专利名称：用于装载衬底的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及可以与光刻术一起使用的方法和设备。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。在形成集成电路(或其他器件)时，需要在衬底上设置多层图案，这些图案组合起来形成集成电路的功能元件。所述图案必须彼此精确地对准，以便确保它们正确地组合在一起并由此形成功能元件。如果这些图案没有足够精确地对准，则功能元件将不会正确地形成，并且将不会工作。连续的图案通过光刻设备相对于彼此对准的精确度通常称为光刻设备的重叠。为了在将图案投影到衬底上时实现期望的重叠，在图案的投影之前测量衬底上目标部分的位置。这个过程通常被称为对准。在某些情况下，使用与每个目标部分相关联的对准标记独立地测量每个目标部分的位置。这有时被称为局部对准。在其他情况下，测量围绕衬底分布的若干个对准标记的位置，并基于这些测量结果计算目标部分的位置。这有时被称为全局对准。
发明内容
如果衬底已经变形，则实现对准的精确度可能降低，因而引起光刻设备的重叠的恶化。在使用全局对准时尤其要注意由于衬底变形引起的重叠的这种恶化。期望提供减小衬底变形的设备和方法。根据本发明第一方面，提供一种方法，包括将衬底装载到衬底台上然后移动衬底台使得，在衬底的参照系中衬底台以至少为重力加速度的10%的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。根据本发明的第二方面，提供一种设备，包括衬底台和定位装置，所述定位装置配置成移动衬底台，使得在衬底的参照系中，衬底台以至少为重力加速度的10 %的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。
下面将仅以示例的方式、参考所附示意图描述本发明的不同方面的实施例，其中相应的附图标记表示相应的部件，其中图I示意地示出根据本发明一个实施例的光刻设备；图2是光刻设备的更详细的示意图，其包括LPP源收集器模块SO ;和图3是光刻设备的定位装置和衬底台与衬底一起的放大的示意图。
具体实施例方式图I示意地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备100。所述设备包括照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B (例如EUV辐射)。 支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。投影系统，与照射系统类似，可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可能希望将真空环境用于EUV辐射，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此可以借助真空壁和真空泵在整个束路径上提供真空环境。如这里所述，所述设备是反射类型(例如采用反射式掩模)。然而，在替代的实施例中，所述设备可以是透射型的(例如包括透射式掩模和透射式光学装置)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外辐射束(EUV)。用于产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转化为等离子体状态，其具有至少一种元素，例如氙、锂或锡，其具有在EUV范围内的一个或更多个发射线。在一个这种通常所称的激光产生的等离子体(“LPP”)的方法中，所需的等离子体可以通过使用激光束照射燃料(例如具有所需发射线元素的材料的液滴、流或团簇)来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，该EUV辐射系统包括图I中未示出的激光器用以提供用于激发燃料的激光束。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用在源收集器模块中设置的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO2激光器被用于提供激光束用于燃料激发时)。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置(或称为多小面反射镜装置和多小面光瞳反射镜装置)。照射器可以用以调节辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)ΜΤ上的所述图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在从图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ反射后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW(下文称为衬底台定位装置)和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PSl用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。所示的设备可以用于下列模式中的至少一种I.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。图2更详细地示出设备100，包括源收集器模块S0、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得在源收集器模块SO的包封结构220内可以保持真空环境。激光器LA布置成将激光能量经由激光束205沉积到燃料中，由此产生具有几十电子伏特的电子温度的高离子化的等离子体210，该燃料是例如由燃料供给装置200提供的氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)。在这些离子的去激发和再复合期间产生的高能辐射从等离子体发射，通过近正入射收集器光学元件CO收集并聚焦。通过收集器光学元件CO反射的辐射被聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常被称为中 间焦点，并且源收集器模块SO布置成使得中间焦点IF位于包封结构220内的开口 221处或其附近。虚源点IF是用于发射辐射的等离子体210的像。随后，辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望的角分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性的琢面光瞳反射镜装置24和琢面场反射镜装置22。经过辐射束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处的反射，形成图案化的束26并且图案化的束26通过投影系统PS经由反射元件28、30被成像到由衬底台WT保持的衬底W上。通常在照射系统IL和投影系统PS内可以存在比示出的元件更多的元件。此外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在投影系统PS内可以存在比图2中示出的多1-6个附加的反射元件。在使用时，提供到图案形成装置MA上的图案通过投影系统PS被投影到衬底W的目标部分C上。一旦衬底W被图案化，则衬底台定位装置PW将衬底台WT移动至光刻设备的衬底装载装置(未示出)，衬底装载装置将衬底W从衬底台移走并用其他衬底替换。随后衬底台定位装置PW将衬底台WT返回至其位于投影系统PS下面的位置。图案形成装置MA上的图案随后通过投影系统PS被投影到衬底W的目标部分C上。在某些情况下，当衬底被装载到衬底台WT上时，衬底可能会变形。衬底W的这种变形可以例如是由于通过衬底装载装置将衬底装载到衬底台WT上的方式的结果。例如，如果在真空中将衬底W装载到衬底台WT上，则衬底和衬底台之间通常由于存在空气而产生的正常的润滑不会发生。基于此，在EUV光刻设备中比在DUV光刻设备中衬底的变形可能将更加显著。衬底W的变形是不期望的，因为这可能会降低通过光刻设备将图案投影到衬底上的精确度。例如，衬底的变形可以损害光刻设备的重叠(即，投影到衬底上的图案与已经提供到衬底上的图案对准的精确度)。由于衬底变形带来的重叠的恶化在使用全局对准时可能尤其显著(即，当对准包括测量在衬底上散布的多个对准标记的位置并基于这些测量结果计算目标部分的位置)。图3示出衬底W、衬底台WT以及衬底台定位装置PW，图中包括衬底和衬底保持装置的一部分的放大视图。如放大视图可以看到，衬底W置于突起10上，所述突起10从衬底台WT的表面延伸。突起10通常也称为突节。突节10可以例如具有在IOym至Imm之间的高度。突节10支撑衬底W，同时允许衬底底表面上的碎片颗粒离开衬底并处在突节之间。
如上进一步提到的，在将衬底装载到衬底台WT上时发生的衬底W的变形可以降低将图案投影到衬底上的精确度。在突节10和衬底W的底表面之间产生摩擦，并且该摩擦阻止衬底相对于突节移动。如果衬底能够相对于突节自由地移动，则当将衬底装载到衬底台WT上时在衬底中发生的变形将经由衬底内的应力均衡而消除。然而，衬底W和突节10之间的摩擦阻止上述过程的发生，因而衬底的变形仍然存在。在一个实施例中，衬底台WT经历向下的加速，这形成衬底的一个自由落体的时间段。在衬底台WT的参照系中，当这个过程完成时衬底W不再有任何重量。因而衬底台WT不施加任何反作用力到衬底W上。在简化的示例中，假定衬底和衬底台之间不存在范德华力。突节10和衬底W之间的摩擦源自衬底的重量和由衬底台WT施加的相关的反作用力。因此，当在衬底台WT的参照系内衬底W的重量减小为零时不再有摩擦力。因为衬底W和衬底台WT之间没有摩擦力，因而衬底能够相对于突节移动并且衬底的变形可以经由衬底内的应力均衡而消除。衬底台WT的向下加速度可以等于或大于由于重力带来的加速度。衬底台WT的向 下加速度可以例如是重力加速度的两倍或更大。衬底台定位装置PW可以包括马达，其配置成以期望的向下加速度移动定位装置。换句话说，衬底台例如沿基本上垂直于衬底W的面对表面(即，底表面)的方向加速离开衬
。在一个实施例中，衬底台WT经历向下的加速，其没有为衬底W形成自由落体的时间段，但是其减小了衬底和衬底台之间的摩擦。例如，衬底台WT的向下加速度可以是重力加速度的50%。在衬底台WT的参照系中，当这个过程实现时衬底W具有其正常重量的50%。因而衬底台WT在衬底W上施加50%的正常反作用力。突节10和衬底W之间的摩擦因而被减小。因为衬底W和衬底台WT之间的摩擦减小，所以衬底能够更容易相对于突节移动，由此允许衬底的变形被更多地消除(与衬底台没有移动的情形对比)。衬底台WT的向下加速度可以例如是重力加速度的10%或更大，可以例如是重力加速度的50%或更大，可以例如是重力加速度的70%或更大，以及可以例如是重力加速度的90%或更大。通常，衬底的较大的向下加速度将允许变形更充分地从衬底消除。然而，其情形可能是相对小的向下加速度，例如是重力加速度的10%，将导致变形从衬底有用地消除。范德华力可以作用在衬底W和突节10之间，即使在衬底不再有任何重量并且衬底台WT没有施加任何反作用力到衬底W上时其也能防止衬底W的弛豫(relaxation)。这是因为范德华力在衬底和突节之间引起摩擦。通过提供足以在衬底W和突节10之间引入间隙的衬底台WT的向下的加速度可以暂时消除范德华力。引入间隙将减小或消除范德华力，由此允许衬底相对于突节移动。向下的加速度可以例如大于重力加速度，可以例如大于重力加速度的两倍，可以例如大于重力加速度的三倍。向下加速度可以例如达到重力加速度的10倍。在一个实施例中，向下的加速度可以从静止位置开始。衬底台WT的向下加速度可以经历一段时间，其足以允许变形从衬底至少部分地消除。所述时间由衬底的性质得来，并且在硅晶片的情况下可以例如在I-IOms范围内。在一个实施例中，向下的加速度可以等于重力加速度，并且衬底台可以从静止位置开始。在这种情况下，衬底台所行进的距离可以例如在50-500 μ m范围内。衬底台WT的向下加速度可以例如并入衬底台的向下和向上的移动中(例如从开始位置至最上位置，然后向下至停止位置)。在这种情况下，在衬底W的参照系中可以发生衬底台WT的向下加速，即使衬底台WT向上移动(在光刻设备的参照系中)也是如此。衬底台WT的向下加速可以重复多次。这可以允许衬底的变形消除得更多(与仅执行一次衬底台WT的向下移动的情形对比)。向下加速度可以形成衬底台WT的循环移动的一部分(例如，从开始位置至最下位置，然后回到开始位置)。该循环移动可以例如是振动。该振动可以以小的振幅开始，振幅逐渐增大，然后减小振幅直到移动停止。例如可以通过形成衬底台定位装置PW的一部分的马达施加振动。当对衬底台WT施加振动时，在衬底W的参照系中可以发生衬底台WT的向下加速度，即使衬底台WT向上移动(在光刻设备的参照系中)也是如此。当对衬底台WT施加振动时，衬底台移动的距离将依赖于振动的频率。例如，如果以50Hz振动施加等于重力加速度(称为Ig)的加速度，则衬底台移动的距离将在300 μ m附 近。如果以IOOHz振动施加Ig的加速度，则衬底台移动的距离仅为大约80 μ m。可以以任何合适的频率施加振动。所述频率可以例如等于或大于50Hz，并可以例如等于或大于100Hz。本发明的实施例可以被看作具有共同之处，即在衬底的参照系中衬底台向下加速(远离衬底)。衬底台定位装置PW可以配置成以上述方式移动衬底台WT。衬底台定位装置PW可以通过连接至衬底台定位装置PW的控制器CT控制。控制器可以配置成发送控制信号至衬底台定位装置PW，其引起衬底台定位装置如上述那样移动。一旦衬底的变形已经消除，则衬底可以被夹持至衬底台WT。密封12位于衬底台WT上并在衬底W被装载到衬底台上时与衬底W接触。所述密封位于衬底W的外周界附近。可以使用泵(未示出)从衬底W和衬底台WT之间的空间抽吸气体，由此在衬底W和衬底台之间建立真空。密封12阻止气体流入衬底和衬底台之间的空间，并由此防止破坏真空。在衬底W和衬底台WT之间建立的真空将衬底W拉向衬底台WT，由此将衬底夹持至衬底台。在替换的实施例(未示出)中，使用静电吸引力将衬底W夹持至衬底台WT而不是使用真空。在一个实施例中，在衬底台向下加速期间衬底W的一部分可以被夹持至衬底台WT。这可以通过例如在衬底台的向下加速期间衬底在衬底台上横向移动或衬底在衬底台上旋转来实现。将衬底的一部分局部地夹持至衬底台可以消除或减少这种移动。可以例如使用局部施加的静电吸引力、局部施加的真空或任何其他合适的局部夹持设备实现以这种方式将衬底W的一部分局部地夹持至衬底台WT。在一个实施例中，在衬底台的向下加速期间可以在两个位置处将衬底W局部地夹持至衬底台WT。随后可以在衬底台的随后的向下加速期间在两个不同的位置处将衬底W局部地夹持至衬底台WT。对于衬底台WT的多次向下加速，可以以这种方式更换局部地夹持衬底W的位置，每次更换允许在未夹持的位置处消除衬底的变形。在一个实施例中，代替使用静电夹持或真空将衬底W的一部分局部地夹持至衬底台WT，可以通过以较慢的加速度向下移动衬底台的一部分将衬底的一部分固定至衬底台。例如，衬底台WT的一侧可以以为重力加速度的90%的加速度(这里称为O. 9g)向下移动，衬底台的其余部分可以以为重力加速度的110%的加速度(此处称为I. Ig)向下移动。这将引起当衬底台向下移动时衬底台WT倾斜。以O. 9g的加速度向下移动的衬底W的该部分将比衬底的其余部分被更稳固地保持在衬底台WT，并且因此提供对衬底横向移动或旋转的一些阻力。在本发明的上述实施例中，术语“衬底的参照系”可以理解为具有物理学上的常规意义。在本发明的情形中，这可以被解释为表示相对于衬底的任何移动限定衬底台的移动。作为示例性的示例，如果衬底向上移动并且衬底台以相同的速度向上移动，则衬底台在衬底的参照系中是静止的。在另一示例中，如果衬底以速度Vs向上移动并且衬底台以更慢的速度Vst向上移动，则衬底台在衬底的参照系中向下移动。虽然已经结合配置成使用EUV辐射的光刻设备描述了本发明的实施例，但是本发明可以例如用于配置成使用DUV辐射的光刻设备中。虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)，但是应该理解到，这里所述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平 板显示器、液晶显示器(IXDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层1C，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。虽然上面详述了本发明的实施例在光刻设备的应用，应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定在衬底上形成的图案。通过应用电磁辐射、热、压力或其组合，固化抗蚀剂，图案形成装置的拓扑可以被印刷到提供至衬底的抗蚀剂的层中。在抗蚀剂固化之后从抗蚀剂移开图案形成装置，在抗蚀剂中留下图案。虽然已经在光刻设备情形中描述了本发明的实施例，但是本发明可以用于其他情形。在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件的任一个或其组合，包括折射型、反射型、磁性的、电磁的以及静电型光学部件。虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该清楚，本发明可以以上述不同的方式处理。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的一个或更多个计算机程序的形式，或具有存储其中的所述一个或更多个计算机程序的一个或更多个数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。上面的本说明书是为了说明，而不是为了限制。本领域技术人员应该清楚，在不脱离权利要求的范围的情况下可以对本发明进行修改。
权利要求
1.一种方法，包括将衬底装载到衬底台上，然后移动衬底台，使得在衬底的参照系中衬底台以至少为重力加速度的10%的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形能够至少部分地从衬底消除。
2.如权利要求I所述的方法，其中所述加速度是重力加速度的至少50%。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述加速度等于或大于重力加速度。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述加速度为重力加速度的两倍或更大。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在衬底台的向下移动期间衬底没有被夹持至衬底台。
6.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中在衬底台的向下移动期间衬底的一部分被夹持至衬底台。
7.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中在衬底台的向下移动期间通过以较慢的加速度向下移动衬底台的一部分将衬底的一部分固定至衬底台。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述方法还包括随后将衬底夹持至衬底台。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在光刻设备中执行所述方法。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述方法还包括使用光刻设备的投影系统将图案投影到衬底上。
11.一种设备，包括衬底台和定位装置，所述衬底台配置成支撑衬底，所述定位装置配置成移动衬底台，使得在衬底的参照系中，衬底台以至少为重力加速度的10 %的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形能够至少部分地从衬底消除。
12.如权利要求11所述的设备，其中定位装置配置成以至少为重力加速度的50%的加速度向下移动衬底台。
13.如权利要求12所述的设备，其中定位装置配置成以等于或大于重力加速度的加速度向下移动衬底台。
14.如权利要求13所述的设备，其中定位装置配置成以等于重力加速度的两倍或更大的加速度向下移动衬底台。
15.如权利要求11至14中任一项所述的设备，其中所述设备形成光刻设备的一部分。
16.如权利要求15所述的设备,其中光刻设备包括 照射系统，配置成调节辐射束； 支撑结构，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束； 所述衬底台；和 投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
全文摘要
一种方法和设备，用于将衬底(W)装载到衬底台(WT)上然后移动衬底台使得，在衬底的参照系中，衬底台以至少为重力加速度的10％的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。
文档编号G03F7/20GK102859443SQ201180020231
公开日2013年1月2日 申请日期2011年2月21日 优先权日2010年4月23日
发明者A·索斯奥德特 申请人:Asml荷兰有限公司