电光装置、电光装置的制造方法及投影型显示装置的制作方法

专利名称：电光装置、电光装置的制造方法及投影型显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶装置等的电光装置、该电光装置的制造方法、和具备该电光装置的投影型显示装置。
背景技术：
各种的电光装置中，液晶装置具有设置多个像素及开关元件的第I基板、和与第I基板相对配置的第2基板，在第I基板和第2基板之间设置作为电光物质层的液晶层。另夕卜，液晶装置中，TN(Twisted Nematic :扭曲向列)模式和VA (Vertical Alignment :垂直取向)模式的液晶装置中，在第2基板形成共用电极，在共用电极和像素电极之间控制液晶层的取向。提出以下技术在这样的液晶装置中，以向像素电极效率很好地引导从第2基板侧入射的光为目的，在构成第2基板的一部分的防尘玻璃上，在形成朝向像素电极之间开口的断面V字状的沟槽之后，在防尘玻璃的沟槽开口的面侧通过粘合剂粘贴透光性的盖玻·片，利用成为中空的沟槽的侧面作为反射面(参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I特开2006-215427号公报然而，在使沟槽成为中空时，如专利文献I记载的技术，在防尘玻璃上通过粘合剂贴合盖玻片而堵塞沟槽的开口部的构成中，存在生产率极低这样的问题。这里，本发明的发明人提出，在第2基板上形成沟槽之后，通过在第2基板上使密封膜成膜而堵塞沟槽的开口部，使沟槽成为中空状态。然而，仅在第2基板上使密封膜成膜，仅在密封膜上与开口部重叠的区域形成开口部，存在不能堵塞沟槽的开口部这样的问题。另外，在形成密封膜时，如果形成密封膜直到沟槽的里面，存在在沟槽的侧面作为反射面起作用的部分变得显著狭窄这样的问题。

发明内容
鉴于以上的问题，本发明的课题提供一种电光装置、该电光装置的制造方法及具备该电光装置的投影型显示装置，能通过在基板上成膜的密封用的膜确实地堵塞用于构成反射部的沟槽的开口部，并且，将沟槽的侧面被密封用的膜覆盖的情况抑制到最小限度。为了解决上述课题，本发明涉及的电光装置，其特征在于，包括第I基板，设置有多个像素电极及与上述多个像素电极的各个相对应的开关元件；第2基板，与该第I基板相对配置；电光物质层，设置于上述第I基板和上述第2基板之间；上述第I基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板，在该一方的基板，设置有中空的沟槽，其开口部朝向上述多个像素电极中相邻的像素电极之间；第I密封膜，在上述沟槽开口的面侧以堵塞上述开口部的方式形成，并且，设置有具有与上述开口部相比小的开口面积且连通于上述沟槽内的贯通部；第2密封膜，在该第I密封膜的与上述沟槽相反侧的面形成并堵塞上述贯通部。
另外，本发明涉及电光装置的制造方法，其特征在于，上述电光装置包括第I基板，设置有多个像素电极及开关元件 ’第2基板，与该第I基板相对配置；电光物质层，设置于上述第I基板和上述第2基板之间；上述第I基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板，上述电光装置的制造方法包括沟槽形成步骤，在上述一方的基板形成开口部朝向上述多个像素电极中相邻的像素电极之间的沟槽；牺牲膜形成步骤，在上述沟槽内形成堵塞上述开口部的牺牲膜；第I密封膜形成步骤，在上述沟槽开口的表面上及在上述牺牲膜上形成第I密封膜；贯通部形成步骤，在上述第I密封膜的与上述牺牲膜重叠的位置形成与上述开口部相比小开口面积的贯通部；牺牲膜除去步骤，经由上述贯通部除去上述牺牲膜;第2密封膜形成步骤，在上述第I密封膜上形成第2密封膜并堵塞上述贯通孔。 本发明中，在一方的基板中，在沟槽开口的面，设置第I密封膜和第2密封膜，沟槽呈中空状态。因此，中空的沟槽的侧面成为起因于沟槽内的介质(空气或真空)和第2基板的介质的折射率的差的反射面。因此，一方的基板中，由于在沟槽的侧面反射本应朝向像素电极之间的光，使之朝向像素电极，所以有助于显示等的光的比率高。在这里，在第I密封膜，设置具有与开口部相比小的开口面积且连通于沟槽内的贯通部，所以在形成第I密封膜之前，在沟槽内预先形成牺牲膜，在形成第I密封膜之后，可经由贯通部除去牺牲膜。 因此，能以堵塞沟槽的开口部的方式形成第I密封膜，并且，能防止形成第I密封膜直到沟槽的里面。另外，因为除去牺牲膜，所以在沟槽的侧面中，与牺牲膜接触的部分也作为反射面起作用。因此，能够遍及宽广的面积，利用沟槽的侧面作为反射面。并且，形成于第I密封膜的贯通部，与沟槽的开口部相比开口面积狭窄，所以如果在第I密封膜上形成第2密封膜，能用第2密封膜堵塞第I密封膜的贯通部。因此，通过膜的形成能堵塞沟槽的开口部，使沟槽的内部成为中空状态，根据这样的构成，相比于粘贴盖玻片堵塞开口部的情况，生产率高。在本发明中，优选地，上述第I密封膜相对于上述沟槽呈悬置状态，不设置于该沟槽的侧面。根据这样的构成，能避免沟槽的侧面中与第I密封膜接触的部分变得不能作为反射面起作用这样的情形。在本发明中，优选地，上述第I密封膜及上述第2密封膜包括透光性绝缘膜。在本发明中，优选地，上述沟槽的侧面成为向上述相邻的像素电极之间倾斜的斜面。根据这样的构成，在沟槽的侧面反射本应朝向像素电极之间的光，能使之效率很好地朝向像素电极。在本发明中，优选地，上述沟槽的内部呈真空状态。根据这样的构成，能将中空的沟槽的侧面作为反射率高的反射面。另外，这样的构成能通过在真空气氛中进行第2密封膜的成膜而容易地实现。在本发明中，优选地，上述沟槽能采用设置于上述第2基板的构成。根据这样的构成，能采用光从第2基板侧入射的构成，存在光难向开关元件入射这样的优点。在本发明中，优选地，上述像素电极及上述第I基板能采用具有透光性的构成。根据这样的构成，能构成透射型的电光装置。在本发明涉及的电光装置的制造方法中，在上述牺牲膜形成步骤中，例如，在上述沟槽内填充树脂材料作为上述牺牲膜。另外，在本发明涉及的电光装置的制造方法中，在上述牺牲膜形成步骤中，可以进行金属膜成膜步骤，在上述沟槽开口的表面上使金属膜成膜；加热步骤，通过加热使上述金属膜溶融并通过该金属膜堵塞上述沟槽的开口部；以及金属膜除去步骤，除去在上述金属膜中在上述沟槽的外部形成的部分，另一方面，保留在上述沟槽的内部堵塞上述开口部的部分。优选地，在投影型显示装置中使用本发明涉及的电光装置，这个场合，投影型显示装置，包括光源部，出射从上述一方的基板侧向上述电光装置入射的光；和投影光学系统，对通过上述电光装置调制的光进行投影。在投影型显示装置的场合，特别地，要求入射光的利用效率高，所以在电光装置中适用本发明的场合的效果显著。


图I是适用本发明的投影型显示装置的概略构成图。图2是表示如图I表示的投影型显示装置中液晶光阀(电光装置/液晶装置)中适用的液晶面板的基本构成的说明图。 图3是表示本发明的实施方式I涉及的电光装置中使用的液晶面板的具体的构成例的说明图。图4是本发明的实施方式I涉及的电光装置的像素的说明图。图5是本发明的实施方式I涉及的电光装置的第2基板中形成的反射部的说明图。图6是表示本发明的实施方式I涉及的电光装置的制造方法的说明图。图7是表示本发明的实施方式I涉及的电光装置的制造方法的说明图。图8是本发明的实施方式2涉及的电光装置的第2基板中形成的反射部的说明图。图9是表示本发明的实施方式2涉及的电光装置的制造方法的说明图。图10是表示本发明的实施方式2涉及的电光装置的制造方法的说明图。符号的说明9a · ·像素电极，10 · ·第I基板，IOf · ·像素间区域(像素电极之间)，20 · ·第2基板，20w· 基板主体(透光性基板)，24，25 · 牺牲膜，26· 反射部，27· 第I密封膜，28 · 第2密封膜，30 · ·像素晶体管(开关元件)，50 · ·液晶层(电光物质层)，100· 电光装置，260 · 沟槽，261、262 · 侧面，265 · 沟槽的开口部，275 · 贯通部
具体实施例方式参照附图，说明使用了适用本发明的电光装置(液晶装置)的投影型显示装置、电光装置、和电光装置的制造方法。再者，在以以下的说明进行参照的附图中，为了使各层、各构件成为在图面上可以识别的程度的大小，每各层、各构件地使比例尺不同。实施方式I(投影型显示装置的构成)参照图1，说明将本发明的实施方式I涉及的电光装置用作光阀的投影型显示装置。图I是适用本发明的投影型显示装置的概略构成图。在图1，投影型显示装置110是向设置于观察者侧的屏幕111照射光，观察用这个屏幕111反射的光的所谓投影型的投影型显示装置。投影型显示装置110具备包含光源112的光源部130，分色镜113、114，液晶光阀115 117 (电光装置100/液晶装置)，投影光学系统118，交叉分色棱镜119和中继系统120。光源112通过供给含有红色光、绿色光及蓝色光的光的超高压水银灯构成。分色镜113构成为，使来自光源112的红色光透过并且反射绿色光及蓝色光。另外，分色镜114构成为，使用分色镜113反射的绿色光及蓝色光中的蓝色光透过并且反射绿色光。这样，分色镜113、114构成将从光源112出射的光分离成红色光和绿色光和蓝色光的色分离光学系统。在这里，在分色镜113与光源112之间，从光源112按顺序配置积分器121及偏振变换元件122。积分器121构成为，均匀化从光源112照射的光的发光强度分布。另外，偏振变换元件122构成为，将来自光源112的光变为例如s偏振光那样的具有特定的振动方向的偏振光。 液晶光阀115是按照图像信号调制透过分色镜113并在反射镜123反射的红色光的透射型的电光装置100。液晶光阀115具备λ /2相位差板115a、第I偏振板115b、液晶面板115c和第2偏振板115d。在这里，向液晶光阀115入射的红色光，尽管透过分色镜113但光的偏振不变，所以为s偏振光不变。λ /2相位差板115a是将向液晶光阀115入射的s偏振光变换成P偏振光的光学元件。另外，第I偏振板115b是遮断s偏振光使P偏振光透过的偏振板。并且，液晶面板115c构成为，通过按照图像信号的调制将P偏振光变换为s偏振光(如果为中间调，则圆偏振光或椭圆偏振光)。并且，第2偏振板115d是遮断P偏振光使s偏振光透过的偏振板。因此，液晶光阀115构成为，按照图像信号调制红色光，向交叉分色棱镜119出射调制的红色光。λ/2相位差板115a和第I偏振板115b,以与不变换偏振光的透光性的玻璃板115e相接的状态来配置，能够避免λ /2相位差板115a和第I偏振板115b因放热而变形。液晶光阀116，是按照图像信号调制以分色镜113反射之后以分色镜114反射的绿色光的透射型的电光装置100。并且，液晶光阀116，与液晶光阀115同样，具有第I偏振板116b、液晶面板116c、和第2偏振板116d。向液晶光阀116入射的绿色光，是以分色镜113、114反射并入射的s偏振光。第I偏振板116b,是遮断P偏振光使s偏振光透过的偏振板。此外，液晶面板116c构成为，通过按照图像信号的调制将s偏振光变换为P偏振光(如果为中间调，则圆偏振光或椭圆偏振光)。并且，第2偏振板116d，是遮断s偏振光使P偏振光透过的偏振板。因此，液晶光阀116构成为，按照图像信号调制绿色光，向交叉分色棱镜119出射调制的绿色光。液晶光阀117，是按照图像信号调制以分色镜113反射，透过分色镜114之后经过中继系统120的蓝色光的透射型的电光装置100。并且，液晶光阀117，与液晶光阀115、116同样，具有λ/2相位差板117a、第I偏振板117b、液晶面板117c、和第2偏振板117d。在这里，向液晶光阀117入射的蓝色光，以分色镜113反射并透过分色镜114之后以中继系统120的后述的2个反射镜125a、125b反射,所以成为s偏振光。λ /2相位差板117a,是将向液晶光阀117入射的s偏振光变换为P偏振光的光学元件。此外，第I偏振板117b，是遮断s偏振光使P偏振光透过的偏振板。并且，液晶面板117c构成为，通过按照图像信号的调制将P偏振光变换为s偏振光(如果为中间调，则圆偏振光或椭圆偏振光)。并且，第2偏振板117d,是遮断P偏振光使s偏振光透过的偏振板。因此，液晶光阀117构成为，按照图像信号调制蓝色光，向交叉分色棱镜119出射调制的蓝色光。再者，λ /2相位差板117a和第I偏振板117b，以接触玻璃板117e的状态来配置。中继系统120，具有中继透镜124a、124b和反射镜125a、125b。中继透镜124a、124b，被设置以防止由于蓝色光的光路长引起的光损失。这里，中继透镜124a，配置在分色镜114与反射镜125a之间。此外，中继透镜124b，配置在反射镜125a、125b之间。反射镜125a配置为，将透过分色镜114从中继透镜124a出射的蓝色光向中继透镜124b反射。此夕卜，反射镜125b配置为，将从中继透镜124b出射的蓝色光向液晶光阀117反射。交叉分色棱镜119，是将2个分色膜119a、119b以X字型正交配置的色合成光学系统。分色膜119a是反射蓝色光而透过绿色光的膜，分色膜119b是反射红色光而透过绿色光的膜。因此，交叉分色棱镜119构成为，合成以液晶光阀115 117分别调制的红色光和绿色光和蓝色光，向投影光学系统118出射。 再者，从液晶光阀115、117向交叉分色棱镜119入射的光是s偏振光,从液晶光阀116向交叉分色棱镜119入射的光是P偏振光。这样，向交叉分色棱镜119入射的光成为不同的种类的偏振光，可在交叉分色棱镜119合成从各液晶光阀115 117入射的光。在这里，一般地，分色膜119a、119b在s偏振光的反射晶体管特性优异。因此，将以分色膜119a、119b反射的红色光及蓝色光设为s偏振光,将透过分色膜119a、119b的绿色光设为p偏振光。投影光学系统118，具有投影透镜(图示省略)，构成为将以交叉分色棱镜119合成的光向屏幕111投影。在这样构成的投影型显示装置110中，要求从光源112出射的光的利用效率高，所以关于作为液晶光阀115 117的电光装置100采用在以下说明的构成。(电光装置100的全部构成)图2是表示如图I表示的投影型显示装置中液晶光阀(电光装置100/液晶装置)中使用的液晶面板的基本构成的说明图，图2(a)、(b)是模式地表示液晶面板的基本的结构的说明图，和表示电光装置100的电构成的方块图。再者，图I表示的液晶光阀115 117及液晶面板115c 117c，仅调制的光的波长区域不同，基本的构成相同，所以将液晶光阀115 117作为电光装置100，将液晶面板115c 117c作为液晶面板IOOp说明。如图2(a)所示，电光装置100具有TN(Twisted Nematic :扭曲向列)模式或VA(Vertical Alignment :垂直取向)模式的液晶面板100p。液晶面板IOOp是具有第I基板10、与这个第I基板10相对(对置)的第2基板20，调制从第2基板20侧入射的光并从第I基板10侧出射的透射型的液晶面板。第I基板10和第2基板20经由密封材料(未图示)贴合并对置，在密封材料的内侧区域保持液晶层50(电光物质层)。详情后述，但是，在第I基板10中与第2基板20相对的面侧形成岛状的像素电极9a等，在第2基板20中与第I基板10相对的面侧，在其基本整面上形成共用电极21。另外，在第2基板20上，构成利用后述的沟槽260的反射部26。如图2(b)所示，在本方式的电光装置100中，液晶面板IOOp在其中央区域具备矩阵状地排列多个像素IOOa的图像显示区域IOa(像素区域)。在液晶面板IOOp中，在第I基板10 (参照图2等)，在图像显示区域IOa的内侧多条数据线6a及多条扫描线3a纵横地延伸，在对应于它们的交点的位置构成像素100a。在多个像素IOOa的各自，形成包括场效应型晶体管的像素晶体管30 (开关元件)及像素电极9a(参照图2等)。在像素晶体管30的源极电连接数据线6a，在像素晶体管30的栅极电连接扫描线3a，在像素晶体管30的漏极，电连接像素电极9a。在第I基板10中，在比图像显示区域IOa靠外周侧设置扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101。数据线驱动电路101电连接于各数据线6a，将从图像处理电路供给的图像信号依次供给于各数据线6a。扫描线驱动电路104电连接于各扫描线3a，将扫描信号依次供给于各扫描线3a。在各像素IOOa中，像素电极9a与形成于第2基板20的共用电极21 (参照图2等)隔着液晶层50而对置，并构成液晶电容50a。并且，在各像素100a，为了防止以液晶电容50a保持的图像信号的变动，与液晶电容50a并联地附加存储电容55。在本方式中，为了 构成存储电容55，跨多个像素IOOa的第I电极层5a形成为电容电极层。在本方式中，第I电极层5a导通于施加共用电位Vcom的共用电位线5c。(电光装置100的具体的构成例)图3是表示本发明的实施方式I涉及的电光装置100中使用的液晶面板IOOp的具体的构成例的说明图，图3(a)、(b)分别是与各构成要素一起从第2基板侧看液晶面板IOOp的俯视图及其H-Hi断面图。再者，图3(b)省略后述的反射部26的图示。如图3(a)、(b)所示，在液晶面板IOOp中，第I基板10与第2基板20隔着预定的间隙通过密封材料107而贴合，密封材料107沿着第2基板20的外缘地设置为框状。密封材料107为包括光固化性树脂和/或热固化性树脂等的粘接剂，掺合用于使两基板间的距离成为预定值的玻璃纤维或者玻璃珠等的间隙材料。在如此的构成的液晶面板IOOp中，第I基板10及第2基板20均为四边形，在液晶面板IOOp的基本中央，参照图2进行了说明的图像显示区域IOa设置为四边形的区域。对应于如此的形状，密封材料107也设置为基本四边形，在密封材料107的内周缘与图像显示区域IOa的外周缘之间，基本四边形的周边区域IOb设置为框缘状。在第I基板10中，在图像显示区域IOa的外侧，沿着第I基板10的一条边形成数据线驱动电路101及多个端子102，沿着相邻于该一条边的另一条边形成扫描线驱动电路104。还有，在端子102，连接柔性布线基板(未图示)，在第I基板10，经由柔性布线基板输入各种电位和/或各种信号。虽然详情后述，但是在第I基板10的一方的面IOs及另一方的面IOt之中的一方的面IOs侧，在图像显示区域10a，矩阵状地形成参照图2进行了说明的像素晶体管30及电连接于像素晶体管30的像素电极9a，在如此的像素电极9a的上层侧形成取向膜19。并且，在第I基板10的一方的面IOs侧，在周边区域10b，形成与像素电极9a同时形成的虚设像素电极9b(参照图3(b))。关于虚设像素电极％，可采用与虚设的像素晶体管电连接的构成、不设置虚设的像素晶体管而直接电连接于布线的构成或者处于未施加电位的浮置状态的构成。如此的虚设像素电极9b当在第I基板10中使形成取向膜19的面通过研磨平坦化时，对图像显示区域IOa与周边区域IOb的高度位置进行压缩，有助于使形成取向膜19的面成为平坦面。并且，如果将虚设像素电极9b设定为预定的电位，则能够防止在图像显示区域IOa的外周侧端部的液晶分子的取向的紊乱。在第2基板20的一方的面20s和另一方的面20t中，与第I基板10对置的一方的面20s侧形成共用电极21，在共用电极21的上层形成取向膜29。共用电极21在第2基板20的基本整面形成或者作为多个带状电极跨多个像素IOOa而形成。在本方式中，共用电极21形成于第2基板20的基本整面。另外，在第2基板20的一方的面20s侧，沿着图像显示区域IOa的外周缘形成框缘状的遮光层108，这样的遮光层108，作为分隔而起作用。在这里，遮光层108的外周缘位于在与密封材料107的内周缘之间隔开间隙的位置，遮光层108与密封材料107不相重叠。在如此地构成的液晶面板IOOp中，在第I基板10，在比密封材料107靠外侧与第2基板20的角部分重叠的区域，形成用于在第I基板10与第2基板20之间取得电导通的基板间导通用电极109。在如此的基板间导通用电极109，配置包括导电微粒的基板间导通材料109a，第2基板20的共用电极21经由基板间导通材料109a及基板间导通用电极109电连接于第I基板10侧。因此，共用电极21从第I基板10侧被施加共用电位Vcom。密封材料107以基本相同的宽度尺寸沿着第2基板20的外周缘而设置。因此，密封材料107基本为四边形。但是，密封材料107设置为，在与第2基板20的角部分重叠的区域中避开基板间导通用电极109而通过内侧，密封材料107的角部分基本为圆弧状。·
在如此的构成的电光装置100中，若通过ITO (Indium Tin Oxide，氧化铟锡)和/或IZ0(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)等的透光性的导电膜形成像素电极9a及共用电极21，则能够构成透射型的液晶装置。相对于此，若通过ITO和/或IZO等的透光性导电膜形成共用电极21，并通过铝等的反射性导电膜形成像素电极9a，则能够构成反射型的液晶装置。在电光装置100为反射型的情况下，从第2基板20侧入射的光在以第I基板10侧的基板进行反射并出射的期间被调制而对图像进行显示。在电光装置100为透射型的情况下，从第I基板10及第2基板20之中的一方侧的基板入射的光在透射另一方侧的基板并出射的期间被调制而对图像进行显示。电光装置100能够用作移动电子计算机、便携电话机等的电子设备的彩色显示装置，该情况下，在第2基板20，形成滤色器(未图示)和/或保护膜。并且，在电光装置100中，相应于使用的液晶层50的种类和/或常白模式/常黑模式的类别，相位差膜和/或偏振板等相对于液晶面板IOOp配置为预定的朝向。在本方式中，电光装置100，在参照图I说明的投影型显示装置(液晶投影机)中，用作RGB用的光阀。该情况下，在RGB用的各电光装置100的各自，将经由RGB色分解用的分色镜分解的各颜色的光作为投影光分别入射，所以不用形成滤色器。以下，以电光装置100是透射型的液晶装置，从第2基板20入射的光透射第I基板10而出射的情况为中心进行说明。并且，在本方式中，以电光装置100具备作为液晶层50采用介电各向异性为负的向列液晶化合物的VA模式的液晶面板IOOp的情况为中心进行说明。(像素的具体的构成)图4是本发明的实施方式I涉及的电光装置100的像素的说明图，图4(a)、(b)分别是在第I基板10中相邻的像素的俯视图及在相当于图4(a)的F— F'线的位置对电光装置100进行了剖切时的断面图。还有，在图4(a)中，用以下的线表示各区域。扫描线3a =粗的实线半导体层Ia =细而短的虚线
数据线6a及漏电极6b = —点划线第I电极层5a及中继电极5b =细而长的虚线第2电极层7a = 二点划线像素电极9a =粗而短的虚线如图4(a)所示，在第I基板10，在多个像素IOOa的各自形成矩形状的像素电极9a，沿着与通过相邻的像素电极9a夹持的纵横的像素间区域IOf重叠的区域形成数据线6a及扫描线3a。更具体地，像素间区域IOf之中，扫描线3a沿着与沿扫描线3a延伸的第I像素间区域IOg重叠的区域延伸，并且数据线6a沿着与沿数据线6a延伸的第2像素间区域IOh重叠的区域延伸。数据线6a及扫描线3a分别直线性地延伸，在数据线6a与扫描线3a相交叉的区域形成像素晶体管30。在第I基板10，与数据线6a重叠地，形成参照图2(b)进行了说明的第I电极层5a(电容电极层)。
如图4(a)、(b)所示，第I基板10以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体10w、形成于基板主体IOw的液晶层50侧的表面(一方的面IOs侧)的像素电极9a、像素开关用的像素晶体管30及取向膜19为主体而构成。第2基板20以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体20w、形成于其液晶层50侧的表面(与第I基板10对置的一方的面20s侧)的共用电极21及取向膜29为主体而构成。在第I基板10中，在基板主体IOw的一方的面IOs侧，形成包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜的扫描线3a。在本方式中，扫描线3a由钨硅化物(WSi)等的遮光性导电膜构成，也作为对于像素晶体管30的遮光膜而起作用。在本方式中，扫描线3a由膜厚为200nm程度的钨硅化物构成。还有，在基板主体IOw与扫描线3a之间，有时也设置氧化硅膜等的绝缘膜。在基板主体IOw的一方的面IOs侧，在扫描线3a的上层侧，形成氧化硅膜等的绝缘膜12，在如此的绝缘膜12的表面，形成具备半导体层Ia的像素晶体管30。在本方式中，绝缘膜12例如具有通过采用四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)的减压CVD法和/或采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的氧化硅膜和通过高温CVD法形成的氧化硅膜(HTO (High Temperature Oxide :高温氧化物)膜)的2层结构。像素晶体管30具备半导体层Ia和栅电极3c，所述半导体层Ia在扫描线3a与数据线6a的交叉区域中使长边方向朝向扫描线3a的延伸方向；所述栅电极3c延伸于与半导体层Ia的长度方向正交的方向而重叠于半导体层Ia的长度方向的中央部分。并且，像素晶体管30在半导体层Ia与栅电极3c之间具有透光性的栅绝缘层2。半导体层Ia具备相对于栅电极3c隔着栅绝缘层2对置的沟道区域lg，并且在沟道区域Ig的两侧具备源区域Ib及漏区域lc。在本方式中，像素晶体管30具有LDD结构。从而，源区域Ib及漏区域Ic分别在沟道区域Ig的两侧具备低浓度区域lbl、Icl，在相对于低浓度区域IblUcl与沟道区域Ig相反侧相邻的区域具备高浓度区域Ib2、lc2。半导体层Ia通过多晶硅膜等构成。栅绝缘层2包括由使半导体层Ia热氧化而成的氧化硅膜构成的第I栅绝缘层2a和由通过CVD法等形成的氧化硅膜等构成的第2栅绝缘层2b的2层结构。栅电极3c包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜，在半导体层Ia的两侧，经由贯通第2栅绝缘层2b及绝缘膜12的接触孔12a、12b导通于扫描线3a。在本方式中，栅电极3c具有膜厚为IOOnm程度的导电性的多晶硅膜和膜厚为IOOnm程度的硅化钨膜的2层结构。还有，在本方式中，当透射电光装置100之后的光以其他构件进行了反射时，以防止如此的反射光入射于半导体层Ia而在像素晶体管30产生起因于光电流的误工作为目的，通过遮光膜形成扫描线3a。但是，也可以在栅绝缘层2的上层形成扫描线，并使其一部分成为栅电极3c。该情况下，如图4所示的扫描线3a仅以遮光为目的而形成。在栅电极3c的上层侧形成包括氧化硅膜等的透光性的层间绝缘膜41，在层间绝缘膜41的上层，通过相同导电膜形成数据线6a及漏电极6b。层间绝缘膜41例如包括通过采用硅烷气体(SH4)与一氧化二氮(N2O)的等离子CVD法等形成的氧化硅膜等。数据线6a及漏电极6b包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，数据线6a及漏电极6b具有将膜厚为20nm的钛(Ti)膜、膜厚为50nm的氮化钛(TiN)膜、膜厚为350nm的铝(Al)膜和膜厚为150nm的TiN膜按该顺序进行叠层而形成的4层结构。数据线6a经由贯通层间绝缘膜41及第2栅绝缘层2b的接触孔41a导通于源区域Ib (数据线侧源漏区域)。漏电极6b在与第I像素间区域IOg 重叠的区域中形成为，一部分与半导体层Ia的漏区域Ic(像素电极侧源漏区域)重叠，经由贯通层间绝缘膜41及第2栅绝缘层2b的接触孔41b导通于漏区域lc。在数据线6a及漏电极6b的上层侧形成包括氧化硅膜等的透光性的层间绝缘膜42。层间绝缘膜42例如包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的氧化硅膜等。在层间绝缘膜42的上层侧，第I电极层5a及中继电极5b通过相同导电膜形成。第I电极层5a及中继电极5b包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，第I电极层5a及中继电极5b具有膜厚为200nm程度的Al膜和膜厚为IOOnm程度的TiN膜的2层结构。第I电极层5a与数据线6a同样，沿着与第2像素间区域IOh重叠的区域延伸。中继电极5b在与第I像素间区域IOg重叠的区域中形成为，一部分与漏电极6b重叠，经由贯通层间绝缘膜42的接触孔42a导通于漏电极6b。在第I电极层5a及中继电极5b的上层侧形成氧化硅膜等的层间绝缘膜44作为蚀刻停止层，在如此的层间绝缘膜44，在与第I电极层5a重叠的区域形成开口部44b。在本方式中，层间绝缘膜44包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的氧化硅膜等。在此，开口部44b虽然在图4(a)中将图示进行省略，但是形成为具备以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第I像素间区域IOg重叠的区域延伸的部分和以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第2像素间区域IOh重叠的区域延伸的部分的L字形状。在层间绝缘膜44的上层侧形成透光性的电介质层40，在如此的电介质层40的上层侧形成第2电极层7a。第2电极层7a包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，第2电极层7a包括膜厚为IOOnm程度的TiN膜。作为电介质层40，除了能够采用氧化硅膜和/或氮化硅膜等的硅化合物以外，还能够采用氧化铝膜、氧化钛膜、氧化钽膜、氧化铌膜、氧化铪膜、氧化镧膜和氧化锆膜等的高介电系数的电介质层。第2电极层7a形成为具备以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第I像素间区域IOg重叠的区域延伸的部分和以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第2像素间区域IOh重叠的区域延伸的部分的L字形状。从而，第2电极层7a之中的沿着与第2像素间区域IOh重叠的区域延伸的部分在层间绝缘膜44的开口部44b中，隔着电介质层40重叠于第I电极层5a。如此地，在本方式中，第I电极层5a、电介质层40及第2电极层7a在与第I像素间区域IOg重叠的区域构成存储电容55。并且，在第2电极层7a中，沿着与第I像素间区域IOg重叠的区域延伸的部分与中继电极5b部分性地重叠，经由贯通电介质层40及层间绝缘膜44的接触孔44a导通于中继电极5b。在第2电极层7a的上层侧形成透光性的层间绝缘膜45，在层间绝缘膜45的上层侦牝形成包括膜厚为140nm程度的ITO膜等的透光性导电膜的像素电极9a。像素电极9a在数据线6a与扫描线3a的交叉区域的附近与第2电极层7a部分性地重叠，经由贯通层间绝缘膜45的接触孔45a导通于第2电极层7a。在像素电极9a的表面形成取向膜19。取向膜19包括聚酰亚胺等的树脂膜或者氧化硅膜等的斜向蒸镀膜。在本方式中，取向膜19为包括SiOxU < 2)、SiO2、TiO2、MgO, A1203、ln203、Sb2O3> Ta2O5等的斜向蒸镀膜的无机取向膜(垂直取向膜)。在第2基板20中，在石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体20w的液晶层50侧的表面(对置于第I基板10侧的面)，形成包括ITO膜等的透光性导电膜的共用电极21，覆盖如此的共用电极21地形成取向膜29。取向膜29与取向膜19同样，包括聚酰亚胺等的树脂膜、或者氧化硅膜等的斜向蒸镀膜。在本方式中，取向膜29为包括SiOx(X < 2)、Si02、Ti02、Mg0、Al203、In203、Sb203、Ta2O5等的斜向蒸镀膜的无机取向膜(垂直取向膜)。如此的取向膜19、29使液晶层50所使用的介电各向异性为负的向列液晶化合物垂直取向，液晶面板IOOp作为常黑的VA模式工作。在此，在第2基板20的基板主体20w上，构成具备参照图5等在以下说明的沟槽260的反射部26，对这样的反射部26在第I基板10侧形成共用电极21和取向膜29。(第2基板20的详细构成)图5是本发明的实施方式I涉及的电光装置100的第2基板20中形成的反射部的说明图，图5(a)、(b)是第2基板20的断面图，和表示反射部的平面构成的说明图。再者，图5(a)中，省略第I基板10侧的取向膜19等的图示。另外，图5(a)，相当于图5(b)的A-A'断面。如图5(a)、(b)所示，在本方式的电光装置100，将从第2基板20侧入射的光通过液晶层50每像素地光调制之后，从第I基板10出射。因此，为了效率很好地利用入射光，需要效率很好地向像素电极9a引导入射光。因此，在本方式中，形成将从第2基板20侧入射的光中，本应朝向像素电极9a之间(像素间区域IOf)的光向像素电极9a反射的反射部26。在本方式中，反射部26，在第2基板20的基板主体20w (透光性基板)的一方的面20s侦彳，包括沿着与像素电极9a之间(像素间区域IOf)俯视重叠的区域延伸的格子状的沟槽260，沟槽260向像素间区域IOf开口。在本方式中，沟槽260的相对置的侧面261、262向像素间区域IOf倾斜，沟槽260具有断面V字形状。更具体地，沟槽260具有以侧面261、262作为一边的基本等腰三角形形状的断面，三角形形状的顶点位于像素间区域IOf的宽度方向的中心。另外，沟槽260的宽度尺寸(三角形形状的底边的长度)设定为与像素间区域IOf的宽度尺寸基本相同尺寸，或宽度稍大。
在本方式中，沟槽260的开口部265通过形成于基板主体20w的一方的面20s侧的第I密封膜27及第2密封膜28堵塞，沟槽260的内部是中空。在本方式中，第I密封膜27及第2密封膜28都包括硅氧化膜等的透光性绝缘膜。第I密封膜27以在沟槽260开口的基板主体20w的一方的面20s上堵塞开口部265的方式形成，第I密封膜27的表面270成为平坦面。第I密封膜27相对于沟槽260处于悬置(overhang)状态,设置于沟槽260的外部,而不设置于沟槽260的内部。因此,第I密封膜27不接触于沟槽260的侧面261、262。在这里，在第I密封膜27，设置具有与沟槽260的开口部265相比小的开口面积且连通于沟槽260内的贯通部275，在本方式中，贯通部275包括形成于由相邻的像素电极9a的边夹持的区域等的贯通孔(参照图5(b))。第2密封膜28形成于第I密封膜27的表面270上。第2密封膜28的表面280成为平坦面，在这样的平坦面上形成共用电极21及取向膜29。在这里，第2密封膜28遍及形成第I密封膜27的区域的全部而形成，堵塞第I密封膜27的贯通部275。这样，沟槽260的开口部265通过第I密封膜27及第2密封膜28堵塞，内部成为·中空，沟槽260的内部成为真空或者空气层。在本方式中，沟槽260的内部成为真空。因此，如果将沟槽260的内部的介质(真空)的折射率和基板主体20w的介质(玻璃等)的折射率相比，存在以下的关系沟槽260的内部的折射率〈基板主体20w的折射率。因此，沟槽260的侧面261、262作为反射面起作用。另外，在将基板主体20w的折射率设为nn，将沟槽260内部的折射率设为η12，将相对于侧面261、262的法线的光的入射角度设为Θ工的场合，如果ηη>η12,且，nn、n12、Q1满足以下的式sin Θ An12Ai11,则在侧面261、262发生全反射。在这里，沟槽260的内部为真空状态，所以n12极小。因此，在侧面261、262遍及宽广的角度范围，发生全反射。另外，第I密封膜27及第2密封膜28形成于沟槽260的外部，所以沟槽260的侧面261、262的全体成为在宽广的角度范围发生全反射的反射面。(反射部26的作用效果)在这样构成的电光装置100中，从参照图I说明的光源部130，入射各种入射角度的光，这样的入射光中，朝向像素电极9a的光如箭形符号LI所示原样行进。另外，如箭形符号L2所示，关于朝向从像素电极9a脱离的方向(朝向像素间区域IOf的方向)的光如箭形符号L3所示在沟槽260的侧面261、262使之反射，使之朝向像素电极9a。在这里，沟槽260具有以侧面261、262作为一边的基本等腰三角形形状的断面，三角形形状的顶点位于像素间区域IOf的宽度方向的中心。另外，沟槽260的宽度尺寸设定为与像素间区域IOf的宽度尺寸基本相同尺寸，或宽度稍大。因此，即使关于朝向从像素电极9a大大脱离的方向的光也向像素电极9a反射，能有效地利用。再者，关于侧面261、262的倾斜度设定为，例如，与相对于基板主体20w的基板面的法线所成的角度为10°以下，进而为3°以下。根据这样的构成，在侧面261、262反射光时，可一边降低光线角度的增大一边使入射光偏向，并且，能将入射光变换为，例如，能够在孔径焦距比(F number)为2. 5的投影光学系统(参照图I)中充分地取入的光线角度的光。因此，能实现对比度的提高及投影图像的売度的提闻。
(第2基板20的制造方法)参照图6及图7，说明电光装置100的制造步骤中，制造反射部26的步骤。图6及图7是表示本发明的实施方式I涉及的电光装置100的制造方法的说明图。再者，图6及图7与图5相反地将第2基板20的一方的面20s表示为向上。另外，关于在以下说明的步骤以外的步骤，例如，第I基板10的制造步骤、使第I基板10和第2基板20贴合的步骤等，能采用公知的方法，所以省略其说明。为了制造本方式的第2基板20，在如图6 (a)所示的沟槽形成步骤中，首先，在基板主体20w的一方的面20s,利用光刻技术,形成厚度为5 10 μ m的掩模269。在本方式中，掩模269是包括钛和/或钛化合物的金属材料的硬掩模。其次，对基板主体20w进行干蚀刻。在这样的干蚀刻中，使用可以形成高密度等离子的ICP(ICP-RIE/Inductive Coupled Plasma(电感耦合等离子体)-RIE)干蚀刻装置，基板主体20w和掩模的蚀刻选择比例如设定为4以上1。其结果，如图6(b)所示，形成相对于掩模269的厚度有4倍以上的深度的断面V字形状的沟槽260。在本方式中，沟槽260的 深度是25μπι左右。在这样的沟槽260，侧面261、262成为斜面。在这样的步骤中，作为蚀刻气体，采用在氟系气体中混合氧和/或一氧化碳等的气体。其次，在如图6 (C)所示的牺牲膜形成步骤中，在沟槽260的内部填充包括树脂材料的牺牲膜24，用牺牲膜24填埋沟槽260的内部。在本方式中，牺牲膜24设置为，牺牲膜24的表面240和基板主体20w的一方的面20s形成连续的平面。这样的构成可通过以下方式实现，例如，在基板主体20w的一方的面20s通过旋涂法等涂布树脂材料之后，在树脂材料的硬化前或者硬化后，从沟槽260的外部除去树脂材料。例如，在基板主体20w的一方的面20s通过旋涂法等涂布树脂材料之后，使树脂材料硬化，然后，通过干蚀刻或者研磨等，从沟槽260的外部除去树脂材料。作为研磨，能利用化学机械研磨。在这个化学机械研磨中，通过研磨液中包括的化学成分的作用、以及研磨剂与第2基板20 (基板主体20w)的相对移动，能快速得到平滑的研磨面。更具体地，在研磨装置中，一边使贴合包括无纺布、发泡聚氨酯、多孔质氟树脂等的研磨布(垫)的平台和保持第2基板20的支撑器相对旋转，一边进行研磨。此时，例如，向研磨布与第2基板20之间供给包括平均粒直径为O. 01 20 μ m的氧化铈微粒、作为分散剂的丙烯酸酯衍生物、和水的研磨剂。其次，在如图6(d)所示的第I密封膜形成步骤，在基板主体20w的一方的面20s上及牺牲膜24的表面240上形成第I密封膜27。例如，通过CVD法，形成包括硅氧化膜的第I密封膜27。其次，在如图7 (a)所示的贯通部形成步骤中，通过光刻步骤和蚀刻步骤，在第I密封膜27的与牺牲膜24重叠的位置形成与沟槽260的开口部265相比小开口面积的贯通部275。其次，在如图7 (b)所示的牺牲膜除去步骤中，经由贯通部275除去牺牲膜24，使沟槽260的内部成为中空。在这样的步骤中，通过利用氧等离子的干蚀刻，除去包括树脂材料的牺牲膜24。或，通过利用硫酸系的蚀刻液的湿蚀刻，除去包括树脂材料的牺牲膜24。其次，在如图7(c)所示的第2密封膜形成步骤，在第I密封膜27的表面270上面形成第2密封膜28。例如，通过CVD法，形成包括硅氧化膜的第2密封膜28。其结果，第I密封膜27的贯通部275通过第2密封膜28堵塞，沟槽260的内部以中空状态被密封。在这里，第2密封膜28的形成，在真空气氛中进行。因此，在形成第2密封膜28并密封沟槽260结束的时刻，沟槽260的内部以真空状态被密封。然后，如图5(a)所示，在第2密封膜28的表面280上依次形成共用电极21及取向膜29，得到第2基板20。(本方式的主要效果)如以上说明，本方式的电光装置100中，在第2基板20，在沟槽260开口的面(基板主体20w的一方的面20s)设置第I密封膜27和第2密封膜28，沟槽260呈中空状态。因此，中空的沟槽260的侧面261、262成为起因于沟槽260内的介质(空气或真空)和第2基板20的介质的折射率的差的反射面。因此，第2基板20中，由于在沟槽260的侧面261、262反射本应朝向像素电极9a之间(像素间区域IOf)的光，使之朝向像素电极9a，所以有助于显不等的光的比率闻。
在这里，在第I密封膜27，设置具有与沟槽260的开口部265相比小的开口面积且连通于沟槽内的贯通部275，所以在形成第I密封膜27之前，在沟槽260内预先形成牺牲膜24，在形成第I密封膜27之后，可经由贯通部275除去牺牲膜24。因此，以堵塞沟槽260的开口部265的方式形成第I密封膜27，并且，可防止形成第I密封膜27直到沟槽260的里面。另外，因为除去牺牲膜24，所以在沟槽260的侧面261、262中，与牺牲膜24接触的部分也作为反射面起作用。因此，能够遍及宽广的面积，利用沟槽260的侧面261、262作为反射面。并且，形成于第I密封膜27的贯通部275，与沟槽260的开口部265相比开口面积狭窄，所以如果在第I密封膜27上形成第2密封膜28，能用第2密封膜28堵塞第I密封膜27的贯通部275。因此，通过膜的形成(第I密封膜27及第2密封膜28的形成)能堵塞沟槽260的开口部265，使沟槽260的内部成为中空状态，根据这样的构成，相比于粘贴盖玻片堵塞开口部的情况，生产率高。另外，第I密封膜27设置于沟槽260的外部，不设置于沟槽260的内部。因此，能避免沟槽260的侧面261、262中，与第I密封膜27接触的部分无法作为反射面起作用这样的情形。另外，第I密封膜27及第2密封膜28包括透光性绝缘膜，所以能使朝向第I密封膜27及第2密封膜28行进的光朝向像素电极9a。另外，在本方式中，沟槽260具有侧面261、262朝向像素间区域IOf倾斜的断面V字形状。因此，能够在沟槽260的侧面261、262反射本应朝向像素间区域IOf的光，使其高效地朝向像素电极9a。另外，沟槽260，由于内部为真空状态，所以能将侧面261、262作为反射率高的反射面。因此，由于显示光的光量大，所以能显示明亮的图像。并且，具有如果是沟槽260的内部处于真空状态的构成，则只要在真空气氛中进行第2密封膜28的形成便能够实现这样的优点。实施方式I的变形例上述实施方式中，作为牺牲膜24采用了树脂材料，但是也可通过硅膜和/或金属膜等的无机材料形成牺牲膜24。实施方式2(反射部26等的构成)图8是本发明的实施方式2涉及的电光装置100的第2基板20中形成的反射部的说明图，图8(a)、(b)是表示第2基板20的断面图，和反射部的平面构成的说明图。再者，图8(a)相当于图8(b)的B-B'断面。另外，本方式的基本的构成，由于与实施方式I相同，所以对共同的部分附加相同的符号而图示，省略其说明。如图8(a)、(b)所示，在本方式中的电光装置100，与实施方式I相同，也形成，将从第2基板20侧入射的光中，本应朝向像素电极9a之间(像素间区域IOf)的光向像素电极9a反射的反射部26。在本方式中，与实施方式I相同，反射部26，在第2基板20的基板主体20w(透光性基板)的一方的面20s侧，也包括沿着与像素电极9a之间(像素间区域IOf)俯视重叠的区域延伸的格子状的沟槽260，沟槽260向像素间区域IOf开口。在本方式中，沟槽260的相对置的侧面261、262向像素间区域IOf倾斜，沟槽260具有断面V字形状。另外，沟槽260的开口部265通过形成于基板主体20w的一方的面20s侧的第I密封膜27及第2密封膜28堵塞，沟槽260的内部是中空。在本方式中，第I密封膜27及第2密封膜28都包括硅氧化膜等的透光性绝缘膜。第I密封膜27以在沟槽260开口的基板主体20w的一方的面20s上堵塞开口部 265的方式形成。在本方式中，第I密封膜27中，与沟槽260重叠的部分朝向沟槽260凹陷，第I密封膜27的一部分位于沟槽260的内部。但是，第I密封膜27相对于沟槽260呈悬置状态，不接触于沟槽260的侧面261、262。在这里，在第I密封膜27，设置具有与沟槽260的开口部265相比小的开口面积且连通于沟槽260内的贯通部275，在本方式中，贯通部275包括形成于像素间区域IOf相交叉的部分等的贯通孔(参照图8(b))。在本方式中，第I密封膜27的表面270中，与沟槽260重叠的部分朝向沟槽260凹陷。在这样的第I密封膜27的表面270上形成第2密封膜28，第2密封膜28的表面280通过研磨等被平坦化。因此，共用电极21及取向膜29形成于第2密封膜28的平坦的表面280上。另外,第2密封膜28遍及形成第I密封膜27的区域的全部而被形成,堵塞第I密封膜27的贯通部275。这样，沟槽260的开口部265，通过第I密封膜27及第2密封膜28堵塞，内部成为中空，沟槽260的内部成为真空或者空气层。因此，沟槽260的侧面261、262的全部成为在宽广的角度范围发生全反射的反射面。(第2基板20的制造方法)参照图9及图10，说明电光装置100的制造步骤中，制造反射部26的步骤。图9及图10是表示本发明的实施方式2涉及的电光装置100的制造方法的说明图。再者，图9及图10与图8相反地将第2基板20的一方的面20s表不为向上。另外，关于在以下说明的步骤以外的步骤，例如，第I基板10制造步骤、使第I基板10和第2基板20贴合的步骤等，能采用公知的方法，所以省略其说明。为了制造本方式的第2基板20，首先，通过参照图6及图7说明的沟槽形成步骤，如图9(a)所示，形成在基板主体20w的一方的面20s开口的沟槽260。其次，进行如图9(b) (d)表示的牺牲膜形成步骤，以牺牲膜25堵塞沟槽260的开口部265。更具体地，首先，在如图9(b)表示的金属膜成膜步骤，通过溅射法等，在基板主体20w的一方的面20s的整面使包含金属膜的牺牲膜25成膜。本方式中，形成铝系金属膜作为牺牲膜25。在这样的成膜时,牺牲膜25堆积在基板主体20w的一方的面20s上,另一方面，在与沟槽260重叠的区域，以从沟槽260的开口缘向内侧伸出的方式形成。因此，牺牲膜25不形成于直到沟槽260的内部的里面深处。另外，即使牺牲膜25以从沟槽260的开口缘向内侧伸出的方式形成，在牺牲膜25，在与沟槽260的开口部265重叠的区域也产生开口部255。因此，仅形成牺牲膜25，不会达到堵塞沟槽260的开口部265的状态。其次，在如图9 (C)表示的加热步骤中，通过加热使牺牲膜25溶融而堵塞牺牲膜25的开口部255 (参照图9(b))。其结果，沟槽260的开口部265通过牺牲膜25成为被堵塞的状态，沟槽260的内部成为中空。本方式中，牺牲膜25包括铝系金属膜，所以加热温度是650 700。。。其次，在如图9(d)表示的金属膜除去步骤中，在牺牲膜25中，除去在沟槽260的外部形成的部分，另一方面，保留在沟槽260的内部堵塞开口部265的部分。因此，沟槽260的开口部265是通过牺牲膜25堵塞的状态原样，沟槽260的内部呈中空状态。本方式中，采用含有氯的蚀刻气体进行反应性离子蚀刻。其结果，牺牲膜25的表面250成为与基板主体20w的一方的面20s相比向沟槽260侧凹陷的凹面。其次，在如图10(a)表示的第I密封膜形成步骤，在基板主体20w的一方的面20s 上及在牺牲膜25的表面250上面形成第I密封膜27。例如，通过CVD法，形成包括硅氧化膜的第I密封膜27。其次，在如图10(b)表示的贯通部形成步骤中，通过光刻步骤及蚀刻步骤，在第I密封膜27的与牺牲膜25重叠的位置形成与沟槽260的开口部265相比小开口面积的贯通部275。本方式中，如图8(b)所示，在像素间区域IOf相交叉的部分形成贯通部275。其次，在如图10(c)表示的牺牲膜除去步骤中，经由贯通部275除去牺牲膜25，使沟槽260的内部为中空。在这样的步骤中，通过利用含有氯的蚀刻气体的干蚀刻，除去包括铝系金属的牺牲膜25。或，通过利用氯系的蚀刻液的湿蚀刻，除去包括铝系金属的牺牲膜25。其次，在如图10(d)表示的第2密封膜形成步骤，在第I密封膜27的表面270上形成第2密封膜28。例如，通过CVD法，形成包括硅氧化膜的第2密封膜28。其结果，第I密封膜27的贯通部275通过第2密封膜28被堵塞，沟槽260的内部以中空状态被密封。在这里，第2密封膜28的形成在真空气氛中进行。因此，在形成第2密封膜28并密封沟槽260结束的时刻，沟槽260的内部以真空状态被密封。然后，通过研磨等平坦化第2密封膜28的表面之后，在第2密封膜28的表面280上依次形成共用电极21及取向膜29，得到第2基板20。(本方式的主要效果)如以上说明，本方式的电光装置100中，具有与实施方式I相同的构成，所以可实现与实施方式I相同的效果。例如，在第2基板20，在沟槽260开口的面(基板主体20w的一方的面20s)，设置第I密封膜27和第2密封膜28，沟槽260呈中空状态，所以能够在沟槽260的侧面261、262反射本应朝向像素电极9a之间(像素间区域IOf)的光，使之朝向像素电极9a。另外，在第I密封膜27，设置具有与沟槽260的开口部265相比小的开口面积且连通于沟槽内的贯通部275，所以在形成第I密封膜27之前，在沟槽260内预先形成牺牲膜25，在形成第I密封膜27之后，经由贯通部275能除去牺牲膜25。因此，以堵塞沟槽260的开口部265的方式形成第I密封膜27，并且，可防止形成第I密封膜27直到沟槽260的里面。另外，因为除去牺牲膜25，在沟槽260的侧面261、262中，与牺牲膜25接触的部分也作为反射面起作用。因此，能够遍及宽广的面积，利用沟槽260的侧面261、262作为反射面。并且，形成于第I密封膜27的贯通部275，与沟槽260的开口部265相比开口面积狭窄，所以如果在第I密封膜27上形成第2密封膜28，能用第2密封膜28堵塞第I密封膜27的贯通部275。因此，通过膜的形成(第I密封膜27及第2密封膜28的形成)能堵塞沟槽260的开口部265，使沟槽260的内部成为中空状态，根据这样的构成，相比于粘贴盖玻片堵塞开口部的情况，生产率高。实施方式2的变形例上述实施方式中，在金属膜除去步骤中通过蚀刻除去了沟槽260的外部的牺牲膜25 (金属膜)，但是，也可以通过化学机械研磨等的研磨，除去沟槽260的外部的牺牲膜
25(金属膜)ο其他的实施方式 上述实施方式1、2中，是第I基板10及像素电极9a具有透光性的场合，但在由反射性金属膜构成像素电极9a的反射型的电光装置100中也可以适用本发明。上述实施方式1、2中，沟槽260的内部是真空，但是，也可以是填充空气等的构成。上述实施方式1、2中，光从第2基板20侧入射，所以在第2基板20的基板主体20w形成了反射部26，但是，在光从第I基板10侧入射的场合，在第I基板10的基板主体IOw形成反射部26也可以适用本发明。在图1，例示了使用3个光阀的投影型显示装置110，但是，在电光装置100内嵌有滤色器的场合和/或在各颜色的光依次向一个电光装置100入射的投影型显示装置所用的电光装置100中也可以适用本发明。另外，上述方式中，作为电光装置，例示了投影型显示装置中使用的透射型的电光装置100，但是，在将从背光源装置出射的光作为入射光而显示图像的直视型的电光装置100中也可以适用本发明。另外，上述方式中，作为电光装置100，举例说明了液晶装置，但是，在电泳型显示装置中，在以实现显示光量的增大为目的而形成反射部26(沟槽260)的场合，也可以适用本发明。另外，在如有机电致发光装置，通过从自发光元件出射的调制光在图像显示面显示图像的电光装置中以防止混色等为目的而形成反射部26的场合，也可以适用本发明。
权利要求
1.一种电光装置,其特征在于,包括 第I基板，设置有多个像素电极及多个开关元件； 第2基板，与该第I基板相对配置； 电光物质层，设置于上述第I基板和上述第2基板之间； 上述第I基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板， 在该一方的基板，设置有 沟槽，其开口部朝向上述多个像素电极中的一方以及与上述多个像素电极中的一方相邻的上述多个像素电极中的另一方之间； 第I密封膜，以堵塞上述沟槽的开口部的方式设置，并且，设置有具有与上述开口部的面积相比小的开口面积的贯通部，上述贯通部连通于上述沟槽内； 第2密封膜，设置在该第I密封膜上并堵塞上述贯通部。
2.如权利要求I所述的电光装置，其特征在于，上述第I密封膜相对于上述沟槽呈悬置状态。
3.如权利要求I所述的电光装置，其特征在于，上述第I密封膜及上述第2密封膜是透光性绝缘膜。
4.如权利要求I所述的电光装置，其特征在于，上述沟槽的侧面成为向上述多个像素电极中的一方以及与上述多个像素电极中的一方相邻的上述多个像素电极中的另一方之间倾斜的斜面。
5.如权利要求I所述的电光装置，其特征在于，上述沟槽的内部呈真空状态。
6.如权利要求I所述的电光装置，其特征在于，上述沟槽设置于上述第2基板的一方的面。
7.如权利要求6所述的电光装置，其特征在于，上述多个像素电极及上述第I基板具有透光性。
8.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括 沟槽形成步骤，对第I基板和第2基板中的一方形成沟槽，其中，上述第I基板设置有多个像素电极及多个开关元件；第2基板与该第I基板相对配置；在一个基板上，上述沟槽的开口部朝向上述多个像素电极中的一方以及与上述多个像素电极中的一方相邻的上述多个像素电极中的另一方之间； 牺牲膜形成步骤，形成堵塞上述沟槽的上述开口部的牺牲膜； 第I密封膜形成步骤，在上述牺牲膜上形成第I密封膜； 贯通部形成步骤，形成与上述牺牲膜的面积相比开口面积小的第I密封膜的贯通部； 牺牲膜除去步骤，经由上述贯通部除去上述牺牲膜； 第2密封膜形成步骤，在上述第I密封膜上形成第2密封膜并堵塞上述贯通孔。
9.如权利要求8所述的电光装置的制造方法，其特征在于，上述牺牲膜形成步骤包括向上述沟槽填充树脂材料。
10.如权利要求8所述的电光装置的制造方法，其特征在于，上述牺牲膜形成步骤包括金属膜成膜步骤，在上述沟槽开口的表面上使金属膜成膜；加热步骤，通过加热使上述金属膜溶融并通过该金属膜堵塞上述沟槽的开口部；以及金属膜除去步骤，除去在上述金属膜中在上述沟槽的外部形成的部分，另一方面，保留在上述金属膜中在上述沟槽的内部堵塞上述开口部的部分。
11.一种投影型显示装置，其特征在于， 使用如权利要求I至7的任一项所述的电光装置； 包括光源部，出射从上述一方的基板侧向上述电光装置入射的光；和投影光学系统，对通过上述电光装置调制的光进行投影。
全文摘要
提供一种电光装置、电光装置的制造方法及投影型显示装置，能通过在基板上成膜的密封用的膜确实地堵塞用于构成反射部的沟槽的开口部，并且，将沟槽的侧面被密封用的膜覆盖的情况抑制到最小限度。在电光装置100中，在中空地密封沟槽260时，在形成第1密封膜27之前，在沟槽260内预先形成牺牲膜24，在形成第1密封膜27之后，经由第1密封膜27的贯通部275除去牺牲膜。并且，在第1密封膜27上形成第2密封膜28，用第2密封膜28堵塞第1密封膜27的贯通部275。因此，能以堵塞沟槽260的开口部265的方式形成第1密封膜27，并且，能防止形成第1密封膜27直到沟槽260的里面。
文档编号G02F1/1333GK102890361SQ201210254429
公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月20日 优先权日2011年7月21日
发明者伊藤智, 小野洋平 申请人:精工爱普生株式会社