用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法

专利名称：：用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法
技术领域：
：示例性实施方式涉及用于光刻系统的清洁溶液和使用该清洁溶液的光刻方法。
背景技术：
：在浸渍光刻期间，在投影光学箱中的最后透镜与晶片之间的间隙可填充有液态浸渍流体。光刻方法中的数值孔径(NA)可由下式定义NA=nsina其中n是指折射率，且a是指由光轴和进入物镜的光的最外部的光线所形成的角。该式表明随着NA的值变大和光源的波长变短，分辨率可改善。因而，浸渍光刻的一个优点可为由使用浸渍流体而得到的提高的分辨率，由此获得大于1的NA(例如，约1.3或更大的NA)。当H20用作浸渍流体时，可提供n=1.44的相对高的折射率，由此与在常规的"干式"光刻方法中获得的分辨率和焦深(DOF)相比提高分辨率和DOF。然而，当晶片在浸渍光刻方法期间暴露于光源时，它们也被浸渍流体接触。因此，浸渍光刻系统和晶片可遭受由与浸渍流体接触而引起的缺陷。例如，在浸渍光刻方法期间，晶片上的材料的组分(例如，光酸产生剂(PAG)、光刻胶膜、顶部阻挡涂层膜)可浸出到浸渍流体中。结果，这些组分可聚集在光刻系统中作为缺陷，由此降低系统效率并导致晶片的反污染。
发明内容示例性实施方式涉及用于去除可已经聚集在浸渍光刻系统中的缺陷的清洁溶液。根据示例性实施方式的用于浸渍光刻系统的清洁溶液可包括基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂(semi-aqueous-basedsolvent)。基于醇的溶剂可包括烷氧基醇和/或二醇。根据示例性实施方式的清洁溶液可进一步包含碱性水溶液和/或腐蚀抑制剂。因此，当根据示例性实施方式的清洁溶液用在浸渍光刻方法中时，可减少或防止由可已经从先前的晶片浸出的涂层材料(例如，光刻胶材料、顶部阻挡涂层材料)导致的可已经聚集在浸渍光刻系统中的污染物。示例性实施方式还涉及一种浸渍光刻方法，其可减少或防止在该方法的曝光方面期间的晶片的反污染，由此减少或防止缺陷。反污染可由在较早的浸渍光刻方法期间可已经从先前的晶片浸出到浸渍光刻系统中的污染物导致。根据示例性实施方式的浸渍光刻方法可包括向浸渍光刻系统提供浸渍流体，其中浸渍光刻系统可具有一个或多个涂覆有光刻胶膜的晶片。在一个或多个晶片上的光刻胶膜可暴露于光源。浸渍流体可在光刻胶膜已暴露于光源之后除去。浸渍光刻系统的被浸渍流体接触的区域可用包括基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂的清洁溶液进行清洁。因此，可减少或防止在后面的浸渍光刻方法期间后续晶片的污染。根据示例性实施方式的浸渍光刻方法的清洁方面可包括将清洁溶液供给到被浸渍流体接触的区域预定的时间以从该区域去除缺陷。供给有该清洁溶液的区域还可用去离子水漂洗。根据示例性实施方式的浸渍光刻方法可进一步包括测定被浸渍流体接触的区域上的缺陷数量以计算用于供给清洁溶液的预定的时间。或者，可基于在浸渍光刻系统中曝光的晶片数量计算用于供给清洁溶液的预定的时间。根据示例性实施方式，可减少或防止由在较早的浸渍光刻方法期间从先前的晶片浸出的污染物造成的后续晶片的反污染。另外，在根据示例性实施方式的清洁溶液中的半水基溶剂可提供在浸渍光刻方法期间的增强的适应性，该浸渍光刻方法在清洁该系统之后使用基于水的溶液进行漂洗。此外，根据示例性实施方式的清洁溶液可容许在浸渍光刻系统中清洁过程与晶片曝光过程更一致。结果，清洁浸渍光刻系统所花费的时间可减少，从而提高该系统的生产率。在结合附图回顾详细描述后，示例性实施方式的特征和优点将变得更加明晰。图1是说明常规浸渍光刻系统的图。图2是说明图1的常规浸溃光刻系统的浸渍罩(hood)的图。图3是说明具有闭合板的图2的浸渍罩的图。图4A和4B是说明安装在常规浸渍光刻系统浸渍罩内的多孔板表面上的缺陷的照片。图5是说明已在常规浸渍光刻系统中进行曝光过程后，在浸渍罩内多孔板上的缺陷的成分分析结果的图。图6是说明根据示例性实施方式的浸渍光刻方法的流程图。图7是说明与使用去离子水的对比例相比，使用根据示例性实施方式的清洁溶液清洁浸渍光刻系统的结果的表。具体实施例方式应理解，当一个元件或层被称为"在"另一元件或层"上"、与另一元件或层"连接"、"结合"、或"覆盖"另一元件或层时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、与所述另一元件或层直接连接、结合、或直接覆盖所述另一元件或层，或者还可存在中间元件或层。相反，当一个元件被称为"直接在"另一元件或层"上"、与另一元件或层"直接连接"或"直接结合"时，则不存在中间元件或层。在整个说明书中，相同的附图标记始终表示相同的元件。本文中所使用的术语"和/或"包括一种或多种相关的所列条目的任意和全部组合。应理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文中表示各种元件、成分、区域、层和/或部分，但这些元件、成分、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、成分、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开来。因此，下面讨论的第一元件、成分、区域、层或部分可称为第二元件、成分、区域、层或部分而不脱离示例性实施方式的教导。为了便于描述，在本文中可使用空间上相对的术语，例如"在......之下"、"在......下面"、"下部"、"在......之上"、"上部"等来说明如图所示的一个元件或特征与另外的一个或多个元件或特征的关系。应理解，除图中所示的方位以外，空间上相对的术语还意图包括在使用或工作中的装置的不同方位。例如，如果翻转图中的装置，则^皮描述为"在'，其它元件或特征"下面"或"之下"的元件将被定向在其它元件或特征"之上"。因此，术语"在......下面，，可包括在......之上和在......下面两种方位。装置可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，并且本文中所使用的空间上相对的描述词相应地解释。在本文中使用的术语仅用于描述各种实施方式的目的，而非意图限制示例性实施方式。除非上下文清楚地另作说明，本文中所使用的单数形式的"一个(种)"和"该"也意图包括复数形式。还应理解，当用在本说明书中时，术语"包含"和/或"包括"表示存在所述特征、整体(integer)、步骤、操作、元件和/或成分，但不排除存在或添加一种或多种其它特征、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其集合。在本文中参考截面图描述示例性实施方式，所述截面图为示例性实施方式的理想实施方式(以及中间结构)的示意图。如此，将预期由于例如制造技术和/或公差而引起的这些图的形状的变化。因此，示例性实施方式不应被认为是限于在本文中所图示的区域的形状，而是包括由例如制造所造成的形状上的偏差。例如，图示为长方形的注入(implantation)区域通常会具有圆形或曲线特征和/或在其边缘出的注入浓度的梯度，而不是从注入到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区可导致在介于掩埋区和穿过其发生注入的表面之间的区域内的一些植入。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意示装置的区域的实际形状，并且不意图限制示例性实施方式的范围。除非另外定义，在本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应理解，术语，包括在常用字典中定义的那些，应被理解为其含义与它们在相关领域背景中的含义一致，并且除非在本文中清楚地定义，否则将不对所述术语进行理想化或过于刻板的解释。图1是说明常规浸渍光刻系统的图。参照图1，常规的浸渍光刻系统可包括辐射源SO、波束传输系统BD以及发射放射性波束B的发光器IL。掩模台MT可支撑可用于图案化的掩模MA,且晶片台WT可支撑晶片W。投影系统PS可以掩模MA的图案将辐射波束B投影到晶片W的靶C上。例如，在浸渍光刻方法期间，辐射波束B可发射至掩模MA。穿过掩模MA的辐射波束B的部分可经过投影系统PS以聚焦在晶片W的靶C上。浸渍流体(未示出)可由浸渍罩IH供给到投影系统PS的下表面与晶片W之间的空间。图2是说明图1的常规浸渍光刻系统的浸渍罩IH的图。参照图2,浸渍罩IH可将浸渍流体FL供给到投影系统PS与晶片W之间。浸渍流体FL可从入口IN供给以在由邻近于投影系统PS的箭头表示的晶片W的移动方向上流过晶片W。浸渍流体FL可穿过投影系统PS与晶片W之间的空间且可通过出口OUT排出。图3是说明具有闭合板CLD的图2的浸渍罩的图。参照图3,当晶片台WT从投影系统PS下面滑走时，闭合板CLD可在投影系统PS下面滑动以代替晶片台WT。例如，在晶片W曝光于辐射波束B完成时(图1)，闭合板CLD和晶片台WT可在大约相同的水平面上水平移动，使得闭合板CLD可占据在投影系统PS下面的位置以代替晶片台WT。在示于图1-3中的浸渍光刻系统中，由于重复晶片曝光过程，污染物可聚集在浸渍罩IH中和闭合板CLD上。因此，污染物的聚集可导致出现缺陷。图4A和4B是分别说明安装在常规浸渍光刻系统的浸渍罩内的多孔板10的上表面上的缺陷12和14的照片。多孔板IO可为安装在晶片台WT上用于释放浸渍罩IH内的浸渍流体FL的SPE(单相提取)型排放装置。在浸渍光刻方法期间，来自晶片W的膜材料的污染物可浸出到浸渍流体FL中，且当浸渍流体FL释放穿过多孔板10的孔时，该污染物聚集在多孔板10上。类似地，由于闭合板CLD重复移动以代替在^L影系统PS下面的晶片台WT,闭合板CLD可在与浸渍流体FL接触的过程中聚集污染物。图5是说明在使用常规浸渍光刻系统对多个晶片W进行连续曝光过程后，在浸渍罩IH内多孔板10上的缺陷的成分分析的结果。如图5所示，在浸渍罩IH内的缺陷可主要由C、O和F构成。该缺陷的成分可与光刻胶膜或保护晶片W上的光刻胶膜的顶部阻挡涂层膜的成分相似或相同。因此，示例性实施方式提供可除去可已经聚集在浸渍光刻系统中的污染物(例如，从晶片的光刻胶膜或顶部阻挡涂层膜浸出的污染物)。由污染物所引起的缺陷的数量可正比于曝光时间和在浸渍罩内的晶片数量。示例性实施方式还提供使用以上清洁溶液清洁光刻系统的浸渍光刻方法。8根据示例性实施方式的清洁溶液可包括基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。根据示例性实施方式的清洁溶液可进一步包括碱性水溶液和腐蚀抑制剂中的至少一种。下面进一步详细描述根据示例性实施方式的清洁溶液的以上组分。(1)基于醚的溶剂在根据示例性实施方式的清洁溶液中，基于醚的溶剂可具有增加的乳化性，由此使不想要的缺陷(例如，由于光刻胶材料和顶部阻挡涂层材料的浸出而聚集的有机污染物)溶胀以便利于它们的去除。基于醚的溶剂可选自二乙醚、乙二醇二乙醚、乙二醇丁基醚、二甘醇丁基醚、丙二醇醚、及其组合，尽管示例性实施方式不限于此。相反，可使用产生与由以上材料获得的结果类似的结果的其它类型的基于醚的溶剂。在根据示例性实施方式的清洁溶液中，如果基于醚的溶剂的含量超过推荐水平时，则由于由某些芳香族基团导致的相对刺激的气味，用该溶液工作可为使人不愉快的。另一方面，如果基于醚的溶剂的含量低于推荐水平，则该溶液的清洁能力可降低。因此，基于醚的溶剂的含量可为约5-40重量％，基于根据示例性实施方式的清洁溶液的总重量。(2)基于醇的溶剂在根据示例性实施方式的清洁溶液中，基于醇的溶剂可在清洁过程中保护浸渍光刻系统的部件。浸渍光刻系统的部件可为金属部件(例如，Ni、不锈钢、Al等)。基于醇的溶剂还可具有对多种缺陷的增强的清洁能力。基于醇的溶剂含量可为约1-50重量％,基于清洁溶液的总重量。在根据示例性实施方式的清洁溶液中，基于醇的溶剂可包括烷氧基醇和/或二醇。烷氧基醇可提供去除离子碎片的效果，且二醇由于两个-OH基团而可提供金属表面保护效果。例如，如果基于醇的溶剂包括烷氧基醇和二醇的组合，则烷氧基醇和二醇的含量以基于醇的溶剂的总重量计可各自为约50重量％或更少。另外，烷氧基醇和二醇的含量可各自为约1-25重量％，基于清洁溶液的总重量。烷氧基醇可为以下的至少一种2-曱氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、2_(2-曱氧基乙氧基)乙醇、2_(2-乙氧基乙氧基)乙醇和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。二醇可为1，3-丁二醇、1,4-丁二醇和邻苯二酚中的至少一种。然而，示例性实施方式不限于此。具有与由以上材料获得的效果类似的效果的各种类型的烷氧基醇和二醇可用于根据示例性实施方式的清洁溶液。(3)半水基溶剂在根据示例性实施方式的清洁溶液中，半水基溶剂可减轻与醚型溶剂和/或挥发性有机化合物(VOC)有关的相对剌激的气味。半水基溶剂还可降低基于醇的溶剂的挥发性。另夕卜，半水基溶剂可在相对高的污染负荷下维持其清洁能力。半水基溶剂可提供在浸渍光刻方法期间的增强的适应性，该浸渍光刻方法在使用根据示例性实施方式的清洁溶液的清洁过程后，使用基于水的溶液进行漂洗。此外，半水基溶剂可补充基于水的溶液在去除有机和离子缺陷方面的清洁能力。在根据示例性实施方式的清洁溶液中，半水基溶剂可包括极性有机溶剂。例如，半水基溶剂可为以下的至少一种二醇醚、N-曱基吡咯烷酮、曱醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙腈、二曱基乙酰胺、d-柠檬烯和辟烯。半水基溶剂可占约20-80重量％，基于清洁溶液的总重量。(4)碱性水溶液根据示例性实施方式的清洁溶液可进一步包含碱性水溶液。碱性水溶液可含有去离子水和基于石咸性水溶液的总重量的约2重量％的碱性溶液。当将包括以上碱性溶液的碱性水溶液添加到根据示例性实施方式的清洁溶液中时，与当添加去离子水而没有添加碱性溶液时相比，可更有效地去除聚合物缺陷。碱性水溶液可为约30-70重量％,基于清洁溶液的总重量。碱性溶液可为以下的至少一种氢氧化钠、氢氧化钾、氬氧化铵和氢氧化烷基胺。例如，氬氧化四曱铵(TMAH)、氢氧化四乙铵、氢氧化四丁铵、氢氧化四丙铵、氢氧化四己铵、氢氧化四辛铵、氢氧化苄基三曱基铵、氢氧化二乙基二曱基铵、氢氧化十六烷基三曱基铵、氬氧化曱基三丁基铵等可用作碱性溶液。(5)腐蚀抑制剂根据示例性实施方式的清洁溶液可进一步包括腐蚀抑制剂。例如，当浸渍光刻系统内存在由金属(例如，Ni、不锈钢)制成的部件时，清洁溶液可包含腐蚀抑制剂以减小被清洁溶液腐蚀的可能性。腐蚀抑制剂可选自磷酸盐、硅酸盐、亚硝酸盐、胺盐、硼酸盐和有机酸盐的至少一种。腐蚀抑制剂含量可占约1重量％或更少，基于清洁溶液的总重量。(6)清洁溶液的粘度可有利的是，考虑清洁效果、清洁时间、潭洗效率等以制备根据示例性实施方式的具有适当粘度的清洁溶液。例如，清洁溶液可具有约0.5-1.5mPa.s的粘度以容许流动型清洁。图6是描述根据示例性实施方式的浸渍光刻方法的流程图。参照图6的过程62，在使用浸渍流体的浸渍光刻方法中，浸渍光刻系统中的多个涂覆有光刻胶膜的晶片可曝光。在图6的过程64中，在一定时间后，过程62的曝光过程可停止，且在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可使用根据示例性实施方式的清洁溶液进4亍清洁。例如，可容许根据示例性实施方式的清洁溶液在曝光过程期间流过被浸渍流体接触的区域预定的时间。该区域可通过容许去离子水流过该区域预定的时间而漂洗掉清洁溶液。缺陷去除过程和漂洗过程可各自在室温下进行约5分钟-l小时。可测定被浸渍流体接触的区域上的缺陷数量以计算以上预定的时间。或者，可基于在浸渍光刻系统内曝光的晶片数量计算以上预定的时间。在图6的过程66中，随后的涂覆有光刻胶膜的晶片可在过程64中清洁的浸渍光刻系统中根据浸渍光刻方法进行曝光。为了评价^f艮据示例性实施方式的清洁溶液的清洁效率，制备如表1所示的各种成分的清洁溶液。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>施212.5重量％2.5重量％1.5重量％37.5重量％50重量％-例312.5重量％2.5重量％1.5重量％37.5重量％49重量％1重量％参照表1的对比例1-7,制备清洁溶液，使得对于各对比例，总的组分加起来达到100重量％。另一方面，对于实施例1-3，制备清洁溶液，使得对于各实施例，总的组分(不包括基于醇的溶剂)加起来达到100重量％。然后基于该混合物的总重量，将对于实施例l-3相应量的的基于醇的溶剂添加到该混合物中。评价实施例1制备测试晶片以评价各清洁溶液的清洁效率。通过在Si基板上形成厚度为约2000A的ARC(抗反射涂层)、厚度为约1500A的PR(光刻胶)和厚度为约500A的TC(顶部阻挡涂层)制造晶片。通过容许具有示于表1中的成分的溶液流过测试晶片约30分钟并鉴别从测试晶片上去除的涂层材料来评价溶液的清洁效率。形成于Si基板上的ARC、PR和TC各自显示出不同的颜色。因此，从测试晶片去除的涂层材料可通过检验在用清洁溶液处理后暴露于测试晶片上的颜色而鉴定。例如，当TC暴露于测试晶片的最外表面上时，则颜色为红色。当TC被去除且PR暴露时，则颜色为绿色。当TC和PR两者均被去除且ARC暴露时，则颜色为黄色。表2显示在用表1中的各清洁溶液处理测试晶片后的结果。表2去除率对比例实施例12346712TC<10%<10%100%100%<5%<10%100%100%<10%100%PR0%0%<5%<90%0%0%100%100%0%<90%颜色浅棕色绿色绿色淡绿色红棕色红棕色黄色黄色红椋色淡绿色在表2的实施例1和对比例7中，TC和PR被完全去除，使得ARC暴12露在测试晶片的上表面上。在实施例3和对比例4中，尽管TC被完全去除，但PR仅被部分去除，由此显示出在ARC的黄色和PR的绿色之间的中间颜色淡绿色。评^介实施例2为了评价由表1中的各清洁溶液引起的金属或金属氧化物涂层的腐蚀水平，用清洁溶液处理Ni、A1203和SUS(不锈钢)表面，并检验腐蚀水平。用于评价各清洁溶液的处理条件与评价实施例i中的那些相同。表3显示在用表1的各清洁溶液处理Ni、八1203和SUS后的结果。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>在表3中，出现腐蚀用"0"表示，和没有腐蚀用"X"表示。如表3所示，作为根据示例性实施方式的清洁溶液的实施例l-3显示没有腐蚀。评价实施例3在使用示于图1-3中的浸渍光刻系统根据浸渍光刻方法将多个晶片曝光后，使用示于表1中的实施例1和2的清洁溶液清洁在闭合板CLD上所得到的缺陷。对照组涉及用DI(去离子水)处理这些缺陷。处理条件与评价实施例1中的相同。如图7所示，当使用根据示例性实施方式的实施例1和2的清洁溶液清洁闭合板CLD时，去除了大部分缺陷(与对照组的情况相反)。尽管已经在本文中公开了示例性实施方式，但应理解，其它变型可以是可能的。这样的变形不应^皮认为脱离本公开内容的示例性实施方式的精神和范围，并且对本领域技术人员显而易见的是，所有这样的改变意图包括在所附权利要求的范围内。权利要求1.一种用于浸渍光刻系统的清洁溶液，其包含基于醚的溶剂；基于醇的溶剂；和半水基溶剂。2.权利要求l的清洁溶液，其中该基于醚的溶剂选自二乙醚、乙二醇二乙醚、乙二醇丁基醚、二甘醇丁基醚、丙二醇醚、及其组合。3.权利要求1的清洁溶液，其中该基于醚的溶剂构成基于该清洁溶液总重量的约5-40重量％。4.权利要求1的清洁溶液，其中该基于醇的溶剂构成基于该清洁溶液总重量的约1-50重量％。5.权利要求l的清洁溶液，其中该基于醇的溶剂包括烷氧基醇、二醇、或其组合。6.权利要求5的清洁溶液，其中该烷氧基醇选自2-曱氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、2-(2-曱氧基乙氧基)乙醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、2-(2_丁氧基乙氧基)乙醇、及其组合。7.权利要求5的清洁溶液，其中该二醇选自1，3-丁二醇、1,4-丁二醇、邻苯二酚、及其组合。8.权利要求5的清洁溶液，其中该基于醇的溶剂包括烷氧基醇和二醇的组合，该烷氧基醇和二醇各自构成基于该基于醇的溶剂总重量的至多50重量％。9.权利要求1的清洁溶液，其中该半水基溶剂选自二醇醚、N-曱基吡咯烷酮、曱醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙腈、二曱基乙酰胺、d-柠檬烯、薛烯、及其组合。10.权利要求1的清洁溶液，其中该半水基溶剂构成基于该清洁溶液总重量的约20-80重量°/0。11.权利要求l的清洁溶液，其进一步包含碱性水溶液。12.权利要求11的清洁溶液，其中该碱性水溶液包含去离子水和碱性溶液，该碱性溶液构成基于该碱性水溶液总重量的至多约2重量％。13.权利要求11的清洁溶液，其中该碱性水溶液构成基于该清洁溶液总重量的约30-70重量％。14.权利要求12的清洁溶液，其中该碱性溶液选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、氢氧化烷基铵、及其组合。15.权利要求1的清洁溶液，其进一步包含腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂构成基于该清洁溶液总重量的至多约1重量%。16.权利要求15的清洁溶液，其中该腐蚀抑制剂选自磷酸盐、硅酸盐、亚硝酸盐、胺盐、硼酸盐、有机酸盐、及其组合。17.—种浸渍光刻方法，其包括向浸渍光刻系统提供浸渍流体，该浸渍光刻系统具有一个或多个涂覆有光刻胶膜的晶片；将在该一个或多个晶片上的光刻胶膜暴露于光源；除去该浸渍流体；和用清洁溶液清洁该光刻系统被该浸渍流体接触的区域，该清洁溶液包含基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。18.权利要求17的浸渍光刻方法，其中该清洁包括将该清洁溶液供给到该区域预定的时间以从该区域去除缺陷；和用去离子水漂洗该区域。19.权利要求18的浸渍光刻方法，其进一步包括测定在该区域上的缺陷的数量以计算用于供给该清洁溶液的该预定的时间。20.权利要求18的浸渍光刻方法，其中该预定的时间是基于在该浸渍光刻系统中曝光的晶片数量计算的。全文摘要本发明涉及用于浸渍光刻系统的清洁溶液和使用其的浸渍光刻方法。根据示例性实施方式的用于浸渍光刻系统的清洁溶液可包含基于醚的溶剂、基于醇的溶剂和半水基溶剂。在浸渍光刻系统中，多个涂覆有光刻胶膜的晶片可根据使用浸渍流体的浸渍光刻方法曝光。在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可聚集污染物。因此，在曝光过程期间被浸渍流体接触的区域可用根据示例性实施方式的清洁溶液清洗，以减少或防止在浸渍光刻系统中的缺陷。文档编号G03F7/20GK101676803SQ20081016566公开日2010年3月24日申请日期2008年9月19日优先权日2007年9月20日发明者李宪定,李根泽,李相美,李阳求,金世娟,高容均申请人:三星电子株式会社