显示装置的制作方法

专利名称：显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及以液晶显示装置、有机EL显示装置为代表的具备有源元件的显示装置。
背景技术：
近年来，代替布劳恩管(CRT)迅速普及的以液晶显示装置、有机EL显示装置为代表的具备采用有源元件的显示装置活用高画质、节能型、薄型、轻型等特征而广泛应用于电视、监视器、便携电话等各种电子设备。在这种显示装置中，具备如图10所示的具有密封在上下基板101、102间的液晶分子、有机EL分子等显示介质的显示面板100。在液晶显示装置的情况下，虽未图示，在上述上基板101上具备相对电极、彩色滤光片层，另一方面，在上述下基板102上具备像素电极、有源元件(薄膜晶体管或者薄膜二极管等)。另外，近年来，在便携电话等小型电子设备所用的小型显示面板中，为了减少成为死空间的边框区域，提高可靠性，在上述下基板102上，还存在将扫描信号线驱动电路、数据信号线驱动电路形成于单片电路的趋势。如图10所示，用于驱动现有构成的上述显示面板100的电信号一般通过连接到未图示的外部控制电路、压接于上述显示面板100的端子区域103的FPC(Flexible Printed Circuit 柔性印刷电路)104被施加到设于上述下基板102上的用金属薄膜图案化的端子。以往，作为提高显示面板的输入端子的结构的多样性的方案而提出了各种构成。例如，在专利文献1中记载了如下内容。在专利文献1中公开了如下构成如图 11所示，在采用薄膜二极管(MIM元件)204的显示面板221、222中，外带的驱动IC将带有 TAB的多个端子部207、210如图11的(a)那样集成在薄膜二极管元件侧基板201上，或者如图11的(b)那样集成在相对侧基板202上。在图11的(a)的构成中，在上述元件侧基板201上，多个像素218矩阵状排列。 另外，上述各像素218具有驱动液晶的薄膜二极管(MIM元件)204，与上述薄膜二极管(MIM 元件)204导通地形成有像素电极206。另外，在上述元件侧基板201的上方，按所排列的像素218的每列(图中纵方向)对像素电极206形成有面积足够大的焊盘237。在上述各焊盘237的端部设有第1端子部207。另一方面，上述各像素218按每行(图中横方向)利用像素间配线203连接，在像素间配线203的端部形成有第2端子部210。另外，在与上述元件侧基板201相对配置的相对侧基板202上，形成有与上述各像素218的每列相对的相对电极209，在上述各相对电极209的上方形成有与焊盘237相对的焊盘236。此外，利用上述焊盘236和上述焊盘237构成以液晶为电介质的电容器以使电极转移。
另一方面，在图11的(b)的构成中，上述元件侧基板201的上述各像素218按每列(图中纵方向)利用像素间配线203连接，在上述像素间配线203的端部形成有相对于像素电极206面积足够大的焊盘216。另外，在与上述元件侧基板201相对配置的相对侧基板202上，形成有与上述各像素218的每行(图中横方向)相对的相对电极209，在上述各相对电极209的端部形成有第 2端子部210。上述相对电极209由透射过光的ITO等透明材料形成。另外，在与上述焊盘 216相对的位置形成有焊盘217，在上述各焊盘217的端部设有第1端子部207。根据图11的(a)和图11的(b)的构成，能在上述两个基板201、202中的任一方基板上配置数据信号输入用的端子和扫描信号输入用的端子，关于配置在上述显示面板221、 222的周围、连接到上述各端子的电路构件，能实现一体化、连接方法的单纯化，能实现具备上述显示面板221、222的液晶显示装置的小型化。另外，如图12所示，在专利文献2中记载了如下内容。在下侧的基板310上配设有数据信号线301 ；连接着上述数据信号线301的数据信号线驱动电路302、扫描信号线 303 ；以及连接着上述扫描信号线303的扫描信号线驱动电路304、连接到上述数据信号线 301和上述扫描信号线303的开关元件305、利用该开关元件305导通、截止的像素电极306 和上述数据信号线驱动电路302、为了从面板外部对上述扫描信号线驱动电路304传送各种信号而从那里引出的引绕配线组3(Ma。另外，沿着上述扫描信号线驱动电路304的外侧和上述数据信号线驱动电路302 的相对对边配设有公共转移用配线307，在该公共转移用配线307的对角位置配设有公共转移电极308。在上述下侧的基板310中，从形成在边框区域上的数据信号线驱动电路302的近前侧的边引出的视频信号配线组302b在其引出方向上笔直地延伸，到达与屏蔽构件340的配设线交叉的位置。并且，在到达该屏蔽构件340的配设线的位置，成为在其顶端形成有旁路电极 302c的形态。另外，在上述数据信号线驱动电路302的外侧平行行进的屏蔽构件340的配设线的位置也形成有旁路电极302d，该旁路电极302d与屏蔽构件340的配设线交叉。另外，在上述屏蔽构件340的配设线的外侧配设有配线组30 ，上述配线组30 连接到外部连接端子330。另一方面，在上侧的基板320上，除了与下侧的基板310的上述数据信号线驱动电路302的正上方区域的一部分加上其外侧附近的区域所得的区域对应的部分以外，在大致一个面上形成有相对电极311。在未形成有上述相对电极311的区域中，设有上述引绕配线组302b的旁路配线组 314，上述旁路配线组314的两端连接着旁路电极315、316。根据上述构成，在下侧的基板310上引绕的多个配线中的几个配线有其一部分区间经过上侧的基板320侧。由此，在上述下侧的基板310上，能减少配线所占的面积，能成为使上述数据信号线驱动电路302向上述基板310的边缘部靠近相应的量的形态，能实现窄边框化。现有技术文献
专利文献专利文献1
开)”专利文献2
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发明内容
发明要解决的问题然而，在上述专利文献1的构成中，需要在上述显示面板221、222的2个边设有与扫描信号线和数据信号线的数量相当的输入端子，因此在分辨率较高的显示面板中难以以较大的间距形成上述输入端子，在以TAB方式设置多个外带驱动IC的工序中，要求精度较高的对准调整，因此产生无法提高生产率的问题。另外，在上述专利文献2中，记载了实现窄边框化的构成，但是完全没有记载利用何种构成将外部控制电路的输出端子和显示面板的输入端子电连接。由此，根据上述专利文献1和2的构成，无法实现能抑制构件成本并且提高生产率的显示装置。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能抑制生产单价的上升并且生产率较高的显示装置。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本发明的显示装置的特征在于，外部电路基板、单片式地形成有像素电路及其驱动电路的第1基板以及与上述第1基板相对设置的第2基板按该顺序重叠，设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的多个输入端子形成为与上述外部电路基板所具备的多个输出端子在俯视时重叠地相对配置，但是不与上述第1基板重叠，上述输入端子和上述驱动电路通过配置在上述第1基板和上述第2基板间的导电体电连接，上述输入端子和上述输出端子通过连接器电连接，所述连接器在与上述各端子的连接面上条状地形成有导电带和绝缘带。根据上述构成，在上述显示装置中，单片式地形成有像素电路和驱动电路，因此能大幅度地减少上述输入端子的数量。由此，能使设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的多个输入端子的间距变大相应的量。因此，在上述显示装置中，能使输入、输出端子数变少，并且也能使该端子的端子宽度和间距变得比较大，因此不需要采用高价的FPC等来连接上述输入端子和输出端子。 因此，能代替FPC采用在与上述各端子的连接面上条状地形成有导电带和绝缘带的连接器。这种连接器比FPC廉价，也不需要对输入、输出端子进行精密的对准。其结果是，仅通过将具备上述第1基板和上述第2基板的显示面板的输入端子、上述连接器、上述外部电路基板(控制电路)的输出端子按顺序重叠，就能使输入、输出端子彼此的电连接完成，因此能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的显示装置。另外，上述第2基板为面对使用者的显示面，因此在装入有上述显示面板的电子产品中，上述控制电路不会遮在上述显示面板与使用者之间，能实现使用的便利性良好的日本公开专利公报“特开2001-222022号公报(2001年8月17日公 日本公开专利公报“特开2007-264447号公报(2007年10月11日公电子产品。发明效果如上所述，在本发明的显示装置中，设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的多个输入端子形成为与上述外部电路基板所具备的多个输出端子在俯视时重叠地相对配置，但是与上述第1基板不重叠，上述输入端子和上述驱动电路通过配置在上述第1基板和上述第2基板间的导电体电连接，上述输入端子和上述输出端子通过连接器电连接，所述连接器在与上述各端子的连接面上条状地形成有导电带和绝缘带。因此，能发挥如下效果能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的显示装置。另外，上述第2基板为面对使用者的显示面，因此在装入有上述显示面板的电子产品中，上述控制电路不会遮在上述显示面板与使用者之间，能实现使用的便利性良好的电子产品。


图1是示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置的概略构成的分解立体图。图2是示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置所具备的相对电极基板的图。图3是示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置所具备的显示面板的概略构成的说明图。图4是用于说明本发明的一个实施方式的液晶显示装置所具备的TFT基板的显示区域中设置的TFT的制造工艺的概略工序图。图5是示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置所具备的显示面板中的显示区域的概略构成的截面图。图6是示意性地示出本发明的其它实施方式的液晶显示装置所具备的TFT基板的构成的立体图。图7是示出本发明的其它实施方式的液晶显示装置所具备的保护电路的一个例子的电路图。图8是示出具有图7的保护电路的本发明的其它实施方式的液晶显示装置所具备的显示面板的输入端子附近的构成的示意性平面图。图9是图8的显示面板的A-A'截面图。图10是示出现有的显示面板的构成的立体图。图11是在现有的显示面板中示出其输入端子的结构的图，(a)示出其一个例子， (b)示出其它例。图12是在现有的其它显示面板中示出其输入端子的结构的一个例子的立体图。
具体实施例方式下面根据附图详细说明本发明的实施方式。其中，该实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等说到底不过是一个实施方式，不应该用它们来限定解释该发明的范围。本发明的显示装置是能抑制生产单价的上升并且生产率较高的显示装置。〔实施方式1〕
下面，根据图1 3说明本发明的一个实施方式的液晶显示装置1的构成。在本实施方式中，作为显示装置的一个例子，以反射型液晶显示装置1为前提进行说明，但是不限于此，本发明当然也能应用于自发光型显示装置、半透射型显示装置、透射型显示装置等。图1是示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置1的概略构成的构成图。如图1所示，本实施方式的液晶显示装置1具备显示面板10和外部电路基板5， 上述显示面板10具有TFT基板2 (第1基板)，其具备多个TFT元件、连接到上述TFT元件的像素电极、一体地形成的扫描信号线驱动电路以及数据信号线驱动电路；相对电极基板 3 (第2基板)，其具备相对电极，与上述TFT基板2相对设置；以及液晶层，其密封在上述基板2、3间，上述外部电路基板5具备输出用于控制上述显示面板10的信号的控制电路。此外，这种情况下的显示面DS处于上述相对电极基板3侧。在本实施方式中，说明在与上述TFT基板2相对的基板侧具备相对电极的结构，但是本发明不限于此，例如，当然也能应用于IPS模式那样在相对基板侧具备相对电极的横电场方式的液晶模式的情况。在图1中，为了对上述显示面板10输入数据信号、控制信号、电源，多个输入端子 4、如、17设于上述相对电极基板3的与上述TFT基板2相对的面。此外，如后面说明的那样，对输入端子4输入数据信号、控制信号，对形成为与其它输入端子4、17相比宽度较大的输入端子如输入电源，传送给上述TFT基板2上的驱动电路。另一方面，对上述输入端子17输入对相对电极基板3的相对电极施加的电压。另外，上述TFT基板2比上述相对电极基板3短，以使上述输入端子4、如、17在图中的下侧露出。换言之，相对电极基板3相对于TFT基板2伸出为帽状。而且，上述外部电路基板5所具备的多个输出端子6与对应的上述输入端子4、如、 17俯视时重叠地相对配置。上述输入端子4、4a、17和输出端子6利用具有设置为条状的导电带7和绝缘带8 的斑马连接器9导通。更具体地说，成对的输入端子4、4a、17和输出端子6将斑马连接器 9的上述导电带7夹在中间从而电连接。上述斑马连接器9具有较大的间距尺寸，因此存在不需要精密的对准调整的特征，只要按顺序重叠显示面板10的输入端子4、如、17、上述斑马连接器9、上述外部电路基板5的输出端子6就能完成连接，因此能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的液晶显示装置1。图2是示出上述输入端子4、4a、17的平面构成的图。为了驱动一体地形成的驱动电路，不仅需要数据信号、控制信号，也需要高电平 (H)电源、低电平(L)电源的输入。如图2所示，在利用比金属电阻大的ITOandium Tin Oxide 铟锡氧化物)、 IZOdndium Zinc Oxide 铟锌氧化物)的薄膜形成上述相对电极16和输入端子4、4a、17 的情况下，能缩短工序。然而，当将电源输入通过电阻较大的上述薄膜的图案化以固定的端子宽度和间隔配置的输入端子时，会产生电压下降等问题，因此不优选为电源用端子。由此，如图2所示，最好设有2个端子宽度W比输入端子4、17大的高电平电源用和低电平电源用的输入端子如。
此外，间距P表示在输入端子4、17从Dl向Dn的方向上各端子的前端彼此的间隙。如图所示，设为其它输入端子4、17间以间距P设置，上述电源用的输入端子如间以间距2P设置，上述电源用的输入端子如的端子宽度W为以间距P设置的η个(Dl Dn) 输入端子4、17的D4与D5之间的宽度的量和D5的端子宽度的量相加的量，即，宽度扩大间距P的量，但是也可以根据需要进一步扩大宽度。此外，在此为了扩大端子宽度而改变端子间距P的情况下，优选为基本的端子间距P的整数倍。一般，斑马连接器9所具备的导电带7和绝缘带8以较宽的间隔设置，因此上述输入端子4、4a、17的间距最好以与斑马连接器9的导电带7和绝缘带8的间隔相称的间距配置。此外，作为使端子宽度和间距这两者变化的例子，说到电源用端子，例如使输入想避免串扰信号的端子彼此的间距变大的情况那样，也可以使端子宽度与以前相等(不变)， 仅使间距变化(增加)。然而，与出售的斑马连接器相称的端子间距比较大，因此输入2个端子的信号几乎不相互干扰。因此，实质上关注电源端子、电流较大的端子来考虑扩大端子的宽度就足够了。根据上述构成，能利用与设于上述相对电极基板3的相对电极16同样透明的、电阻较大的ITO那样的薄膜来形成能与一体地形成的驱动电路对应的斑马连接器9用的输入端子 4、4a、17。此外，在本实施方式中，设有2个扩大了宽度的输入端子如，但是不限于此，它们的数量当然可以根据需要而适当地调整。如上所述，在上述液晶显示装置1中，与输入端子4、如、17的信号内容对应地设定端子的间距P、端子宽度W。以下，根据图3详细说明上述液晶显示装置1所具备的显示面板10的构成。图3是示出上述液晶显示装置1所具备的显示面板10的概略构成的构成图。在上述TFT基板2的与上述相对电极基板3相对的面，具备显示区域11，其形成有像素电极20和TFT元件21 ；以及扫描信号线驱动电路12和数据信号线驱动电路13，其在上述显示区域11的外侧以多晶硅为基底一体地形成。在本实施方式中，用多晶硅作为多晶半导体膜，但是不限于此，也能使用利用激光退火使非晶硅、非晶锗、多晶锗、非晶硅锗、多晶硅锗、非晶硅碳、多晶硅碳等多晶化的半导体膜。此外，上述激光退火方法在后面详细说明。如图3中的上述显示区域11的部分放大图所示，在上述显示面板10上设有矩阵状配置的多个像素电极20和多个数据信号线SL以及与这些数据信号线SL交叉设置的多个扫描信号线GL。与上述各数据信号线SL和上述各扫描信号线GL交叉的位置对应设有上述TFT元件21。另外，从图1示出的上述外部电路基板5所具备的输出端子6的一部分输出显示于上述显示面板10的图像的视频信号。上述视频信号是表示上述图像的各像素的显示状态的视频数据，根据按时间分割传送的视频数据而生成。而且，作为用于使上述视频信号正确地显示于上述显示面板10的定时信号，从其它的多个输出端子6对上述数据信号线驱动电路13输出源极时钟信号和源极开始脉冲信号，对上述扫描信号线驱动电路12输出栅极时钟信号和栅极开始脉冲信号。上述扫描信号线驱动电路12与上述栅极时钟信号等定时信号同步地依次选择多个扫描信号线GL。另一方面，上述数据信号线驱动电路13与上述源极时钟信号等定时信号同步动作，确定与各数据信号线SL相应的定时，在上述各定时对上述视频信号采样，将与采样结果相应的信号写入上述各数据信号线SL。按上述像素电极20的大小划分的上述显示面板10的各像素在各自对应的扫描信号线GL被选择的期间，根据输出到各自对应的数据信号线SL的数据控制各自的亮度，显示视频信号示出的图像。此外，图3虽未图示，在上述显示面板10的情况下，在各像素的相对电极16和像素电极20之间夹着液晶构成液晶电容，但是也可以是为了延长充电到上述液晶电容的电荷的衰减时间而与上述液晶电容并联地连接辅助电容(Cs)的结构。此外，在上述液晶显示装置1中，优选上述像素电极20具有光反射性。根据上述构成，即使是具备具有光反射性的像素电极20的反射型或者半透射型的显示装置，也能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的液晶显示装置1。另外，在本实施方式中，用铝、银等这样反射率较高、电阻较低的物质形成上述TFT 基板2所具备的像素电极20，但是设置上述光反射性构件的方法不限于此。另外，也可以在各像素所具备的具有光反射性的像素电极20下内置有存储元件， 成为功耗较小的显示装置。作为存储元件能举出SRAM。SRAM可以对1个像素为1比特，如果进行灰度级显示，只要将多个SRAM配置于各像素就能实现。这样将SRAM内置于各像素的显示装置的情况下，电源容量、电流值可以小些，因此适合于斑马连接器9的端子连接。另外，从上述扫描信号线驱动电路12和上述数据信号线驱动电路13向上述TFT 基板2的外部引出配线14，上述配线14与设于上述TFT基板2上的第1电极焊盘15、lfe 连接。此外，配线14和第1电极焊盘15、lfe构成导电构件。S卩，对取出到上述TFT基板2的外部的全部信号线、电源线分别设有上述第1电极焊盘15、1 ，上述第1电极焊盘15、1 沿着上述TFT基板2的一边端部配置。另一方面，在上述相对电极基板3中，设于上述扩大了宽度的上述输入端子如的上部的第2电极焊盘18a比其它第2电极焊盘18形成得较大，与其相对的第1电极焊盘 15a也比其它第1电极焊盘15形成得较大。另外，如图所示，上述相对电极16的一部分延伸到设有上述输入端子4、如的上述相对电极基板3的一边的端部，成为与相对电极16相同电位的输入端子17。另外，在设有输入端子17的上述相对电极基板3的一边形成有与上述相对电极16 电分离的其它输入端子4、如，在上述各个输入端子4、如随附有构成上述导电构件的第2电极焊盘18、18a。此外，上述第1电极焊盘15、lfe的数量与上述第2电极焊盘18、18a的数量相同， 在俯视上述显示面板10时，上述第1电极焊盘15、1 和上述第2电极焊盘18、18a以1对 1重叠的方式形成。后面说明使第1电极焊盘15、1 和第2电极焊盘18、18a导通的含有导电体的密封材料19。
根据上述构成，在上述TFT基板2中，扫描信号线驱动电路12和数据信号线驱动电路13 —体地形成，因此能减少输入端子4、如的数量，能使输入端子4、如的间距变大。其结果是，能使与输入端子4、如对应的上述第1电极焊盘15、1 和第2电极焊盘18、18a的各间距都变大，因此能使分别分配给第1电极焊盘15、lfe和第2电极焊盘18、18a的面积变大。由此，根据上述构成，能实现能使上述第1电极焊盘15、1 和上述第2电极焊盘 18、18a的导通电阻足够低的液晶显示装置1。另外，不存在用高价的FPC等来连接上述显示面板10和上述外部电路基板5的输出端子6的必要性，能使用对应端子数较少、该端子的间距尺寸也比较大的廉价的斑马连接器9。此外，举例示出了图1 3中的输入端子4、如、17、第1电极焊盘15、15a、第2电极焊盘18、18a的数量，当然能根据需要适当地调整。下面，图3所示的密封材料19承担以规定的间隔接合上述TFT基板2和上述相对电极基板3来密封显示介质的作用，沿着上述TFT基板2的外周形成为框状。此外，液晶材料填充于被该密封材料19包围的内侧区域的间隙。作为上述密封材料19，例如能采用紫外线固化树脂、热固化树脂或者它们的兼用型树脂。在上述密封材料19中含有金粒子这样的导电体。根据上述构成，在承担了以规定的间隔接合上述TFT基板2和上述相对电极基板 3的作用的密封材料19中，混入有例如金粒子等导电体。如上所述，上述第1电极焊盘15、 15a和上述第2电极焊盘18、18a的面积较大，因此用这种密封材料19将上述第1电极焊盘15、1 和上述第2电极焊盘18、18a电连接的情况下产生的电阻可以是在电路上不存在问题的程度的电阻。另外，如图3所示，上述第1电极焊盘15、1 和上述第2电极焊盘18、18a设于形成有密封材料19的上述显示面板10的周缘部。由此，根据上述构成，能使得用于使上述TFT基板2和上述相对电极基板3以规定的间隔接合的密封材料19的形成工序以及用于使上述第1电极焊盘15、1上述第2电极焊盘18、18a导通的导电体的形成工序成为一个工序，能实现生产率较高的液晶显示装置1。另外，如图1和图3所示，在上述液晶显示装置1中，上述输入端子4、4a、17沿着上述相对电极基板3的与上述TFT基板2相对的面的一边设置。根据上述构成，上述输入端子4、如、17沿着上述相对电极基板3的一边设置，因此只要将与显示面板10的输入端子4、如、17、与上述输入端子4、4a、17对应的1个斑马连接器9以及上述外部电路基板5的输出端子6按顺序重叠就能完成连接，因此能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的液晶显示装置1。下面根据图4说明上述TFT基板2所具备的TFT元件21的制造工艺。图4是用于说明作为有源元件设于上述TFT基板2的显示区域11的TFT元件21 的制造工艺的概略工序图。在本实施方式中，作为上述TFT基板2，采用透明的玻璃基板，但是不限于此，作为上述基板2，除了上述玻璃基板以外，也能使用包括石英、塑料等的材料。
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首先，如图4的(a)所示，在上述基板2上形成膜厚为100 500nm (优选为150 300nm)的基底膜22。作为基底膜22，能采用例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积)法或者溅射法形成的包含硅的无机绝缘膜(例如硅氧化膜、硅氮化膜、硅氮化氧化膜等)。另外，基底膜22也可以是多个层层叠的结构。从有效地抑制来自上述基板2的杂质离子的扩散的观点出发，优选基底膜22是含有硅氮化膜、硅氮化氧化膜等含有氮的无机绝缘膜。接下来，如图4的(b)所示，利用等离子体CVD法等形成非晶半导体膜23。优选上述非晶半导体膜23的膜厚为20nm IOOnm程度。接下来，如图4的(c)所示，用固体激光法等使上述非晶半导体膜23晶化来形成晶化半导体膜对。然后，如图4的(d)所示，利用光刻工序将得到的晶化半导体膜M图案化为所希望的形状，由此能形成膜厚为20 100nm(优选30 70nm)的上述晶化半导体膜M。接下来，如图4的(e)所示，覆盖上述晶化半导体膜M形成膜厚为30 150nm(优选为50 IOOnm)的栅极绝缘膜25。另外，上述晶化半导体膜M的材质是硅，因此从减少与上述晶化半导体膜M的界面的界面态的观点出发，优选上述栅极绝缘膜25为硅氧化膜。 此外，如果需要，为了持续控制上述TFT元件21的阈值电压，隔着上述栅极绝缘膜25对上述晶化半导体膜M的整个面利用离子注入法或者离子掺杂法进行掺杂(沟道掺杂)。作为沟道掺杂所使用的杂质的例子，在为N沟道型TFT的情况下，能采用硼(B)等III族元素， 在为P沟道型TFT的情况下，能采用磷(P)等V族元素。另外，作为处理大面积基板的情况下的杂质的添加方法，优选离子掺杂法。接着，如图4的(f)所示，在利用溅射法形成导电膜后，利用光刻工序将导电膜图案化为所希望的形状，由此形成膜厚为100 500nm(优选为150 300nm)的栅极电极26。接下来，如图4的(g)所示，以上述栅极电极沈为掩模，利用离子注入法或者离子掺杂法掺杂硼(B)、磷(P)等杂质，在上述晶化半导体膜M上形成低浓度源极区域Md、 24b (24b会成为高浓度源极区域)和低浓度漏极区域2 ^ 会成为高浓度漏极区域)。此外，利用上述栅极电极沈掩蔽的区域为沟道区域Ma。而且，覆盖上述栅极电极沈形成膜厚为20 150nm(优选为30 IOOnm)的罩膜27之后，以上述罩膜27为掩模利用离子注入法或者离子掺杂法来对上述晶化半导体膜M自对准地掺杂硼(B)、磷(P)等杂质， 形成高浓度源极区域24b和高浓度漏极区域Mc。然后，经过上述晶化半导体膜M的活性化工序，在除沟道区域Ma以外的区域形成发挥源极、漏极区域的功能的高浓度杂质区域 24b, 24c0另外，作为上述晶化半导体膜M的活性化工序，也可以例如用退火炉等进行热处理，也可以照射准分子激光等。上述罩膜27没有特别限定，例如，能采用利用等离子体CVD 法或者溅射法形成的含有硅的绝缘膜(例如硅氧化膜、硅氮化膜、硅氮化氧化膜等)。而且，如图4的(h)所示，使用溅射法、等离子体CVD法等以30nm 1500nm程度形成硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧化氮化膜等或者包括其层叠的层间绝缘膜观。而且，以300°C 550°C进行30分 12小时程度的热处理，由此进行氢化。这是用于利用上述层间绝缘膜观含有的氢来使上述晶化半导体膜M的悬空键等缺陷终结的工序。在含有3 100%的氢等离子体、氢的氛围中以300 450°C进行热处理，由此也能进行氢化。然后，在上述层间绝缘膜28中形成通过上述晶化半导体膜M的高浓度源极区域24b和高浓度漏极区域2 的接触孔四之后，利用溅射法等在基板的上侧整个面上形成金属膜30。作为金属膜30，例如形成Ti为ΙΟΟηπκΑΙ为350nm、Ti为IOOnm的层叠膜，用感光性抗蚀剂在上述金属膜30上形成所希望的源极和漏极电极用的抗蚀剂图案。然后，以抗蚀剂图案为掩模蚀刻上述金属膜30，由此形成源极电极和漏极电极。然后，除去抗蚀剂图案。 此外，在本实施方式中，将金属膜30设为Ti/Al/Ti的层叠，但是不特别限定，也可以用从作为低电阻金属的Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Nd等选出的元素或者以上述元素为主成分的合金材料或化合物材料根据需要形成层叠结构。然后，如图4的(i)所示，使用作为透明绝缘膜的硅氧化膜、感光性丙烯酸树脂等作为保护绝缘膜31。在本实施方式中，使用感光性丙烯酸树脂形成贯通孔32的图案。最后，在本实施方式中，为了制作反射型的液晶显示装置1，作为像素电极20，用溅射法等以例如IOOnm程度形成Al、Ag等表现出高反射率，并且电阻较低的导电膜，使用感光性抗蚀剂形成所希望的图案，以抗蚀剂图案为掩模，对上述导电膜进行蚀刻，由此进行图案化。此外，为了制作透射型的液晶显示装置，作为像素电极20只要采用IT0、IZO等透明导电膜即可。用以上那样的TFT元件21的制造工艺，在上述TFT基板2的上述显示区域11的外侧设置扫描信号线驱动电路12、数据信号线驱动电路13、第1电极焊盘15、lfe等。图5是示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置1所具备的显示面板10的显示区域11的概略构成的截面图。如图5所示，上述液晶显示装置1具备显示面板10，显示面板10具备上述TFT基板2和具备与它相对的相对电极16的相对电极基板3，具备在这些基板间利用密封材料 19(未图示)封入有液晶层36的构成。上述显示面板10为反射型，因此仅在相对电极基板3侧具备偏光板37，但是在显示面板为透射型的情况下，在上述TFT基板2和相对电极基板3上具备偏光板37。另外，如果想进行明亮的显示，也可以采用不需要偏光板的液晶模式。例如，作为其一个例子能举出光散射性液晶，当采用高分子分散液晶、高分子网络液晶时能得到明亮的显示，并且不用高价的偏光板，因此能减少制造成本。另外，本实施方式的液晶显示装置1是反射型的，因此不需要具备背光源，但是为了应用于透射型，只要采用ITO、IZO等透明导电膜作为像素电极20，并且在图1示出的上述显示面板10和上述外部电路基板5之间作成设置背光源的空间即可。〔实施方式2〕下面根据图6 9说明本发明的第2实施方式。本实施方式示出在实施方式1的液晶显示装置中设置保护电路的方案，其它构成与实施方式1中说明了的内容相同。为了便于说明，对与在上述实施方式1的附图中示出的构件具有相同的功能的构件标注相同的附图标记，省略其说明。图6是示出本实施方式的液晶显示装置1所具备的TFT基板加的构成的平面图。如图6所示，优选在上述TFT基板加的与相对电极基板3相对的面上，驱动电路 12、13、保护电路38和第1电极焊盘15、1 按该顺序电连接地一体地形成。根据上述构成，能防止由于从未图示的多个输入端子4侵入的静电、噪声电流使上述驱动电路12、13内所具备的TFT元件等破损。此外，在电连接到与上述高电平电源用和低电平电源用相当的输入端子如的第1 电极焊盘1 上未设有保护电路38。另外，如在实施方式1中已经说明的那样，在上述第1电极焊盘15、1 上形成密封材料19，因此在上述构成中，在密封材料19的内侧形成上述保护电路38，因此能保护上述保护电路38不受来自外部的损伤、腐蚀。另外，上述保护电路38也能例如设于上述驱动电路12、13的内部等那样上述TFT 基板加的与相对电极基板3相对的面的多处位置。图7是示出本实施方式的液晶显示装置1所具备的保护电路38的一个例子的电路图。如图所示，在上述保护电路38中具备2个通过与设于上述显示区域11的TFT元件21相同的制造工序形成的晶体管(TFT1、TFT2)。一方晶体管(TFTl)的漏极电极连接到H电源，源极电极连接到从作为保护对象的输入端子4至驱动电路12、13的配线。而且，上述晶体管(TFTl)为将上述漏极电极和栅极电极连接的构成，表现为二极管的特性。S卩，成为如下结构在通过静电等对上述配线施加H电源以上的电压的情况下，上述晶体管(TFTl)导通，使异常电流逃逸。另外，另一方晶体管(TFT2)的漏极电极连接到从作为保护对象的输入端子4至驱动电路12、13的配线，源极电极连接到L电源。而且，上述晶体管(TFT2)与上述TFTl同样， 是将上述漏极电极和栅极电极连接的构成，表现为二极管的特性。由此，成为如下结构在对上述配线施加L电源以下的电压的情况下，上述晶体管 (TFT2)导通，从L电源流通电流。因此，根据上述构成，能将施加到上述配线的电压总是维持在H电源以下L电源以上，能防止上述驱动电路12、13内所具备的TFT元件等发生破损。另外，如图所示，在上述保护电路38中，在上述配线中设有电阻Rl、R2，在上述配线与上述H电源和上述L电源间分别设有电容Cl、C2。由此，即使对上述配线瞬间施加较强的电压，也能防止上述晶体管(TFT1、TFT2) 自身的破损
在本实施方式中，设有图7所示的结构的保护电路38，但是不限于此，也可以提出各种构成来适当地改变构成。例如，也能适当使用包括电阻和晶体管的保护电路等。此外，在多数保护电路中，多具有与图7中的电阻Rl相当的电路元件。图8是示出具备图7的保护电路38的显示面板10的输入端子4附近的构成的平面图。另外，图9是示出图8的显示面板10的A-A'线的截面结构的截面图。如图8、9所示，从输入端子4到驱动电路12、13的构成物的连接关系为“输入端子 4”- “第2电极焊盘18”- “密封材料19中的导电体19a”_ “第1电极焊盘15”- “保护电路38”- “驱动电路12、13”。如图9所示，在TFT基板2上形成有基底膜22，在基底膜22上与图8示出的TFT 部的形成位置对应地设有半导体膜M。半导体膜M被栅极绝缘膜25覆盖。在栅极绝缘膜
1425上，利用同一金属层的图案化形成有用于形成电阻R1、电容C1、C2的相对电极的一方(L 电源线和H电源线的一部分)、栅极电极沈、连接到上述L电源的L电源线以及连接到上述 H电源的H电源线。而且，层间保护膜观(绝缘层)覆盖用于形成电阻R1、电容C1、C2的电极(L电源线和H电源线的一部分)、栅极电极沈、连接到上述L电源的L电源线和连接到上述H电源的H电源线，在层间保护膜观上，以导通状态设有电阻R1、图8示出的TFT部的源极电极和漏极电极、用于形成电容Cl、C2的相对电极的另一方、用于与作为保护对象的配线电连接的金属膜33、34。上述金属膜33通过形成于层间保护膜观的接触孔35与电阻Rl连接。此外，在上述TFT部中，电连接到H电源线的漏极电极30a和电连接到L电源线的源极电极30b也通过用于形成上述金属膜33、34的金属层的图案化而形成。上述电阻Rl通过将用于形成栅极电极沈的金属层图案化为蜿蜒的形状而形成为所希望的电阻值。另外，利用上述金属膜34和H电源线形成上述电容Cl，利用上述金属膜 33和L电源线形成上述电容C2。另外，电阻Rl通过形成于层间保护膜观的接触孔35与电连接到第1电极焊盘15 的中间金属膜36电连接。中间金属膜36也通过用于形成上述金属膜33、34的金属层的图案化而形成。上述金属膜33、34和中间金属膜36由保护绝缘膜31 (绝缘层)覆盖。在中间金属膜36的上方，在保护绝缘膜31上形成有第1电极焊盘15。中间金属膜36和第1电极焊盘15通过形成于保护绝缘膜31的贯通孔32 (接触孔)电连接。覆盖该第1电极焊盘15设有密封材料19，密封材料19通过密封材料19中所含有的导电体19a实现与第2电极焊盘18的导通。如上所述，上述第1电极焊盘15和上述电阻Rl通过设于上述层间绝缘膜28和保护绝缘膜31的接触孔35和贯通孔32连接。也就是说，将上述第1电极焊盘15隔着上述层间绝缘膜观或/和保护绝缘膜31重叠配置在上述电阻Rl的上层。其结果是，能使上述保护电路38和上述第1电极焊盘15所占的面积变小。由此，能使上述液晶显示装置1所具备的显示面板10的边框变小。另外，根据上述构成，即使在上述层间绝缘膜观和保护绝缘膜31的内部随着接触孔35和贯通孔32的形成而混入异物，上述第1电极焊盘15和上述电阻Rl短路，也是相同配线上的短路，因此仅限于上述电阻Rl的值改变的影响，对上述驱动电路12、13的动作几乎没有影响。此外，也可以是省略上述保护绝缘膜31、贯通孔32和中间金属膜36，将上述第1 电极焊盘15形成在上述层间绝缘膜观上的构成。但是，从更可靠地分离上述第1电极焊盘15和上述电阻R1，确保电阻Rl的值为适当值的观点出发，优选设有上述层间绝缘膜观和上述保护绝缘膜31这2层。通过设置上述层间绝缘膜观和上述保护绝缘膜31这2层， 能使上述第1电极焊盘15和上述电阻Rl越过上述2层结构的绝缘层发生短路的概率可靠地降低。在将1层结构的绝缘层设为足够厚的情况下也能得到上述效果，在这种情况下， 存在成膜花费时间并且难以在绝缘层中形成多个贯通孔的微小图案化的问题。
另外，在上述液晶显示装置1中，优选图3示出的上述第1电极焊盘15、lfe和像素电极20是同一材料，通过同一层的图案化来形成。另外，在上述液晶显示装置1中，优选图3示出的上述第2电极焊盘18、18a和相对电极16是同一材料，通过同一层的图案化来形成。根据上述构成，能使上述TFT基板2、加所具备的上述第1电极焊盘15、1 和上述像素电极20以同一材料形成，同时图案化为规定的形状，或者，能使上述相对电极基板3 所具备的上述第2电极焊盘18、18a和上述相对电极16以同一材料形成，同时图案化为规定的形状。由此，能实现缩短了制造工序的生产率较高的液晶显示装置1。〔实施方式3〕下面说明本发明的第3的实施方式。本实施方式示出有机EL显示装置，其它构成如实施方式1中所说明的那样。为了便于说明，对具有与上述实施方式1的附图示出的构件相同的功能的构件附加相同的附图标记，省略其说明。优选在上述TFT基板2、加和上述相对电极基板3之间具备有机发光层。省略图示，但是例如设为在上述TFT基板2、加上形成由金属膜形成的阴极，在上述相对电极基板3上形成ΙΤ0、IZO等的透明电极(正极)，在上述两电极间隔着有机发光层。根据上述构成，能实现视野角较大、对比度较高的自发光型的薄型显示装置。在本发明的显示装置中，优选上述输入端子的端子宽度根据输入到上述输入端子的信号内容设定。在本发明的显示装置中，优选上述输入端子的间距根据输入到上述输入端子的信号内容设定。在本发明的显示装置中，优选输入电源信号的上述输入端子与输入其它信号的上述输入端子相比，端子宽度形成得大。为了驱动一体地形成的像素电路及其驱动电路，不仅需要数据信号、控制信号，还需要电源。但是，当利用电阻比金属大的例如ITOandium Tin Oxide 铟锡氧化物)的薄膜等，将以固定端子宽度和间隔配置的输入端子用作电源用端子时，有可能在电源用端子中产生电压下降等问题。另外，有时优选使例如输入想避免串扰的信号的端子彼此的间距变大。根据上述构成，能根据输入到上述输入端子的信号内容设定上述输入端子的端子宽度、间距。另外，根据上述构成，例如与数据信号、控制信号的输入端子相比，扩大宽度地形成电源的输入端子的端子宽度来使电阻下降，由此能抑制在电源用端子中发生电压下降等问题。在本发明的显示装置中，优选上述输入端子和上述驱动电路通过以下方式电连接电连接到上述驱动电路、设于上述第1基板的与上述第2基板相对的面的第1电极焊盘和电连接到上述输入端子、设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的第2电极焊盘通过配置在上述电极焊盘间的上述导电体而电连接。
根据上述构成，上述输入端子和上述驱动电路通过上述第1电极焊盘、上述第2电极焊盘以及配置在上述电极焊盘间的上述导电体电连接。在上述显示装置中，像素电路和驱动电路一体地形成，因此能使上述第1电极焊盘和上述第2电极焊盘的面积变大相应的量。由此，能使将上述第1电极焊盘和上述第2电极焊盘电连接的情况下产生的电阻成为在电路上不存在问题的程度的电阻。在本发明的显示装置中，优选上述导电体包含于将上述第1基板和上述第2基板贴合的密封材料中。根据上述构成，在承担了将上述第1基板和上述第2基板以规定间隔接合的作用的上述密封材料中含有例如金粒子等导电体。由此，根据上述构成，能使得用于使上述第1基板和上述第2基板以规定间隔接合的密封材料的形成工序以及使上述驱动电路和上述输入端子导通的工序成为一个工序，能实现生产率较高的显示装置。在本发明的显示装置中，优选上述驱动电路和上述第1电极焊盘通过保护电路电连接。根据上述构成，在具备上述驱动电路的上述第1基板上设有保护电路，因此能防止由于从上述输入端子侵入的静电、噪声电流使上述驱动电路内所具备的有源元件破损。在本发明的显示装置中，优选上述保护电路具备电阻体，上述第1电极焊盘与上述电阻体重叠地设于覆盖上述电阻体而设置的绝缘层上，上述第1电极焊盘和上述电阻体通过形成于上述绝缘层的接触孔电连接。根据上述构成，将上述第1电极焊盘隔着上述绝缘层重叠配置在上述电阻体的上层，因此能使上述保护电路和上述第1电极焊盘所占的面积变小。由此，能使上述显示装置的边框变小。另外，根据上述构成，即使随着接触孔的形成，在上述绝缘层的内部混入异物，上述第1电极焊盘和上述电阻体发生短路，也是相同的配线上的短路，因此也有如下优点仅限于上述电阻体的值变化的影响，对上述驱动电路的动作几乎没有影响。 在本发明的显示装置中，优选上述绝缘层至少包括2层。根据上述构成，上述绝缘层为多层结构，因此成为更可靠地分离上述第1电极焊盘和上述电阻体的结构。由此，能可靠地降低上述第1电极焊盘和上述电阻体越过上述多层结构的绝缘层发生短路的概率。此外，将1层结构的绝缘层设为足够厚的情况下也能得到上述效果。但是，上述结构具有如下优点能避免成膜花费时间并且难以进行包括接触孔的微小的图案化的与1层结构相伴的问题。在本发明的显示装置中，优选上述保护电路包括电阻体、晶体管和电容而构成。根据上述构成，即使瞬间施加较强的电压，也能防止上述保护电路所具备的晶体管的破损，并且能防止由于从上述输入端子侵入的静电、噪声电流使上述驱动电路内所具备的有源元件发生破损。在本发明的显示装置中，优选上述第1基板和上述第2基板之间具备液晶层。
在本发明的显示装置中，优选上述第1基板和上述第2基板之间具备有机发光层。在本发明的显示装置中，优选为了对上述液晶层施加电压，在上述第1基板上设有像素电极，在上述第2基板上设有公共电极，上述第1电极焊盘和上述像素电极是同一材料，通过同一层的图案化而形成，上述第2电极焊盘和上述公共电极是同一材料，通过同一层的图案化而形成。根据上述构成，能使上述第1基板所具备的上述第1电极焊盘和上述像素电极以同一材料形成，同时图案化为规定的形状，能使上述第2基板所具备的上述第2电极焊盘和上述相对电极以同一材料形成，同时图案化为规定的形状。由此，能实现缩短了制造工序的生产率较高的显示装置。在本发明的显示装置中，优选上述像素电极具有光反射性。根据上述构成，即使是具备具有光反射性的像素电极的反射型的显示装置、半透射型的显示装置，也能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的显示装置。在本发明的显示装置中，优选上述输入端子沿着上述第2基板的与上述第1基板相对的面的周缘的一边设置。根据上述构成，上述输入端子沿着上述第2基板的一边集约地设置，因此仅通过将上述输入端子、1个连接器、上述输出端子按顺序重叠就能完成连接，因此能抑制生产单价的上升，并且能实现生产率较高的显示装置。在本发明的显示装置中，优选在上述第1基板上具备存储通过上述输出端子和上述输入端子输入的视频信号的存储元件。根据上述构成，例如，在上述显示装置中在一定期间显示相同的图像的情况等下， 能使用存储于上述存储元件的视频信号，因此能实现功耗较小的显示装置。此外，在这种显示装置的情况下，电源容量、电流值可以小些，因此适于上述连接器的端子连接。作为上述存储元件，能举出SRAM等，但是不限于此。本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求示出的范围中进行各种变更，将被不同的实施方式分别公开的技术方案适当地组合得到的实施方式也包含于本发明的技术的范围。工业实用性本发明能应用于液晶显示装置、有机EL显示装置等显示装置。附图标记说明1液晶显示装置(显示装置)2、2a TFT 基板(第 1 基板)3相对电极基板(第2基板)4、4a、17 输入端子5外部电路基板6输出端子7导电带8绝缘带9斑马连接器(连接器)
10显示面板11显示区域12扫描信号线驱动电路13数据信号线驱动电路14 配线15、15a第1电极焊盘16相对电极18、18a第2电极焊盘19密封材料19a导电体20像素电极21 TFT 元件28层间保护膜(绝缘层)29、35 接触孔31保护绝缘膜(绝缘层)32贯通孔(接触孔)38保护电路Rl保护电路中的电阻(电阻体)Cl、C2保护电路中的电容(电容)TFT1、TFT2、TFT部保护电路中的晶体管(晶体管) GL扫描信号线SL数据信号线P 间距W端子宽度
权利要求
1.一种显示装置，其特征在于 外部电路基板、单片式地形成有像素电路及其驱动电路的第1基板以及与上述第1基板相对设置的第2基板按该顺序重叠， 设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的多个输入端子形成为与上述外部电路基板所具备的多个输出端子在俯视时重叠地相对配置， 但是不与上述第1基板重叠，上述输入端子和上述驱动电路通过配置在上述第1基板和上述第2基板间的导电体电连接，上述输入端子和上述输出端子通过连接器电连接，所述连接器在与上述各端子的连接面上条状地形成有导电带和绝缘带。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于上述输入端子的端子宽度根据输入到上述输入端子的信号内容而设定。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于上述输入端子的间距根据输入到上述输入端子的信号内容而设定。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的显示装置，其特征在于输入电源信号的上述输入端子与输入其它信号的上述输入端子相比，端子宽度形成得大。
5.根据权利要求1 4中的任一项所述的显示装置，其特征在于 上述输入端子和上述驱动电路通过以下方式电连接电连接到上述驱动电路、设于上述第1基板的与上述第2基板相对的面的第1电极焊盘和电连接到上述输入端子、设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的第2电极焊通过配置在上述电极焊盘间的上述导电体而电连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于上述导电体包含于将上述第1基板和上述第2基板贴合的密封材料中。
7.根据权利要求5或6所述的显示装置，其特征在于 上述驱动电路和上述第1电极焊盘通过保护电路电连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于 上述保护电路具备电阻体，上述第1电极焊盘与上述电阻体重叠地设于覆盖上述电阻体而设置的绝缘层上， 上述第1电极焊盘和上述电阻体通过形成于上述绝缘层的接触孔电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于 上述绝缘层至少包括2层。
10.根据权利要求7 9中的任一项所述的显示装置，其特征在于 上述保护电路包括电阻体、晶体管和电容而构成。
11.根据权利要求1 10中的任一项所述的显示装置，其特征在于 在上述第1基板和上述第2基板之间具备液晶层。
12.根据权利要求1 10中的任一项所述的显示装置，其特征在于 在上述第1基板和上述第2基板之间具备有机发光层。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于 为了对上述液晶层施加电压，在上述第1基板上设有像素电极， 在上述第2基板上设有公共电极，电连接到上述驱动电路、设于上述第1基板的与上述第2基板相对的面的第1电极焊盘和上述像素电极为同一材料，利用同一层的图案化而形成， 电连接到上述输入端子、设于上述第2基板的与上述第1基板相对的面的第2电极焊盘和上述公共电极为同一材料，利用同一层的图案化而形成。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于 上述像素电极具有光反射性。
15.根据权利要求1 14中的任一项所述的显示装置，其特征在于上述输入端子沿着上述第2基板的与上述第1基板相对的面的周缘的一边设置。
16.根据权利要求1 15中的任一项所述的显示装置，其特征在于在上述第1基板上具备存储元件，所述存储元件储存通过上述输出端子和上述输入端子输入的视频信号。
全文摘要
设于相对电极基板(3)的与TFT基板(2)相对的面的多个输入端子(4、4a、17)形成为与外部电路基板(5)所具备的多个输出端子(6)在俯视时重叠地相对配置，但是不与TFT基板(2)重叠，输入端子(4、4a、17)和驱动电路通过配置在TFT基板(2)和相对电极基板(3)间的导电体电连接，输入端子(4、4a、17)和输出端子(6)通过斑马连接器(9)电连接，斑马连接器(9)在与上述各端子的连接面上条状地形成有导电带(7)和绝缘带(8)。由此，能抑制生产单价的上升，并且实现生产率较高的显示装置。
文档编号G02F1/1345GK102272813SQ20098015423
公开日2011年12月7日 申请日期2009年12月15日 优先权日2009年4月9日
发明者藤川阳介 申请人:夏普株式会社