液晶显示装置制造方法

液晶显示装置制造方法
【专利摘要】一种液晶显示装置，其特征在于，具备第1基板、第2基板及液晶层，该第1基板具备：第1辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第1方向延伸；栅极布线，沿着第1方向延伸，位于所述第1辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第1源极布线及第2源极布线，分别沿着与第1方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第1源极布线和所述第2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第1副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第1辅助电容线对置，沿着第1方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第1副像素电极分离，沿着第1方向延伸；以及第1取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第1副像素电极、以及所述第2副像素电极；所述第2基板具备：第2主共用电极，在夹着所述主像素电极的两侧分别沿着第2方向延伸；第2副共用电极，与所述第2主共用电极相连，在所述第1副像素电极和所述第2副像素电极之间沿着第1方向延伸；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2主共用电极及所述第2副共用电极覆盖；所述液晶层包括保持于所述第1基板和所述第2基板之间的液晶分子。
【专利说明】液晶显示装置【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]近年来，平面显示装置的开发盛行，其中，液晶显示装置因轻量、薄型、耗电低等优点而备受关注。尤其是，在向各像素装入了开关元件的有源矩阵型液晶显示装置中，IPS(In-Plane Switching)模式、FFS (Fringe Field Switching)模式等利用了横电场(还包括边缘电场)的结构受到关注。这种横电场模式的液晶显示装置具备形成于阵列基板的像素电极和对置电极，以与阵列基板的主面大致平行的横电场使液晶分子开关。
[0003]另一方面，也提出了在形成于阵列基板的像素电极和形成于对置基板的对置电极之间形成横电场或斜电场而将液晶分子开关的技术。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2009-192822号公报
[0007]专利文献2:日本特开平9-160041号公报
[0008]专利文献 3:US6，657，693B1

【发明内容】

[0009]发明所要解决的课题
[0010]本实施方式的目的在于，提供一种显示品质良好的液晶显示装置。
[0011]根据本实施方式，提供一种液晶显示装置，其特征在于，该液晶显示装置具备第I基板、第2基板及液晶层，所述第I基板具备:第I辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第I方向延伸；栅极布线，沿着第I方向延伸，位于所述第I辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第I源极布线及第2源极布线，分别沿着与第I方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第I源极布线和所述第2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第I副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第I辅助电容线对置，沿着第I方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第I副像素电极分离，沿着第I方向延伸；以及第I取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第I副像素电极、以及所述第2副像素电极；所述第2基板具备:第2主共用电极，在夹着所述主像素电极的两侧分别沿着第2方向延伸；第2副共用电极，与所述第2主共用电极相连，在所述第I副像素电极和所述第2副像素电极之间沿着第I方向延伸；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2主共用电极及所述第2副共用电极；所述液晶层含有保持于所述第I基板和所述第2基板之间的液晶分子。
[0012]根据本实施方式，提供一种液晶显示装置，其特征在于，具备第I基板、第2基板及液晶层，所述第I基板具备:第I辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第I方向延伸；栅极布线，沿着第I方向延伸，位于所述第I辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第I源极布线及第2源极布线，分别沿着与第I方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第I源极布线和所述第2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第I副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第I辅助电容线对置，沿着第I方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第I副像素电极分离，沿着第I方向延伸;第I主共用电极，与所述第I源极布线及所述第2源极布线分别对置，沿着第2方向延伸；以及第I取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第I副像素电极、所述第2副像素电极、以及所述第I主共用电极；所述第2基板具备:第2副共用电极，在所述第I副像素电极和所述第2副像素电极之间沿着第I方向延伸；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2副共用电极；所述液晶层含有保持于所述第I基板和所述第2基板之间的液晶分子。
[0013]根据本实施方式，提供一种液晶显示装置，其特征在于，具备第I基板、第2基板及液晶层，所述第I基板具备:第I辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第I方向延伸；栅极布线，沿着第I方向延伸，位于所述第I辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第I源极布线及第2源极布线，分别沿着与第I方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第I源极布线和所述第2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第I副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第I辅助电容线对置，沿着第I方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第I副像素电极分离，沿着第I方向延伸；第I副共用电极，与所述栅极布线对置，沿着第I方向延伸；以及第I取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第I副像素电极、所述第2副像素电极、以及所述第I副共用电极；所述第2基板具备--第2主共用电极，在夹着所述主像素电极的两侧分别沿着第2方向延伸，该第2主共用电极与所述第I副共用电极的电位相同；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2主共用电极；所述液晶层含有保持于所述第I基板和所述第2基板之间的液晶分子。
【专利附图】

【附图说明】
[0014]图1是概略性地表示本实施方式的液晶显示装置的构成的图。
[0015]图2是概略性地表示图1所示的液晶显示面板的构成及等效电路的图。
[0016]图3是对本实施方式的基本构成概略性地表示一像素的最小的单位构成体的俯视图。
[0017]图4是概略性地表示包括开关元件的液晶显示面板的截面的截面图。
[0018]图5是概略性地表示本实施方式的第I构成例的液晶显示面板的对置基板上的一像素的结构的俯视图。
[0019]图6是概略性地表示从对置基板侧观看本实施方式的第I构成例的液晶显示面板的一像素时的阵列基板的结构的俯视图。
[0020]图7是概略性地表示本实施方式的第2构成例的液晶显示面板的对置基板上的一像素的结构的俯视图。
[0021 ] 图8是概略性地表示从对置基板侧观看本实施方式的第2构成例的液晶显示面板的一像素时的阵列基板的结构的俯视图。
[0022]图9是概略性地表示本实施方式的第3构成例的液晶显示面板的对置基板上的一像素的结构的俯视图。
[0023]图10是概略性地表示从对置基板侧观看本实施方式的第3构成例的液晶显示面板的一像素时的阵列基板的结构的俯视图。
[0024]图11是概略性地表示从对置基板侧观看本实施方式的第4构成例的液晶显示面板的一像素时的阵列基板的结构的俯视图。
[0025]图12是将在第I至第4构成例中说明的阵列基板和第I至第3构成例中说明的对置基板的组合汇总的图。
[0026]图13是概略性地表示本实施方式的变形之一的俯视图。
[0027]图14是概略性地表示本实施方式的其他变形的俯视图。
[0028]图15是用于说明能够在本实施方式中应用的像素电极、栅极布线、以及辅助电容线的位置关系的图。
【具体实施方式】
[0029]下面参照附图详细说明本实施方式。另外，在各图上，对发挥相同或类似的功能的构成要素赋予相同的参考符号，并省略重复说明。
[0030]图1是概略性地表示本实施方式的液晶显示装置I的构成的图。
[0031]S卩，液晶显示装置I具备有源矩阵型的液晶显示面板LPN、与液晶显示面板LPN连接的驱动IC芯片2及挠性布线基板3、对液晶显示面板LPN进行照明的背光源4等。
[0032]液晶显示面板LPN构成为，具备:作为第I基板的阵列基板AR ;作为第2基板的对置基板CT，与阵列基板AR相对配置；以及未图示的液晶层，保持在阵列基板AR和对置基板CT之间。这样的液晶显示面板LPN具备显示图像的有效区域ACT。该有效区域ACT由mXn个配置成矩阵状的多个像素PX构成(其中，m及η是正整数)。
[0033]在图示的例子中，背光源4配置于阵列基板AR的背面侧。作为这种背光源4，可以应用各种方式，另外，作为光源，可以是利用了发光二极管(LED)的光源或利用了冷阴极管(CCFL)的光源等，省略详细结构的说明。
[0034]图2是概略性地表示图1所示的液晶显示面板LPN的构成及等效电路的图。
[0035]液晶显示面板LPN在有效区域ACT中具备η条栅极布线G (Gl?Gn)、n条辅助电容线C (Cl?Cn)、m条源极布线S (SI?Sm)等。栅极布线G以及辅助电容线C沿着例如第I方向X以大致直线状延伸。这些栅极布线G以及辅助电容线C沿着与第I方向X交叉的第2方向Y隔着间隔相邻且交替地并列配置。在此，第I方向X和第2方向Y彼此正交。源极布线S与栅极布线G及辅助电容线C交叉。源极布线S沿着第2方向Y以大致直线状延伸。另外，栅极布线G、辅助电容线C、以及源极布线S并不是必须以大致直线状延伸，它们的一部分也可以弯折。
[0036]各栅极布线G被引出到有效区域ACT的外侧，与栅极驱动器GD连接。各源极布线S被引出到有效区域ACT的外侧，与源极驱动器SD连接。这些栅极驱动器GD及源极驱动器SD的至少一部分形成在例如阵列基板AR上，与内置有控制器的驱动IC芯片2连接。
[0037]各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE等。保持电容Cs形成在例如辅助电容线C和像素电极PE之间。辅助电容线C与被施加了辅助电容电压的电压施加部VCS电连接。[0038]另外，在本实施方式中，液晶显示面板LPN构成为，像素电极PE形成在阵列基板AR上而共用电极CE的至少一部分形成在对置基板CT上，主要利用形成在像素电极PE和共用电极CE之间的电场对液晶层LQ的液晶分子进行开关。形成在像素电极PE和共用电极CE之间的电场是相对于由第I方向X和第2方向Y规定的X-Y平面、或阵列基板AR的基板主面、或对置基板CT的基板主面稍微倾斜的斜电场(或者与基板主面大致平行的横电场)。
[0039]开关元件SW由例如η沟道薄膜晶体管(TFT)构成。该开关元件SW与栅极布线G及源极布线S电连接。在有效区域ACT上形成有mXn个开关元件SW。
[0040]像素电极PE配置在各像素PX上，与开关元件SW电连接。在有效区域ACT中形成有mXn个像素电极PE。共用电极CE例如是共用电位，经由液晶层LQ对于多个像素PX的像素电极PE共用地配置。
[0041]阵列基板AR具备用于对共用电极CE施加电压的供电部VS。该供电部VS形成于例如有效区域ACT的外侧。共用电极CE之中的、形成在对置基板CT上的共用电极CE的至少一部分被引出到有效区域ACT的外侧，经由未图示的导电部件与形成在阵列基板AR上的供电部VS电连接。另外，在共用电极CE的一部分形成于阵列基板AR的情况下，形成在阵列基板AR上的共用电极CE的一部分在例如有效区域ACT的外侧与供电部VS电连接。
[0042]下面说明本实施方式的基本构成。
[0043]图3是概略性地表示一像素PX上的最小单位构成体的俯视图。
[0044]像素电极PE具有主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC。这些主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC相互电连接。在本实施方式中，主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC均被设置于阵列基板AR。主像素电极PA沿着第2方向Y延伸。第I副像素电极PB及第2副像素电极PC沿着与第2方向Y不同的第I方向X延伸。第2副像素电极PC从第I副像素电极PB分离。
[0045]在图示的例子中，像素电极PE形成为大致I字状。更具体地讲，主像素电极PA形成为，在大致像素中央部沿着第2方向Y以直线状延伸的带状。第I副像素电极PB及第2副像素电极PC形成为，在各个像素PX的上侧端部及下侧端部沿着第I方向X直线状地延伸的带状。
[0046]另外，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC也可以分别配置在与该像素PX上下相邻的像素之间。即，第I副像素电极PB也可以跨过图示的该像素PX和其下侧的像素(未图示)的边界而配置，第2副像素电极PC也可以跨过图示的该像素PX和其上侧的像素(未图示)的边界而配置。
[0047]第I副像素电极PB例如与主像素电极PA的一个端部结合，从主像素电极PA朝向其两侧延伸。第2副像素电极PC例如与主像素电极PA的另一个端部结合，从主像素电极PA朝向其两侧延伸。这些第I副像素电极PB及第2副像素电极PC与主像素电极PA大致正交。另外，第I副像素电极PB也可以结合到比主像素电极PA的一个端部稍微靠另一个端部的位置，同样地，第2副像素电极PC也可以结合到比主像素电极PA的另一个端部稍微靠一个端部的位置。像素电极PE与例如在第2副像素电极PC中省略了图示的开关元件电连接。
[0048]共用电极CE具有主共用电极CA及副共用电极CB。这些主共用电极CA及副共用电极CB相互电连接。这种共用电极CE与像素电极PE电绝缘。在本实施方式中，在共用电极CE上，主共用电极CA及副共用电极CB的至少一部分被设置于对置基板CT。
[0049]主共用电极CA沿着第2方向Y延伸。该主共用电极CA夹着主像素电极PA而配置于两侧。此时，在X-Y平面内，主共用电极CA均不与主像素电极PA重合，在各个主共用电极CA与主像素电极PA之间形成大致相等的间隔。即，主像素电极PA位于相邻的主共用电极CA的大致中间。
[0050]副共用电极CB沿着第I方向X延伸。副共用电极CB配置于第I副像素电极I3B和第2副像素电极PC之间。此时，在X-Y平面内，副共用电极CB均不与第I副像素电极PB及第2副像素电极PC重合，在第I副像素电极PB与副共用电极CB之间、以及第2副像素电极PC与副共用电极CB之间形成有大致相等的间隔。即，副共用电极CB位于第I副像素电极PB和第2副像素电极PC的大致中间。
[0051]在图示的例子中，主共用电极CA形成为沿着第2方向Y以直线状延伸的带状。畐Ij共用电极CB形成为沿着第I方向X以直线状延伸的带状。另外，主共用电极CA沿着第I方向X隔着间隔平行排列2条，在下文中为了进行区分，将图中的左侧的主共用电极称为CAL，将图中的右侧的主共用电极称为CAR。主共用电极CAL及主共用电极CAR的电位与副共用电极CB相同。在图示的例子中，主共用电极CAL及主共用电极CAR分别与副共用电极CB相连。
[0052]主共用电极CAL及主共用电极CAR分别配置于与该像素PX左右相邻的像素之间。即，主共用电极CAL跨过图示的该像素PX和其左侧的像素(未图示)的边界配置，主共用电极CAR跨过图示的该像素PX和其右侧的像素(未图示)的边界配置。
[0053]副共用电极CB横穿该像素PX的大致中央。
[0054]在相邻的主共用电极CAL及主共用电极CAR之间具有I条主像素电极PA。因此，主共用电极CAL、主像素电极PA、以及主共用电极CAR沿着第I方向X按照该顺序配置。即，主像素电极PA和主共用电极CA沿着第I方向X交替地配置。这些主像素电极PA与主共用电极CAL及主共用电极CAR相互大致平行地配置。另外，主共用电极CAL和主像素电极PA的沿着第I方向X的距离与主共用电极CAR和主像素电极PA的沿着第I方向X的距离大致同等。
[0055]在相邻的第I副像素电极PB及第2副像素电极PC之间存在I条副共用电极CB。因此，第I副像素电极PB、副共用电极CB、以及第2副像素电极PC沿着第2方向Y按该顺序配置。即，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC和副共用电极CB沿着第2方向Y交替配置。这些第I副像素电极PB、副共用电极CB、以及第2副像素电极PC相互大致平行地配置。另外，第I副像素电极PB和副共用电极CB的沿着第2方向Y的距离与第2副像素电极PC和副共用电极CB的沿着第2方向Y的距离大致相同。
[0056]即，在图示的例子中，在一像素PX中，由像素电极PE和共用电极CE划分的4个区域主要作为对显示有贡献的开口部或透过部形成。
[0057]在此表示的例子中，液晶分子LM的初始取向方向是例如与第2方向Y大致平行的方向。
[0058]另外，在此虽未详细说明，主共用电极CA的至少I个也可以与源极布线S对置，该源极布线S与主共用电极CA大致平行地(或沿着第2方向Y)延伸。另外，第I副像素电极PB、第2副像素电极PC、以及副共用电极CB的任意一个与大致平行于它们(或沿着第I方向X)延伸的栅极布线G或辅助电容线C对置。
[0059]另外，后面详细说明，主共用电极CA可以包括设置于阵列基板AR的第I主共用电极CAl和设置于对置基板CT的第2主共用电极CA2的至少一方。另外，副共用电极CB也可以包括设置于阵列基板AR的第I副共用电极CBl和设置于对置基板CT的第2副共用电极CB2的至少一方。第I主共用电极CA1、第2主共用电极CA2、第I副共用电极CB1、以及第2副共用电极CB2均为同电位。
[0060]图4是概略性地表示包括开关元件SW的液晶显示面板LPN的截面的截面图。另夕卜，在此省略共用电极的图示，只图示说明所需的位置。
[0061]在构成液晶显示面板LPN的阵列基板AR的背面侧配置有背光源4。
[0062]阵列基板AR使用例如玻璃基板、塑料基板等具有透光性的第I绝缘基板10来形成。该阵列基板AR在第I绝缘基板10的与对置基板CT对置的一侧具备开关元件SW、像素电极PE、第I取向膜ALl等。
[0063]在图示的例子中，开关元件SW是顶栅型薄膜晶体管，但可以是底栅型薄膜晶体管。另外，开关元件SW的半导体层SC例如由多晶硅形成，然而也可以由非晶态硅形成。
[0064]半导体层SC在夹着沟道区域SCC的两侧分别具有源极区域SCS及漏极区域S⑶。另外，也可以在第I绝缘基板10和半导体层SC之间存在作为绝缘膜的底涂层层。半导体层SC被栅极绝缘膜11覆盖。另外，栅极绝缘膜11在第I绝缘基板10之上也配置。
[0065]开关元件SW的栅电极WG形成于栅极绝缘膜11之上，位于半导体层SC的沟道区域SCC的上方。另外，栅极布线G及辅助电容线C也形成于栅极绝缘膜11之上。这些栅电极WG、栅极布线G、以及辅助电容线C能够使用相同的材料通过相同的工序来形成。栅电极WG与栅极布线G电连接。
[0066]栅电极WG、栅极布线G、以及辅助电容线C被第I层间绝缘膜12覆盖。另外，该第I层间绝缘膜12也配置于栅极绝缘膜11之上。这些栅极绝缘膜11及第I层间绝缘膜12由例如氧化硅及氮化硅等无机类材料形成。
[0067]开关元件SW的源电极WS及漏电极WD形成于第I层间绝缘膜12之上。另外，源极布线S也形成于第I层间绝缘膜12之上。这些源电极WS、漏电极WD、以及源极布线S能够使用相同的材料通过相同的工序来形成。源电极WS与源极布线S电连接。
[0068]源电极WS通过将栅极绝缘膜11及第I层间绝缘膜12贯通的接触孔，与半导体层SC的源极区域SCS接触。漏电极WD通过将栅极绝缘膜11及第I层间绝缘膜12贯通的接触孔，与半导体层SC的漏极区域S⑶接触。这些栅电极WG、栅极布线G、辅助电容线C、源电极WS、漏电极WD、以及源极布线S由例如钥、铝、钨、钛等导电材料形成。
[0069]这样构成的开关元件SW被第2层间绝缘膜13覆盖。S卩，源电极WS、漏电极WD、以及源极布线S被第2层间绝缘膜13覆盖。另外，该第2层间绝缘膜13还配置于第I层间绝缘膜12之上。该第2层间绝缘膜13由例如紫外线固化型树脂或热固化型树脂等各种有机材料形成。
[0070]像素电极PE形成于第2层间绝缘膜13之上。虽不详细说明，构成像素电极PE的主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC形成于第2层间绝缘膜13之上。该像素电极PE经由将第2层间绝缘膜13贯通的接触孔与漏电极WD连接。这种像素电极PE由例如氧化铟锡(ITO)或掺铟氧化锌(IZO)等具有透光性的导电材料形成，然而也可以由铝等其他金属材料形成。
[0071]第I取向膜ALl配置于阵列基板AR的与对置基板CT对置的面，遍及有效区域ACT的大致整体延伸。该第I取向膜ALl覆盖像素电极PE，还配置于第2层间绝缘膜13之上。这种第I取向膜ALl由表现出水平取向性的材料形成。
[0072]另外，阵列基板AR有时还具备作为共用电极的一部分的第I主共用电极及第I副共用电极。
[0073]另一方面，对置基板CT使用例如玻璃基板、塑料基板等具有透光性的第2绝缘基板20形成。该对置基板CT在第2绝缘基板20的与阵列基板AR对置的一侧具备省略了图示的共用电极之中的第2主共用电极及第2副共用电极的至少一方、以及第2取向膜AL2等。另外，虽省略图示，该对置基板CT上也可以配置划分各像素PX的(或者与源极布线S、栅极布线G、辅助电容线C、开关元件SW等布线部对置地配置的)黑矩阵、与各像素PX对应地配置的滤色层、将黑矩阵以及滤色层的表面的凹凸的影响缓和的保护层等。
[0074]共用电极由例如ΙΤ0、IZO等具有透光性的导电材料形成。
[0075]第2取向膜AL2配置于对置基板CT的与阵列基板AR对置的面，遍及有效区域ACT的大致整体延伸。该第2取向膜AL2覆盖共用电极等。这种第2取向膜AL2由表现出水平取向性的材料形成。
[0076]对这些第I取向膜ALl及第2取向膜AL2实施用于使液晶分子LM初始取向的取向处理(例如摩擦处理或光取向处理)。第I取向膜ALl使液晶分子LM初始取向的第I取向处理方向PD I与第2取向膜AL2使液晶分子LM初始取向的第2取向处理方向PD2平行。在图3的(A)中示出的例子中，第I取向处理方向PDl和第2取向处理方向PD2相互大致平行，均朝向相同的方向。在图3的(B)中示出的例子中，第I取向处理方向PDl和第2取向处理方向PD2相互大致平行,相互朝向相反方向。
[0077]如上所述的阵列基板AR和对置基板CT配置成各自的第I取向膜ALl及第2取向膜AL2对置。此时，在阵列基板AR的第I取向膜ALl和对置基板CT的第2取向膜AL2之间配置有例如由树脂材料一体形成在一方的基板上的柱状衬垫，由此，形成预定的单元间隙(cell gap)、例如2?7μπι的单元间隙。阵列基板AR和对置基板CT以形成了预定的单元间隙的状态通过有效区域ACT的外侧的密封部件贴合。
[0078]液晶层LQ保持在形成于阵列基板AR和对置基板CT之间的单元间隙中，配置于第I取向膜ALl和第2取向膜AL2之间。液晶层LQ含有液晶分子LM。这种液晶层LQ由例如介电常数异方性为正(阳型)的液晶材料构成。
[0079]在阵列基板AR的外表面、即构成阵列基板AR的第I绝缘基板10的外表面上，通过粘合剂等粘贴有第I光学元件ODl。该第I光学元件ODl位于液晶显示面板LPN的与背光源4对置的一侧，控制从背光源4入射到液晶显示面板LPN的入射光的偏振状态。该第I光学兀件ODl包括具有第I偏振轴AXl的第I偏振板PLl。另外,在第I偏振板PLl和第I绝缘基板10之间也可以配置有相位差板等其他光学元件。
[0080]在对置基板CT的外表面、即构成对置基板CT的第2绝缘基板20的外表面上，通过粘合剂等粘贴有第2光学元件0D2。该第2光学元件0D2位于液晶显示面板LPN的显示面侧，控制从液晶显示面板LPN射出的射出光的偏振状态。该第2光学元件0D2包括具有第2偏振轴ΑΧ2的第2偏振板PL2。另外,在第2偏振板PL2和第2绝缘基板20之间也可以配置相位差板等其他光学元件。
[0081]第I偏振板PLl的第I偏振轴AXl和第2偏振板PL2的第2偏振轴AX2处于正交尼科耳的位置关系。此时，一方的偏振板配置成，例如其偏振轴与液晶分子LM的初始取向方向、即第I取向处理方向PDl或第2取向处理方向PD2平行或正交。在初始取向方向与第2方向Y平行的情况下，一方的偏振板的偏振轴与第2方向Y平行或与第I方向X平行。
[0082]在图3的(a)不出的例子中，第I偏振板PLl配置成,其第I偏振轴AXl与液晶分子LM的初始取向方向、即第2方向Y正交，另外，第2偏振板PL2配置成，其第2偏振轴AX2与液晶分子LM的初始取向方向平行。另外，在图3的(b)示出的例子中，第2偏振板PL2配置成，其第2偏振轴AX2与液晶分子LM的初始取向方向、即第2方向Y正交，另外，第I偏振板PLl配置成，其第I偏振轴AXl与液晶分子LM的初始取向方向平行。
[0083]由此，实现常黑模式。
[0084]接着，说明上述构成的液晶显示面板LPN的动作。
[0085]即，在没有对液晶层LQ施加电压的状态、即像素电极PE与共用电极CE之间没有形成电场的无电场时(截止时(OFF时))，如图3中虚线所示，液晶层LQ的液晶分子LM以其长轴朝向第I取向膜ALl的第I取向处理方向PDl及第2取向膜AL2的第2取向处理方向PD2的方式取向。这种截止时相当于初始取向状态，截止时的液晶分子LM的取向方向相当于初始取向方向。
[0086]另外，严格来说，液晶分子LM不限于与X-Y平面平行地进行取向，多数情况下预倾(pretilt)。因此，液晶分子LM的严格的初始取向方向是指，将截止时的液晶分子LM的取向方向朝向X-Y平面正投影的方向。然而，为了省略说明，下文中设液晶分子LM与X-Y平面平行地进行取向，在与X-Y平面平行的面内旋转。
[0087]在此，第I取向处理方向PDl及第2取向处理方向PD2均是与第2方向Y大致平行的方向。在截止时，如图3中虚线所示，液晶分子LM以其长轴朝向与第2方向Y大致平行的方向的方式初始取向。即，液晶分子LM的初始取向方向与第2方向Y平行(或者相对于第2方向Y成为0° )。
[0088]如图示的例子所示，在I取向处理方向PDl及第2取向处理方向PD2平行且方向相同的情况下，在液晶层LQ的截面上，液晶分子LM在液晶层LQ的中间部附近大致水平(预倾角大致为零)取向，将此处作为边界，在第I取向膜ALl的附近及第2取向膜AL2的附近具备对称的预倾角而取向(发散取向)。像这样，在液晶分子LM进行发散取向的状态下，即使在从基板的法线方向倾斜的方向上，也能够通过第I取向膜ALl的附近的液晶分子LM和第2取向膜AL2的附近的液晶分子LM进行光学补偿。因此，在第I取向处理方向PDl以及第2取向处理方向PD2相互平行且方向相同时，在黑显示的情况下，漏光少且能够实现高对比度，能够提闻显不品质。
[0089]另外，在第I取向处理方向PDl及第2取向处理方向PD2相互平行且方向相反的情况下，在液晶层LQ的截面上，液晶分子LM在第I取向膜ALl的附近、第2取向膜AL2的附近、以及液晶层LQ的中间部具有大致均勻的预倾角进行取向(homogeneous alignment:均一取向)。
[0090]来自背光源4的背光的一部分透过第I偏振板PL1，入射到液晶显示面板LPN。入射到液晶显示面板LPN的光是与第I偏振板PLl的第I偏振轴AXl正交的直线偏振光。这种直线偏振光的偏振状态在通过截止时的液晶显示面板LPN时几乎不变化。因此，透过了液晶显示面板LPN的直线偏振光被相对于第I偏振板PLl处于正交尼科耳的位置关系的第2偏振板PL2吸收(黑显示)。
[0091]另一方面，在对液晶层LQ施加了电压的状态、即在像素电极PE和共用电极CE之间形成了电位差的状态(导通时(0N时))下，在像素电极PE和共用电极CE之间形成与基板大致平行的横电场(或斜电场)。液晶分子LM受到电场的影响，其长轴如图中的实线所示在与X-Y平面大致平行的平面内旋转。
[0092]在图3示出的例子中，在像素电极PE和主共用电极CAL之间的区域之中，上侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第2方向Y按顺时针方向旋转而朝向图中的左下进行取向，另外，下侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第2方向Y按逆时针方向旋转而朝向图中的左上进行取向。在像素电极PE和主共用电极CAR之间的区域之中，上侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第2方向Y按逆时针方向旋转而朝向图中的右下进行取向，下侧一半的区域内的液晶分子LM相对于第2方向Y按顺时针方向旋转而朝向图中的右上进行取向。
[0093]像这样，在各像素PX中，在像素电极PE和共用电极CE之间形成了电场的状态下，液晶分子LM的取向方向以与像素电极PE重合的位置为边界朝向多个方向散开，在各个取向方向上形成畴(domain)。S卩，在一像素PX上形成多个畴。
[0094]在这种导通时,与第I偏振板PLl的第I偏振轴AXl正交的直线偏振光入射到液晶显示面板LPN，其偏振状态在光通过液晶层LQ时根据液晶分子LM的取向状态而改变。在这种导通时，通过了液晶层LQ的至少一部分的光透过第2偏振板PL2 (白显示)。
[0095]根据这样的本实施方式，由于能够在一像素内形成4个畴，所以能够对4个方向处的视场角进行光学补偿，能够实现广视场角化。因此，能够在没有灰度反转的情况下，实现高透过率的显示，能够提供显示品质良好的液晶显示装置。
[0096]另外，在一像素内，针对由像素电极PE和共用电极CE划分出的4个区域，将各个开口部的面积设定为大致相同，从而各区域的透过率大致相同，透过了各个开口部的光相互光学补偿，能够在广视场角范围内实现均匀的显示。
[0097]另外，确认到，与液晶分子的初始取向状态垂直于基板的垂直取向型的液晶显示装置相比，本实施方式即使在中间灰度时，也视场角宽且亮度明亮。
[0098]另外，当导通时，在像素电极PE的主像素电极PA附近、第I副像素电极PB附近、以及第2副像素电极PC附近、或者共用电极CE的主共用电极CA附近及副共用电极CB附近，几乎不形成横电场(或者未形成足以驱动液晶分子LM的电场)，所以液晶分子LM与截止时同样，几乎不从初始取向方向变化。因此，如上所述，即使由透光性的导电材料形成像素电极PE及共用电极CE，在这些区域中，背光几乎不透过，在导通时，几乎对显示几乎没有贡献。因此，像素电极PE及共用电极CE不必一定由透明的导电材料形成，也可以使用铝、银等导电材料形成。
[0099]另外，在阵列基板AR和对置基板CT之间产生了对准偏差时，在与夹着像素电极PE的两侧的共用电极CE的距离上产生差。然而，这种对准偏差在全部的像素PX上共同产生，所以在像素PX间的电场分布上没有差异，给图像的显示带来的影响非常小。
[0100]另外，上述的一像素PX的最小的单位构成体不限于正方形，在第2方向Y或第I方向X上的伸缩没有限制，可以形成为矩形。即，通过单位构成体自身或将单位构成体组合，能够设计所需的像素尺寸。像这样，即使自由设计单位构成体的尺寸，由于液晶分子LM通过在电极间产生的电场而在基板上水平地取向，所以给相对于基板的法线方向的光程差带来的影响小。因此，像素尺寸的变更几乎不会给亮度及视场角带来影响。
[0101]另一方面，在初始取向状态相对于基板垂直地取向、且通过施加电压而水平地取向的垂直取向型液晶显示装置的情况下，在电极间产生的电场强度在像素内不同时，液晶分子相对于基板的倾斜程度也不同，所以给相对于基板的法线方向的光程差带来的影响大。因此，像素尺寸的变更给亮度及视场角带来的影响大。由此，假设在该单位构成体中应用了垂直取向型液晶分子的情况下，为了使像素内的电场强度及电场分布均匀，单位构成体需要形成为正方形。
[0102]接着，说明本实施方式的一构成例。
[0103]《第I构成例》
[0104]首先，说明本实施方式的第I构成例。
[0105]图5是概略性地表示本实施方式的第I构成例的液晶显示面板LPN的对置基板CTl上的一像素PX的结构的俯视图。
[0106]在该第I构成例中，共用电极CE作为主共用电极而具有设置于对置基板CTl的第2主共用电极CA2、以及作为副共用电极而具有设置于对置基板CTl的第2副共用电极CB2。这些第2主共用电极CA2及第2副共用电极CB2被第2取向膜AL2覆盖。
[0107]S卩，图示的对置基板CTl具备沿着第2方向Y以直线状延伸的带状的第2主共用电极CA2和沿着第I方向X以直线状延伸的带状的第2副共用电极CB2。这些第2主共用电极CA2及第2副共用电极CB2电连接。在图示的例子中，第2主共用电极CA2及第2副共用电极CB2形成为一体(或连续)。即，在对置基板CTl上，共用电极CE形成为栅格状。
[0108]另外，图示的第2主共用电极CA2沿着第I方向X隔着间隔平行排列2条，以下为了将它们区分，将图中的左侧的第2主共用电极称为CAL2，将图中的右侧的第2主共用电极称为CAR2。第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2分别与第2副共用电极CB2相连。
[0109]虽未详细说明，这样构成的共用电极CE被引出到有效区域的外侧，经由导电部件，与形成在阵列基板上的供电部电连接，被供给共用电位。
[0110]接着，说明适于与图5所示的对置基板CTl的组合的阵列基板AR1。
[0111]图6是概略性地表示从对置基板CTl侧观看本实施方式的第I构成例的液晶显示面板LPN的一像素PX时的阵列基板ARl的结构的俯视图。另外，为了说明像素电极PE和共用电极CE的位置关系，用虚线图示共用电极CE。另外，只图示说明一像素PX所需的构成，省略开关元件等的图示。
[0112]阵列基板ARl具备:沿着第I方向X延伸的辅助电容线Cl及辅助电容线C2 ;沿着第I方向X延伸的栅极布线Gl ；沿着第2方向Y延伸的源极布线SI及源极布线S2 ；以及像素电极PE。辅助电容线Cl、辅助电容线C2、以及栅极布线Gl形成在栅极绝缘膜11之上，被第I层间绝缘膜12覆盖。源极布线SI及源极布线S2形成在第I层间绝缘膜12之上，被第2层间绝缘膜13覆盖。像素电极PE形成在第2层间绝缘膜13之上。
[0113]在图示的例子中，像素PX相当于图中的用虚线表示的区域，是沿着第2方向Y的长度比沿着第I方向X的长度大的长方形状。另外，在图示的例子中，在像素PX中，源极布线SI配置于左侧端部，源极布线S2配置于右侧端部。严格地说，源极布线SI跨过该像素PX和在其左侧相邻的像素的边界而配置，源极布线S2跨过该像素PX和在其右侧相邻的像素的边界而配置。另外，在像素PX上，辅助电容线Cl配置于上侧端部，辅助电容线C2配置于下侧端部，栅极布线Gl配置于大致像素中央部。即，栅极布线Gl与辅助电容线Cl的沿着第2方向Y的间隔和栅极布线Gl与辅助电容线C2的沿着第2方向Y的间隔大致相同。另外，辅助电容线Cl也可以跨过该像素PX和其上侧的像素的边界而配置。同样地，辅助电容线C2也可以跨过该像素PX和其下侧的像素的边界而配置。
[0114]像素电极PE配置在源极布线SI和源极布线S2之间，与省略了图示的开关元件电连接。这种像素电极PE具有沿着第2方向Y以直线状延伸的带状的主像素电极PA、沿着第I方向X以直线状延伸的带状的第I副像素电极PB及第2副像素电极PC。这些主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC电连接。在图示的例子中，主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC形成为一体(或连续)。S卩，在阵列基板ARl上，像素电极PE形成为I字状。另外，主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC均被第I取向膜ALl覆盖。
[0115]主像素电极PA位于比相邻的源极布线SI以及源极布线S2的各自正上方的位置更靠像素PX的内侧，配置于源极布线SI和源极布线S2的大致中间。这种主像素电极PA从像素PX的上侧端部附近延伸到下侧端部附近。
[0116]第I副像素电极PB配置于像素PX的下侧端部，与主像素电极PA的一个端部相连。这种第I副像素电极PB从主像素电极PA分别朝向其两侧、即主像素电极PA的左侧的源极布线SI以及主像素电极PA的右侧的源极布线S2直线状地延伸。
[0117]第2副像素电极PC配置于像素PX的上侧端部，与主像素电极PA的另一个端部相连。这种第2副像素电极PC从主像素电极PA分别朝向其两侧、即源极布线SI及源极布线S2直线状地延伸。在该第I构成例中，第2副像素电极PC与辅助电容线Cl对置。在图示的例子中，第2副像素电极PC配置于辅助电容线Cl的上方。在第2副像素电极PC和辅助电容线Cl之间，作为绝缘膜存在第I层间绝缘膜12及第2层间绝缘膜13。
[0118]这些第I副像素电极PB及第2副像素电极PC各自的沿着第I方向X的长度可以大致相同，也可以不同。在第2副像素电极PC覆盖辅助电容线Cl的情况下，第2副像素电极PC的沿着第I方向X的长度大于等于位于源极布线SI和源极布线S2之间的辅助电容线Cl的沿着第I方向X的长度。
[0119]另外，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC各自的沿着第2方向Y的宽度可以大致相同，也可以不同。第2副像素电极PC在辅助电容线Cl上与未图示的开关元件电连接的构成的情况下，第2副像素电极PC的宽度可以比第I副像素电极PB的宽度大。在第2副像素电极PC覆盖辅助电容线Cl的情况下，第2副像素电极PC的宽度大于等于辅助电容线Cl的宽度。
[0120]如上所述，在辅助电容线Cl配置于像素的上侧端部、栅极布线Gl配置于大致像素中央部的结构中，第2副像素电极PC能够配置成将位于源极布线SI和源极布线S2之间的辅助电容线Cl覆盖。另外，在辅助电容线C2配置于像素的下侧端部的构成中，第I副像素电极PB能够配置成将位于源极布线SI和源极布线S2之间的辅助电容线C2覆盖。
[0121]另外，在I条辅助电容线上，可以配置有在第2方向Y上相邻的2个像素电极的第I副像素电极PB及第2副像素电极PC。例如，在辅助电容线Cl上，可以配置所图示的该像素PX的像素电极PE的第2副像素电极PC、以及配置于该像素PX的上侧的像素上的像素电极的第I副像素电极。在这种情况下，该像素PX的像素电极PE的第I副像素电极PB配置于辅助电容线C2之上。
[0122]另外，也可以使栅极布线Gl配置于像素PX的上侧端部或者下侧端部，辅助电容线Cl配置于大致像素中央部。在该情况下，第I副像素电极PB或者第2副像素电极PC也可以与栅极布线Gl对置(或者，第I副像素电极PB或第2副像素电极PC也可以配置于栅极布线Gl的上方)。
[0123]另一方面，在共用电极CE上，第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2夹着主像素电极PA的正上方的位置而配置于两侧，并且第2副共用电极CB2配置于第I副像素电极PB的正上方的位置和第2副像素电极PC的正上方的位置之间。换言之，主像素电极PA配置于第2主共用电极CAL2和第2主共用电极CAR2之间，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC夹着第2副共用电极CB2而配置于两侧。
[0124]在图示的例子中，第2主共用电极CAL2配置于像素PX的左侧端部，与源极布线SI对置(或者，第2主共用电极CAL2配置于源极布线SI的上方)。另外，第2主共用电极CAR2配置于像素PX的右侧端部，与源极布线S2对置(或者，第2主共用电极CAR2配置于源极布线S2的上方)。另外，第2副共用电极CB2配置于大致像素中央部，与栅极布线Gl对置(或者，第2副共用电极CB2配置于栅极布线Gl的上方)。
[0125]根据这种第I构成例，如上所述，能够在一像素内形成4个畴，所以能够对4个方向处的视场角进行光学补偿，能够实现广视场角化。
[0126]另外，第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2分别与源极布线SI及源极布线S2对置。尤其是，在第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2分别配置于源极布线SI及源极布线S2的上方的情况下，与第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2配置于比源极布线SI及源极布线S2更靠主像素电极PA侧的位置的情况相比，能够扩大对显示有贡献的开口部，能够提高像素PX的透过率。
[0127]另外，通过将第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2分别配置于源极布线SI及源极布线S2的上方，能够扩大主像素电极PA与第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2之间的距离，能够形成更加接近水平的横电场。因此，能够维持现有构成的IPS模式等的优点、即广视场角。
[0128]此外，像素电极PE的第I副像素电极PB或第2副像素电极PC配置成与辅助电容线、栅极布线对置，所以能够遮蔽来自辅助电容线、栅极布线的不希望的电场。因此，能够抑制从辅助电容线和/或栅极布线对液晶层LQ施加不希望的偏压，能够抑制烧毁(burn-1n)等显示不良的产生。因此，能够提供显示品质更加良好的液晶显示装置。
[0129]《第2构成例》
[0130]接着，说明本实施方式的第2构成例。另外，对与第I构成例相同的结构，赋予相同的参考符号，并省略详细说明。
[0131]图7是概略性地表示本实施方式的第2构成例的液晶显示面板LPN的对置基板CT2上的一像素PX的结构的俯视图。
[0132]在该第2构成例中，共用电极CE作为主共用电极而具备设置于后述的阵列基板的第I主共用电极CAl、以及作为副共用电极而具备设置于对置基板CT2的第2副共用电极CB2。该第2副共用电极CB2被第2取向膜AL2覆盖。
[0133]S卩，图示的对置基板CT2具备沿着第I方向X呈直线状延伸的带状的第2副共用电极CB2，不具备主共用电极。即，在对置基板CT2上，共用电极CE形成为在第I方向X上延伸的条纹状。
[0134]虽然没有详细说明，这种共用电极CE的第2副共用电极CB2被引出到有效区域的外侧，经由导电部件与形成于阵列基板的供电部电连接，被供给共用电位。
[0135]接着，说明适于与图7所示的对置基板CT2组合的阵列基板AR2。
[0136]图8是概略性地表示从对置基板CT2侧观看本实施方式的第2构成例的晶显示面板LPN的一像素PX时的阵列基板AR2的结构的俯视图。另外，为了说明像素电极PE和共用电极CE的位置关系，用虚线图示共用电极CE。另外，只图示说明一像素P所需的构成，省略开关元件等的图示。
[0137]与阵列基板ARl同样地，阵列基板AR2具备:沿着第I方向X延伸的辅助电容线Cl及辅助电容线C2 ;沿着第I方向X延伸的栅极布线Gl ;沿着第2方向Y延伸的源极布线SI及源极布线S2;以及像素电极PE。像素电极PE被第I取向膜ALl覆盖。此外，阵列基板AR2具备共用电极CE的一部分、即沿着第2方向Y以直线状延伸的带状的第I主共用电极CAl。该第I主共用电极CAl与第2副共用电极CB2为同电位。
[0138]另外，图示的第I主共用电极CAl沿着第I方向X隔着间隔平行地排列2条，以下为了将它们区分，将图中的左侧的第I主共用电极称为CAL1，将图中的右侧的第I主共用电极称为CARl。这些第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl例如与像素电极PE同样地形成于第2层间绝缘膜13之上，被第I取向膜ALl覆盖。在这种情况下，第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl能够使用与像素电极PE相同的材料(例如ITO等)以相同的工序形成。
[0139]在图示的例子中，第I主共用电极CALl配置于像素PX的左侧端部，与源极布线SI对置(或者，第I主共用电极CALl配置于源极布线SI的上方)。另外，第I主共用电极CARl配置于像素PX的右侧端部，与源极布线S2对置(或者，第I主共用电极CARl配置于源极布线S2的上方)。在第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl与源极布线SI及源极布线S2之间，作为绝缘膜存在第2层间绝缘膜13。
[0140]这些第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl分别在有效区域内直线状地延伸，引出到有效区域的外侧，与形成于阵列基板AR2的供电部电连接，被供给共用电位。另夕卜，在第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl各自在有效区域内覆盖源极布线SI及源极布线S2的情况下，第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl的沿着第I方向X的宽度大于等于源极布线SI及源极布线S2的沿着第I方向X的宽度。
[0141]与第I构成例同样地，像素电极PE配置于源极布线SI和源极布线S2之间、即第I主共用电极CALl和第I主共用电极CARl之间。该像素电极PE具有主像素电极PA、第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC。
[0142]主像素电极PA配置于第I主共用电极CALl和第I主共用电极CARl的大致中间的位置。第I副像素电极PB及第2副像素电极PC分别朝向第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl延伸。然而，在像素电极PE与第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl一起形成于第2层间绝缘膜13上的情况下，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC分别配置成不与第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl接触(或者，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC分别配置成从第I主共用电极CALl及第I主共用电极CARl分离)。
[0143]第2副像素电极PC与辅助电容线Cl对置(或者，第2副像素电极PC配置于辅助电容线Cl的上方)。
[0144]另外，也可以是，栅极布线Gl配置于像素PX的上侧端部或者下侧端部，辅助电容线Cl配置于大致像素中央部。在该情况下，第I副像素电极PB或第2副像素电极PC也可以与栅极布线Gl对置(或者，第I副像素电极PB或第2副像素电极PC也可以配置于栅极布线Gl的上方)。
[0145]另一方面，在共用电极CE上，第2副共用电极CB2配置于第I副像素电极PB的正上方的位置和第2副像素电极PC的正上方的位置之间。换言之，主像素电极PA配置于第I主共用电极CALl和第I主共用电极CARl之间，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC夹着第2副共用电极CB2而配置于两侧。
[0146]在图示的例子中，第2副共用电极CB2配置于大致像素中央部，与栅极布线Gl对置(或者，第2副共用电极CB2配置于栅极布线Gl的上方)。
[0147]根据这种第2构成例，如上所述，能够在一像素内形成4个畴，所以能够对4个方向处的视场角进行光学补偿，能够实现广视场角化。另外，除了在第I构成例中说明的效果之外，共用电极CE的第I主共用电极CAl的至少I个配置成与源极布线对置，所以能够将来自源极布线的不希望的电场遮蔽。因此，能够抑制从源极布线对液晶层LQ施加不希望的偏压，能够抑制串扰(例如下述现象:在该像素PX被设定为显示黑色的像素电位的状态下，向与该像素PX连接的源极布线供给显示白色的像素电位时，从该像素PX的一部分产生漏光而导致亮度上升)等显示不良的发生。因此，能够提供一种显示品质更加良好的液晶显示
装直。
[0148]另外，该第2构成例中说明的阵列基板AR2也可以与在第I构成例中说明的对置基板CTl组合。在这种情况下，共用电极CE构成如下:作为主共用电极，具有设置于阵列基板AR2的第I主共用电极CAl及设置于对置基板CTl的第2主共用电极CA2。在这种第I主共用电极CAl和第2主共用电极CA2夹着液晶层对置的区域中，能够抑制产生不希望的纵电场(即沿着基板主面的法线方向的电场)。
[0149]《第3构成例》
[0150]接着，说明本实施方式的第3构成例。另外，对与第I构成例相同的结构，赋予相同的参考符号，并省略详细说明。
[0151]图9是概略性地表示本实施方式的第3构成例的液晶显示面板LPN的对置基板CT3上的一像素PX的结构的俯视图。
[0152]在该第3构成例中，共用电极CE作为主共用电极而具备设置于对置基板CT3的第2主共用电极CA2、作为副共用电极而具备设置于后述的阵列基板的第I副共用电极CB1。该第2主共用电极CA2被第2取向膜AL2覆盖。
[0153]即，图示的对置基板CT3具备沿着第2方向Y以直线状延伸的带状的第2主共用电极CA2，不具备副共用电极。即，在对置基板CT3上，共用电极CE形成为在第2方向Y上延伸的条纹状。另外，图示的第2主共用电极CA2沿着第I方向X隔着间隔平行地排列2条，为了将它们区分，将图中的左侧的第2主共用电极称为CAL2，将图中的右侧的第2主共用电极称为CAR2。
[0154]虽然没有详细说明，这种共用电极CE的第2主共用电极CA2被引出到有效区域的外侧，经由导电部件与形成于阵列基板的供电部电连接，被供给共用电位。
[0155]接着，说明适于与图9所示的对置基板CT3组合的阵列基板AR3。
[0156]图10是概略性地表示从对置基板CT3侧观看本实施方式的第3构成例的液晶显示面板LPN的一像素PX时的阵列基板AR3的结构的俯视图。另外，为了说明像素电极PE和共用电极CE的位置关系，用虚线图示共用电极CE。另外，只图示说明一像素PX所需的构成，省略开关元件等的图示。
[0157]与阵列基板ARl同样地，阵列基板AR3具备:沿着第I方向X延伸的辅助电容线Cl及辅助电容线C2 ;沿着第I方向X延伸的栅极布线Gl ;沿着第2方向Y延伸的源极布线SI及源极布线S2;以及像素电极PE。像素电极PE被第I取向膜ALl覆盖。此外，阵列基板AR3具备共用电极CE的一部分、即沿着第I方向X以直线状延伸的带状的第I副共用电极CBl。该第I副共用电极CBl与第2主共用电极CA2为同电位。
[0158]该第I副共用电极CBl与像素电极PE交叉，所以不能够与像素电极PE形成在同一层。因此，在像素电极PE和第I副共用电极CBl之间存在层间绝缘膜。另外，第I取向膜ALl也可以位于像素电极PE及第I副共用电极CBl的任意一方的上方。
[0159]该第I副共用电极CBl配置于第I副像素电极PB和第2副像素电极PC之间。在图示的例子中，第I副共用电极CBl配置于大致像素中央部，与栅极布线Gl对置(或者，第I副共用电极CBl配置于栅极布线Gl的上方)。在第I副共用电极CBl和栅极布线Gl之间，作为绝缘膜，至少设置有第I层间绝缘膜12及第2层间绝缘膜13。
[0160]该第I副共用电极CBl在有效区域内直线状地延伸，被引出到有效区域的外侧，与形成于阵列基板AR3的供电部电连接，被供给共用电位。另外，第I副共用电极CBl在有效区域内覆盖栅极布线Gl的情况下，第I副共用电极CBl的沿着第2方向Y的宽度大于等于栅极布线Gl的沿着第2方向Y的宽度。
[0161]与第I构成例同样地，像素电极PE配置于源极布线SI和源极布线S2之间。该像素电极PE具有主像素电极PA、第I副像素电极PB以及第2副像素电极PC。
[0162]主像素电极PA配置于源极布线SI和源极布线S2的大致中间的位置。第I副像素电极PB及第2副像素电极PC夹着第I副共用电极CBl而配置于两侧。第2副像素电极PC与辅助电容线Cl对置(或者，第2副像素电极PC配置于辅助电容线Cl的上方)。
[0163]另外，栅极布线Gl配置于像素PX的上侧端部或者下侧端部，辅助电容线Cl配置于大致像素中央部。在这种情况下，第I副像素电极PB或第2副像素电极PC也可以与栅极布线Gl对置(或者，第I副像素电极PB或第2副像素电极PC也可以配置于栅极布线Gl的上方)，第I副共用电极CBl也可以与辅助电容线Cl对置(或者，第I副共用电极CBl也可以配置于辅助电容线Cl的上方)。
[0164]另一方面，在共用电极CE上，第2主共用电极CAL2及第2主共用电极CAR2夹着主像素电极PA的正上方的位置而配置于两侧。换言之，主像素电极PA配置于第2主共用电极CAL2和第2主共用电极CAR2之间。
[0165]在图示的例子中，第2主共用电极CAL2配置于像素PX的左侧端部，与源极布线SI对置(或者，第2主共用电极CAL2配置于源极布线SI的上方)。另外，第2主共用电极CAR2配置于像素PX的右侧端部，与源极布线S2对置(或者，第2主共用电极CAR2配置于源极布线S2的上方)。
[0166]根据这种第3构成例，如上所述，能够在一像素内形成4个畴，所以能够对4个方向处的视场角进行光学补偿，能够实现广视场角化。另外，除了在第I构成例中说明的效果之外，由于共用电极CE的第I副共用电极CBl配置成与栅极布线对置，所以能够遮蔽来自栅极布线的不希望的电场。因此，能够抑制从栅极布线对液晶层LQ施加不希望的偏压，能够抑制烧毁等显示不良的产生。因此，能够提供一种显示品质更加良好的液晶显示装置。
[0167]另外，如上所述在像素电极PE和第I副共用电极CBl之间存在层间绝缘膜的结构，与其他构成例相比，制造工序数量增加。但是，该构成例的整体的制造工序数量与现有的FFS模式的液晶显示装置的制造工序数量相同。在现有的FFS模式的液晶显示装置中，作为在一像素内形成多畴的构成之一，具有将像素电极的形状形成为“ < ”字状的构成。该<字状的像素电极的中央附近，容易产生旋转位移，由此会导致像素整体的亮度下降。另一方面，在本实施方式中，不会像FFS模式的液晶显示装置那样产生旋转位移，所以亮度提高。
[0168]另外，在该第3构成例中说明的阵列基板AR3也可以与在第I构成例中说明的对置基板CTl组合。在这种情况下，共用电极CE的构成如下:作为副共用电极，具备设置于阵列基板AR3的第I副共用电极CBl及设置于对置基板CTl的第2副共用电极CB2。在这种第I副共用电极CBl和第2副共用电极CB2夹着液晶层对置的区域中，能够抑制产生不希望的纵电场(即沿着基板主面的法线方向的电场)。
[0169]《第4构成例》
[0170]接着，说明本实施方式的第4构成例。另外，对与第I构成例相同的结构，赋予相同的参考符号，并省略详细说明。
[0171]图11是概略性地表示从对置基板CT侧观看本实施方式的第4构成例的液晶显示面板LPN的一像素PX时的阵列基板AR4的结构的俯视图。另外，只图示说明一像素PX所需的构成，省略开关元件等的图示。
[0172]在该第4构成例中，共用电极CE作为主共用电极而具有设置于阵列基板AR4的第I主共用电极CA1、作为副共用电极而具有设置于阵列基板AR4的第I副共用电极CB1。
[0173]与阵列基板ARl同样地，阵列基板AR4具备:沿着第I方向X延伸的辅助电容线Cl及辅助电容线C2 ;沿着第I方向X延伸的栅极布线Gl ;沿着第2方向Y延伸的源极布线SI及源极布线S2 ；以及像素电极PE。此外，阵列基板AR4具备共用电极CE，共用电极CE具有沿着第2方向Y以直线状延伸的带状的第I主共用电极CAl (CALl及CARl)以及沿着第I方向X以直线状延伸的带状的第I副共用电极CBl。S卩，在阵列基板AR4中，共用电极CE形成为栅格状。对于第I主共用电极CAl的构成，与阵列基板AR2中的说明相同。对于第I副共用电极CBl的构成，与阵列基板AR3中的说明相同。另外，第I取向膜ALl还位于像素电极PE、第I主共用电极CA1、以及第I副共用电极CBl的任意一方的上方。
[0174]虽然没有详细地说明，这种共用电极CE的第I主共用电极CAl及第I副共用电极CBl被引出到有效区域的外侧，经由导电部件与形成于阵列基板AR4的供电部电连接，被供给共用电位。
[0175]该第4构成例中说明的阵列基板AR4与第I构成例中说明的对置基板CT1、第2构成例中说明的对置基板CT2、以及第3构成例中说明的对置基板CT3的任一个都能够组合。
[0176]对于在上述的第I至第4构成例中说明的阵列基板AR1、阵列基板AR2、阵列基板AR3、以及阵列基板AR4与上述的第I至第3构成例中说明的对置基板CTl、对置基板CT2、以及对置基板CT3的组合，汇总于图12。图中的斜线相当于不能够实现本实施方式的基本构成的组合，图中的二重圈(◎)相当于各构成例中说明的组合，图中的白圈(〇)相当于在各构成例中可实现的组合。
[0177]接着，针对本实施方式的另一变形，简单说明一像素PX的构成。
[0178]图13是概略性地表示本实施方式的变形之一的俯视图。
[0179]像素电极PE具有沿着第2方向Y延伸且沿着第I方向X隔着间隔平行排列的2条主像素电极PA、沿着第I方向X延伸的第I副像素电极PB以及第2副像素电极PC。这种像素电极PE设置于阵列基板。
[0180]共用电极CE具有沿着第2方向Y延伸的主共用电极CA以及沿着第I方向X延伸的副共用电极CB。主共用电极CA配置于2条主像素电极PA的各自的两侧。即，3条主共用电极CA和2条主像素电极PA交替地配置。副共用电极CB配置于第I副像素电极PB和第2副像素电极PC之间。即，第I副像素电极PB及第2副像素电极PC和I条副共用电极CB交替地配置。对于这种共用电极CE，主共用电极CA及副共用电极CB的至少一部分被设置于对置基板。
[0181]在这种构成中，在一像素PX内形成有8个区域，在导通时，液晶分子在图中的箭头所表示的方向上取向。在这种构成中，能够得到与上述的各构成例相同的效果。
`[0182]图14是概略性地表示本实施方式的其他变形的俯视图。
[0183]像素电极PE具有沿着第2方向Y延伸的主像素电极PA、沿着第I方向X延伸的第I副像素电极PB、以及第2副像素电极PC。这些第I副像素电极PB及第2副像素电极PC不是在主像素电极PA的端部，而是在靠近像素中央部的位置与主像素电极PA结合。这种像素电极PE被设置于阵列基板。
[0184]共用电极CE具有沿着第2方向Y延伸的主共用电极CA、以及沿着第I方向X延伸的副共用电极CB。主共用电极CA配置于像素电极PE的两侧。即，2条主共用电极CA和I条主像素电极PA交替地配置。副共用电极CB配置于第I副像素电极PB及第2副像素电极PC各自的两侧。即，3条副共用电极CB和第I副像素电极PB及第2副像素电极PC交替地配置。对于这种共用电极CE，主共用电极CA及副共用电极CB的至少一部分被设置于对置基板。
[0185]在这种构成中，在一像素PX内形成有8个区域，在导通时，液晶分子在图中的箭头所表示的方向上取向。在这种构成中，也能够得到与上述的各构成例相同的效果。
[0186]图15是用于说明能够在本实施方式中应用的、像素电极PE的第I副像素电极PB及第2副像素电极PC和栅极布线Gl、辅助电容线Cl及辅助电容线C2的位置关系的图。
[0187]图15的(a)及(b)所示的例子相当于栅极布线Gl位于辅助电容线Cl和辅助电容线C2的大致中间的情况。图15的(c)至(f)所示的例子相当于栅极布线Gl比辅助电容线Cl靠近辅助电容线C2侧的情况。另外，在(a)至(f)所示的任一例子中，第2副像素电极PC均位于辅助电容线Cl的上方。
[0188]在图中的(a)及(f)所示的例子中，第I副像素电极PB位于辅助电容线C2的上方。在这种情况下，与图示的像素电极PE的上侧相邻的像素电极的副像素电极也位于辅助电容线Cl的上方，另外，与图示的像素电极PE的下侧相邻的像素电极的副像素电极也位于辅助电容线C2的上方。
[0189]在图中的(b)及(e)中示出的例子中，第I副像素电极PB位于栅极布线Gl和辅助电容线C2之间。在图中的(c)中示出的例子中，第I副像素电极PB位于栅极布线Gl的上方。在图中的(d)中示出的例子中，第I副像素电极PB位于栅极布线Gl和辅助电容线Cl之间。
[0190]在任何例子中，均能够应用对置基板CTl至CT3，能够应用于具备第I主共用电极CAl的阵列基板AR2、具备第I副共用电极CBl的阵列基板AR3、以及具备第I主共用电极CAl及第I副共用电极CBl的阵列基板AR4的任何阵列基板。
[0191]上述的本实施方式尤其适合于以点反转驱动进行电容耦合驱动的电容耦合点反转驱动((XDI驱动)的构成。S卩，在电容耦合驱动(CC驱动)中，通过各像素的保持电容Cs，将辅助电容信号重叠到像素电极PE上，从而达到预定的电压，所以在将保持电容Cs和像素容量设为大致相等的情况下，能够将信号电压振幅大致减半。在CCDI驱动中，相邻的像素PX的保持电容Cs与相互不同的辅助电容线C连接，将向相邻的像素PX的保持电容Cs供给的辅助电容电压设为相互不同的极性。例如，在图6的该像素PX的保持电容Cs与辅助电容线Cl连接的情况下，相邻的像素PX的保持电容Cs与辅助电容线C2连接。通过像这样将像素的保持电容和辅助电容线连接，能够将向相邻的像素PX的保持电容Cs供给的辅助电容电压设为相互不同的电压(例如高和低)。上述的栅极驱动器GD、源极驱动器SD、内置了控制器的驱动IC芯片2等作为用于进行这种CCDI驱动的驱动机构发挥作用，也可以设置于阵列基板AR。
[0192]根据应用了这种CCDI驱动的构成，能够降低电力消耗，并能够抑制显示品质的劣化。
[0193]如以上说明，根据本实施方式，能够提供显示品质良好的液晶显示装置。
[0194]另外，以上说明了本发明的几个实施方式，然而这些实施方式只是作为例子示出的，并不是要限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以通过其他各种方式实施，能够在不脱离发明宗旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形均包括在发明范围、要旨内，并且包含于权利要求书所记载的发明及其等价范围内。
【权利要求】
1.一种液晶显示装置，其特征在于， 该液晶显示装置具备第I基板、第2基板及液晶层， 所述第I基板具备--第I辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第I方向延伸；栅极布线，沿着第I方向延伸，位于所述第I辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第I源极布线及第2源极布线，分别沿着与第I方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第I源极布线和所述第2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第I副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第I辅助电容线对置，沿着第I方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第I副像素电极分离，沿着第I方向延伸；以及第I取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第I副像素电极、以及所述第2副像素电极； 所述第2基板具备--第2主共用电极，在夹着所述主像素电极的两侧分别沿着第2方向延伸；第2副共用电极，与所述第2主共用电极相连，在所述第I副像素电极和所述第2副像素电极之间沿着第I方向延伸；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2主共用电极及所述第2副共用电极； 所述液晶层含有保持于所述第I基板和所述第2基板之间的液晶分子。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于， 在所述主像素电极和所述第2主共用电极之间未形成电场的状态下，所述液晶分子的初始取向方向与第2方向大致平行。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，` 所述第I基板还具备第I主共用电极，该第I主共用电极与所述第I源极布线及所述第2源极布线分别对置，沿着第2方向延伸，被所述第I取向膜覆盖，该第I主共用电极与所述第2主共用电极的电位相同。
4.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I基板还具备第I副共用电极，该第I副共用电极与所述栅极布线对置，沿着第I方向延伸，被所述第I取向膜覆盖，该第I副共用电极与所述第2主共用电极的电位相同。
5.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I基板还具备: 第I副共用电极，与所述栅极布线对置，沿着第I方向延伸，被所述第I取向膜覆盖，该第I副共用电极与所述第2主共用电极的电位相同；以及 第I主共用电极，与所述第I副共用电极相连，与所述第I源极布线及所述第2源极布线分别对置，沿着第2方向延伸，被所述第I取向膜覆盖。
6.一种液晶显示装置，其特征在于， 具备第I基板、第2基板及液晶层， 所述第I基板具备--第I辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第I方向延伸；栅极布线，沿着第I方向延伸，位于所述第I辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第I源极布线及第2源极布线，分别沿着与第I方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第I源极布线和所述第2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第I副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第I辅助电容线对置，沿着第I方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第I副像素电极分离，沿着第I方向延伸?’第I主共用电极，与所述第I源极布线及所述第2源极布线分别对置，沿着第2方向延伸；以及第I取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第I副像素电极、所述第2副像素电极、以及所述第I主共用电极； 所述第2基板具备:第2副共用电极，在所述第I副像素电极和所述第2副像素电极之间沿着第I方向延伸；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2副共用电极； 所述液晶层含有保持于所述第I基板和所述第2基板之间的液晶分子。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于， 在所述主像素电极和所述第I主共用电极之间未形成电场的状态下，所述液晶分子的初始取向方向与第2方向大致平行。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I基板还具备第I副共用电极，该第I副共用电极与所述第I主共用电极相连，与所述栅极布线对置，沿着第I方向延伸，被所述第I取向膜覆盖。
9.一种液晶显示装置，其特征在于， 具备第I基板、第2基板及液晶层， 所述第I基板具备--第I辅助电容线及第2辅助电容线，分别沿着第I方向延伸；栅极布线，沿着第I方向延伸，位于所述第I辅助电容线和所述第2辅助电容线之间；第I源极布线及第2源极布线，分别沿着与第I方向交叉的第2方向延伸；带状的主像素电极，位于所述第I源极布线和所述第 2源极布线之间，沿着第2方向延伸；带状的第I副像素电极，与所述主像素电极相连，与所述第I辅助电容线对置，沿着第I方向延伸；带状的第2副像素电极，与所述主像素电极相连，从所述第I副像素电极分离，沿着第I方向延伸;第I副共用电极，与所述栅极布线对置，沿着第I方向延伸；以及第I取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述主像素电极、所述第I副像素电极、所述第2副像素电极、以及所述第I副共用电极； 所述第2基板具备:第2主共用电极，在夹着所述主像素电极的两侧分别沿着第2方向延伸，该第2主共用电极与所述第I副共用电极的电位相同；以及第2取向膜，由表现出水平取向性的材料形成，覆盖所述第2主共用电极； 所述液晶层含有保持于所述第I基板和所述第2基板之间的液晶分子。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于， 在所述主像素电极和所述第2主共用电极之间未形成电场的状态下，所述液晶分子的初始取向方向与第2方向大致平行。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I基板还具备第I主共用电极，该第I主共用电极与所述第I副共用电极相连，与所述第I源极布线及所述第2源极布线分别对置，沿着第2方向延伸，被所述第I取向膜覆盖。
12.如权利要求1~11的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第2副像素电极位于所述第2辅助电容线和所述栅极布线之间，或者位于所述第I辅助电容线和所述栅极布线之间。
13.如权利要求1~11的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第2副像素电极位于所述第2辅助电容线的上方。
14.如权利要求1~11的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I副像素电极与所述主像素电极的一个端部相连，所述第2副像素电极与所述主像素电极的另一个端部相连。
15.如权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述主像素电极位于所述第I源极布线和所述第2源极布线的大致中间。
16.如权利要求1~5、9~11的任一项所述的液晶显不装置,其特征在于， 所述第2主共用电极分别位于所述第I源极布线及所述第2源极布线的上方。
17.如权利要求1~8的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第2副共用电极位于所述栅极布线的上方。
18.如权利要求1~11的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I取向膜使所述液晶分子初始取向的第I取向处理方向和所述第2取向膜使所述液晶分子初始取向的第2取向处理方向相互大致平行， 所述液晶分子在所述第I基 板和所述第2基板之间进行发散取向或均一取向。
19.如权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于， 还具备第I偏振板和第2偏振板， 所述第I偏振板配置于所述第I基板的外表面，具有第I偏振轴， 所述第2偏振板配置于第2基板的外表面，具有与第I偏振轴处于正交尼科耳的位置关系的第2偏振轴， 所述第I偏振板的第I偏振轴与所述液晶分子的初始取向方向正交或平行。
20.如权利要求1~11的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第I基板具备用于进行电容耦合点反转驱动的驱动机构。
【文档编号】G02F1/1343GK103534642SQ201280017222
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年2月15日 优先权日:2011年4月8日
【发明者】广泽仁 申请人:株式会社日本显示器