光刻装置及器件制造方法

专利名称：光刻装置及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及光刻装置及器件制造方法。
技术背景光刻装置是将期望的图案应用于基底上通常是基底目标部分上的一 种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下， 构图装置或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个 单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的目标 部分上(例如包括部分、 一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通 过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。 一般地，单一的 基底将包含相继构图的相邻目标部分的网格。已知的光刻装置包括所谓 的步进器，它通过将整个图案一次曝光到目标部分上而辐射每一 目标部 分，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定 的方向("扫描"方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行 的方向同步扫描基底来辐射每一目标部分。还可以通过将图案压印到基 底上把图案从构图装置传递到基底上。已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的 液体中，如水，从而填充投影系统的最后元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而能够对更小的特征进行成像。 (液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA (数值孔径)和增加了 焦深。)也有人4是议其它浸液，包括其中悬浮有固体凝:粒(如石英)的水。但是，将基底或基底和基底台浸没在液体浴槽(例如参见U. S.专利 No. 4, 509, 853,在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光 过程中必须加速大量的液体。这需要附加的或功率更大的电机，并且液 体中的紊流可能导致不期望和不可预料的结果。提出的一种用于液体供给系统的技术方案是使用液体限制系统仅在基底的局部区域上以及投影系统的最后元件和基底(通常该基底具有比投影系统的最后元件更大的表面区域)之间提供液体。在WO99/49504 中公开了 一种已经提出的用于该方案的方式，在此将该文献全文引入作 为参考。如图2和3所示，通过至少一个入口 IN将液体提供到基底上， 优选沿基底相对于最后元件的移动方向提供，并且在经过投影系统下方 之后通过至少一个出口 OUT去除液体。也就是说，当沿-X方向在该元件 下方扫描基底时，在元件的+X侧提供液体，并在-X侧接收液体。图2 示出了示意性的布置，其中通过入口 IN提供液体，和通过与低压源相连 接的出口 OUT在元件的另一侧接收液体。在图2的说明中，沿基底相对 于最后元件的移动方向提供液体，尽管可以不必这样。围绕最后元件定 位的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，图3示出了一个实例， 其中围绕最后元件以规则图案提供了四组入口以及在另 一侧的出口 。 发明内容浸没式光刻装置的浸液中存在气泡会不利地影响成像质量以及浸液 从基底蒸发，这会导致重叠误差、聚焦控制方面的问题以及干燥污点。 因此，有利的是，例如减少浸液中气泡的形成以及浸液的蒸发。 根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，它包括 设置成保持基底的基体台；设置成将带图案的辐射束投影到基底的目标部分的投影系统，该投 影系统具有紧靠基底的元件，所述元件在基本平行于所述基底的平面内 具有直线形的截面形状。根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，它包括设置成保持基底的基体台；设置成将带图案的辐射束投影到基底的目标部分的投影系统；液体限制结构，该液体限制结构具有至少部分地限定用于容纳位于 投影系统和基底之间的液体的空间的表面，其中在基本平行于基底的平 面内，在最靠近基底的位置，所述空间的截面的形状、面积或两者与目 标部分基本一致。根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，它包括设置成保持基底的基体台；设置成将带图案的辐射束投影到基底的目标部分的投影系统， 液体限制结构，该液体限制结构具有至少部分地限定用于容纳位于 基底和紧靠基底的投影系统的元件之间的液体的空间的表面，其中在基 本平行于基底的平面内，所述元件、所述空间或者两者的截面的面积、 形状或者两者基本上与目标部分的面积、形状基本一致。根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法,它包括使用投 影系统将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上，其中紧靠基底的投 影系统的元件在基本平行于基底的平面内具有直线形的截面形状。根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，它包括使用投影系统将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上，其中至少部分地由 液体限制结构的表面限定出 一位于投影系统和基底之间的用于填充液体 的空间，在最靠近基底的位置处基本平行于基底的平面内，所述空间具 有基本上与目标部分的形状、面积或者两者一致的截面。根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，它包括使用投 影系统将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上，其中在投影系统和 基底之间的空间中提供液体，所述空间至少部分由液体限制结构的表面 限定，所述空间、紧靠基底的投影系统的元件或者两者在基本上平行于 基底的平面内的截面与所述目标部分的尺寸、形状或者两者精密地一致。


现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实 施例，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置；图2和3示出了一种在现有技术的光刻投影装置中使用的液体供给 系统；图4示出另 一种在现有技术的光刻投影装置中使用的液体供给系统； 图5示出另一种在现有技术的光刻投影装置中使用的液体供给系统； 图6以平面图示意性示出了才艮据本发明的一个实施例的液体限制结 构的空间；图7以平面图示意性示出了根据本发明的一个实施例的另一个液体 限制结构的空间；图8以剖视图示出了根据本发明的液体限制结构和投影系统的最 后元件；图9以截面图示出了投影系统的最后元件； 图IO示意性示出了图9中的最后元件。
具体实施方式
图1示意性地表示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装 置包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束B (例如UV辐射 或DUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其配置成支撑构图装置(例如掩模) MA，并与配置成依照某些参数将该构图装置精确定位的笫一定位装置 PM连接；基底台(例如晶片台)WT,其配置成保持基底(例如涂敷抗蚀剂 的晶片)W,并与配置成依照某些参数将基底精确定位的第二定位装 置PW连接；以及投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其配置成将利用构图装 置MA赋予给辐射光束B的图案投影到基底W的目标部分C (例如包括 一个或多个管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学装置，例如包括用于引导、整 形或者控制辐射的折射光学装置、反射光学装置、磁性光学装置、电 磁光学装置、静电光学装置或其它类型的光学装置，或者其任意组合。支撑结构以这样一种方式保持构图装置，该方式取决于构图装置的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图装置是否保持在真 空环境中.支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保 持构图装置.支撑结构可以是框架或者台，例如所述结构根据需要可 以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图装置例如相对于 投影系统位于期望的位置，这里任何术语"中间掩模版"或者"掩模" 的使用可以认为与更普通的术语"构图装置"同义。这里使用的术语"构图装置"应广义地解释为能够给辐射光束在 其截面赋予图案从而在基底的目标部分中形成图案的任何装置，应该 注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底目标部分中的期望图案精 确重合，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。 一般地，赋予给辐射光束的图案与在目标部分中形成的器件如集成电路的特定 功能层相对应。构图装置可以是透射型的或者反射型的.构图装置的实例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板.掩模在光刻中是公知的， 它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各 种混合掩模类型，可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩 阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的 辐射光束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋予 图案。这里使用的术语"投影系统"应广义地解释为包含各种类型的投 影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性 光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，只要适合 于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸液的使用或真空的使 用。这里任何术语"投影透镜"的使用可以认为与更普通的术语"投 影系统"同义。如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)，或者， 该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采 用反射掩模)。光刻装置可以具有两个(双工作台)或者多个基底台(和/或两个 或者多个掩模台)。在这种"多工作台式"装置中，可以并行使用这 些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者 多个其它台用于曝光，参考图1，照射器IL接收来自辐射源S0的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时， 在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借 助于光束输送系统BD从源S0传输到照射器IL,所述光束输送系统包 括例如合适的定向反射镜和/或扩束器，在其它情况下，辐射源可以 是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL,如 果需要连同光束输送系统BD —起可以称作辐射系统。照射器IL可以包括调节装置AD(未示出)，用于调节辐射光束的角强度分布' 一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布 的外和/或内径向范围(通常分别称为ct-外和a-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器C0。照射器可以 用于调节辐射光束，从而该光束在其横截面上具有期望的均匀度和强 度分布。辐射光束B入射到保持在支撑结构(如掩模台MT)上的构图装置 (如掩模MA)上，并由构图装置进行构图。横向穿过掩模MA后，辐 射光束B通过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在基底W的目标部 分C上.在笫二定位装置PW和位置传感器IF (例如干涉测量器件、 线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从 而在辐射光束B的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从 掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第 一定位装置PM 和另一个位置传感器(图1中未明确示出)来使掩模MA相对于辐射 光束B的光路精确定位。 一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和 短行程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动，其中长行程 模块和短行程模块构成第一定位装置PW的一部分。在步进器(与扫 描装置相对)的情况下，掩模台MT可以只与短行程致动装置连接， 或者固定。可以使用掩模对准标记M1、 M2和基底对准标记P1、 P2对 准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的目标 部分，它们也可以设置在各个目标部分(这些标记是公知的划线对准 标记)之间的空间中.类似地，在其中在掩模MA上提供了超过一个 管芯的情况下，可以在各个管芯之间设置掩模对准标记。 所示的装置可以按照下面模式中的至少 一种使用1. 在步进模式中，掩模台MT和基底台￥T基本保持不动，而赋予 辐射光束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即单次静态曝光). 然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的目标部分 C。在步进模式中，曝光区的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像 的目标部分C的尺寸。2. 在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到目标部分C时， 同步扫描掩模台MT和基底台(即单次动态曝光)。基底台WT相对 于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PS的放大(缩小)和图像反 转特姓来确定.在扫描模式中，曝光区的最大尺寸限制了在单次动态 曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定了 目标部分的高度(沿扫描方向)。3.在其他模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到目标部分C上 时，掩模台MT基本保持不动，支撑可编程构图装置，同时移动或扫 描基底台WT。在该模式中， 一般采用脉冲辐射源，并且在每次移动基 底台WT之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更 新可编程构图装置。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图 装置的无掩模光刻中，所述可编程构图装置例如是上面提到的可编程 反射镜阵列型。还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的 使用模式，图4示出了具有局部液体供给系统的另一浸没式光刻方案。液体 由位于投影系统PL两側中每一側的两个槽形入口 IN供应，并通过径 向设于入口 IN外侧的多个分立出口 0UT去除'入口 IN和出口 OUT可 设置在中心具有孔的板中，投影光束可穿过所述孔投射。液体由位于 投影系统PL—侧上的一个槽形入口 IN供应，并通过位于投影系统PL 另一側的多个分立出口 OUT去除，使得在投影系统PL和基底W之间 产生液体薄膜流动。采用那些入口 IN和出口 OUT组合取决于基底W 的运动方向(其它入口 IN和出口 0UT不起作用) 已提出的另一种具有局部液体供给系统的浸没式光刻系统方案是 提供具有液体限制结构的液体供给系统，所迷液体限制结构在投影系 统的最后元件与基底台之间的空间的部分边界延伸.该方案在图5中 示出。所述液体限制结构在XY平面中相对于投影系统基本上是静止 的，而在Z方向(光轴的方向)可以有一些相对运动。在该实施例中， 液体限制结构与基底表面之间形成密封。在该实施例中，密封是无接 触密封，例如气密封，该系统在美国专利申请公开文献2004-0207824 以及欧洲专利申请公开文献EP1420298中公开，这里通过引用将每个 专利申请整体结合到本申请中，并在图5中示出.目标部分C的尺寸和形状(有时称为开口尺寸)可以由照射光学 元件(例如石英杆)确定，照射光学元件是设在所述石英杆出口附近 的混光器和/或遮蔽单元。由于基底W和基底台WT的在投影系统PL以及基本静止的液体限 制系统下方的运动，会在浸液中形成气泡，如图4和图5所示。特别 是，当基底W的边缘经过浸液11占据的空间下方时，会在浸液中形成气泡，因而导致光刻装置的成像质量下降。液体限制系统通常设计成用于传统的投影系统PL。在该系统中， 最后元件在垂直于投影系统的光轴的平面(它是与基底W平行的平面) 内具有圆形截面，为了使液体限制系统工作，被填充液体的所述空间 的所述截面区域与投影系统的最后元件的形状在一个相同的平面内精 密地一致.这用于使用于液体供应系统的可用空间最大，液体供应系 统在较小的空间内需要有很多部件，已提出了液体限制系统的几种不 同设计。本发明的一个或多个实施例可用于所有这些不同的设计，包 括但不限于美国专利申请公开文献US2004-0263809、 PCT专利申请公 开文献W02004-090634、欧洲专利申请公开文献EP1420298、 EP1494079 和EP1477856、以及2005年4月5日提交的美国专利申请US11/098615 中公开的设计，上述每个专利申请的内容通过引用整体结合于本申请 中>现在详细描迷图5示出的液体限制结构。然而，本发明的一个或 多个实施例不限于这种类型的液体限制结构的应用。图5示出了位于投影系统和基底台之间的储液器或空间10,空间 10中填充了通过入口/出口 13提供的具有较高折射率的液体11，例 如水。该液体具有使得辐射投影束的波长在液体中比在空气或真空中 短的效果，使得能够分辨较小的特征。已知投影系统的分辨率限度本 身由投影系统的波长和系统的数值孔径决定。液体的存在也可以认为 是增加了有效的数值孔径。此外，在数值孔径固定时，所述液体有效 地增加了场深。在投影系统的成像区周围对基底的无接触密封形成为使得液体被 限制在基底表面和投影系统的最后元件之间的空间10内。所述空间 由位于投影系统PL的最后元件下方以及周围的液体限制结构12限定 或形成的。液体被送入投影系统下方并位于液体限制结构12内的空 间10中。液体限制结构12延伸得略高于投影系统的最后元件，液面 升高至高于所述最后元件，从而提供液体緩冲器。液体限制结构12 具有内周边，在一个实施例中，内周边的上端与投影系统或投影系统 的最后元件的形状精密地一致，可以是例如圆形.液体通过位于液体限制结构12和基底W的表面之间的气密封16 限制于空间10中。气密封由气体(例如空气、人造空气、^或惰性气体)形成，所述气体在压力下通过入口 15提供到液体限制结构12 和基底之间的间隙，并通过第一出口 14排出.入口 15处的过压、第 一出口 14处的真空水平以及间隙的几何形状设置成使得存在限制液 体的向内高速气流。可以采用其它类型的液体限制结构12。例如，气密封可以由单相 提取器、凹槽或气体刀的组合替代，如2005年4月5日提交的美国 专利申请US11/098，615所描述的，在此将该申请通过引用整体结合 到本申请中。可选择地，气密封可以由流体静力学或流体动力学轴承 替代，如美国专利申请公开文献US2005-018155所描述的，在此将该 申请通过引用整体结合到本申请中。为了减小被液体占据的空间IO在扫描过程中经过基底W边缘的时 间或使之最小化，或者减小有浸液蒸发的基底上表面的区域或使之最 小化，在最靠近基底W的位置在平行于基底W的上表面的平面内，空 间10的截面被设置成与目标部分TP (有时称为照射开口区域)的形 状精密地一致。这在图6中示出。从图6可以看出以平面图示出的液 体限制结构12，空间10由在位于液体限制结构12中的空间10的下 部开口 40和位于液体限制结构12的上表面中的上部开口 60之间延 伸的壁20限定。在图6中，上部开口60是圆形的，使得液体限制结 构12可以用于传统的投影系统PL,在传统的投影系统PL中，投影系 统的最后元件径向对称，而最靠近基底W的下部开口 40是矩形的， 并且与目标部分TP的形状精密地一致。此外，下部开口 40还与目标 部分TP的尺寸精密地一致，但它不能小于目标部分TP 在一个实施 例中，下部开口 40的面积或在最靠近基底W的位置位于与基底W基 本平行的平面内的所述空间的截面小于目标部分TP的面积的1. 5倍， 在其它实施例中分别小于目标部分TP的面积的1.4、 1.3、 1.2、 1.1倍。所述差异是为了考虑了在"运行"情况下液体供应系统相对于所 迷最后元件的相对运动，或为了使运动能够谨慎地进行。限定了限制液体的空间IO的液体限制结构12的表面20成形为从 上部开口 60的形状平滑地转变成下部开口 40的形状，并适应投影系 统的最后元件的形状，以及欧洲专利申请公开文献EP1477856中描述 的限制系统的某些相对运动，该欧洲专利申请通过引用被整体结合到 本申请中，然而，这种转变会导致流动条件方面的困难，因而在一个实施例中上部开口 60和下部开口 40的形状相似，至少都是直线形。 如果投影系统的靠近基底，这特别容易设置。投影系统离基底越远， 越需要投影系统的底部是圆形，因为有较大的角度(容易有多个光瞳 形状)，图7中示出了直线形的情况，其中上部开口 60是方形的， 下部开口 40是矩形的。在该装置中，容易在目标部分TP上实现平行 的浸液流动，而没有浸液的再循环，应避免浸液的再循环，因为再循 环的浸液与未再循环的浸液相比会被投影束PB加热，温度的变化会 导致所述空间中的浸液的折射率发生变化。
如果像图6和7所示那样，通过使下部开口的截面形状和/或尺寸 与目标部分TP精密地一致或相似，使液体限制结构12中的空间的下 部开口 40的尺寸减小或被最小化，那么在基底W的扫描期间，扫描 (其中开口 40经过基底W的边缘)的次数被减少，因此有浸液蒸发 的区域被减小.
图8-10示出了本发明的一个实施例，其中投影系统的最后元件和 液体限制结构12的形状和几何形状被优化，使得下部开口 40的尺寸 能够制成为与目标部分TP的形状和/或尺寸精密地一致，而不会不利 地影响其它工作条件，例如不会影响在目标部分TP上产生平行浸液 流动的能力或减小液体供应系统的可用体积。实际上，与现有系统相 比，该实施例可增大液体供应系统的可用体积。
在图8中，采用与图7所示相似的液体供应系统12。因此，空问 的下部开口 40在基本平行于基底W并靠近基底W (例如在最靠近基底 W的位置)的平面PL2中具有与目标部分TP相似的形状和尺寸。如图 所示，液体限制结构12部分地围绕投影系统PL的最后元件.因此， 存在基本平行于基底W的上表面处的平面的平面PL"该平面PL!还与 液体限制结构12限定的空间10和投影系统PL的最后元件的下端相 交。在该平面中，空间的横截面形状和尺寸类似于投影系统PL的最 后元件的横截面形状和尺寸。因此，与用于图6的液体限制元件12 的投影系统的最后元件相反，投影系统PL的最后元件成形为使得它 在那个平面中也具有矩形或方形的截面，因而限定所述空间的液体限 制结构12的内表面的形状能够从下部开口 40转变为上部开口 60，而 不需将直线变换成曲线。这有助于在目标部分TP上形成平行的浸液 流动，以及简化壁20的成形。当投影系统和基底之间的距离增加时，浸液的均匀性更加重要，因而更需要平行的流动。所述壁20都基本 上是平的'在一个实施例中，下部开口和上部开口的形状以及投影系 统的最后元件截面的形状与目标部分的形状相似。
在图8中，示出了空间10，该空间10在基本平^f亍于基底W的平 面中的截面随着接近基底W而减小。当然也不一定要这样，上部开口 60和下部开口 40可以具有相同或基本相同的尺寸，使得由液体限制 结构12限定的所述空间的侧壁的横截面是平行的。如图8所示，截 面面积随着离开/接近基底而增加/或减小的速率并不一定是恒定的， 设置具有两个斜度的内侧壁20的空间10，在基底20和投影系统的大 致底部之间具有较陡的斜度，在之上具有较緩的斜度。
图9示出了投影系统的最后元件。虚线示出了通常的投影系统的 最后元件的形状，可以看出最后元件的那些部分能够去除，而不会在 使用中影响最后元件的光学性质。加工去除掉虚线所示的区域是制造 这种元件的一个方法。因此最后元件的下表面的形状与液体限制结构 12的形状精密地一致，而不需采用弯曲的上部开口 60。示出的最后 元件的最下端具有施加于其上的涂层100 (或石英板或所谓的 abslussplatte 100)。所示的涂层或石英板100是平的。然而，不 一定是这样，最后元件的最下表面可以是弯曲的，以及可以具有施加 于其上的涂层或石英板，或可以不具有施加于其上的涂层或石英板。
图IO示出投影系统的最后元件的三维视图，其中可以清楚地看到 从弯曲的上表面向未弯曲的下表面的过渡。元件的上半部具有通常的 形状，其下半部具有通过直边70连接的平的側面，即在大致平行于 基底W的平面上具有直线的截面形状.
本发明的实施例还可应用于离轴投影系统，该所述系统中投影束 设置成使得在平面图中目标部分不居中地位于投影系统中心的下方。
在欧洲专利申请公开文献EP1420300以及美国专利申请公开文献 US2004-0136494 (每个申请都通过引用整体包括于本申请中)中，已 公开两个或双工作台浸没式光刻装置的构思。这种光刻装置设有两个 用于支撑基底的台.在没有浸液的第一位置，用一个台进行水准测量， 在存在浸液的第二位置，用一个台进行曝光。可选择地，所述光刻装 置也可以只由一个台。
尽管在本申请中可以具体参考该光刻装置在IC制造中的应用，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于 制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、
液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在 这种可替换的用途范围中，这里任何术语"晶片"或者"管芯"的使 用应认为分别可以与更普通的术语"基底"或"靶部"同义。在膝光 之前或之后，可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层作用于基底 并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中 对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于 这种和其他基底处埋工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底 进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处 理的层的基底，
尽管上面已结合本发明的实施例的应用进行了说明，但应理解本 发明可用于其它应用，例如压印光刻，在允许的情况下，并不限于光 学光刻。在压印光刻中，构图装置中的形貌可压入提供到基底的光致 抗蚀剂层，从而通过施加电磁辐射、施加热、压力或其组合将光致抗 蚀剂固化。构图装置可在光致抗蚀剂固化后从光致抗蚀剂去除，而将 图案留在光致抗蚀剂中。
这里使用的术语"辐射"和"光束"包含所有类型的电磁辐射， 包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365， 248， 1", 1S7或者126mn 的波长)。
在本申请中术语"透镜"可以表示任何一个各种类型的光学装置
或其组合，包括折射和反射光学装置，
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不 同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式， 该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器 可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例 如半导体存储器、磁盘或光盘)。
本发明的一个或多个实施例可以应用于任何浸没式光刻装置，特 别地但不唯一的，可以应用于上面提到的那些类型的光刻装置，而浸 液可以浴槽的形式提供或仅仅位于基底的局部表面区域。这里提到的
液体供应系统应广义地解释。在某些实施例中，它可以是给投影系统 与基底和/或基底台之间的空间提供液体的机构或结构的组合。它可包括向所迷空间提供液体的一个或多个结构、 一个或多个液体入口、 一个或多个气体入口、 一个或多个气体出口，和/或一个或多个液体 出口的组合。在一个实施例中，所述空间的表面可以是基底和/或基 底台的一部分，或者所迷空间的表面可以完全覆盖基底和/或基底台 的表面，或者所述空间可以包围基底和/或基底台。液体供应系统可 任选地还包括一个或多个用于控制位置、数量、质量、形状、流速或 液体的任何其它特征的元件。
上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员 来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求书的范围的条件 下，可以对所描述的发明进行各种修改。
权利要求
1. 一种光刻装置，包括设置成保持基底的基体台；设置成将带图案的辐射束投影到基底的目标部分的投影系统，该投影系统具有紧靠基底的元件，所述元件在基本平行于所述基底的平面内具有直线形的截面形状。
2. 如权利要求l所述的装置，其中所述截面形状与所述目标部分的 形状相似。
3. 如权利要求l所述的装置，其中所述元件最靠近基底的下表面是 弯曲的。
4. 如权利要求l所述的装置，其中所述目标部分大致是矩形的。
5. 如权利要求l所述的装置，其中所述元件在基本平行于基底的平 面内的截面形状的面积小于目标部分面积的1.5倍。
6. 如权利要求l所述的装置，还包括液体限制结构，该液体限制结 构具有至少部分地限定用于容纳位于投影系统和基底之间的液体的空间 的表面，其中在基本平行于基底的平面内，所述空间的截面的形状基本 上与所述目标部分的形状一致。
7. 如权利要求6所述的装置，其中所述空间的截面的面积小于目标 部分的面积的1.5倍。
8. 如权利要求6所述的装置，其中液体限制结构的表面延伸到所述 元件最靠近基底的下表面之外，在与所述空间和所述元件都相交并基本 平行于基底的平面内，所述空间和所述元件的截面形状和面积精密地一 致。
9. 一种光刻装置，包括 设置成保持基底的基体台；设置成将带图案的辐射束投影到基底的目标部分的投影系统， 液体限制结构，该液体限制结构具有至少部分地限定用于容纳位于 基底和紧靠基底的投影系统的元件之间的液体的空间的表面，其中在基 本平行于基底的平面内，所述元件、所述空间或者两者的截面的面积、形状或者两者基本上与目标部分基本一致。
10. 如权利要求9所述的装置，其中所述空间逐渐变小，使得在基本平行于基底的平面内所述空间的截面随着接近基底而减小。
11. 如权利要求9所述的装置，其中在基本平行于基底的平面内所 述空间的截面形状从离基底最远的位置变化至离基底最近的位置，其中 在最靠近基底的位置，所述截面形状基本上与目标部分的形状相同。
12. —种器件制造方法，包括使用投影系统将带图案的辐射束投 影到基底的目标部分上，其中紧靠基底的投影系统的元件在基本平行于 基底的平面内具有直线形的截面形状。
13， 一种器件制造方法，包括使用投影系统将带图案的辐射束投 影到基底的目标部分上，其中至少部分地由液体限制结构的表面限定出 位于投影系统和基底之间的用于填充液体的空间，在最靠近基底的位置 处基本平行于基底的平面内，所述空间具有基本上与目标部分的形状、 面积或者两者一致的截面。
全文摘要
公开了一种光刻装置和器件制造方法，所述光刻装置设有至少部分地限定用于容纳位于投影系统和基底之间的液体的空间的液体限制结构。为了减小基底边缘在成像时的交叉，在基本平行于基底的平面内所述空间的截面面积应制成尽可能小。最小的理论尺寸是投影系统成像的目标部分的尺寸。在一个实施例中，投影系统的最后元件的形状还变成在基本平行于基底的平面内具有与目标部分相似的尺寸和/或形状。所述器件制造方法包括使用投影系统将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上，其中紧靠基底的投影系统的元件在基本平行于基底的平面内具有直线形的截面形状。
文档编号G03F7/20GK101281377SQ20081009561
公开日2008年10月8日 申请日期2006年5月8日 优先权日2005年5月3日
发明者B·斯特里夫科克, C·A·霍根达姆, H·詹森, J·J·S·M·马坦斯, J-G·C·范德图恩, M·H·A·李德斯, M·里庞, P·M·M·烈布雷格特斯, R·F·德格拉夫, S·N·L·唐德斯 申请人:Asml荷兰有限公司