具有芯部对芯部对准的光纤的制作方法
【专利摘要】一种光纤(100)包括第一端(102)和第二端(104)。所述光纤包括用于将光学信号从第一端传输到第二端的芯部(106)。所述芯部具有位于第一和第二端处的端部表面(103、105)和位于芯体的周边周围的包层(108)。磁性元件(110)设置在第一端和第二端的端部表面处。磁性元件被构造为磁性地耦接另一条光纤的芯部的端部处的磁性元件。磁性元件形成由芯部限定的光传输路径的部分。磁性元件是能够光学传输的并且允许光学信号从其穿过。
【专利说明】具有芯部对芯部对准的光纤
【技术领域】
[0001]此处描述的主题总体涉及光纤。
【背景技术】
[0002]光纤包括芯部，该芯部一般由玻璃或塑料形成并被构造为通过其传输光学信号。包层包围所述芯部。当耦接光纤时，每条光纤的芯部必须对准以使得来自第一光纤的光学信号能够被传输到第二光纤。没有使光纤的芯部适当地对准可能导致从第一光纤到第二光纤的不适当的传输。特别地，光学信号的部分可能没有从第一光纤传输到第二光纤。在光纤之间不适当的传输可能导致在传输光学信号时数据的丢失。
[0003]传统的光纤可利用套箍使光纤对准。其他的光纤使用V槽结构使光纤对准。替代地，一些光纤可在光纤的包层内包括耦接机构。然而，传统的光纤并非没有缺点。特别地，传统的光纤仅相对于包层对准。然而，使两条光纤的包层对准可能不会使其芯部对准。例如，芯部可能没有被相对于包层刚好中心地放置，这导致当包层被对准时芯部错位。
[0004]此外，一些已知的光纤具有在与其他光纤或电子部件配合时在芯部之间存在间隙或间隔的问题。在芯部之间具有间隔会导致信号的减弱。
【发明内容】
[0005]这些问题通过提供根据权利要求1的与另一条光纤芯部对芯部对准的光纤而得以解决。
[0006]根据本发明，光纤被设置为具有第一端和第二端。光纤包括用于将光学信号从第一端传输到第二端的芯部。芯部具有位于第一端和第二端处的端部表面和置于围绕芯部周边的包层。磁性元件设置在第一端和第二端的端部表面处。磁性元件被构造为磁性地将芯部耦接到另一条光纤的芯部的端部处的磁性元件。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]现在将以示例的方式参考附图描述本发明，所述附图中:
[0008]图1是根据实施例形成的光纤的侧视图；
[0009]图2是根据实施例形成的光纤的端视图；
[0010]图3是根据实施例形成的光纤的端视图；
[0011]图4是根据实施例形成并根据实施例耦接的一对光纤的侧视图；
[0012]图5是根据实施例形成并根据实施例耦接的一对光纤的侧视图；
[0013]图6是根据实施例形成并根据实施例耦接的一对光纤的侧视图；
[0014]图7是根据另一实施例形成的光纤的端视图；
[0015]图8是根据另一实施例形成并根据实施例耦接的一对光纤的侧视图；
[0016]图9是根据另一实施例形成并根据另一实施例耦接的一对光纤的侧视图；
[0017]图10是根据实施例形成并根据实施例耦接的光纤的示意性侧视图；[0018]图11是根据示例性实施例形成的光纤的端部的侧视图；
[0019]图12是根据另一示例性实施例形成的光纤的端部的侧视图。
【具体实施方式】
[0020]此处描述的示例性实施例包括光纤，该光纤具有被构造为提供与另一条光纤或电子部件芯部对芯部对准的耦接机构。光纤包括芯部和包层。芯部被构造为通过其传输光学信号。包层包围芯部以防止光学信号从光纤逃逸。在示例性实施例中，光传输(lighttransmissive)磁性元件置于光纤的每个端部的芯部之上。磁性元件包含磁性材料。磁性元件是能够光学传输的，并且使得光学信号能够从其穿过。光纤通过使磁性元件与其他的光纤或电子部件的对应的磁性元件接合而耦接到另一条光纤或电子部件。磁性元件耦接到芯部以保持光纤芯部的对准。来自一条光纤的芯部的光学信号穿过磁性元件并进入其他光纤或电子部件的芯部。在示例性实施例中，光传输芯部延伸部设置在芯部的端部以确保芯部对芯部的对准和接合。芯部延伸部在组装时填充存在于光纤之间或光纤与电子部件之间的任何间隙。
[0021]图1是根据实施例形成的光纤100的侧视图。光纤100在第一端102与第二端104之间延伸。光纤100的端部102、104被构造为耦接到其他光纤和/或电子部件(未示出),比如娃光子芯片(silicon photonic chip)。光纤100包括芯部106,芯部106被构造为通过其传输光学信号。例如，芯部106在第一端102与第二端104之间传输光学信号。芯部106接收来自于位于端部102、104中的一个处的电子部件或其他光纤的光学信号，并且将该信号传输到另一个端部102、104。在另一个端部102、104，光学信号被传输到另一个电子部件或其他光纤。芯部106可由硅玻璃、塑料材料和/或任何能够传输光学信号的其他材料形成。芯部106包括位于第一端102的第一端表面103和位于第二端104的第二端表面105。
[0022]光纤100可以被掺杂以形成围绕芯部106的包层108。包层108具有不同的折射率以将光反射回芯部106中并且沿着光纤100的长度防止光学信号从芯部106逃逸。芯部106和包层108可被诸如护套、防护鞘(armored sheth)等其他的层包围以隔离和/或保护芯部106和包层108不被损坏。
[0023]光纤100包括位于第一和第二端部102、104的、提供与其他光纤100或电子部件的芯部对芯部对准或接合的延伸部。在示例性实施例中，延伸部由位于第一端102的磁性元件110和位于第二端104的磁性元件112组成。磁性元件110、112可至少部分地覆盖位于端部102、104的端部芯部106。磁性元件110、112被固定到芯部106。在示例性实施例中，磁性元件110、112以光传递的方式连结芯部106使得光可以通过磁性元件110、112传输到芯部106以及传输来自芯部106的光。磁性元件110、112从端部表面103、105延伸。在示例性实施例中，磁性元件110、112从光纤100相应端部102、104延伸出一距离114。在替代实施例中，磁性元件可与光纤100的相应端部102、104大致齐平。磁性元件110、112在替代实施例中可至少部分地覆盖包层108。磁性元件110、112位于光纤100的芯部106的端部之上。磁性元件110、112可以是位于芯部106之上的层或涂层。磁性元件可形成芯部106的部分。在其他实施例中，延伸部可以不是磁性的，而是填充光纤100之间的任何空隙或间隙的额外的材料。例如，延伸部可以是从芯部106延伸的光传输环氧树脂延伸部。延伸部(磁性或非磁性)可具有与芯部106大致相似的折射率。延伸部(磁性或非磁性)可在芯部106与包层108形成之后形成并通过不同的处理形成。
[0024]在示例性实施例中，磁性元件110、112可由环氧树脂材料形成，在环氧树脂材料中包含有磁性颗粒。在示例性形成/附接处理期间，光纤100的端部浸入环氧树脂浴中并且UV光通过芯部106传输。环氧树脂是可UV固化的环氧树脂，并且通过芯部106的UV光导致环氧树脂在芯部106的端部固化。对于具有非磁性延伸部的实施例，延伸部可以是在芯部106浸入环氧树脂浴中时通过使UV光通过芯部106而生长在芯部106的端部上的可UV固化的环氧树脂。曝光于环氧树脂浴和/或UV光的时长决定延伸部的大小和/或长度。环氧树脂可在替代实施例中通过其他装置或处理附接到芯部106和/或包层108的端部。延伸部可以在形成到想要的长度后被修剪。
[0025]在示例性实施例中，磁体110、112暴露于磁场以在磁性元件110、112被固化之前使磁性材料极化。磁性元件110、112被极化以提供负极或正极中的至少一者。在一个实施例中，磁性元件110、112具有相反的极性。例如，磁性元件110具有正极而磁性元件112具有负极。替代地，磁性元件110可具有负极而磁性元件112可具有正极。在另一个实施例中，磁性元件110、112可具有相同的极性，正极或负极。磁性元件110、112使得光纤100能够被耦接到其上具有磁性元件的另一条光纤或电子部件。特别地，磁性元件110、112耦接到具有相反的极性的其他光纤或电子部件的对应的磁性元件。
[0026]在芯部106处或在该芯部106上具有磁性元件110、112使得能够实现光纤100的芯部对芯部的对准。光纤的芯部106磁性地耦接在一起可改善光纤100之间的光学信号传输。此外，光纤100的芯部106的耦接在光纤100处于移动等得情况下时保持芯部106的对准。对光纤100的芯部106的耦接，在甚至当光纤100的其他部分没有对准时确保了芯部106的对准。在示例性实施例中，磁性元件110、112使得光学信号能够无障碍地通过其穿过。因而，光学信号从第一光纤100的芯部106穿过通过磁性元件110、112并进入第二光纤100的芯部106。光纤100的光传输通路被限定为通过第一端102处的第一磁性兀件110、通过芯部106和通过第二端104处的磁性元件112。在示例性实施例中，磁性元件110、112的折射率可以与芯部106的折射率相似。
[0027]图2是光纤100的端视图。图2示出了端部102 ;然而，应意识到的是，端部104 (在图1中示出)可以大致类似于端部102。图2示出了没有磁性元件110的端部102。芯部106是柱体的形状并且包括周边116、直径118和中心119。包层108围绕芯部106的周边116延伸。包层108具有厚度120。可以选择厚度120以提供光纤100预定的大小。
[0028]图3是光纤100的端部102的视图，所述端部上具有磁性元件110。磁性元件110具有周边122和直径124。在示出的实施例中，周边122大约等于芯部106的周边116(两者都在图2中示出)。在示出的实施例中，直径124大约等于芯部106的直径118(图2中示出)。替代地，磁性元件110可以构造有分别小于或大于芯部106的周边116和直径118的周边122和直径124。磁性元件110包括中心126。磁性元件110位于芯部106之上从而磁性元件110的中心126与芯部106的中心119(图2中示出)对准。因而，芯部106的中心119被构造为当磁性元件110耦接到另一条光纤对应的磁性元件时与另一条光纤的芯部的中心对准。
[0029]磁性元件110包括遍布其中的磁性材料128。例如，磁性材料128可以遍布于环氧树脂或树脂基体中。磁性材料128可以是纳米颗粒。磁性材料128可以具有一定的大小并被间隔开以使得来自光纤100的芯部106的光学信号能够从其穿过。磁性元件110是能够光学传输的以允许光传输从其穿过。磁性元件110设置在传输通路中并且光穿过磁性元件110。磁性材料128可被极化以限定正极化或负极化的磁性元件110。磁性材料(例如，磁性颗粒)可包括铁钕硼合金、铁镍铝合金、铁钴合金、氧化铁、钡、锶、氧化铅等中的至少一种。例如，磁性材料128可以是在铁钴合金中的铁镍铝合金。在另一个实施例中，磁性材料128可以是氧化铁与钡、锶、或氧化铅中的至少一种的混合物。
[0030]图4是根据示例性实施例形成并且耦接到一起的一对光纤100的侧视图。该对光纤100包括第一光纤130和第二光纤132。第一光纤130具有芯部134。芯部134被在第一光纤130处的端部138的磁性元件136覆盖。第二光纤132具有芯部140。芯部140被在第二光纤132的端部144处的磁性兀件142覆盖。磁性兀件136、142彼此抵靠并且以光传输的方式连结。磁性元件136具有第一极性而磁性元件142具有与第一极性相反的第二极性。这样，磁性元件136和磁性元件142彼此吸引。
[0031]磁性元件136耦接到磁性元件142以将第一光纤130的芯部134耦接到第二光纤132的芯部140。芯部134和芯部140通过磁性元件136和142对准。在一个实施例中，芯部134和芯部140相对于每个磁性元件136、142的中心146 (例如，图3所示的中心126)和每个芯部134、140的中心148 (例如，图2所示的中心119)对准。使芯部134和140对准以使得光学信号能够在芯部134和140之间穿过。光学信号从芯部134或140中的一个穿过通过磁性元件136和142并进入另一个芯部134或140。
[0032]图5是一对光纤130和132的侧视图，该对光纤具有耦接到其的密封构件150。密封构件150可以是由塑料、橡胶等形成的套筒。替代地，密封构件150可以是热收缩到光纤130和132上的热收缩管。在另一个实施例中，密封构件150可以是金属套筒，聚合物模塑的套筒或可以压接或夹持在光纤130和132的端部上的杆。密封构件150延伸与光纤130和132两者之上。例如，密封构件150从第一光纤130的端部138延伸到第二光纤132的端部144。
[0033]密封构件150可以向光纤130和132提供额外的支撑。例如，密封构件150可以被设置为防止光纤130和132分开(例如，当光纤130和132被移动或者如果力被施加到光纤130或132)。如果光纤被移动或受力，密封构件150还可以防止磁性元件136、142的移动或错位。密封构件150还可以向光纤130和132提供保护层。例如，密封构件限制和/或防止磁性兀件136和142暴露于环境中。这样，磁性兀件136和142分别被保护不从光纤130和132的芯部134和140移除。在另一个实施例中，密封构件150可分别保护磁性元件136和142和/或光纤130和132的芯部134和140不被损坏。此外，密封构件150可防止对分别包围光纤130和132的芯部134和140的包层152和154的损坏。在又一实施例中，密封构件150可防止在光纤130和132之间传输的光学信号通过磁性兀件136和142从光纤130和132逃逸。
[0034]在示出的实施例中，密封构件150分别沿着光纤130和132的外表面156和158延伸。因而，间隙160可形成在磁性元件136、142与密封构件150之间。
[0035]图6是耦接有根据另一个实施例形成的密封构件162的一对光纤130和132的侧视图。密封构件162被构造为密封间隙160(图5中示出)。密封构件162包括磁体密封部分164。磁体密封部分164分别从光纤130和132的外表面156和158径向地向内延伸。磁体密封部分164围绕每个磁性元件136和142延伸。磁体密封部分164可防止磁性元件136、142相对于彼此和/或相对于相应的光纤130、132的芯部134、140的移动。
[0036]密封构件162可由图5中讨论的关于密封构件150的任何材料形成。此外，密封构件162可起到图5中描述的关于密封构件150的任何作用。
[0037]图7是根据另一个实施例形成的光纤200的端视图。光纤200包括芯部(未示出)，该芯部具有位于其周围的包层204。磁性元件206位于芯部之上。磁性元件206可以是如上所述的任何适合的磁性元件。磁性元件206与芯部对准。例如,如上所述,磁性元件206的中心208可与芯部的中心(未示出)对准。磁性元件206包括遍布于其中的磁性颗粒210。磁性颗粒210被极化以向磁性元件206提供负极性或正极性中的一种。磁性元件206被构造为使光纤200的芯部与另一条光纤的芯部对准。
[0038]在示出的实施例中，包层204包括位于其中的附接机构212。附接机构212被构造为提供光纤200相对于另一条光纤的额外的对准。附接机构用于与磁性元件206结合以使光纤200对准。例如，磁性元件206提供光纤200相对于另一条光纤的芯部对芯部的对准，而附接机构212提供围绕光纤200的芯部的额外的支撑。附接机构212可有助于保持磁性元件206与另一条光纤的磁性元件的对准。附接机构212还可有助于保持芯部相对于另一条光纤的芯部的对准。此外，附接机构212可防止在至少一条光纤移动或受力时光纤200与另一条光纤的去耦(decouple)。例如，光纤200上的力可导致磁性元件206与另一条光纤的磁性元件脱离。附接机构212可提供力以限制或防止磁性元件的去耦。
[0039]附接机构212可形成为被构造为耦接另一条光纤的磁性元件的磁性元件(如图8所示)。替代地，附接机构212可形成为被构造为接合另一条光纤的对应的机构的销或插孔(如图9所示)。应注意的是，附接机构并不限制为磁性元件或销和插孔。相反地，附接机构可以是现有技术已知的任何适合的附接机构。
[0040]图8是根据实施例耦接的一对光纤200的侧视图。该对光纤200包括第一光纤220和第二光纤222。第一光纤220具有芯部224。芯部224在第一光纤220的端部228被磁性元件226覆盖。第二光纤222具有芯部230。芯部230在第二光纤222的端部234被磁性元件232覆盖。磁性元件226具有第一极性而磁性元件232具有与第一极性相反的第二极性。这样，磁性元件226和磁性元件232彼此吸引。
[0041]磁性元件226耦接到磁性元件232以使第一光纤220的芯部240耦接到第二光纤222的芯部230。芯部224和芯部230通过磁性元件226和232对准。在一个实施例中，芯部224和芯部230相对于每个磁性元件226、232的中心236 (例如，图7中示出的中心208)和每个芯部224、230的中心238对准。使芯部224和230对准以使得光学信号能够在芯部224和230之间穿过。光学信号从芯部224或230中的一个穿过，通过磁性元件226和232，并进入另一个芯部224或230。
[0042]光纤220包括附接机构240 (例如，图8中示出的附接机构212)，并且光纤222包括附接机构242 (例如，图8中示出的附接机构212)。在示出的实施例中，附接机构240和242被构造为磁性元件。替代地，附接机构240和242可具有用于彼此耦接的任何其他适合的装置。附接装置240具有第一极性而附接装置242具有与第一极性相反的第二极性。因而，附接机构242被吸引到附接机构242。附接机构240耦接到附接机构242以提供光纤220与光纤222之间额外的耦接。例如，附接机构240、242可防止光纤220和222脱离。
[0043]附接机构240和242围绕相应的光纤220和222的周边延伸(如相对于图7中示出的附接机构212所示出的)。附接机构240和242围绕相应的光纤220和222的周边延伸以提供围绕光纤220和222的周边的耦接。此外，附接机构240和242围绕相应的光纤220和222延伸以围绕光纤220和222的相应的芯部224和230的耦接。在一个实施例中，光纤220和222可被密封构件，例如，图5中示出的密封构件150、图6中示出的密封构件162或任何其他适合的密封构件密封。
[0044]图9是根据另一个实施例耦接的光纤220和222的侧视图。光纤220包括附接机构250 (例如，图8中示出的附接机构212)，并且光纤222包括附接机构252 (例如，图8中示出的附接机构212)。附接机构250形成为销，而附接机构252形成为插孔。附接机构250被构造为被接收在附接机构252中。在一个实施例中，附接机构250可包括肋、倒钩等以产生与附接机构252的过盈配合。在另一个实施例中，附接机构250可以是渐缩的和/或具有大于附接机构252的周边的周边。在这个实施例中，附接机构250和/或附接机构242是可变形的以产生其间的过盈配合。
[0045]附接机构250从光纤220延伸出一长度254。该长度254大于磁性元件226和232的组合长度256。当光纤220和222耦接时，附接机构150延伸超过磁性元件226和232。附接机构252延伸进入光纤222 —长度258。长度258被构造为接收附接机构250，同时允许磁性元件226和232的耦接。附接机构250耦接到附接机构252以提供光纤220和光纤222之间额外的耦接。例如，附接机构250、252可防止光纤220与222脱离。
[0046]附接机构250和252围绕相应的光纤220和222的周边延伸(如相对于图7中示出的附接机构212所示出的)。附接机构250和252围绕相应的光纤220和222的周边延伸以提供围绕光纤220和222的周边的耦接。此外，附接机构250和252围绕相应的光纤220和222延伸以围绕光纤220和222的相应的芯部224和230的耦接。在一个实施例中，光纤220和222可被密封构件，例如，图5中示出的密封构件150、图6中示出的密封构件162或任何其他适合的密封构件密封。
[0047]图10是耦接到电子部件300的光纤100的示意性侧视图。电子部件300可以是用于接收光纤的任何适合的电子部件。在一个示例性实施例中，电子部件是硅光子芯片，然而在替代的实施例中可以使用其他类型的电子部件。电子部件300包括被构造为接收光纤、电缆、电线、卡模块等的接口 302。接口 302可以被安装到电路板，例如，印刷电路板、母板、中平面电路板、背平面电路板等。在示出的实施例中，接口 302包括连接器304。连接器304被构造为耦接到光纤100。连接器304包括光学芯部306，光学芯部306被构造为在电子部件300的电气部件308与光纤100之间接收和/或发送光学信号。
[0048]磁性元件310设置在连接器304中。磁性元件310设置在光学芯部306的端部。例如，磁性元件310的中心可以与光学芯部306的中心对准。磁性元件310可相似于上述的磁性元件。例如，磁性元件310可包括环氧树脂基体，磁性材料或颗粒遍布于在环氧树脂基体中。磁性元件310是可光学地传输的以使得光学信号穿过到光学芯部306或光学芯部306穿过。磁性元件310被极化以与光纤100的对应的磁性元件磁性地连接。磁性材料(例如，磁性颗粒)可包括铁钕硼合金、铁镍铝合金、铁钴合金、氧化铁、钡、锶、氧化铅等中的至少一种。[0049]磁性元件310被极化以具有与光纤100的磁性元件110、112相反的极性。因而，光纤100的磁性元件110、112中的一个被吸引到电子部件300的磁性元件310。光纤100的磁性元件110、112耦接到电子部件300的磁性元件310以使光纤100的芯部106与电子部件300的光学芯部306对准。磁性元件110、112和磁性元件310有助于光纤100与电子部件300之间的光学信号的传输。应理解的是，光纤100和电子部件300还可包括其他附接机构以在光纤100与电子部件300之间提供额外的支撑。
[0050]图11是根据示例性实施例形成的光纤400的端部402的侧视图。光纤400包括芯部404，芯部404具有围绕其周边延伸的包层406。磁性元件408位于芯部404的端部410。包层406围绕磁性元件408的周边延伸。磁性元件408的端部412与光纤400的端部402齐平。磁性元件408的端部412与包层406的端部414齐平。在一个实施例中，磁性元件408是应用到芯部404的端部410的磁性层。在一个实施例中，磁性元件408包覆芯部404的至少部分。在一个实施例中，磁性元件408被应用到芯部404的暴露的表面。
[0051]图12是根据另一个示例性实施例形成的光纤450的端部452的侧视图。光纤450包括芯部454，芯部454具有围绕其周边延伸的包层456。磁性元件458围绕芯部454的部分至少部分地延伸。磁性元件458位于包层456与芯部454之间。磁性元件458的端部460与光纤450的端部452齐平。磁性元件458的端部460可以与芯部454的端部462和/或包层456的端部464齐平。在一个实施例中，磁性元件458是引用在芯部454的磁性层。在一个实施例中，磁性元件458包覆芯部454的至少部分。
[0052]所述多种实施例提供了具有磁性元件以提供与另一条光纤或电子部件芯部对芯部对准的光纤。磁性元件设置在光纤的每个端部。磁性元件可以包含有颗粒形式的磁性材料，这些颗粒具有一定的大小并被隔开以使得光学信号穿过磁性元件。光纤通过使磁性元件与另一条光纤的磁性元件接合而耦接到另一条光纤。磁性元件耦接每条光纤的芯部以保持光纤芯部的对准。光学信号的光传输路径包括光纤的芯部和光纤的磁性元件。光纤还可设置有密封构件和/或附接机构以进一步将光纤固定在一起。
【权利要求】
1.一种光纤(100)，包括: 第一端(102)和第二端(104)，所述光纤在所述第一端和所述第二端之间延伸； 芯部(106)，其用于将光学信号从所述第一端传输到所述第二端，所述芯部在第一和第二端具有端部表面(103、105)； 包层(108)，其置于所述芯部的周边的周围；和 磁性元件(110)，其在所述第一端和第二端的端部表面处，所述磁性元件被构造为将所述芯部磁性地耦接到另一条光纤的芯部的端部处的磁性元件。
2.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)是具有磁性纳米颗粒的磁性层，所述磁性层包覆所述芯部的对应的端部表面(103、105)的至少部分。
3.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)是应用到所述芯部的端部表面(103、105)的磁性层。
4.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)包含铁钕硼合金、铁镍铝合金、铁钴合金、氧化铁、钡、锶、或氧化铅中的至少一种。
5.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)从所述芯部(106)延伸超过所述包层(108)的端部，所述磁性元件形成由所述芯部(106)限定的光传输路径的部分。
6.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)设置在所述芯部(106)的暴露的表面上。
7.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述光纤和另一条光纤在耦接之后被热收缩管密封。
8.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)由其中包含有磁性纳米颗粒的环氧树脂的基体形成，所述环氧树脂被固化到所述芯部(106)的对应的端部表面(103,105)。
9.如权利要求1所述的光纤(100)，其中所述磁性元件(110)是能够光学传输的并且能够使光学信号从其穿过。
【文档编号】G02B6/26GK103907038SQ201280053103
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年10月8日 优先权日:2011年10月27日
【发明者】A.K.安杰洛夫 申请人:泰科电子公司