专利名称：一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)技术领域,尤其涉及一种场扫描的方法和像素 结构、阵列基板和显示装置。
背景技术：
薄膜场效应晶体管液晶显不器(TFT-LCD,ThinFilm Transistor LiquidCrystalDisplay)是现今最流行的平板显示技术，其像素基本结构如图I所示，包括栅电极线(图中G1、G2所示，Gl表示第一行像素对应的栅电极线，G2表示第二行像素对应的栅电极线)、信号线H、三极管电路11、像素电极12和公共电极13。该像素结构的工作方式为行扫描方式，即某一时刻只能对一行像素进行扫描充电。以图I所示的像素结构为例，在第一时刻，栅电极线Gl输入高电压，对应Gl这一行的像素的三极管电路11的栅极打开，信号线H通过三极管电路11向像素电极12输入信号电压；像素电极12上的信号电压与公共电极13上的公共电压形成像素电场，控制该行像素上的液晶分子偏转，从而实现显示。在第二时刻，栅电极线Gl输入低电压，对应Gl这一行的像素的三极管电路11的栅极关闭；同时栅电极线G2输入高电压，对应G2这一行的像素的三极管电路11的栅极打开，信号线H通过三极管电路11向像素电极12输入信号电压，对应G2这一行的像素进行充电。按照上述的行扫描方式，各行像素依次进行扫描充电。然而，这种行扫描方式在诸多应用领域都暴露了其缺点。以快门眼镜式的3D显示为例，其显示方式如图2所示，在时刻一，左眼眼镜打开，显示器上显示左眼画面；在时刻二，右眼眼镜打开，显示器上显示右眼画面。但是，由于IXD是行扫描方式，因此当时刻一结束，显示器上要从左眼画面切换为右眼画面时，将会长时间左右眼画面同时存在，造成串扰。图2中，从时刻一的左眼画面到时刻二的右眼画面，其中间过程中的长时间左右眼画面同时存在，此即为串扰，而为降低串扰的发生对用户体验的影响，需要在串扰发生时关闭左眼眼镜和右眼眼镜，这样又会降低显示的亮度。而且现有的行扫描方式已经成为造成立体显示串扰大、亮度低的最主要原因之一。另外，在裸眼式3D显示、偏光眼镜式3D显示中，都希望能有一幅画面整体同时出现在显示器上的场扫描方式，然而，现有技术还无法提供满足上述需求的场扫描方式。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置，以解决现有的场扫描方式造成立体显示串扰大、亮度低的问题。为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的本发明提供了一种场扫描的方法，该方法包括将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极；通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电；当一帧画面扫描完成时，所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。 所述通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电，具体为 所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连，所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连，且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线；在第一时刻，与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电；在第二时刻，与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第二行的充电像素电极相对应的 第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电；依次类推，直到各行的充电像素电极都充电完毕。所述当一帧画面扫描完成时，充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电，具体为当一帧画面扫描完成时，所述第二栅电极线输入高电位，所述第二三极管电路的栅极打开，所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。所述信号线输入的信号电压满足以下条件
T71 (C'+C)(Vpl - Vcom) - C(VpO - Vcom) T7Vl = ------—-L + Vcom
C其中，C表示显示像素电极的电容，C'表示充电像素电极的电容，Vl表示信号线输入的信号电压；VpO表示充电像素电极对显示像素电极前，显示像素电极的电压；Vpl表示充电像素电极对显示像素电极后，显示像素电极的电压；VCOm表示公共电压。该方法进一步包括在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后，所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场，控制对应像素上的液晶分子偏转，实现显示。本发明还提供了一种场扫描的像素结构，包括栅电极线、信号线、三极管电路、充电像素电极和显示像素电极，其中，所述栅电极线，用于为三极管电路输入高低电位；所述信号线，用于为三极管电路输入信号电压；所述栅电极线、信号线和三极管电路通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电；所述充电像素电极，用于在一帧画面扫描完成时，分别为各自对应的显示像素电极进行充电；所述显示像素电极分别与各自对应的充电像素电极相连，用于接受所述充电像素电极的充电。所述栅电极线包括第一栅电极线和第二栅电极线，所述三极管电路包括第一三极管电路和第二三极管电路，所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连，所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连，且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线；与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线，用于在第一时刻输入高电位，相应的，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电；与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线，用于在第二时刻输入高电位，相应的，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低 电位，与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电； 依次类推，直到各行的充电像素电极都充电完毕。所述第二栅电极线进一步用于，在一帧画面扫描完成时输入高电位，相应的，所述第二三极管电路的栅极打开，所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。所述信号线输入的信号电压满足以下条件
权利要求
1.一种场扫描的方法,其特征在于,该方法包括 将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极； 通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电； 当一帧画面扫描完成时，所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。
2.根据权利要求I所述场扫描的方法，其特征在于，所述通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电，具体为 所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连，所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连，且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线； 在第一时刻，与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电； 在第二时刻，与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线输入高电位，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充电； 依次类推，直到各行的充电像素电极都充电完毕。
3.根据权利要求2所述场扫描的方法，其特征在于，所述当一帧画面扫描完成时，充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电，具体为 当一帧画面扫描完成时，所述第二栅电极线输入高电位，所述第二三极管电路的栅极打开，所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。
4.根据权利要求2或3所述场扫描的方法，其特征在于，所述信号线输入的信号电压满足以下条件
5.根据权利要求1、2或3所述场扫描的方法，其特征在于，该方法进一步包括 在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后，所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场，控制对应像素上的液晶分子偏转，实现显示。
6.一种场扫描的像素结构，其特征在于，包括栅电极线、信号线、三极管电路、充电像素电极和显示像素电极，其中， 所述栅电极线，用于为三极管电路输入高低电位； 所述信号线，用于为三极管电路输入信号电压； 所述栅电极线、信号线和三极管电路通过逐行扫描的方式为各个所述充电像素电极进行充电； 所述充电像素电极，用于在一帧画面扫描完成时，分别为各自对应的显示像素电极进行充电；所述显示像素电极分别与各自对应的充电像素电极相连，用于接受所述充电像素电极的充电。
7.根据权利要求6所述场扫描的像素结构，其特征在于，所述栅电极线包括第一栅电极线和第二栅电极线，所述三极管电路包括第一三极管电路和第二三极管电路，所述充电像素电极通过第一三极管电路与信号线和第一栅电极线相连，所述充电像素电极和显示像素电极通过第二三极管电路相连，且所述第二三极管电路的栅极连接第二栅电极线； 与第一行的充电像素电极相对应的第一栅电极线，用于在第一时刻输入高电位，相应的，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第一行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第一行的充电像素电极充电； 与第二行的充电像素电极相对应的第一栅电极线，用于在第二时刻输入高电位，相应的，其他第一栅电极线输入低电位，第二栅电极线输入低电位，与第二行的充电像素电极相对应的第一三极管电路的栅极打开，所述信号线输入信号电压对第二行的充电像素电极充 电； 依次类推，直到各行的充电像素电极都充电完毕。
8.根据权利要求7所述场扫描的像素结构，其特征在于，所述第二栅电极线进一步用于，在一巾贞画面扫描完成时输入高电位， 相应的，所述第二三极管电路的栅极打开，所述充电像素电极通过所述第二三极管电路为各自对应的显示像素电极进行充电。
9.根据权利要求7或8所述场扫描的像素结构，其特征在于，所述信号线输入的信号电压满足以下条件
10.根据权利要求6、7或8所述场扫描的像素结构，其特征在于，在所述充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电后，所述显示像素电极上的信号电压与公共电压形成像素电场，控制对应像素上的液晶分子偏转，实现显示。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求6 10所述的场扫描的像素结构。
12.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。
全文摘要
本发明公开了一种场扫描的方法和像素结构、阵列基板和显示装置，方法包括将每个像素电极划分为充电像素电极和显示像素电极；通过逐行扫描的方式为各个充电像素电极进行充电；当一帧画面扫描完成时，充电像素电极分别为各自对应的显示像素电极进行充电。通过本发明，实现了场扫描，从而可以提高行扫描方式下立体显示的亮度、减少行扫描方式下立体显示中串扰的发生。
文档编号G02F1/133GK102736290SQ20111009383
公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月14日 优先权日2011年4月14日
发明者武延兵 申请人:京东方科技集团股份有限公司