抗弯曲多模光纤的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种多模光纤，包括：包括最大折射率Δ百分比Δ1以及半径R1的中心多模纤芯区域；包括外半径R包层的包层，所述包层包括：(a)围绕所述纤芯区域并包括折射率Δ百分比Δ2以及半径R2的第一内环形区域，其中R2>R1；(b)围绕所述内环形区域并包括Δ3以及半径R3的凹陷折射率环形区域，其中R3>R2；以及(c)包括折射率Δ百分比Δ4的第三环形区域，在距光纤中心小于或等于45微米的径向点处Δ4大于Δ2，所述第三环形区域围绕所述凹陷折射率环形区域，其中Δ1MAX>Δ4>Δ2>Δ3，所述第三环形区域是具有外半径R4的最外包层区域，其中R4＝R包层；以及其中，Δ4与Δ2之差大于或等于0.03德尔塔百分比。2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ4与Δ2之差大于或等于0.06。3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于1.5GHz·km的满溢带宽。4.如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.5dB/匝。5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.2dB/匝。6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述内环形区域包括氟、硼或其混合物。7.如权利要求2所述的光纤，其特征在于，所述凹陷折射率环形部分具有大于2微米的宽度。8.如权利要求7所述的光纤，其特征在于，所述第三环形区域包括从包括氯、GeO2、Al2O3、TiO2、P2O5或其混合物的组中选择的掺杂剂。9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于2.0GHz·km的满溢带宽。10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于3.5GHz·km的满溢带宽。11.如权利要求7所述的光纤，其特征在于，所述凹陷折射率环形部分具有小于10微米的宽度。12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于7.0GHz·km的满溢带宽。13.一种多模光纤，包括：包括最大折射率Δ百分比Δ1的中心多模纤芯区域，所述多模纤芯区域延伸到径向点R1；以及包括最外半径R包层的包层，所述包层包括：(a)围绕所述纤芯并且具有折射率Δ百分比Δ2以及半径R2的第一内环形区域，其中R2>R1，Δ2是在一阶导数d(Δ％/Δ％max)/d(r/R1)等于-2.5的径向位置处测得的折射率Δ百分比，Δ％max是最大纤芯Δ，且R1是通过将纤芯折射率分布拟合到α分布而估算出的纤芯半径；(b)围绕所述纤芯区域并包括Δ3以及半径R3的凹陷折射率环形区域，其中R3>R2；以及(c)直接相邻于并且围绕所述凹陷折射率环形区域的最外包层环形区域，所述最外包层环形区域包括大于Δ2的折射率Δ百分比Δ4以及外半径R4，其中R4＝R包层；其中Δ1MAX>Δ4>Δ2>Δ3，其中Δ4与Δ2之差大于或等于0.03德尔塔百分比。14.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，Δ4min与Δ2之差大于或等于0.06德尔塔百分比。15.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于1.5GHz·km的满溢带宽。16.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.5dB/匝。17.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处绕10mm直径心轴缠绕1匝的衰减增量小于或等于0.2dB/匝。18.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述凹陷折射率环形部分具有大于2微米的宽度。19.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于2.0GHz·km的满溢带宽。20.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述光纤还表现出在850nm处大于3.5GHz·km的满溢带宽。