光刻设备和器件制造方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求享有2012年11月6日递交的美国临时申请61/723, 214的优先权，通 过引用将其全部在此并入。
技术领域
[0003] 本发明涉及光刻设备和用于制造器件的方法。
【背景技术】
[0004] 光刻设备是将期望的图案施加到衬底上（通常施加到衬底的目标部分上）的机 器。可在例如制造集成电路（IC)的过程中使用光刻设备。在这一情况中，构图装置（其还 可称为掩模或刻线）可用来生成将在IC的单个层上形成的电路图案。这一图案可被转移 到衬底（例如硅晶片）上的目标部分（例如包括部分、一个或多个管芯）上。对图案的转 移通常是经由在衬底上设置的辐射敏感材料（光阻）上进行成像实现的。通常，单个衬底 将包含连续排布的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器（stepper)，其 中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来对每个目标部分进行照射，还包括所谓的扫描 器（scanner)，其中通过在给定方向（"扫描"方向）通过辐射光束扫描图案来照射每个目 标部分，同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描衬底。还能够通过将图案刻印 到衬底上来将图案从构图装置转移到衬底。
【发明内容】
[0005] 光刻设备可以振动（例如在200Hz左右）。光刻设备的振动可能对重现性产生负 面的影响。
[0006] 例如，期望减轻这种振动的一个或多个效果。
[0007] 根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，包括将图案从构图装置转移 到衬底上，其中所述方法包括：使用光刻设备内包括的一个或多个第一传感器来获得与光 刻设备的振动有关的第一校准振动数据，使用第二传感器来获得第二校准振动数据，所述 第二校准振动数据是光刻设备的第一参数数据的分量；以及使用第一校准振动数据和第二 校准振动数据来计算滤波器，所述滤波器可操作为使得当应用于第一校准振动数据时其输 出与第二校准振动数据更紧密地关联。
[0008] 根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备可操作为将图案从 构图装置转移到衬底上并且包括一个或多个第一传感器，其中所述光刻设备可操作为：使 用一个或多个第一传感器来获得与光刻设备的振动有关的第一校准振动数据，使用第二传 感器来获得第二校准振动数据，所述第二校准振动数据是光刻设备的第一参数数据的分 量；以及使用第一校准振动数据和第二校准振动数据来计算滤波器，所述滤波器可操作为 使得当应用于第一校准振动数据时其输出与第二校准振动数据更紧密地关联。
【附图说明】
[0009] 现在通过只是示例的方式参照附图描述本发明的实施例，图中相应的附图标记指 示相应的部件，并且其中：
[0010] 图1示出了根据本发明实施例的光刻设备；
[0011] 图2示出了根据本发明实施例的光刻单元或集群；
[0012] 图3a是示出了根据本发明第一实施例的方法的流程图；
[0013] 图3b是示出了根据本发明第二实施例的方法的流程图；
[0014] 图4是示出了根据本发明第三实施例的方法的流程图；以及
[0015] 图5是控制根据本发明实施例的设备和方法的处理单元（计算机系统）的视图。
【具体实施方式】
[0016] 图1示意性地示出了根据本发明实施例的光刻设备。所述设备包括：
[0017] -照明系统（照明器）IL，配置为调节辐射光束B(例如UV辐射或EUV辐射）；
[0018] -支撑结构（例如掩模台）MT，构建为支撑构图装置（例如掩模）MA并且连接到第 一定位器PM，所述第一定位器PM配置为根据特定参数来准确地对所述构图装置进行定位；
[0019] -衬底台（例如晶片台）WT，构建为支撑衬底（例如涂覆了光致抗蚀剂的晶片）W 并且连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW配置为根据特定参数来准确地对衬底进行 定位；以及
[0020] -投影系统（例如折射投影透镜系统）PS，配置为通过构图装置MA将赋予辐射光 束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一点或多个管芯）上。
[0021] 照明系统可包括多种类型的光学组件，比如折射、反射、磁、电磁、静电或其它类型 的光学组件或其中的任意组合，以用于导引、整形或控制辐射。
[0022] 支撑结构以取决于构图装置的朝向、光刻设备的设计以及其它条件（比如是否将 构图装置保持在真空环境中）的方式来保持所述构图装置。支撑结构可使用机械、真空、静 电或其它钳制技术来保持构图装置。支撑结构可以是框架或台，例如其可按照需要是固定 的或可移动的。支撑结构可确保构图装置位于期望的位置（例如相对于投影系统）。本文 对术语"刻线"或"掩模"的使用可认为与更一般的术语"构图装置"是同义的。
[0023] 本文使用的术语"构图装置"将被广义地解释为指代可用来向辐射光束在其截面 中赋予图案以便在衬底的目标部分中创建图案的任意装置。应该注意的是，赋予辐射光束 的图案可能不是精确地对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果所述图案包括相 移特征或所谓的辅助特征的话。通常，赋予辐射光束的图案将对应于在目标部分中创建的 器件中的具体功能层，比如集成电路。
[0024] 构图装置可以是透射式的或反射式的。构图装置的示例包括掩模、可编程镜阵列 以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是熟知的，并且包括多种掩模类型，比如二元的、交替 相移的以及衰减相移的，以及多种混合掩模类型。可编程镜阵列的示例采用小镜子的矩阵 布置，每个小镜子都可以独立地倾斜以便在不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的镜子 在镜子矩阵反射的福射光束中赋予图案。
[0025] 本文使用的术语"投影系统"可被广义地解释为涵盖任意类型的投影系统，包括折 射、反射、折反射、磁、电磁、静电光学系统或其中的任意组合，其适于所使用的曝光辐射或 其它因素（比如浸没液体的使用或真空的使用）。本文对术语"投影透镜"的使用可认为与 更为一般的术语"投影系统"同义。
[0026] 如此所述，所述设备是透射型的（例如采用透射掩模）。备选地，所述设备可以是 反射型的（例如采用上述类型的可编程镜阵列或采用反射掩模）。
[0027] 光刻设备可以是具有两个（双平台）或多个衬底台（和/或两个或多个构图装置 台）的类型。在这种"多平台"机器中，可并行地使用附加的台，或者可在一个或多个台上 执行准备步骤，而一个或多个其它台则用于曝光。
[0028] 光刻设备还可以是以下类型：其中衬底的至少一部分可被具有相对较高的折射率 的液体（例如水）覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。还可将浸没液体应用到光 刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统之间。浸没技术是本领域熟知的，以用于增加投 影系统的数值孔径。本文使用的术语"浸没"并不意味着结构（比如衬底）必须被液体淹 没，而只意味着液体在曝光期间位于投影系统和衬底之间。
[0029] 参见图1，照明器IL从辐射源SO接收辐射光束。所述源和光刻设备可以是分离 的实体，例如当所述源是准分子激光器时。在这种情况中，不认为所述源形成光刻设备的一 部分，以及在光束传递系统BD的帮助下将辐射光束从源SO传送到照明器IL，其中光束传 递系统BD包括例如合适的导引镜和/或扩束器。在其它情况中，所述源可以是光刻设备的 集成部件，例如当所述源是水银灯时。如果需要的话，源SO和照明器IL以及光束传递系统 BD可统称为辐射系统。
[0030] 照明器IL可包括调整器AD，用于调整辐射光束的角强度分布。通常，至少所述照 明器的光瞳平面中的强度分布的外部和/或内部径向范围（通常分别被称为σ-外部和 σ -内部）可被调整。此外，照明器IL可包括多个其它组件，比如集成器IN和聚光器C0。 照明器可用来调节辐射光束，在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。
[0031] 辐射光束B入射到构图装置（例如掩模）MA (其被保持在支撑结构（例如掩模台） MT上）上，并被构图装置图案化。在穿过构图装置MA之后，辐射光束B经过投影系统PS， 投影系统PS将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。在第二定位器PW和位置传感器（例如 干涉仪设备、线性编码器或电容传感器）的帮助下，衬底台WT可精