水分的除去方法、光纤的焊接方法以及半导体激光模块的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种水分的除去方法、光纤的焊接方法以及半导体激光模块的制造方法。本发明所涉及的除去方法是将形成在光纤(10)的一个端面(11a)上的电介质膜(12)所包含的水分除去的方法。在本发明所涉及的除去方法中，使近红外光(L)从光纤(10)的另一个端面(11b)入射，并利用该近红外光(L)对电介质膜(12)所包含的水分进行加热。
【专利说明】水分的除去方法、光纤的焊接方法以及半导体激光模块的 制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水分的除去方法。另外，涉 及利用了这样的除去方法的光纤的焊接方法以及半导体激光模块的制造方法。
【背景技术】
[0002] 有时在光纤的端面上形成电介质膜。防止应入射到光纤的光被端面反射的防反射 膜是这样的电介质膜的典型例子。
[0003] 例如，在构成半导体激光模块的光纤的端面常常形成这样的防反射膜。半导体激 光模块是作为光纤激光器以及光纤放大器的激励光源等被利用的光源装置，具备生成激光 的半导体激光元件、和传送该激光的光纤。在半导体激光模块中，在与半导体激光元件的出 射端面对置的光纤的入射端面形成防反射膜，以使从半导体激光元件射出的激光高效地入 射至光纤。
[0004] 电介质膜具有吸附环境中的水分这样的性质。在将电介质膜作为防反射膜等光学 部件利用的情况下，防止这样的水分的吸附是重要的。原因是若电介质膜吸附水分，则电 介质膜的光学特性发生变化。作为用于防止这样的水分的吸附的技术，例如已知专利文献 1?2所记载的技术等。
[0005] 专利文献1公开了通过在光学多层膜（电介质多层膜）的最上层混合氟化物，来 防止光学多层膜对水分的吸附的技术。另外，专利文献2中公开了通过使构成电介质多层 膜的最上层的膜材粒子的粒子间隔比水分子小，来防止电介质多层膜对水分的吸附的技 术。
[0006] 专利文献1:日本国公开专利公报"特开平5 - 323103号"（1993年12月7日公 开）
[0007] 专利文献2:日本国公开专利公报"特开2009 - 251167号"（2009年10月29日 公开）
[0008] 作为将光纤固定于其它部件的方法，广泛使用钎料。例如，在半导体激光模块中， 在将光纤固定于半导体激光模块的框体（更准确而言，构成框体的底板，或者固定在该底 板上的子支架）时利用钎料。在将光纤焊接于其它部件的情况下，预先在光纤的侧面形成 金属覆盖，在该金属覆盖上湿润扩散钎料。
[0009] 然而，在将端面上形成有电介质膜的光纤焊接于其它部件的情况下，产生配置在 周围的光学元件的性能因形成在其表面上的水垢而降低这样的问题。
[0010] 即、为了在光纤的侧面所形成的金属覆盖上湿润扩散钎料，需要事先充分加热该 金属覆盖。此时，若因从该金属覆盖传导出的热量，形成在光纤的端面的电介质膜的温度上 升，则促使该电介质膜所包含的水分的蒸发。而且，从电介质膜蒸发的水分在周围所配置的 光学元件的表面凝缩。这样产生的水滴吸入散在环境中的灰尘、附着在光学元件的表面的 灰尘等。这些灰尘在该光学元件的表面成为水垢而残留，使该光学元件的性能降低。 toon] 例如，在半导体激光模块中，如上述，在与半导体激光元件的出射端面对置的光纤 的入射端面形成有电介质膜。因此，若将光纤焊接于半导体激光模块的框体，则在半导体激 光元件的出射端面上形成上述的水垢。因形成在半导体激光元件的出射端面的水垢使该半 导体激光元件的出射效率降低，或使该半导体激光元件的温度上升，所以使该半导体激光 元件的性能降低。
[0012] 作为应对这个问题的对策，例举在光纤的端面形成水分难以吸附的电介质膜（参 照专利文献1?2)、在刚加热金属覆盖之前先加热干燥电介质膜等。然而，在实施前者的对 策的情况下，招致电介质膜的材料选择的自由度降低，或电介质膜的形成所需的成本上升 这样的问题。另外，是实施后者的对策的情况下，产生较难在金属覆盖上湿润扩散钎料这样 的问题。原因是在加热干燥时因从电介质膜传导出的热量，该金属覆盖的温度上升，促进该 金属覆盖的氧化。另外，在实施后者的对策的情况下，也产生促进光纤的树脂覆盖的变色这 样的问题。
【发明内容】
[0013] 本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种不会招致金属覆盖以及 树脂覆盖的温度上升，而实现将形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水分除去的除去 方法。另外，还提供利用这种除去方法来改进光纤的焊接方法以及半导体激光模块的制造 方法。
[0014] 为了解决上述课题，本发明所涉及的除去方法的特征在于，是将形成在光纤的一 个端面的电介质膜所包含的水分除去的除去方法，包括加热工序，使近红外光从另一个端 面向上述光纤入射，并利用该近红外光对上述电介质膜所包含的水分进行加热。
[0015] 根据本发明所涉及的除去方法，不会招致金属覆盖以及树脂覆盖的温度上升，能 够将形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水分除去。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 图1是成为本发明的一实施方式所涉及的除去方法的对象的光纤的立体图。
[0017] 图2是成为图3所示的焊接方法的对象的光纤以及部件的立体图。
[0018] 图3是表示本发明的一实施方式的焊接方法的流程的流程图。
[0019] 图4是成为图6所示的制造方法的对象的半导体激光模块的立体图。
[0020] 图5是图4所示的半导体激光模块所具备的光纤的侧面图。
[0021] 图6是表示本发明的一实施方式的制造方法的流程的流程图。
【具体实施方式】
[0022] 〔水分的除去方法〕
[0023] 参照图1，对本发明的除去方法的一实施方式进行说明。
[0024] 本实施方式所涉及的除去方法是将形成在光纤10的入射端面11a上的电介质膜 12所包含的水分除去的除去方法。图1是该光纤10的立体图。
[0025] 光纤10是具有由纤芯10a和包围纤芯10a的包层10b构成的剖面构造的单包层 光纤。另外，在光纤10的一个端面（以下记载为"第1端面"）11a形成有电介质膜12,另 夕卜，在光纤10的侧面形成有金属覆盖13和树脂覆盖14。
[0026] 电介质膜12是层叠多个电介质膜而成的电介质多层膜，作为防止应入射到光纤 10的光被第1端面11a反射的防反射膜被利用。作为电介质膜12的材料，例举例如MgF 2、 CaF2、BaF2、CeF3 等氟化物系、A1203、SiO、Ti02、Gd20 3 等氧化物系、Zr02/Ti02(90 :10)，Zr02/ Ti02(50 :50)、Zr02/Ta205(70 :30)、Ti02/Ta205(70 :30)等混合物系、FZ - 2 等化合物系的材 料。
[0027] 金属覆盖13是用于在将光纤10焊接于其它部件时，湿润扩散钎料的构成，例如由 金构成。金属覆盖13是通过电镀等金属化加工而形成的，有时也称为"金属化"。树脂覆盖 14是用于保护光纤10的构成，例如由紫外线固化型树脂、硅树脂等构成。
[0028] 在本实施方式所涉及的除去方法中，将电介质膜12所包含的水分除去。因此，使 近红外光L从另一端面（以下记载为"第2端面"）lib向光纤10的纤芯10a入射。此处， 所谓近红外光是指波长为0. 7 μ m以上2. 5 μ m以下的光。作为生成近红外光的光源（未图 示），例如使用 SLD(Super Luminescent Diode :超福射发光二极管）、LD(Laser Diode :激 光二极管）等即可。
[0029] 从第2端面lib入射到光纤10的近红外光L在光纤10的纤芯10a中传播，到达 第1端面11a。而且，到达到第1端面11a的近红外光L被电介质膜12所包含的水分吸收。 原因是水的吸收光谱在近红外光的波段（〇. 7 μ m以上2. 5 μ m以下）具有多个峰值。
[0030] 被电介质膜12所包含的水分吸收的近红外光L使该水分的温度上升，促进该水分 的蒸发。其结果电介质膜12所包含的水分被迅速地除去。如果在干燥气氛下实施这样的 基于近红外光L的加热，则能够抑制大气中的水分再吸附于电介质膜12。
[0031] 此处，从第2端面lib入射到光纤10的纤芯10a的近红外光L不会漏出包层10b， 而在纤芯10a的内部传播。因此，形成在光纤10的表面上的金属覆盖13以及树脂覆盖14 不会被从第2端面lib入射到光纤10的近红外光L加热。因此，作为利用近红外光L对电 介质膜12所包含的水分进行加热时的副作用，不会促进金属覆盖13的氧化，或促进树脂覆 盖14的变色。此外，因近红外光L在电介质膜12中所产生的热量经由光纤10向金属覆盖 13以及树脂覆盖14传导。然而，如果利用近红外光L对电介质膜12所包含的水分进行加 热的时间是短时间（例如1秒以下），则在金属覆盖13以及树脂覆盖14中不会产生有意的 温度上升。另外，为了在金属覆盖13以及树脂覆盖14中不产生有意的温度上升，而使用脉 冲状的近红外光作为近红外光L也是有效的。
[0032] 此外，在本实施方式中，例示了使近红外光L向光纤10的纤芯10a入射的构成，但 本发明并不限于此。即、入射至光纤10的包层l〇b的近红外光L的功率十分小，如果在金 属覆盖13以及树脂覆盖14中不会产生值得考虑的温度上升，则可以采用近红外光L的一 部分向光纤10的包层l〇b入射的构成。
[0033] 另外，在本实施方式中，以单包层光纤为对象，但本发明并不限于此。即、本发明可 以以具有双层以上的包层的多包层光纤为对象。该情况下，使近红外光不向最外壳包层入 射，或者，使入射至最外壳包层的近红外光的功率十分小即可。由此，在金属覆盖以及树脂 覆盖中不会产生值得考虑的温度上升，能够将形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水 分除去。
[0034] 此外，优选生成近红外光L的SLD、LD等光源与光纤一起被模块化。原因是光源 与光纤10的连接是需要精密的对齐的困难的作业，但从具备该光源的模块引出的光纤（以 下，记载为"模块光纤"）与光纤10的连接是不需要精密的对齐的容易的作业。此外，作为 将模块光纤与光纤10连接的方法，例举使它们的端面彼此熔融的方法、使它们的端面彼此 对接、利用金属箍等把持部件把持的方法等。
[0035] 另外，优选在使用被模块化的光源的情况下，比光纤10的纤芯直径小地设定该模 块所具备的模块光纤的纤芯直径。在模块光纤的纤芯直径比光纤10的纤芯直径大的情况 下，有可能在模块光纤的纤芯中传播的近红外光的一部分在连接点向光纤10的包层l〇b入 射，对金属覆盖13以及树脂覆盖14进行加热。与此相对，在模块光纤的纤芯直径比光纤10 的纤芯直径小的情况下，能够通过简单的对齐排出这种可能性。
[0036] 〔光纤的焊接方法〕
[0037] 参照图2?图3,对本发明所涉及的焊接方法的一实施方式进行说明。
[0038] 本实施方式所涉及的焊接方法是将光纤10焊接于部件20的焊接方法。图2是该 光纤10以及部件20的立体图。
[0039] 光纤10是与图1所示的光纤10相同的单包层光纤，如图2所示，利用钎料30被 焊接于部件20。因此，在光纤10的位于部件20上的部分形成有金属覆盖13。
[0040] 在光纤10的焊接时，为了湿润扩散处于熔融状态的钎料30,需要加热金属覆盖 13。此时，为了避免在周围的光学元件的表面产生水垢，在本实施方式所涉及的焊接方法， 如以下说明那样，将形成在光纤10的入射端面11a上的电介质膜12所包含的水分除去。
[0041] 图3是表示本实施方式所涉及的焊接方法的流程的流程图。本实施方式所涉及的 焊接方法如图3所示，包括水分除去工序S11和焊接工序S12。
[0042] 水分除去工序S11是将形成在光纤10的第1端面11a上的电介质膜12所包含的 水分除去的工序。水分除去工序S11通过使近红外光L从第2端面lib向光纤10入射，并 利用该近红外光L对电介质膜12所包含的水分进行加热来实现。此外，通过使用了近红外 光L的加热，能够将电介质膜12所包含的水分除去如上述。
[0043] 焊接工序S12是将光纤10焊接于部件20的工序。焊接工序S12包括（1)对光纤 10的金属覆盖13和部件20进行加热的工序、（2)以埋设光纤10的方式在部件20上湿润 扩散处于熔融状态的钎料30的工序、和（3)冷却处于熔融状态的钎料30的（包括自然冷 却）的工序，通过这些工序将光纤10焊接于部件20。
[0044] 在本实施方式所涉及的焊接方法中应关注的是在实施焊接工序S12之前，先实施 水分除去工序S11这一点。在未实施水分除去工序S11而实施焊接工序S12的情况下，在 焊接工序S12中，在电介质膜12包含水分的状态下加热金属覆盖13。因此，有可能因从电 介质膜12蒸发出的水分，在周围的光学元件的表面形成水垢。另一方面，在实施了水分除 去工序S11后再实施焊接工序S12的情况下，在焊接工序中，在电介质膜12干燥的状态下 加热金属覆盖13。因此，不可能因从电介质膜12蒸发出的水分，在周围的光学元件的表面 形成水垢。
[0045] 此外，优选水分除去工序S11以及焊接工序S12如图3所示，在干燥气氛下实施。 是因为在大气中实施水分除去工序S11以及焊接工序S12的情况下，有可能从实施水分除 去工序S11开始到实施焊接工序S12为止的期间大气中的水分被再吸附于电介质膜12,但 在干燥气氛下实施水分除去工序S11以及焊接工序S12的情况下，能够抑制这样的再吸附。
[0046] 此处，所谓干燥气氛是指与周边大气相比露点较低（含有的水分较少）的一般气 氛的情况。如果在实施水分除去工序S11以及焊接工序S12时的气氛处于被管理为与周边 大气相比低于露点的状态，则获得上述的效果是明确的。为了获得更显著的效果，优选使用 露点为一 20°C以下的干燥气氛。例如，在露点为一 20°C以下的干燥气氛下实施水分除去工 序S11以及焊接工序S12的情况下，如果在从实施水分除去工序S11之后的1小时以内实 施焊接工序S12,则不可能在周围的光学元件的表面产生水垢。
[0047] 进一步说，优选实施水分除去工序S11以及焊接工序S12时的干燥气氛是氮气气 氛、氩气氛等与周边大气相比氧浓度较低的干燥气氛。原因是在与周边大气相比氧浓度较 低的干燥气氛下实施焊接工序S12的情况下，与在周边大气与氧浓度相同的干燥气氛下实 施焊接工序S12的情况下相比，能够抑制钎料的氧化。为了获得更显著的效果，作为实施水 分除去工序S11以及焊接工序S12时的干燥气氛，优选使用氧浓度为500ppm以下的干燥气 氛，更优选使用氧浓度为lOOppm以下的干燥气氛。
[0048] 〔半导体激光模块的制造方法〕
[0049] 以下参照图4?图6,对本发明所涉及的制造方法的一实施方式进行说明。
[0050] 本实施方式所涉及的制造方法是制造半导体激光模块40的制造方法。图4是该半 导体激光模块40的立体图。图5是该半导体激光模块40所具备的光纤10的侧面图。此 夕卜，在图5中，除了光纤10之外，利用虚线一并记载构成半导体激光模块40的光纤10以外 的部件。
[0051] 半导体激光模块40如图4所示，除了光纤10之外，还具备框体41、激光器支架42、 半导体激光元件43、电极棒44a?b、以及光纤支架45。此外，在图4中，为了使半导体激光 模块40的内部构成清楚，省略构成框体41的顶板和侧板中的一个。
[0052] 框体41是用于收容半导体激光元件43的长方体状的壳体。光纤10经由设置于 框体41的前侧板的插入管41a被引入框体41的内部。另外，电极棒44a?b经由设置在 框体41的后侧板的贯通孔被引入框体41的内部。
[0053] 激光器支架42是用于载置半导体激光元件43的台座，被固定在框体41的底板 上。在该激光器支架42的上面形成有相互绝缘的2枚金属板。第1金属板与电极棒44a 引线接合，第2金属板与电极棒44b引线接合。
[0054] 半导体激光元件43载置于激光器支架42的上面。此时，使半导体激光元件43的 下面与第2金属板卡合，并且使半导体激光元件43的上面与第1金属板引线接合，从而形 成驱动电流的电流路。
[0055] 光纤支架45是用于载置光纤10的台座，被固定在框体41的底板上。光纤支架45 的高度被设定为使半导体激光元件43的出射端面与光纤10的入射端面11a对置。
[0056] 光纤10是与图1所示的光纤10相同的单包层光纤，如图5所示，利用钎料46a? b被焊接于光纤支架45以及插入管41a。因此，在光纤10的位于光纤支架45上的部分和 位于插入管41a内的部分分别形成有金属覆盖13a?b。
[0057] 在光纤10的焊接时，为了湿润扩散处于熔融状态的钎料46a，需要加热金属覆盖 13a。此时，为了避免在半导体激光元件43的出射端面产生水垢，在本实施方式所涉及的制 造方法中，如以下说明那样，将形成在光纤10的入射端面11a上的电介质膜12所包含的水 分除去。
[0058] 图6是表示本实施方式所涉及的制造方法的流程的流程图。本实施方式所涉及 的制造方法如图6所示，包括准备工序S21、水分除去工序S22、对齐工序S23、和焊接工序 S24。
[0059] 在准备工序S21中，实施（1)向框体41安装激光器支架42以及光纤支架45、（2) 向激光器支架42安装半导体激光元件43、（3)向框体41内引入电极棒44a?b、（4)激光 器支架42与电极棒44a?b的引线接合、（5)向框体41内引入光纤10等的工序。此外， 向框体41内引入光纤10也可以在后述的水分除去工序S22后实施。
[0060] 水分除去工序S22是将形成在光纤10的入射端面11a上的电介质膜12所包含的 水分除去的工序。水分除去工序S22通过使近红外光L从出射端面lib向光纤10入射，并 利用该近红外光L对电介质膜12所包含的水分进行加热来实现。如上述那样通过使用了 近红外光L的加热，能够将电介质膜12所包含的水分除去。此外，由于近红外光L的波长 比半导体激光元件43的振荡波长长，所以与从半导体激光元件43输出的激光相比每一光 子的能量较小。因此，半导体激光元件43不会吸收近红外光L而发热。
[0061] 此处，优选水分除去工序S22在光纤10的入射端面11a与半导体激光元件43的 出射端面分离1_以上的状态下实施。这是因为在水分除去工序S22中更有效地防止从电 介质膜12除去的水分附着于半导体激光元件43的出射端面。
[0062] 对齐工序S23是调整光纤10的入射端面11a相对于半导体激光元件43的出射端 面的相对位置，以使耦合效率为最大的工序。对齐工序S23通过例如反复光纤10的输出功 率（从出射端面lib输出的激光的功率）的测定、和光纤10的入射端面11a的移动直至输 出功率为最大来实现。
[0063] 焊接工序S24是将光纤10焊接于光纤支架45以及插入管41a的工序。焊接工 序S24包括（al)对光纤10的金属覆盖13a和光纤支架45进行加热的工序、（a2)以埋设 光纤10的方式在光纤支架45上湿润扩散处于烙融状态的钎料46a的工序、和（a3)冷却处 于熔融状态的钎料46a (包括自然冷却）的工序，通过这些工序将光纤10焊接于光纤支架 45。另外，焊接工序S24包括（bl)对光纤10的金属覆盖13b和插入管41a进行加热的工 序、（b2)以埋设光纤10的方式在插入管41a内湿润扩散处于熔融状态的钎料46b的工序、 和（b3)冷却处于熔融状态的钎料46b (包括自然冷却）的工序，通过这些工序将光纤10焊 接于插入管41a。
[0064] 在本实施方式所涉及的制造方法中应关注的是在实施焊接工序S24之前先实施 水分除去工序S22这一点。在未实施水分除去工序S22而实施焊接工序S24的情况下，在 焊接工序S24中，在电介质膜12包含水分的状态下加热金属覆盖13a?b。因此，有可能因 从电介质膜12蒸发出的水分，在半导体激光元件43的出射端面形成水垢。另一方面，在实 施水分除去工序S22后再实施焊接工序S24的情况下，在焊接工序S24中，在电介质膜12 干燥的状态下加热金属覆盖13a?b。因此，不可能因从电介质膜12蒸发出的水分，在半导 体激光元件43的出射端面形成水垢。
[0065] 另外，优选从水分除去工序S22至焊接工序S24的各工序如图6所示，在干燥气氛 下实施。是因为在大气中实施从水分除去工序S22至焊接工序S24的各工序的情况下，有 可能在从实施水分除去工序S22开始到实施焊接工序S24为止的期间大气中的水分被再吸 附于电介质膜12,而在干燥气氛下实施从水分除去工序S22至焊接工序S24的各工序的情 况下，能够抑制这样的再吸附。此外，在露点为一 20°C以下的干燥气氛下实施从水分除去工 序S22至焊接工序S24的各工序的情况下，如果在实施水分除去工序S22之后1小时以内 实施焊接工序S24,则能够避免在半导体激光元件43的出射端面产生水垢。
[0066] 此外，在本实施方式中，采用经由激光器支架42将半导体激光元件43固定于框体 41的底板的构成，但并不限于此。即、也可以采用省略激光器支架42,而直接将半导体激光 元件43固定于框体41的底板的构成。同样地，在本实施方式中，采用经由光纤支架45将 光纤10固定于框体41的底板的构成，但并不限于此。即、也可以采用省略光纤支架45,而 直接将光纤10固定于框体41的底板的构成。
[0067] 〔总结〕
[0068] 如以上所述，本实施方式所涉及的除去方法的特征在于，是将形成在光纤的一个 端面上的电介质膜所包含的水分除去的除去方法，包括使近红外光从另一端面向上述光纤 入射，并利用该近红外光对上述电介质膜所包含的水分进行加热的加热工序。
[0069] 根据上述的构成，不会招致金属覆盖以及树脂覆盖的温度上升，而能够将形成在 光纤的端面上的电介质膜所包含的水分除去。
[0070] 在本实施方式所涉及的除去方法中，优选在与周边大气相比露点较低的干燥气氛 下实施上述加热工序。
[0071] 根据上述的构成，与在周边大气中实施上述加热工序的情况相比能够抑制再次吸 附于形成在光纤的端面上的电介质膜的水分量。
[0072] 在本实施方式所涉及的除去方法中，优选在与周边大气相比露点较低、且与周边 大气相比氧浓度较低的干燥气氛下实施上述加热工序。
[0073] 根据上述的构成，在上述加热工序之后执行将光纤焊接于其它部件的焊接工序的 情况下，能够防止钎料的氧化。
[0074] 另外，如以上那样，本实施方式所涉及的焊接方法的特征在于，是将在一个端面形 成有电介质膜的光纤焊接于其它部件的焊接方法，包括使用上述除去方法将上述电介质膜 所包含的水分除去的除去工序、和实施上述除去工序之后再将上述光纤焊接于上述其它部 件的焊接工序。
[0075] 根据上述的构成，能够防止因形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水分，而 在周围的光学元件的表面形成水垢。
[0076] 另外，如以上所述，本实施方式所涉及的半导体激光模块的制造方法的特征在于， 是具备半导体激光元件、和在与上述半导体激光元件的出射端面对置的入射端面形成有电 介质膜的光纤的半导体激光模块的制造方法，包括使用上述除去方法将上述电介质膜所包 含的水分除去的除去工序、和实施上述除去工序之后将上述光纤焊接于该半导体激光模块 的框体的焊接工序。
[0077] 根据上述的构成，能够防止因形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水分，在 半导体激光元件的出射端面形成水垢。
[0078] 如以上所述，根据本实施方式所涉及的除去方法，不会招致金属覆盖以及树脂覆 盖的温度上升，而能够将形成在光纤的端面上的电介质膜所包含的水分除去。另外，根据本 实施方式所涉及的焊接方法，不会使周围的光学元件的表面产生水垢，而能够将光纤焊接 于其它部件。另外，根据本实施方式所涉及的制造方法，不会使半导体激光元件的出射端面 产生水垢，而能够制造半导体激光模块。
[0079]〔附加事项〕
[0080] 本发明并不限于上述的各实施方式，能够在技术方案所示的范围内进行各种变 更，适当地组合不同的实施方式分别公开的技术手段而获得的实施方式也包含在本发明的 技术范围内。
[0081] 产业上的可利用性
[0082] 本发明能够利用于具备光纤的各种装置的制造。特别是适合利用于半导体激光模 块的制造。
[0083] 附图符号说明
[0084] 10…光纤；10a…纤芯；10b…包层；11a…第1端面（一个端面、入射端面）；llb… 第2端面（另一个端面、出射端面）；12···电介质膜；13···金属覆盖；14···树脂覆盖；20···部 件（其它部件）；40…半导体激光模块；43…半导体激光元件
【权利要求】
1. 一种除去方法，是将形成在光纤的一个端面的电介质膜所包含的水分除去的除去方 法，其特征在于，包括 ： 加热工序，使近红外光从另一个端面向所述光纤入射，并利用该近红外光对所述电介 质膜所包含的水分进行加热。
2. 根据权利要求1所述的除去方法，其特征在于， 在与周边大气相比露点低的气氛下实施所述加热工序。
3. 根据权利要求2所述的除去方法，其特征在于， 在与周边大气相比露点低、且与周边大气相比氧浓度低的气氛下实施所述加热工序。
4. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的除去方法，其特征在于， 所述加热工序是使所述近红外光从所述另一个端面向所述光纤的纤芯入射，并利用在 所述纤芯中传播的所述近红外光对所述电介质膜所包含的水分进行加热的工序。
5. -种焊接方法，是将在一个端面形成有电介质膜的光纤焊接于其它部件的焊接方 法，其特征在于，包括 ： 使用权利要求1?4中的任意一项所述的除去方法将所述电介质膜所包含的水分除去 的除去工序、和实施所述除去工序之后再将所述光纤焊接于所述其它部件的焊接工序。
6. -种半导体激光模块的制造方法，是具备半导体激光元件、和在与所述半导体激光 元件的出射端面对置的入射端面形成有电介质膜的光纤的半导体激光模块的制造方法，其 特征在于，包括 ： 使用权利要求1?4中的任意一项所述的除去方法将所述电介质膜所包含的水分除去 的除去工序、和实施所述除去工序之后再将所述光纤焊接于该半导体激光模块的框体的焊 接工序。
【文档编号】G02B6/42GK104160309SQ201280071154
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2012年12月4日 优先权日:2012年3月9日
【发明者】坂元明 申请人:株式会社藤仓