专利名称：具遮蔽结构的显示面板构造的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件遮蔽结构及使用此遮蔽结构的显示面板构造。
背景技术：
显示面板及使用显示面板的面板显示装置已渐渐成为各类显示装置的主流。例如各式面板显示屏、家用的平面电视、个人计算机及膝上型计算机的平板型监视器、移动电话及数码相机的显示屏等，均为大量使用显示面板的产品。
由于部分显示面板所使用的发光元件于受潮时易产生故障及损坏，例如有机发光二极管(OLED)元件，故使用此类型发光元件的显示面板需注意防止水气侵入显示面板内部。图1所示为现有有机发光二极管显示面板的剖面示意图。如图1所示，此显示面板主要包括上基板11、下基板13、有机发光二极管元件20、干燥层30及封胶70。上基板11设置于下基板13的上方。有机发光二极管元件20设置于下基板13上，且位于上基板11与下基板13间。干燥层30则设置于上基板11与有机发光二极管元件20之间。通过干燥层30的设置，得以将侵入上基板11及下基板13间的水气吸收，以减少有机发光二极管元件20遭侵入水气破坏的机会。
封胶70分别与上基板11与下基板13密接，并将发光元件、干燥装置包围在内。通过封胶的设置，得以减少水气侵入上基板及下基板之间的可能性。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光元件遮蔽结构，可提高产品的成品率。
本发明的另一目的在于提供一种发光元件遮蔽结构，可延长发光元件的使用年限。
本发明的另一目的在于提供一种发光元件遮蔽结构，可降低干燥层与发光元件接触的机率。
本发明的另一目的在于提供一种显示面板构造，具有较高的生产成品率。
本发明的另一目的在于提供一种显示面板构造，具有较长的发光元件使用年限。
本发明的显示面板构造主要包括上基板、下基板、发光元件、干燥装置及遮蔽结构。下基板设置于上基板的下方，且其间具有一间距。发光元件设置于下基板上，并位于上基板与下基板之间。在优选实施例中，发光元件为主动式有机发光二极管(OLED)元件，主要包括上下层电极及其间的发光材料。
干燥装置设置于邻近发光元件的位置，并位于上基板及下基板之间。在优选实施例中，干燥装置设置于发光元件的上方。通过干燥装置的设置，得以将侵入上基板及下基板间的水气吸收，以减少发光元件遭侵入水气破坏的机率。
遮蔽结构设置于发光元件上，并位于干燥装置及发光元件之间，以避免干燥装置与发光元件接触或反应，或是避免上基板或其它元件与发光元件接触或反应，而造成发光元件的损伤。遮蔽结构可遮蔽干燥装置于发光元件上表面上的对应投影区域。以优选实施例而言，遮蔽结构以蒸镀方式形成于发光元件的上表面上。遮蔽结构主要包括第一遮蔽层及第二遮蔽层。第一遮蔽层设置于发光元件的上表面上。第二遮蔽层则设置于第一遮蔽层上，亦即位于第一遮蔽层与干燥装置之间。第一遮蔽层的硬度小于或大于第二遮蔽层的硬度。此外，遮蔽结构的厚度总合优选介于0.2微米(μm)至100微米之间。
在优选实施例中，本发明的显示面板构造还包括设置于上基板及下基板之间的封胶。封胶与遮蔽结构独立设置，亦即封胶与遮蔽结构之间并未有任何接触，并将发光元件、干燥装置及遮蔽结构包围在内。通过封胶与上基板及下基板的接合，得以减少水气侵入上基板及下基板之间的可能性。
图1为现有有机发光二极管显示面板的剖面示意图；图2为本发明显示面板构造实施例的元件爆炸图；图3为图2所示实施例的剖面示意图；
图4为图2所示实施例的俯视示意图；图5a为本发明显示面板构造另一实施例的剖面示意图；图5b为图5a所示实施例的俯视示意图；图6a为本发明显示面板构造另一实施例的剖面示意图；图6b为本发明显示面板构造另一实施例的剖面示意图。
简单符号说明110上基板130下基板131显示区域200发光元件210上表面230对应投影区域250侧壁300干燥装置500遮蔽结构510第一遮蔽层520第二遮蔽层700封胶具体实施方式
本发明提供一种发光元件遮蔽结构及使用此遮蔽结构的显示面板构造。在优选实施例中，本发明的显示面板构造为一彩色有机发光二极管(OLED)面板。然而在不同实施例中，本发明的显示面板构造亦可包括单色的有机发光二极管面板或包括其它发光元件的面板。而使用本发明显示面板构造的显示装置则包括各式面板显示屏、家用的平面电视、个人计算机及膝上型计算机的平板型监视器、移动电话及数码相机的显示屏等。
图2及图3所示为本发明显示面板构造的优选实施例。显示面板构造主要包括上基板110、下基板130、发光元件200、干燥装置300及遮蔽结构500。如图2及图3所示，下基板130设置于上基板110的下方，且其间可具有一间距或是干燥装置300及遮蔽结构500可为互相接触。下基板130包括透明的显示区域131，且优选由玻璃或包括聚合物的有机材料等透明材料所制成。上基板110供作为显示面板构造的背板使用，或称之为上盖(cover)，优选由玻璃、包括聚合物的有机材料或其它材料所制成。
如图3所示，发光元件200设置于下基板130上，并位于上基板110与下基板130之间。在优选实施例中，发光元件200为有机发光二极管(OLED)元件，主要包括上下层电极及其间的发光材料。发光元件200优选经由黄光、蒸镀或蚀刻等工艺形成于下基板130上。然而在不同实施例中，发光元件200亦可以其它方式与下基板130组合。
在优选实施例中，发光元件200包括主动发光元件。此处所言的主动发光元件，指利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)或等效元件搭配电容以储存信号，进而控制有机发光二极管的亮度及灰阶表现。换言之，由于电容可储存信号，故单一像素(Pixel)于扫描线扫过之后仍可维持亮度。其中在下基板130上形成薄膜晶体管的方式优选包括非晶硅工艺(amorphoussilicon；a-Si)、低温多晶硅工艺(Low Temperature poly-silicon；LTPS)及其它可提供类似功效的工艺。然而在不同实施例中，发光元件200亦可包括被动发光元件。此处所言的被动发光元件，指此发光元件未使用电容储存信号，因此只有被扫描线选择的像素才会产生亮度。
干燥装置300设置于邻近发光元件200的位置，并位于上基板110及下基板130之间。在图3所示的优选实施例中，干燥装置300设置于上基板110及发光元件200之间，并位于发光元件200的上方。然而在不同实施例中，干燥装置300亦可依设计需要设置于发光元件200的一侧或四周。此外，在如图3所示的实施例中，干燥装置300的表面积略小于发光元件200的表面积。然而在不同实施例中，干燥装置300的表面积亦可大于发光元件200的表面积。
干燥装置300具有吸附水气的功能。通过干燥装置的设置，得以将侵入上基板110及下基板130间的水气吸收，以减少发光元件200遭侵入水气破坏的机率。
如图2及图3所示，遮蔽结构500设置于发光元件200上，并位于干燥装置300及发光元件200之间，以避免干燥装置300与发光元件200接触或反应，或是避免上基板或其它元件与发光元件接触或反应，而造成发光元件200的损伤。遮蔽结构500优选与干燥装置300间具有间隙。然而在不同实施例中，遮蔽结构500亦可与干燥装置300接触。以优选实施例而言，遮蔽结构500以蒸镀方式形成于发光元件200的上表面210上。然而在不同实施例中，遮蔽结构500亦可以涂布、溅射或其它方式形成于发光元件200的上表面210上。遮蔽结构500可为一层或多层结构。
如图2、图3及图4所示，遮蔽结构500遮蔽干燥装置200于发光元件200上表面210上的对应投影区域230。如图3所示的优选实施例，对应投影区域230为干燥装置300在发光元件200上表面210的正投影范围。然而在不同实施例中，对应投影区域230亦可为干燥装置300以其它方式在上表面210上所得的投影范围。此外，在图3及图4所示的实施例中，干燥装置300的表面积小于发光元件200上表面210的表面积。此时对应投影区域230仅包括发光元件200上表面210的一部分。然而在图5a及图5b所示的实施例中，干燥装置300的表面积大于发光元件200上表面210的表面积。此时干燥装置300于发光元件200上表面210上的对应投影区域230即为发光元件200上表面210所包括的范围。
如图2及图3所示，遮蔽结构500包括第一遮蔽层510及第二遮蔽层520。第一遮蔽层510设置于发光元件200的上表面210上。第二遮蔽层520则设置于第一遮蔽层510上，亦即位于第一遮蔽层510与干燥装置300之间。此外，第二遮蔽层520优选完全覆盖第一遮蔽层510。在优选实施例中，第一遮蔽层510以蒸镀方式形成于发光元件200的上表面210上。然而在不同实施例中，第一遮蔽层510亦可以涂布、溅射或其它方式形成于发光元件200的上表面210上。同样的，第二遮蔽层520以蒸镀方式形成于第一遮蔽层510的上表面上。然而在不同实施例中，第二遮蔽层520亦可以涂布、溅射或其它方式形成于第一遮蔽层510的上表面上。
图6a所示为本发明显示面板构造的另一实施例。在此实施例中，遮蔽结构500除遮蔽对应投影区域230外，亦同时遮蔽发光元件的侧壁250。如图6a所示。第一遮蔽层510覆盖发光元件的侧壁250，而第二遮蔽层520则覆盖第一遮蔽层510的外侧。然而在图6b所示的另一实施例中，遮蔽结构500亦可恰好仅覆盖对应投影区域230，而露出发光元件200的其它部分。
第一遮蔽层510的硬度可小于第二遮蔽层520的硬度，硬度较小的第一遮蔽层510可提供缓冲功能，有效保护发光元件200，避免发光元件受到伤害。此外，第一遮蔽层510的硬度可大于第二遮蔽层520的硬度，硬度较小的第二遮蔽层520可提供缓冲功能，避免干燥装置30或上基板110对发光元件200造成的影响，包括直接接触、挤压发光元件200或与发光元件200产生反应。第一遮蔽层510以及第二遮蔽层520的硬度设置可视各面板需求而定，本发明并不局限。此处所言的硬度优选指硬度系数。然而在不同实施例中，硬度亦可包括刚性系数及其它与抗形变能力相关的参数。此外，在优选实施例中，遮蔽结构500的硬度小于干燥装置300的硬度。亦即第一遮蔽层510与第二遮蔽层520的硬度均小于干燥装置300的硬度，提供缓冲功能，有效保护发光元件200。遮蔽结构500亦可为单层结构，其硬度可小于干燥装置300的硬度，提供缓冲及遮蔽功能，有效保护发光元件200，此外，遮蔽结构500的硬度可大于干燥装置300的硬度，当面板在操作或运送过程中，防止发光元件200遭受外力碰撞损害。遮蔽结构500以及干燥装置300的硬度设置可视各面板需求而定，本发明并不局限。
第一遮蔽层510优选由聚合物材料所形成。然而在不同实施例中，第一遮蔽层510亦可由其它有机材料或硬度较第二遮蔽层520为小的无机材料所形成。第二遮蔽层520优选由金属材料所形成。此处所言的金属材料包括合金材料及一般金属材料。然而在不同实施例中，第二遮蔽层520亦可由其它硬度高于第一遮蔽层510的无机材料或有机材料所制成。
遮蔽结构500若为单层结构，其厚度优选介于0.2微米(μm)至100微米之间，且优选介于0.5微米(μm)至100微米(μm)之间，其材料可为有机材料、无机材料、金属材料或合金材料等等。然而此一优选实施例基于产品设计的考虑。在符合产品设计需求的前提下，遮蔽结构500的厚度亦可超过或小于上述优选实施例中所界定的范围。此外，若遮蔽结构500为多层结构，包括第一遮蔽层510以及第二遮蔽层520，第一遮蔽层510的厚度优选介于0.2微米(μm)至100微米之间，且优选介于0.5微米(μm)至100微米(μm)之间。第二遮蔽层520的厚度优选介于0.2微米(μm)至100微米之间，且优选介于0.5微米(μm)至100微米(μm)之间。
如图2及图3所示，本发明的显示面板构造还包括封胶700。封胶700设置于上基板110及下基板130之间，并将发光元件200、干燥装置300及遮蔽结构500包围在内。以优选实施例而言，封胶700分别与上基板110及下基板130密合，以减少水气侵入上基板110及下基板130之间的可能性并可封合上基板110及下基板130。此外，封胶700优选由光感性材料所构成，例如是紫外光光感性材料。此处所言的光感性材料指以特定光线照射会产生固化作用的材料。然而在不同实施例中，封胶700亦可由其它材料所构成，例如热固性材料及膨胀性材料等。
必需注意的是，封胶700与遮蔽结构500独立设置，亦即封胶700与遮蔽结构500之间并未有任何接触或者是不互相重叠或叠合。如图3所示，封胶700与遮蔽结构500间优选具有一定宽度的间隙。由于封胶700与遮蔽结构500间并无重叠以及接触，封胶700得以有效与上基板110及下基板130密合。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已揭露的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包括于权利要求的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
权利要求
1.一种显示面板构造，包括上基板；下基板，设置于该上基板下方；发光元件，设置于该下基板上并位于该上下基板间；干燥装置，邻近设置于该发光元件并位于该上下基板间；以及遮蔽结构，设置于该发光元件上。
2.如权利要求1所述的显示面板构造，还包括封胶，设置于该上下基板间，其中该封胶并不与该遮蔽结构重叠。
3.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该遮蔽结构的厚度约为0.2微米至100微米。
4.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该遮蔽结构包括有机材料、聚合物材料、金属材料、合金材料、无机材料或上述的组合。
5.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该发光元件包括主动式发光元件。
6.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该干燥装置设置于该上基板上。
7.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该干燥装置的硬度大于该遮蔽结构的硬度。
8.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该干燥装置的硬度小于该遮蔽结构的硬度。
9.如权利要求1所述的显示面板构造，其中该遮蔽结构包括第一遮蔽层，位于该发光元件的该上表面上；及第二遮蔽层，位于该第一遮蔽层上。
10.如权利要求9所述的显示面板构造，其中该第一遮蔽层的硬度小于该第二遮蔽层的硬度。
11.如权利要求9所述的显示面板构造，其中该第一遮蔽层的硬度大于该第二遮蔽层的硬度。
全文摘要
一种显示面板构造，主要包括上基板、设置于上基板下方的下基板、发光元件、干燥装置及遮蔽结构。发光元件设置于下基板上，并位于上基板与下基板之间。干燥装置设置于邻近发光元件的位置。遮蔽结构设置于发光元件上，并位于干燥装置及发光元件之间，供遮蔽干燥装置于发光元件上表面上的对应投影区域。遮蔽结构主要包括第一遮蔽层及第二遮蔽层。第一遮蔽层的硬度小于第二遮蔽层的硬度。
文档编号G02F1/133GK1808239SQ20061000601
公开日2006年7月26日 申请日期2006年1月23日 优先权日2006年1月23日
发明者洪敏玲, 胡闵杰 申请人:友达光电股份有限公司