专利名称：硅化物保护层去胶方法
硅化物保护层去胶方法
技术领域：
本发明涉及一种硅化物保护层去胶方法，尤其是涉及一种解决硅化物保护层去胶过程中光阻残留的新方法。
背景技术：
晶圆制造流程中硅化物保护层阶段是一道重要的工序，目的是在晶圆适当的区域表面形成自对准多晶硅化物。它是由硅化物保护层光刻，硅化物保护层刻蚀，硅化物保护层去胶三个子工艺步骤组成。其中，现有的硅化物保护层去胶步骤包括硫酸(HZS04 =HZOZ) 10 分钟和氨水双氧水(NH40H) 10分钟，然而该工艺步骤目前存在的问题在于去胶不净，即是有光阻残留，可造成晶圆的报废。
发明内容针对现有技术的不足，本发明解决的技术问题是提供一种硅化物保护层去胶方法，该方法可去胶彻底。本发明的目的通过提供以下技术方案实现一种硅化物保护层去胶方法，其特征在于，包括以下步骤第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗；第二步、进行硫酸和氨水双氧水。可选地，所述稀释的氢氟酸酸洗步骤需进行10分钟。可选地，所述硫酸和氨水双氧水步骤各需进行10分钟。可选地，在进行上述第一步之前，需要先进行以下步骤首先、对硅化物保护层进行光刻；其次、对硅化物保护层进行刻蚀。与现有技术相比，本发明的有益效果是彻底的去处光阻，没有光阻残留，保证晶
圆质量。
下面结合附图对本发明作进一步说明图1为本发明硅化物保护层阶段的流程图。
具体实施方式
以下参照
本发明的最佳实施方式。本发明的硅化物保护层阶段，包括现有的硅化物保护层阶段中的硅化物保护层光刻、硅化物保护层刻蚀和硅化物保护层去胶。其中硅化物保护层去胶过程除了需要进行10 分钟硫酸和10分钟氨水双氧水，还会再此之前增加10分钟稀释的氢氟酸酸洗。通过这种方法可以把光阻彻底去除干净，降低晶圆报废率。
其中，对于硅化物保护层光刻，还包括以下步骤准备基质在涂布光阻剂之前，硅化物一般要进行处理，需要经过脱水烘培蒸发掉硅化物表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅化物表面附着能力的化合物(目前应用的比较多的是六甲基乙硅氮烷(hexa-methyl-disilazane，简称HMDQ以及三甲基甲硅烷基二乙胺(tri-methyl-silyl-diethyl-amime，简称 TMSDEA))。涂布光阻剂(photo resist)将硅化物放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连，硅化物就被吸在托盘上，这样硅化物就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般分为三个步骤1.将光刻胶溶液喷洒倒硅化物表面；2.加速旋转托盘(硅化物)，直到达到所需的旋转速度；3.达到所需的旋转速度之后，保持一定时间的旋转。由于硅化物表面的光刻胶是借旋转时的离心力作用向着硅化物外围移动，故涂胶也可称做甩胶。经过甩胶之后，留在硅化物表面的光刻胶不足原有的1%。软烘干也称前烘。在液态的光刻胶中，溶剂成分占65% -85%，甩胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10% -30%的溶剂，容易玷污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右)，从而降低了灰尘的玷污。同时还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶的附着性。 在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10% -20%左右。曝光曝光过程中，光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂DQ发生光化学反应，变为乙烯酮，进一步水解为茚并羧酸andene-Carboxylic-Acid，简称ICA)，羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍，同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。显影(development)经显影，正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中， 曝光后在光刻胶层中的潜在图形，显影后便显现出来，在光刻胶上形成三位图形。为了提高分辨率，几乎每一种光刻胶都有专门的显影液，以保证高质量的显影效果。硬烘干也称坚膜。显影后，硅化物还要经过一个高温处理过程，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅化物表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。在此温度下，光刻胶将软化，形成类似玻璃体在高温下的熔融状态。这会使光刻胶表面在表面张力作用下圆滑化，并使光刻胶层中的缺陷(如针孔) 因此减少，借此修正光刻胶图形的边缘轮廓。在所述硅化物保护层光刻后，则进行硅化物保护层刻蚀步骤。在所述硅化物保护层刻蚀步骤后，则进行硅化物保护层去胶步骤。刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将其除去，称为去胶，分为湿法去胶和干法去胶，其中湿法去胶又分有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂而除去；无机溶剂去胶则是利用光刻胶本身也是有机物的特点，通过一些无机溶剂，将光刻胶中的碳元素氧化为二氧化碳而将其除去；干法去胶，则是用等离子体将光刻胶剥除。在本发明中的去胶步骤，包括第一步、进行10分钟稀释的氢氟酸酸洗；第二步、再进行10分钟硫酸和10分钟氨水双氧水。通过这种方法可以把光阻彻底去除干净，降低晶圆报废率。
尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。
权利要求
1.一种硅化物保护层去胶方法，其特征在于，包括以下步骤 第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗；第二步、进行硫酸和氨水双氧水。
2.根据权利要求1所述的去胶方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸酸洗步骤需进行 10分钟。
3.根据权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述硫酸和氨水双氧水步骤各需进行10分钟。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的去胶方法，其特征在于，在第一步之前，需要先进行以下步骤首先、对硅化物保护层进行光刻； 其次、对硅化物保护层进行刻蚀。
全文摘要
本发明提供了一种硅化物保护层去胶方法，其特征在于，包括以下步骤第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗；第二步、进行硫酸和氨水双氧水。与现有技术相比，本发明的有益效果是彻底的去处光阻，没有光阻残留，保证晶圆质量。
文档编号G03F7/42GK102540775SQ201010605270
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月27日 优先权日2010年12月27日
发明者朱旋, 李健, 杨兆宇, 石磊, 肖玉洁 申请人:无锡华润上华科技有限公司