专利名称：显示装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种包括封装于各面板基板间的显示部件和驱动部件的显示装置。
背景技术：
在液晶显示装置或诸如有机电致发光(以下称作EL)显示装置等视频显示装置中，当湿气侵入显示面板中时，液晶层和有机EL层的特性劣化，或者在布线层等中发生腐蚀。因此，显示装置包括将显示面板的周围以密封材料等接合并密封的结构。关于这种显 示面板的密封结构，已有人提出了各种提议(JP-A-2005-78946和JP-A-1-239528)。例如，JP-A-2005-78946和JP-A-1-239528提出了一种以密封材料密封显示面板周围的方法，该显示面板包括这样的结构，其中，电极、发光层等层叠于设有用于驱动周边电路和像素的薄I吴晶体管(TFT)的基板上。
发明内容
在上述显示装置中，在显示区域(有效显示区)及所述显示区域的周边区域(边框区)中，设有TFT以作为像素和周边电路的驱动部件。然而，JP-A-2005-78946中公开的方法采用了这样的密封结构，其中，所述TFT设在由无机绝缘膜制成的平坦化膜上，且在TFT的更外侧的周围设有密封材料。为使密封结构具有足够的密封性能，必需确保密封材料的宽度达到某种程度。因此，在TFT外侧设有密封材料的密封结构中，难以减小面板的边框览度。因此，期望提供一种可在不降低密封性能的情况下减小边框宽度的显示装置和一种电子设备。本发明的一个实施方式旨在提供一种显示装置，该装置包括像素部，其设置于一对基板之间且包括多个像素；一个或多个有源部件，其在所述一对基板的一个基板上设置于所述像素部周围的边框区中；绝缘膜，其在所述一个基板上设置于边框区中以覆盖所述一个或多个有源部件；以及封止层，其设置为在所述边框区中密封所述像素部且覆盖所述绝缘膜的端缘部。在本实施方式的显示装置中，所述绝缘膜在所述一对基板之间设置为覆盖布置于所述像素部的边框区中的所述一个或多个有源部件。所述封止层设置为在所述边框区中密封所述像素部且覆盖所述绝缘膜的端缘部。因此，可抑制湿气等侵入有源部件和像素部中，同时减小边框区中的空间。本发明的另一实施方式旨在提供一种包括所述实施方式的显示装置的电子设备。通过本实施方式的显示装置，所述绝缘膜在所述一对基板之间设置为覆盖布置在所述像素部的边框区中的所述一个或多个有源部件。所述封止层设置为在所述边框区中密封所述像素部且覆盖所述绝缘膜的端缘部。因此，可在不降低密封性能的情况下，减小边框的宽度。
图I为表示本发明的第一实施方式的液晶显示装置(液晶显示面板)的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图2为表示图I所示的液晶显示装置中的周边电路的例子的功能框图；图3A 3D为说明比较例I、比较例2及第一实施方式的液晶显示装置的边框面积的截面图；图4为表示本发明的第二实施方式的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图； 图5为表示变型例I的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图6为表示本发明的第三实施方式的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图7为表示变型例2的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图8为表示变型例3的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图9为表示变型例4的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图10为表示变型例5的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图11为表示变型例6的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图12为表示变型例7的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图13为表示变型例8的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图14为表示变型例9的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图15为表示变型例10的液晶显示装置的像素部和边框部之间的边界附近的示意性配置的截面图；图16为表示包括上述各实施方式等的显示装置的模块的示意性配置的平面图；图17为表示应用示例I的外观的立体图；图18A为表示从正面所见的应用示例2的外观的立体图；图18B为表示从背面所见的应用示例2的外观的立体图；图19为表示应用示例3的外观的立体图20为表示应用示例4的外观的立体图；图21A为表示开启状态下的应用示例5的正视图；图21B为表示开启状态下的应用示例5的侧视图；图21C为表示闭合状态下的应用示例5的正视图；图2ID为表示闭合状态下的应用示例5的左侧视图；图21E为表示闭合状态下的应用示例5的右侧视图；图21F为表示闭合状态下的应用示例5的俯视图；并且图2IG为表示闭合状态下的应用示例5的仰视图。
具体实施例方式下面，参照附图，详述本发明的示例性实施方式。以下列顺序进行说明。I.第一实施方式(包括下述的密封结构的液晶显示装置的例子在所述密封结构中，密封层的端缘部设置于比覆盖TFT(由低温多晶硅制成的底栅结构)的平坦化膜的端缘部更靠外的一侧)2.第二实施方式(在密封层和平坦化膜之间设有保护膜的例子)3.变型例I (在密封层和平坦化膜之间设有保护膜的另一例子)4.第三实施方式(根据FFS模式进行显示驱动的液晶显示装置的例子)5.变型例2(在FFS模式的液晶显不装置中，在同一工艺中对设置于一对电极之间的绝缘膜和保护膜进行图形化的例子)6.变型例3 (将设于一对电极之间的绝缘膜形成为延伸至边框并且将该绝缘膜用作FFS模式的液晶显示装置的保护膜的例子)7.变型例4 (在TFT (底栅结构)上设有电极保护膜的例子)8.变型例5(设有顶栅结构的晶体管以作为TFT的例子)9.变型例6(在TFT(顶栅结构)上设有电极保护膜的例子)10.变型例7 (用非晶硅作为TFT的例子)11.变型例8 (在边框区中的平坦化膜中设有凹部的例子)12.变型例9 (设有凹部的另一例子)13.变型例10 (密封层覆盖对向基板侧的平坦化膜的端缘部的例子)14.应用示例(电子设备的应用示例)<第一实施方式>[液晶显示装置IA的配置例]图I为本发明的第一实施方式的液晶显示装置IA的截面结构(在像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)图。在液晶显示装置IA中，像素部IOA被密封在显示面板中的一对基板(驱动侧基板10和对向基板18)之间。在像素部IOA中，例如，以矩阵状布置有多个像素(例如，R(红)、G(绿)、B(蓝)子像素)。虽然图I未图示，但在驱动侧基板10下方设有背光源。在驱动侧基板10的光入射侧和对向基板18的光出射侧分别接合有偏光板(同样适用于其它实施方式)。液晶显示装置IA包括这样的结构，其中，在像素部IOA周围的边框区IOB中，通过密封层19(封止层)以接合且密封像素部10A。在本实施方式中，说明根据所谓的纵向电场模式进行显示驱动的液晶显示装置。
在液晶显示装置IA中，在驱动侧基板10上，从像素部IOA至边框区IOB设有多个TFT 11、布线层(信号线、扫描线等)、存储电容部件(未图示)等。设有平坦化膜13以覆盖TFT 11等。在像素部IOA中，在平坦化膜13上设有多个像素电极14A。每个像素电极14A经由设于平坦化膜13中的接触孔而电连接至下层中的TFT 11。在对向基板18的一个表面侧设有滤色器17A和遮光层17B。滤色器17A和遮光层17B由平坦化膜16覆盖。在平坦化膜16上设有对向电极14B。在驱动侧基板10和对向基板18之间保持有液晶层15。经由像素电极14A和对向电极14B而对液晶层15提供电压。在像素电极14A和对向电极14B的液晶层15侧的表面上分别形成有未图示的取向膜。驱动侧基板10例如由玻璃基板制成。在驱动侧基板10上，设有上述像素部10A。在像素部IOA周围的边框区IOB中，设有用于对像素部IOA进行显示驱动的周边电路(例如，后述的信号线驱动电路61、扫描线驱动电路62、背光驱动单元63以及时序控制单元64)。TFT 11例如为底栅型(反向交错型)薄膜晶体管。具体来说，在TFT 11中，在驱 动侧基板10上设有栅极121。在栅极121上，隔着层间绝缘膜123a(栅极绝缘膜)设有半导体层122。在半导体层122上，层叠有层间绝缘膜123b。设有源极/漏极124以填充层间绝缘膜123b中形成的接触孔。栅极121根据施加于晶体管的栅极电压(Vg)而控制半导体层122中的载流子密度，并具有用于施加电位的布线的功能。栅极121为由包括例如钥(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)和铜(Cu)中的一种的单质或合金制成的单层膜，或者为包括这些物质中的两种以上的层叠膜。或者，栅极121可由诸如ITO(铟锡氧化物)、ΑΖ0(掺铝氧化锌)或GZO(掺镓氧化锌)等透明导电膜制成。层间绝缘膜123a、123b为例如由氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)中的一种制成的单层膜，或者为由这些膜中的两种以上制成的层叠膜。半导体层122根据所施加的栅极电压而形成沟道。半导体层122例如由低温多晶硅制成。半导体层122不限于低温多晶硅。可使用非晶硅(后述)或微晶硅。可使用诸如铟镓锌氧化物(IGZ0或InGaZnO)等氧化物半导体。源极/漏极124用作TFT 11的源极或漏极。源极/漏极124电连接至半导体层122的源极区或漏极区。源极/漏极124为含有例如钥、钛、铝、银和铜中的一种的单质或合金，或者含有这些物质中的两种以上的层叠膜。信号线(后述的信号线DTL)电连接至源极/漏极124 (或者源极/漏极124用作信号线)。在本实施方式中，设有平坦化膜13以覆盖所述信号线和TFT11(在平坦化膜13下面的层中设有信号线和TFT 11)。平坦化膜13由诸如聚酰亚胺、酚醛树脂或丙烯酸树脂等具备感光性的有机绝缘膜形成。在驱动侧基板10上，平坦化膜13从像素部IOA形成至边框区10B，并且覆盖设置于像素部IOA和边框区IOB中的TFT 11。换言之，在边框区IOB中，在TFT 11上层叠有平坦化膜13。在本实施方式中，设有密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。密封层19由具粘附性和低透湿性的树脂材料制成，所述树脂材料例如为具备紫外光固化或热固化特性的环氧树脂或丙烯酸树脂。例如，在驱动侧基板10上的边框区IOB上，例如用各种涂敷法以涂敷和形成树脂材料，随后使树脂材料固化，从而形成密封层19。在本实施方式中，在边框区IOB中，密封层19的端缘E2设置于比平坦化膜13的端缘El更靠外的一侧(在像素部IOA的相反侧)。换言之，形成了密封结构以防止由有机绝缘膜制成的平坦化膜13的端缘部13e露出到外部。像素电极14A为用于对每个像素施加对应于各色视频信号的视频电位的电极。为每个像素设有像素电极14A。像素电极14A由ITO等透明导电膜制成。对向电极14B作为各像素的公共电极而设置为与多个像素电极14A相对。例如，通过对向电极14B施加公共电位。液晶层15为这样的部件，其根据经由像素电极14A和对向电极14B所提供的驱动电压而控制穿过液晶层15的光的透射率。液晶层15包括根据纵向电场模式进行显示驱动的液晶，所述纵向电场模式例如VA(垂直取向)模式、TN(扭曲向列)模式或ECB(电控双折射)模式。例如，当用VA模式的液晶作为液晶层15时，例如，使用由聚酰亚胺制成的垂直取向膜作为所述取向膜。平坦化膜16例如由有机绝缘膜制成。平坦化膜16具有用作滤色器17A和遮光层17B的保护膜的功能以及平坦化的功能。然而，平坦化膜16不限于所述有机绝缘膜，也可由 无机绝缘膜制成。滤色器17A和遮光膜17B例如包括感光树脂及诸如颜料或染料的着色材料。作为滤色器17A，例如，为每个像素设有红光滤色器、绿光滤色器、蓝光滤色器之任一个。对向基板18由例如玻璃或塑料等透明基板制成。图中未图不的一对偏光板(偏振器或检偏器)布置为彼此正交尼科尔(crossNichol)的状态。偏光板配置为在未施加电压的状态(OFF状态)下遮挡来自背光源(后述的背光源36)的光，并且在施加电压的状态(0N状态)下透射光。(周边电路)图2为包括含有液晶显示部件的像素(PXL)的像素部IOA以及像素部IOA的周边电路的配置图。如图所示，在驱动侧基板10的像素部IOA中，例如以矩阵状二维地布置有多个像素(PXL)。在像素部IOA周围的边框区IOB中，例如，设有扫描线驱动电路62和信号线驱动电路61。而且，例如，设有时序控制单元64、背光驱动单元63和用于对视频信号实施预定的校正处理的视频信号处理电路。各像素(PXL)连接至扫描线WSL和信号线DTL。时序控制单元64控制扫描线驱动电路62和信号线驱动电路61的驱动时序，并且将输入视频信号Din提供给信号线驱动电路61。扫描线驱动电路62根据时序控制单元64所实施的时序控制而逐行驱动各像素。信号线驱动电路61基于从时序控制单元64提供的视频信号Din而将视频电压提供给各像素。具体来说，信号线驱动电路61对视频信号Din进行D/A (数字/模拟)转换，从而生成模拟视频信号，并将所述模拟视频信号输出给像素。背光源36为向液晶层15发出光的光源。背光源36例如包括多个LED (发光二极管)或CCFL(冷阴极荧光灯)。背光源36由背光驱动单元63驱动，并控制背光源36处于发光状态和消隐状态。(作用和效果)在液晶显示装置IA中，如图2所示，当将外部输入信号(Din)输入时序控制单元64时，扫描线驱动电路62和信号线驱动电路61对像素部IOA中的各像素(PXL)进行显示驱动。具体来说，根据时序控制单元61的控制，扫描线驱动电路62将扫描信号依次提供至与各像素连接的扫描线WSL，并且信号线驱动电路61将基于外部输入信号(Din)的视频信号提供至预定的信号线DTL。因此，选定位于被提供视频信号的信号线DTL和被提供扫描信号的扫描线WSL的交叉点处的像素。对所述像素施加驱动电压。在如上地选定的像素中，经由像素电极14A和对向电极14B而施加驱动电压，从而使液晶层15中的液晶分子的取向状态根据驱动电压的大小而变化。因此，液晶层15中的光学特性发生变化。为每个像素调制从背光源36入射于液晶层15上的光并使之射到对向基板18上。在液晶显示装置IA中，以此方式显示视频。液晶显示装置IA包括在边框区IOB中将像素部IOA的外围密封的结构。在本实施方式中，在边框区IOB中，由密封层19密封像 素部10A。在边框区IOB中，设有TFT 11，并形成平坦化膜13以覆盖TFT 11。在这种配置中，平坦化膜13的端缘部13e覆盖有密封层19 (密封层19的端缘E2设置于比平坦化膜13的端缘El更靠外的一侧)。因此，可在不降低密封性能的情况下，减小边框区IOB的空间。以下，说明其理由。图3A 3D为用于说明由边框区中的布线层(信号线)和密封层的布局引起的密封性能和边框面积的差异的截面示意图。在图3A中，以简化形式表示本实施方式的布局构造。在图3B和图3C中，图示了比较例I的液晶显示装置。在图3D中，图示了比较例2的液晶显示装置。如图3B所示，在比较例I的液晶显示装置中，在基板101上设有由无机绝缘膜制成的平坦化膜102。在平坦化膜102中，嵌入有多个TFT(未图示)(或者，在平坦化膜102下面的层中设有多个TFT)。多个TFT分别电连接至信号线103。在比较例I中，在平坦化膜102上设有信号线103。在比较例I中，密封层106形成为围绕在边框区100B中设有的TFT和信号线103的更外侧(在密封层106下不能形成包括TFT和信号线103的周边电路)。在此情况下，可在边框区100B中形成的密封层106的宽度(以下称作密封宽度)D3可能相对较小，且可能无法获得足够的密封性能。另一方面，如图3C所示，在比较例I的结构中，如果增大密封层106的密封宽度以获得足够的密封性能，则随着密封宽度的增加，边框区100B的面积(宽度)也增大。另一方面，如图3D所示，在比较例2的液晶显示装置中，在基板101上设有分别连接至多个TFT (未图示)的信号线103。形成由有机绝缘膜制成的平坦化膜107以覆盖多个TFT和信号线103。在平坦化膜107上形成有密封层106。在包括这种结构的比较例2中，由于湿气易于从平坦化膜107的端部侵入，故必需确保宽度X等于或大于平坦化膜107的端部的固定宽度以防止腐蚀。因此，边框区趋于变大。另一方面，在本实施方式中，如图3A所不,设有平坦化膜13以覆盖设置于驱动侧基板10上的多个TFT (未图示)以及与所述TFT电连接的信号线llh。密封层19形成为覆盖平坦化膜13的端缘部13e。具体来说，在平坦化膜13下面的层中设有TFT和信号线llh，并且平坦化膜13进一步由密封性能(低透湿性)高的密封层19覆盖。平坦化膜13由比无机绝缘膜更易于使湿气渗入的有机绝缘膜制成。然而，由于面板的最外侧的整个表面由密封层19密封，故即使将TFT和信号线Ilh设置于靠近面板外侧的区域中，电极和布线部也不易被湿气所腐蚀。而且，由于充分确保了密封宽度，故抑制了液晶层15的液晶保持特性的劣化。具体来说，例如，在像素部IOA的周边区域中，可将TFT 11和包括布线层(扫描线、信号线等)的驱动电路(上述扫描线驱动电路62、信号线驱动电路61等)设置在较靠近面板的外缘(有效利用密封层19下面的空间)，并且减小边框区IOB的宽度。以此方式，在液晶显示装置IA中，可在防止湿气侵入的情况下减小边框区IOB的空间。
如上所述，在本实施方式中，在驱动侧基板10和对向基板18之间，设有平坦化膜13以覆盖设置于边框区IOB中的TFT 11，并且设有用于密封像素部IOA的密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。因此，在液晶显示装置IA中，可在抑制由湿气侵入引起的布线层的腐蚀和液晶保持特性的劣化的同时，减小边框区IOB的空间。因此，可在不降低密封性能的情况下减小边框宽度。下面，说明本发明的第二实施方式的液晶显示装置(液晶显示装置1B)。在以下说明中，以相同的附图标记和符号来表示与第一实施方式的液晶显示装置IA的部件相同的部件，并适当地省略了对所述部件的说明。<第二实施方式>图4为液晶显示装置IB的截面结构(像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)的图。在液晶显示装置IB中，如同在第一实施方式的液晶显示装置IA中那样，在显示面板中的驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部10A。类似于液晶显示装 置1A，液晶显示装置IB包括这样的结构，其中，在边框区IOB中，通过封止层20而接合并密封像素部10A。在驱动侧基板10上，从像素部IOA至边框区IOB设有多个TFT 11。设有平坦化膜13以覆盖TFT 11。然而，在本实施方式中，封止层20包括密封层20a和保护膜20b的层叠结构。用于驱动像素部IOA的周边电路的配置与第一实施方式中的配置相同。类似于第一实施方式的密封层19，密封层20a由具粘附性和低透湿性的树脂材料制成，所述树脂材料例如为具备紫外光固化或热固化特性的环氧树脂或丙烯酸树脂。密封层20a的至少一部分设置为重叠在保护膜20b上。保护膜20b由诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜制成。设有保护膜20b以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。保护膜20b最少仅须覆盖平坦化膜13的端缘部13e，而不必覆盖平坦化膜13上的整个表面。在第一实施方式中，密封层19的端缘E2设置于比平坦化膜13的端缘El更靠外的一侧。然而，在本实施方式中，密封层20a的端缘E2设置于比平坦化膜13的端缘El更靠内的一侧。然而，期望密封层20a的端缘E2设置于比保护膜20b的内侧(像素部IOA侧)的端缘部E3更靠外的一侧。换言之，期望平坦化膜13由密封层20a和/或保护膜20b覆
至JHL ο在本实施方式中，如同第一实施方式，设有平坦化膜13以覆盖设置于驱动侧基板10上的边框区IOA中的TFT 11。设有封止层20以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。因为面板的最外侧的整个表面被封止层20以此方式密封，故即使将TFT 11设置于靠近面板外侧的区域中，电极和布线部也不易于被湿气腐蚀。而且，由于可充分确保封止层20(密封层20a)的密封宽度，故抑制了液晶层15中的液晶保持特性的劣化。因此，在本实施方式的液晶显示装置IB中，如同第一实施方式，可在不降低密封性能的情况下，减小边框宽度。在本实施方式中，封止层20包括密封层20a和保护膜20b的层叠结构。保护膜20b覆盖平坦化膜13的端缘部13e。因为由无机树脂膜制成的保护膜20b设置于密封层20a下面的层中，故即使在密封层20a的设定面积发生变化的情况下，仍可抑制湿气侵入平坦化膜13中。因为如上所述地涂敷和形成密封层20a，故密封宽度易于发生变化。然而，SP使发生这种变化，仍可防止平坦化膜13的端缘部13e露出，并确保基本固定的密封性能。简言之，即使如同在本实施方式中将密封层20a的端缘E2设置于比平坦化膜13的端缘El更靠内的一侧(即使密封层20a不覆盖平坦化膜13的端缘部13e)的情况下，仍可抑制湿气侵入平坦化膜13中。<变型例1>或者，如图5所示，在包括保护膜20b的结构中，密封层20a的端缘E2可设置于比平坦化膜13的端缘El更靠外的一侧。通过密封层20a和保护膜20b的层叠结构而进一步提高了密封性能。在上述第二实施方式和变型例I中，在边框区IOB中，设有保护膜20b以仅覆盖平坦化膜13上的一部分。然而，保护膜20b可覆盖平坦化膜13上的边框区IOB中的全部区域。下面，说明本发明的第三实施方式的液晶显示装置(液晶显示装置1C)。在以下说明中，由相同的附图标记和符号来表示与第一实施方式的液晶显示装置IA的部件相同的部件，且适当地省略了对所述部件的说明。<第三实施方式> 图6为液晶显示装置IC的截面结构(像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)的图。在液晶显示装置IC中，如同在第一实施方式的液晶显示装置IA中，在显示面板中的驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部10A。类似于液晶显示装置1A，液晶显示装置IC包括这样的结构，其中，在边框区IOB中，由密封层19接合并密封像素部IOA0在驱动侧基板10上，从像素部IOA至边框区IOB设有多个TFT 11。设有平坦化膜13以覆盖TFT 11。然而，本实施方式的液晶显示装置IC配置为根据横向电场模式(举例说明了 FFS(边缘场切换)模式)而进行显示驱动。用于驱动像素部IOA的周边电路的配置与第一实施方式中的配置相同。在这种液晶显示装置IC中，例如，在平坦化膜13上设有公共电极21A。在公共电极21A上隔着绝缘膜22 (层间绝缘膜)而设有像素电极21B。在像素电极21B上形成有液晶层15A,且液晶层15A被对向基板18密封。如同在第一实施方式中,在对向基板18的液晶层15A侧的表面上，层叠有滤色器17A、遮光层17B和平坦化膜16。液晶层15A为这样的部件，其根据驱动电压而控制穿过该部件的光的透射率。根据上述FFS模式而驱动液晶层15A。不仅可使用FFS模式，还可使用诸如IPS (平面内切换)模式等其它横向电场模式的液晶。然而，在IPS模式的情况下，液晶显示装置IC不必包括绝缘膜22。为每个像素设有像素电极21B，且像素电极21B电连接至TFT 11的源极和漏极。将对应于视频信号的电位提供给像素电极21B。像素电极21B由例如ITO或IZO的透明导电膜制成，且图形化为梳齿状(具有多个狭缝)。通过像素电极21B的狭缝对液晶层15A施加横向电场。公共电极21A由例如ITO或IZO的透明导电膜制成，并且设置为各像素的公共电极。绝缘膜22例如由氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜制成。在本实施方式中，如同在第一实施方式中，设有平坦化膜13以覆盖设置于驱动侧基板10上的边框区IOA中的TFT 11。设有密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。因此，即使将TFT 11设置于靠近面板外侧的区域中，电极和布线部也不易于被湿气腐蚀。而且，因为可充分确保密封宽度，故抑制了液晶层15A中的液晶保持特性的劣化。因此，在本实施方式中的根据FFS模式进行显示驱动的液晶显示装置IC中，如同在第一实施方式中，可在不降低密封性能的情况下，减小边框宽度。〈变型例2>在第三实施方式中，说明了根据横向电场模式(FFS模式)进行显示驱动的液晶显示装置。所述液晶显示装置可采用设有第二实施方式中所述的保护膜(无机绝缘膜)的结构。在图7中图示了该结构的例子。如图所示，设有保护膜22a以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。设有密封层20a以叠加在保护膜22a上。密封层20a的端缘E2设置于比平坦化膜13的端缘El更靠内的一侧。然而，如上所述，密封层20a的端缘E2可设置于比平坦化膜13的端缘El更靠外的一侧。在FFS模式的液晶显示装置中，在像素部IOA中，如上所述，在公共电极21A和像素电极21B之间设有由无机绝缘膜制成的绝缘膜22。因此，可在形成绝缘膜22的工艺中形成保护膜22a。具体来说，在平坦化膜13上的整个表面上方例如通过CVD法而形成上述 无机绝缘膜后，分别在像素部IOA和边框区IOB中，通过以例如光刻法进行蚀刻而使绝缘膜22和保护膜22a共同地图形化。在本变型例中，可通过密封层20a和保护膜22a的层叠结构而获得与第一实施方式及第二实施方式中的效果等同的效果。此外，可在与形成像素部IOA的工艺的一部分相同的工艺中，形成保护膜22a。因此，在不追加再形成保护膜22a的制造工艺的情况下(仅通过改变光掩模的图形)，可形成保护膜22a。〈变型例3>在对变型例2的说明中，在FFS模式的液晶显示装置中，分离地设置保护膜22a和绝缘膜22，且在形成保护膜22a和绝缘膜22时进行图形化。然而，不必使保护膜和绝缘膜分离。具体来说，如图8所示，在像素部IOA中设有的绝缘膜22b可设置为延伸至边框区IOB (具体来说，设置为覆盖平坦化膜13的端缘部13e)。可使对应于边框区IOB的部分用作第二实施方式和变型例2中的保护膜。类似于绝缘膜22，绝缘膜22b由氧化硅等无机绝缘膜制成。在上述变型例2中，在形成绝缘膜22的工艺中，同时图形化形成保护膜22a。然而，在本变型例中，绝缘膜22b仅必须形成于平坦化膜13上的整个表面上方。不必使绝缘膜22b因每个像素部IOA和边框区IOB而分离。因此，可使制造工艺更简化(光掩模图形的简化)。以下，说明在第一实施方式 第三实施方式以及变型例f变型例3中描述的液晶显示装置的其它变型例(变型例Γ变型例10)。如下所述，本发明的实施方式的显示装置不限于上述液晶显示装置，而可采用各种配置。在所有情况下，均可获得与第一实施方式的效果等同的效果。在以下说明中，以第一实施方式中所述的纵向电场模式的液晶显示装置为例进行说明。然而，各变型例也可适用于第三实施方式等中所述的FFS模式或IPS模式的液晶显示装置。〈变型例4>图9为变型例4的液晶显示装置ID的截面结构(在像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)的图。在液晶显示装置ID中，如同在第一实施方式的液晶显示装置IA中，在驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部IOA0在边框区IOB中，由密封层19接合并密封像素部10A。在驱动侧基板10上，在边框区IOB中设有TFT 11。设有平坦化膜13以覆盖TFT 11。形成密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。然而，在本变型例的液晶显示装置ID中，在TFT 11上，具体来说，在层间绝缘膜123b上的整个表面上方，设有电极保护膜23以覆盖源极/漏极124。电极保护膜23例如由氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜制成。在电极保护膜23上设有平坦化膜13。通过设置所述电极保护膜23，可有效抑制湿气侵入TFT 11和布线层中。〈变型例5>图10为变型例5的液晶显示装置IE的截面结构(在像素部IOA和边框区IOB之v 间的边界附近的截面结构)。在液晶显示装置IE中，如同在第一实施方式的液晶显示装置IA中，在驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部IOA0在边框区IOB中，由密封层19接合并密封像素部IOA0在驱动侧基板10上，在边框区IOB中设有TFT IlA0设有平坦化膜13以覆盖TFT IlA0形成密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。然而，在本变型例的液晶显示装置IE中，使用所谓的顶栅型(交错型)薄膜晶体管作为TFT IlA0例如，在驱动侧基板10上设有半导体层122。在半导体层122上隔着层间绝缘膜123a而设置栅极121。设有层间绝缘膜123b以覆盖层间绝缘膜123a和栅极121。在层间绝缘膜123b上，设有源极/漏极124以填充层间绝缘膜123a、123b中设有的接触孔。源极/漏极124电连接至半导体层122。〈变型例6>在包括上述顶栅型TFT IlA的液晶显示装置IE中，如同在液晶显示装置ID中，如图11所示，在TFT IlA上可设有电极保护膜23。〈变型例7>图12为变型例7的液晶显示装置IF的截面结构(在像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)的图。在液晶显示装置IF中，如同在第一实施方式的液晶显示装置IA中，在驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部IOA0在边框区IOB中，由密封层19接合并密封像素部10A。在驱动侧基板10上，在边框区IOB中设有TFT IlB0设有平坦化膜13以覆盖TFT IlB0形成密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e。然而，在本变型例的液晶显示装置IF中，TFT IlB为包括非晶硅的薄膜晶体管。在TFT IlB中，在驱动侧基板10上设有栅极121。在栅极121上，隔着层间绝缘膜123a而形成有半导体层125。在每个半导体层125上，彼此分离地设有一对源极/漏极124。形成平坦化膜13以覆盖这些TFT11B。〈变型例8>图13为变型例8的液晶显示装置IG的截面结构(在像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)的图。在液晶显示装置IG中，如同在第一实施方式的液晶显示装置IA中，在驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部IOA0在边框区IOB中，由密封层19接合并密封像素部10A。在驱动侧基板10上的边框区IOB中，形成密封层19以覆盖平坦化膜13的端缘部13e，所述平坦化膜13用于覆盖TFT 11。然而，在本变型例的液晶显示装置IG中，在边框区IOB中，在平坦化膜13的更外侦牝沿着平坦化膜13的端缘部13e的侧面(以围绕端缘部13e)以距端缘El的预定间隔设有壁部13A。例如，壁部13A由与平坦化膜13的材料同样的材料制成，并且设置有与平坦化膜13的厚度同样的厚度(高度)。通过例如用涂覆法而在基板的整个表面上方形成上述有机绝缘膜(感光树脂)，接着用光刻法对有机绝缘膜进行图形曝光，从而可在形成平坦化膜13的工艺中一同地形成这种壁部13A。通过设置所述壁部13A，在壁部13A和端缘部13e之间填充密封材料。即使在密封宽度发生变化的情况下，也易于覆盖平坦化膜13的端缘部13e。〈变型例9>在上述变型例8中，图示了其中密封层19的端缘E2布置在相比于壁部13A更靠内的一侧的配置。然而，如图14所示，密封层19的端缘E2可设置于相比于壁部13A更靠外的一侧。变型例8和变型例9中的壁部13A可由与平坦化膜13的材料相同的材料制成，或者可由其它材料制成。壁部13A的厚度(高度)不总是设置为与平坦化膜13的厚度相同。〈变型例10>
图15为变型例10的液晶显示装置IH的截面结构(在像素部IOA和边框区IOB之间的边界附近的截面结构)的图。在液晶显示装置IH中，如同第一实施方式的液晶显示装置1A，在驱动侧基板10和对向基板18之间密封有像素部IOA0在边框区IOB中，由密封层19接合并密封像素部10A。在驱动侧基板10上的边框区IOB中，形成密封层19以覆盖用于覆盖TFT 11的平坦化膜13的端缘部13e。然而，在本变型例的液晶显示装置IH中，在边框区IOB中，密封层19形成为还覆盖设置于对向基板18侧的平坦化膜16的端缘部16e。具体来说，平坦化膜16的端缘E4设置于比对向基板18的端缘E5更靠内的一侧。密封层19的端缘E2设置于比平坦化膜16的端缘E4更靠外的一侧。因此，可抑制来自对向基板18侧的湿气侵入液晶层15中。(应用示例)参照图16 21，说明在上述实施方式和变型例中描述的显示装置(液晶显示装置)的应用示例(模块和应用示例广5)。上述实施方式等的显示装置可适用于所有领域中的电子设备，例如，电视装置、数码相机、笔记本型个人计算机、诸如便携电话的便携终端装置以及摄像机。换言之，上述实施方式等的显示装置可适用于所有领域的电子设备，所述电子设备将从外部输入的视频信号或内部生成的视频信号作为图形或视频而显示。(模块)将所述显示装置例如作为图16所示的模块而并入诸如后述的应用示例I飞的各种电子设备中。在所述模块中，例如，在驱动侧基板10的一侧设有从对向基板18露出的区域210。在露出的区域210中，信号线驱动电路61和扫描线驱动电路62的布线延伸以形成外部连接端子(未图示)。可在外部连接端子中设有用于信号的输入和输出的柔性印制线路板(FPC ;柔性印刷电路)220。(应用示例I)图17为应用示例I的电视装置的外观图。所述电视装置例如包括视频显示屏单元300，视频显示屏单元300包括前面板310和滤色玻璃320。视频显示屏单元300相当于上述实施方式等的显示装置。(应用示例2)图18A和图18B为应用示例2的数码相机的外观图。所述数码相机例如包括用于闪光的发光单元410、显示单元420、菜单开关430以及快门按钮440。显示单元420相当于上述实施方式等的显示装置。(应用示例3)图19为应用示例3的笔记本型个人计算机的外观图。笔记本型个人计算机例如包括主体510、用于字符等的输入操作的键盘520以及用于显示图像的显示单元530。显示单元530相当于上述实施方式等的显示装置。(应用示例4)图20为应用示例4的摄像机的外观图。所述摄像机例如包括主体单元610、设置于主体单元610的前侧面上的用于物体摄像的镜头620、摄像时使用的开始/停止开关630以及显示单元640。显示单元640相当于上述实施方式等的显示装置。(应用示例5) 图21A11G为应用示例5的便携电话的外观图。在该便携电话中，例如，通过结合部(铰链部)730而使上部壳体710和下部壳体720结合。所述便携电话包括显示器740、副显示器750、图片灯760以及相机770。显示器740或副显示器750相当于上述实施方式等的显示装置。以上，说明了几个实施方式、变型例和应用示例。然而，本发明的内容不限于所述实施方式等。例如，举例说明了由有机绝缘膜制成的平坦化膜以作为本发明中的绝缘膜。然而，平坦化膜不限于所述有机绝缘膜。可使用例如由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅制成的无机绝缘膜。在上述实施方式等中，说明了薄膜晶体管以作为本发明的有源部件的例子。然而，有源部件不限于此，而仅须为设置于周边电路中的有源部件。有源部件还可适用于例如二极管及其它开关部件。在上述实施方式等中，作为示例说明了液晶显示装置。然而，本发明的显示装置不限于所述液晶显示装置。本发明的显示装置还可适用于有机EL显示装置。在此情况下，如上所述，在像素部IOA的边框区IOB中，设有像素驱动电路(例如，扫描线驱动电路、信号线驱动电路以及电源线驱动电路)并且布置有TFT和布线层(扫描线、信号线和电源线)。在有机EL显示装置中，在驱动侧基板上形成有平坦化膜以覆盖TFT等。在平坦化膜上，依次层叠有与TFT的源极和漏极电连接的阳极、有机EL层和阴极。本发明的显示装置和电子设备可具有以下(I广(17)所述的配置。(I) 一种显示装置，其包括像素部，其设置于一对基板之间且包括多个像素；一个或多个有源部件，其在所述一对基板的一个基板上设置于所述像素部周围的边框区中；绝缘膜，其设置于所述一个基板上的所述边框区中以覆盖所述一个或多个有源部件；以及封止层，其设置为在所述边框区中密封所述像素部且覆盖所述绝缘膜的端缘部。(2)根据(I)所述的显示装置，其中，所述有源部件为薄膜晶体管。(3)根据(2)所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管电连接的布线层由所述绝缘膜覆盖。(4)根据(1) (3)之任一项所述的显示装置，其中，所述绝缘膜为由有机绝缘膜制成的平坦化膜。(5)根据(4)所述的显示装置，其中，所述封止层由用于将所述像素部接合并密封在所述一对基板之间的密封材料制成，并且所述封止层的端缘设置于比所述绝缘膜的端缘更靠外的一侧。(6)根据(3Γ(5)之任一项所述的显示装置，其中，所述封止层包括密封层，其用于将所述像素部接合并密封在所述一对基板之间；和保护膜，其设置于所述绝缘膜和所述密封层之间，并且设置为至少覆盖所述绝缘膜的端缘部。
(7)根据(6)所述的显示装置，其中，所述保护膜由无机绝缘膜制成。(8)根据(1) (7)之任一项所述的显示装置，其中，所述像素部的所述多个像素各包括液晶层，根据纵向电场模式而对所述液晶层进行驱动；和—对电极,它们布置为隔着所述液晶层而彼此相对。(9)根据(I广⑶之任一项所述的显示装置，其中，所述像素部的所述多个像素各包括液晶层，根据横向电场模式而对所述液晶层进行显示驱动；和一对电极，它们设置于所述液晶层的所述一个基板侧。(10)根据(9)所述的显示装置，其中，所述显示装置包括设在所述一对电极之间的层间绝缘膜。(11)根据(10)所述的显示装置，其中，所述封止层包括密封层，其用于将所述像素部接合并密封在所述一对基板之间；和保护膜，其设置于所述绝缘膜和所述密封层之间，并且设置为至少覆盖所述绝缘膜的端缘部，并且所述保护膜由与所述层间绝缘膜的材料相同的材料制成。(12)根据(I广(11)之任一项所述的显示装置，其中，所述显示装置包括围绕所述绝缘膜的端缘部的壁部。(13)根据(I广(12)之任一项所述的显示装置，其中，所述显示装置在所述一对基板中的另一基板的所述像素部侧包括滤色器层和覆盖所述滤色器层的另一绝缘膜，并且所述封止层设置为覆盖所述另一绝缘膜的端缘部。(14)根据(2广(13)之任一项所述的显示装置，其中，所述显示装置包括设于所述薄膜晶体管上的电极保护膜。(15)根据(2广(14)之任一项所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管为底栅型薄
膜晶体管。(16)根据(2广(15)之任一项所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄
膜晶体管。(17)根据(2广(16)之任一项所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括由低温多晶硅、微晶硅或非晶硅制成的半导体层。(18) 一种电子设备，其包括如上述(I广(17)之任一项所述的显示装置。
本领域的技术人员应当明白，在不脱离所附权利要求及其等同物的范围内，取决于设计需要和其它因素可出现各种变化、组合、子组合和替代。 ·
权利要求
1.一种显示装置，其包括 像素部，其设置于一对基板之间且包括多个像素； 一个或多个有源部件，其在所述一对基板的一个基板上设置于所述像素部周围的边框区中； 绝缘膜，其设置于所述一个基板上的所述边框区中以覆盖所述一个或多个有源部件；以及 封止层，其设置为在所述边框区中密封所述像素部且覆盖所述绝缘膜的端缘部。
2.如权利要求I所述的显示装置，其中，所述有源部件为薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管电连接的布线层由所述绝缘膜覆盖。
4.如权利要求I至3之任一项所述的显示装置，其中，所述绝缘膜为由有机绝缘膜制成的平坦化膜。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中， 所述封止层由用于将所述像素部接合并密封在所述一对基板之间的密封材料制成，并且 所述封止层的端缘设置于比所述绝缘膜的端缘更靠外的一侧。
6.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述封止层包括 密封层，其用于将所述像素部接合并密封在所述一对基板之间；和 保护膜，其设置于所述绝缘膜和所述密封层之间，并且设置为至少覆盖所述绝缘膜的端缘部。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述保护膜由无机绝缘膜制成。
8.如权利要求I至3之任一项所述的显示装置，其中，所述像素部的所述多个像素各包括 液晶层，根据纵向电场模式而对所述液晶层进行驱动；和 一对电极，它们布置为隔着所述液晶层而彼此相对。
9.如权利要求I至3之任一项所述的显示装置，其中，所述像素部的所述多个像素各包括 液晶层，根据横向电场模式而对所述液晶层进行显示驱动；和 一对电极，它们设置于所述液晶层的所述一个基板侧。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置包括设在所述一对电极之间的层间绝缘膜。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中， 所述封止层包括 密封层，其用于将所述像素部接合并密封在所述一对基板之间； 以及 保护膜，其设置于所述绝缘膜和所述密封层之间，并且设置为至少覆盖所述绝缘膜的端缘部，并且 所述保护膜由与所述层间绝缘膜的材料相同的材料制成。
12.如权利要求I至3之任一项所述的显示装置，其中，所述显示装置包括围绕所述绝缘膜的端缘部的壁部。
13.如权利要求I至3之任一项所述的显示装置，其中， 所述显示装置包括设在所述一对基板中的另一基板的所述像素部侧的滤色器层和覆盖所述滤色器层的另一绝缘膜，并且 所述封止层设置为覆盖所述另一绝缘膜的端缘部。
14.如权利要求2或3所述的显示装置，其中，所述显示装置包括设于所述薄膜晶体管上的电极保护膜。
15.如权利要求2或3所述的显示装置，其中，所述 薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
16.如权利要求2或3所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
17.如权利要求2或3所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括由低温多晶硅、微晶硅或非晶硅制成的半导体层。
18.一种电子设备，其包括如权利要求f 17之任一项所述的显示装置。
全文摘要
本发明提供了一种显示装置和一种电子设备，所述显示装置包括像素部，其设置于一对基板之间且包括多个像素；一个或多个有源部件，其在所述一对基板的一个基板上设置于像素部周围的边框区中；绝缘膜，其在所述一个基板上设置于边框区中以覆盖所述一个或多个有源部件；以及封层，其设置为在所述边框区中密封所述像素部且覆盖所述绝缘膜的端缘部。本发明可在不降低密封性能的情况下，减小边框的宽度。
文档编号G02F1/1368GK102854665SQ20121017162
公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月29日 优先权日2011年6月7日
发明者山口润, 野村盛一, 藤村尚 申请人:株式会社日本显示器西