从所述伸长的体积的中心轴线发散，用于提供朝向所述伸长的体积的大致径向的气体流模式。
全文摘要
一种光刻设备包括用于提供辐射束的辐射系统，以及用于支撑构图装置的第一支撑件。该构图装置用于构图辐射束。该设备包括用于支撑基底的第二支撑件，用于将带图案的束投射到基底的靶部分上的投影系统，以及用于在投影系统下面延伸的气体的伸长的体积中提供沿着轴线延伸的干涉测量束的干涉仪测量系统。该设备还包括用于在该体积中提供调节的气体流的气体调节结构。该气体调节结构包括设置在该结构的出口处的多个气体导向叶片，用于将气体流导向到该体积。该气体导向叶片连续成形，且定向为离开该体积的轴线发散。
文档编号G03F7/20GK1770010SQ20051011803
公开日2006年5月10日 申请日期2005年10月24日 优先权日2004年10月25日
发明者N·A·拉勒曼特, M·贝克斯, W·F·G·M·赫托格, D·T·W·范德普拉斯, S·科伊林克, R·詹森 申请人:Asml荷兰有限公司