液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示装置，此液晶显示装置包括一基板，具有至少一像素区域，由向一第一方向延伸的一对栅极线及向一第二方向延伸的一对数据线所定义。一第一绝缘层对应于像素区域而设置于基板上，一第一共用电极设置于第一绝缘层上，一像素电极图案设置于第一共用电极图案上。一第二绝缘层夹设于第一共用电极与像素电极图案之间，一对第二共用电极对应于前述一对数据线形成于第二绝缘层上。通过本发明的液晶显示装置，可以在保证液晶显示器的高像素密度的情况下，对当前液晶显示器存在透光率低、漏光及混色等问题得到了较好的解决。
【专利说明】液晶显示装置【技术领域】
[0001]本发明涉及一种液晶显示装置，且特别是有关于一种具有高像素密度的液晶显示
>J-U ρ?α装直。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置已逐渐广泛用于各种电子装置，特别是由于主动矩阵型液晶显示器(active matrix liquid crystal display, AMIXD)的每个像素可通过设置在每个像素中的开关元件选择性地开启或关闭而极度受到注目。目前已开发出各种模式的主动矩阵型液晶显示器，例如平面内切换(in-plane switching, IPS)模式及边缘场切换(fringe fieldswitching, FFS)模式。平面内切换模式或边缘场切换模式的液晶显示器可包括形成于基板上的一像素电极图案及一共用电极，以及由实质上平行于基板表面的横向电场所控制的液晶分子。当施加电压至像素电极图案时，液晶分子在实质上平行于基板表面的一平面内旋转而使光线可以穿透。平面内切换模式或边缘场切换模式所提供的主要优点之一为广视角，且相较于平面内切换模式，边缘场切换模式因改善电极设计而改善了光穿透性。然而，对现行的平面内切换或边缘场切换模式液晶显示器而言，仍然存在例如透光率低、漏光及混色等需要解决的问题。
[0003]此外，近年来一直有开发具有高像素密度或高每英寸像素(pixels per inch,PPI)液晶显示器的需求，以实现更高的解析度。然而，超高像素密度的液晶显示器的开发仍然存在挑战。
【发明内容】
[0004]本发明解决的技术问题是:提供一种具有高像素密度的液晶显示装置，可改善或克服现有技术存在的一项或多项缺陷。
[0005]本发明要解决上述问题的技术方案是:提供一种液晶显示装置，包括:一基板，具有向一第一方向延伸的一对栅极线及向一第二方向延伸的一对数据线所定义的至少一像素区域；一第一绝缘层，设置于基板上并对应于像素区域；一第一共用电极，设置于第一绝缘层上；一像素电极图案，设置于第一共用电极上；一第二绝缘层，设置于第一共用电极与像素电极图案之间；一对第二共用电极，形成于第二绝缘层上并对应于数据线；以及一对立基板，相对于基板。
[0006]通过本发明的液晶显示装置，可以在保证液晶显示器的高像素密度的情况下，对当前液晶显示器存在透光率低、漏光及混色等问题得到较好的解决。
[0007]为让本发明的前述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1A为一俯视图，用以说明本发明的液晶显示装置的一部分的一实施例。[0009]图1B为沿图1A中A-A’线所作的一剖面图。
[0010]图1C为图1A的液晶显示装置的一存储电容Cst对闪烁位准的曲线图。
[0011 ] 图1D为一剖面图，用以说明图1B的液晶显示装置中的二相邻像素区域，其中此二相邻像素区域皆为开启状态。
[0012]图1E为一剖面图，用以说明图1B的液晶显示装置中的二相邻像素区域，其中一像素区域为开启状态，另一像素区域为关闭状态。
[0013]图2为一首I]面图，用以说明图1B的液晶显不装置的另一实施例，其中此液晶显不装置包括至少一遮光元件。
[0014]图3A及图3B为沿第IA的一实施例的B_B’线所作的剖面图，分别显示了未发生及发生间隔物误对准的液晶显示装置。
[0015]图3C及图3D为沿图1A的另一实施例的B_B’线所作的剖面图，分别显示了未发生及发生间隔物误对准的液晶显示装置。
[0016]图4A为依据本发明的液晶显示装置的一部分的一实施例所作的俯视图。
[0017]图4B为沿图4A的A-A’线所作的剖面图。
[0018]图4C为一剖面图，用以说明图4B的液晶显示装置中的二相邻像素区域，其中此二相邻像素区域皆为开启状态。
[0019]图4D为一剖面图，用以说明图4B的液晶显示装置中的二相邻像素区域，其中一像素区域为开启状态，另一像素区域为关闭状态。
[0020]图5A~5B为沿图4A的B_B’线`所作的剖面图，分别显示了未发生及发生间隔物误对准的液晶显示装置。
[0021]主要元件符号说明:
[0022]9 连接层10基板
[0023]11栅极线12 数据线
[0024]20 液晶层25 彩色滤光层
[0025]25a、25b彩色滤光区域30 对立基板
[0026]50 第一绝缘层60 第一共用电极
[0027]63 介层窗70 第二绝缘层
[0028]77、77’背光模块80a、80a’、80b、80b’像素电极图案
[0029]88第二共用电极90 导电层
[0030]99a、99a’、99b、99b’ 电场100a、100a’、100b、100b’ 像素区域
[0031]101 金属层103 第一介层窗开口
[0032]109 第二介层窗开口150 扩散膜
[0033]500、500’间隔物1000、2000液晶显示装置
[0034]A1、A1’、A2、A2’ 稳定区域Cst、Cst’ 存储电容
[0035]D、D’ 最短距离E电连接结构
[0036]P1、P1’第一部分Pla、Pla’ 第一柱状体
[0037]Plb、Plb’ 第二柱状体S1、S2、S3遮光元件
[0038]X第一方向Y 第二方向【具体实施方式】
[0039]以下说明了本发明的较佳实施方式。本发明说明是用以说明本发明的一般性原贝U，并非用以限制本发明。本发明的范围较佳为以由所附的申请专利范围来决定。
[0040]参照图1A?1B，其中图1A为一俯视图，绘示了本发明的液晶显示装置1000的一部分的一实施例，图1B为沿图1A中A-A’线所作的一剖面图。在本实施例中，液晶显示装置1000可包括具有至少一像素区域IOOa或IOOb的一基板10、相对于基板10的一对立基板30、夹设于二基板10与30之间的一液晶层20、形成于液晶层20与对立基板30之间的彩色滤光层25、以及设置于基板10下的背光模块77。由背光模块77所发射的一光线(未绘示于图中)可依序穿透基板10、液晶层20、彩色滤光层25、以及对立基板30而到达液晶显示装置1000的观看者。一般而言，背光模块77使用一扩散光。然而，使用扩散光会使光经过液晶显示装置1000的穿透率降低。在一些实施例中，基板10及对立基板30可分别包括玻璃、石英、或其它适当透光材料。
[0041]基板10通常包括多个像素区域，其排列为一阵列(亦即，像素阵列)。此外，每个像素区域由向一第一方向X延伸的一对栅极线11及向一第二方向Y延伸的一对数据线12所定义而成。为了简化，仅绘示了二像素区域IOOa及100b。每个像素区域IOOa或IOOb可包括形成于基板10上的一像素电极图案80a或80b。像素电极图案80a或80b可包括一第一部分Pl及一导电层90。在一些实施例中，第一部分Pl可为一单一柱状结构(未绘示于图中)。在一些实施例中，第一部分Pl可包括多个柱状结构。举例而言，第I部分Pl可具有实质上向第二方向Y延伸并彼此分隔的一对第一柱状体Pla，每个第一柱状体Pla可分别连接至实质上向第一方向X延伸的一第二柱状体Plb。导电层90可为形成于像素区域IOOa或IOOb中的电连接结构E的一部分，电连接结构E的细节将参照图3A?3B并详述于后。此外，每个像素区域IOOa及IOOb可包括电连接至电连接结构E及前述一对数据线12的其中之一的一连接层9，如图1A所示。在一些实施例中，连接层9可使用一半导体材料形成，例如多晶硅。
[0042]参照图1B，彩色滤光层25可包括多个彩色滤光区域。每个彩色滤光区域可对应于一相对的像素区域。每个彩色滤光区域可为红色、绿色或蓝色，但不限于此。在一些实施例中，相邻的彩色滤光区域可具有相同的或不同颜色。在图1B中，举例而言，绘示了二彩色滤光区域25a及25b，其中彩色滤光区域25a对应于像素区域100a，彩色滤光区域25b对应于像素区域100b。
[0043]在每个像素区域IOOa或IOOb中，可于基板10上设置一第一绝缘层50，并可于第一绝缘层50上设置一第一共用电极60。像素电极图案80a或80b可设置于第一共用电极60上且第二绝缘层70可夹设于像素电极图案80a或80b与第一共用电极60之间。在一些实施例中，第一共用电极60及像素电极图案80a或80b可分别由一透明导电材料形成，例如氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)或氧化铟锋(indium zinc oxide, IZO)。
[0044]可于第一共用电极60与像素电极图案80a或80b之间建立一存储电容Cst。存储电容Cst的大小至少由二个因素决定:像素电极图案80a或80b与第一共用电极60之间的距离，以及像素电极图案80a或80b于第一共用电极60上的垂直投影面积。一般希望有较大的存储电容，较大的存储电容有助于降低液晶显示装置1000的闪烁位准(flikerlevel)。[0045]图1C为液晶显示装置1000的存储电容Cst对闪烁位准的曲线图。由图1C可知，随着电容Cst增加，液晶显示装置1000的闪烁位准会减小。存储电容Cst可通过增加第一共用电极60上的像素电极图案80a或80b的面积(或第一柱状体Pla的数目)而增加。然而，像素电极图案80a或80b的面积(或第一柱状体Pla的数目)具有其上限，如后所述。可替代地或额外地通过增加连接层9的面积以增加存储电容Cst。举例而言，连接层9可还包括一延伸部分(未绘示)以增加其面积。然而，具有增加面积的连接层9可能会阻挡较多由背光模块77穿透液晶显示装置1000的光线，因而降低液晶显示装置1000的光穿透率。
[0046]为了获得高像素密度的液晶显示装置，液晶显示装置的像素区域通常需要较小的尺寸，使液晶显示装置可包括更多像素区域以达到更高的像素密度。然而，在减少像素区域的尺寸时需要考虑各种因素，这些因素将详述如后。
[0047]图1D为图1B的液晶显示装置1000中二个相邻像素区域IOOa及IOOb的剖面图，其中二个相邻像素区域IOOa及IOOb皆为开启状态。参照图1D，施加电压以开启二个相邻像素区域IOOa及IOOb时，在每个像素区域IOOa及IOOb中会产生电场。详细而言，在像素区域IOOa中，与像素电极图案80a相关的电场99a产生于实质上平行于基板10上表面的一平面上，在像素区域IOOb中，与像素电极图案80b相关的电场99b亦产生于实质上平行于基板10上表面的一平面中。关于图1D所示的实施例，若像素区域IOOa中的电极图案80a的第一柱状体Pla与像素区域IOOb中的电极图案80b的第一柱状体Pla之间的最短距离D太小，则像素区域IOOa或IOOb中所产生的电场可能不仅只限制于像素区域IOOa或IOOb内，亦可能延伸进其他相邻像素区域IOOb或100a。若在二个像素区域IOOa及IOOb皆为开启状态时这不会成为一个问题，然而在只有像素区域IOOa开启而像素区域IOOb关闭时，最短距离D太小(例如因为像素区域IOOa及IOOb太小)会使特定像素区域IOOa所产生的电场99a可能延伸进相邻像素区域100b，导致光由像素区域IOOb泄漏，如图1E所示。此外，若像素区域IOOa及像素区域IOOb分别对应至彩色滤光区域25a及彩色滤光区域25b，其中二彩色滤光区域25a及25b颜色不同，则可能会造成混色。
[0048]二种发明人已知可解决漏光及混色问题的方法是提供够大的最短距离D及进一步在液晶显示装置1000中提供遮光元件。这二种方法可依据实际要求单独或组合使用。关于提供像素区域IOOa的像素电极图案80a与相邻的像素区域IOOb的像素电极图案80b之间够大的最短距离D，虽然增加最短距离D可降低漏光及混色问题，但可能导致其它问题，例如较低的像素密度及/或液晶显示装置1000较低的光穿透率。如上所述，若增加像素区域IOOa及IOOb的尺寸以获得较大的最短距离D，可能难以达成高像素密度。此外，若减少像素电极图案80a或80b及/或第一或第二柱状体Pla的面积或数量以获得较大的最短距离D，其可能会降低存储电容Cst。
[0049]关于在液晶显示装置1000中进一步提供遮光元件,液晶显示装置1000还可包括至少一遮光元件以防止漏光。图2为依据本发明的具有至少一遮光元件的液晶显示装置1000的一实施例。在此实施例中，可在液晶显示装置1000中形成三个遮光元件。举例而言，可在对立基板30上形成一第一遮光元件SI并部分嵌入于二个相邻滤光区域25a及25b，可在基板10上形成一第二遮光元件S2并部分嵌入于第一绝缘层50，可在遮光元件S2上形成一第三遮光元件S3并完全嵌入于第一绝缘层50。在另一实施例中，仅形成三个遮光元件SI?S3的其中一个。在又一实施例中，仅形成三个遮光元件SI?S3的其中二个。[0050]图3A及图3B为图1A的实施例沿B_B’线所作的剖面图，分别显示了未发生及发生间隔物误对准的液晶显示装置1000。电连接结构E可通过连接层9电连接至前述一对数据线12 (如图1A所示)。如图3A所示，电连接结构E可包括嵌入于第一绝缘层50中的一金属层101,其中第一介层窗开口 103形成于第一绝缘层50中以露出金属层101。金属层101可由前述一对数据线12中的一个延伸或电连接至该处。第二绝缘层70设置于第一绝缘层50上,其中第二介层窗开口 109形成于第二绝缘层70中以露出金属层101。导电层90设置于第二绝缘层70上并填充进第一介层窗开口 103及第二介层窗开口 109以电连接至金属层101。因此，金属层101及导电层90彼此电连接。在另一实施例中，如图3C?3D所示，第一共用电极60填充进第一介层窗开口 103以电连接至露出的金属层101。第二绝缘层70设置于第一共用电极60上,其中一第二介层窗开口 109形成于第二绝缘层70中以露出第一共用电极60。一导电层90设置于第二绝缘层70中并填充进第二介层窗开口 109以电连接至第一共用电极60。因此，金属层101与导电层90彼此通过第一共用电极60电连接。
[0051 ] 可于基板10与对立基板30之间的液晶层20中形成至少一间隔物500并对应于前述一对数据线12的其中至少一个，如图3A或3C所示。如图3B或3D所示，有严重的间隔物误对准时，间隔物500可能部分形成于第二介层窗开口 109上。在图3A所示的情况中，没有误对准的间隔物500其底部被完全支持，阴影区域Al标示出了稳定区域。然而，参照图3B或3D，当误对准的间隔物500部分形成于第二介层窗开口部109上时，间隔物500的底部仅部分被支持，故标示出的稳定区域A2小于图3A或3C所标示的稳定区域Al。由于间隔物500是用以分隔液晶显示装置1000的相对的二基板10与30，若间隔物500因严重的误对准而不稳定，液晶显示装置1000的结构完整性可能会受到不利影响。此外，为开发高像素密度的液晶显示装置而缩小给定尺寸的一液晶显示装置的像素区域尺寸时，可能会更加突显间隔物误对准的问题。这是因为像素区域尺寸缩小时将间隔物设置于基板时的容许误差的影响会变得更加明显。发明人已知可避免间隔物误对准的一种解决方法为降低间隔物尺寸。
[0052]以下参照图4A?4D及图5A?5B说明液晶显示装置2000的另一实施例。在液晶显示装置2000中，与液晶显示装置1000中相似的元件具有相同或相似的参考数字或相似的说明。为了简化，相同的描述非必要不会重复，此处仅说明液晶显示装置1000与液晶显示装置2000相异之处。
[0053]参见图4A?4B，其中图4A为依据本发明的液晶显示装置2000的一部分的一实施例所作的俯视图，图4B为沿图4A的A-A’线所作的剖面图。在本实施例中，液晶显示装置2000可同样地包括一基板10、与基板10相对的一对立基板30、形成于基板10上的至少一像素区域100a’或100b’、夹设于二基板10与30之间的一液晶层20、形成于液晶层20与对立基板30之间的一彩色滤光层25、以及设置于基板10下的一背光模块77’。由背光模块77’所发射的一光线(未绘示)可依序穿透基板10、液晶层20、彩色滤光层25、及对立基板30而到达液晶显示装置装置2000的观看者。需注意的是，液晶显示装置2000的基板
10、对立基板30、液晶层20、及彩色滤光层25可与第IA?IB图所示的液晶显示装置1000相似。
[0054]此外，基板10通常包括排列为一阵列(即像素阵列)的多个像素区域。每个像素区域通过向一第一方向X延伸的一对栅极线11及向一第二方向Y延伸的一对数据线12所定义。为了简化，仅绘示了二个像素区域100a’及100b’。每个像素区域100a’或100b’可包括形成于基板10上的一像素电极图案80a’及80b’，像素电极图案80a’及80b’可包括一第一部分Ρ1'及一导电层90。在一些实施例中，第一部分Ρ1B'可为一单一柱状结构(未绘示)。在一些实施例中，第一部分Ρ1'可包括一多重柱状结构。举例而言，第一部分Ρ1'可具有分隔的多个第一柱状体Ρ1'且实质上向第二方向Y延伸，每个第一柱状体Pla’可分别连接至实质上向第一方向X延伸的一第二柱状结构Plb’。由于后述原因，第一部分Ρ1'相较于图1A所示的第一部分Pl可具有较大的面积。此外，每个像素区域100a’及100b’亦可包括一连接层9，其电连接至电连接结构E及前述一对数据线12的其中一个，如图4A所示。在一些实施例中，连接层9可使用一半导体层形成，例如多晶硅。
[0055]此外，可于第二绝缘层70上形成一对第二共用电极88并对应于前述一对数据线12。在本实施例中，前述一对第二共用电极88可实质上向第二方向Y延伸。在一些实施例中，前述一对第二共用电极88可由一透明导电材料形成，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(ΙΖ0)。在一些实施例中，前述一对第二共用电极88可以由与第一共用电极60及/或像素电极图案80a’及80b’相同的材料形成。在本实施例中，前述一对第二共用电极88可使用与像素电极图案80a’及80b’相同的材料并通过相同的工艺形成，因而不需额外工艺。
[0056]可于每个像素区域100a’或100b’中提供至少一开关装置(未绘示)，例如薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)。在一些实施例中，每个像素区域100a’或100b’可包括二个薄膜晶体管。在其它 实施例中，每个像素区域100a’或100b’可包括三个薄膜晶体管。
[0057]图4C为一剖面图，用以说明图4B的液晶显示装置2000中的二个相邻像素区域100a’及100b’，其中此二个相邻像素区域100a’及100b’皆为开启状态。与图1E相似，与像素电极图案80a’相关的电场99a’产生于实质上平行于基板10上表面的一平面中的像素区域100a’中，与像素电极图案80b’相关的电场99b’亦产生于实质上平行于基板表面的一平面中的像素区域100b’中。特别需要注意的是，现在前述一对第二共用电极88形成于相邻二个像素区域100a’及100b’之间的前述一对数据线12上，通过将电场99a’或99b’限制于其对应的像素区域100a’或100b’，有助于降低或消除漏光及混色。图4D为一剖面图，用以说明图4B的液晶显示装置中的二个相邻像素区域，其中一像素区域为开启状态，另一像素区域为关闭状态。参照图4D,仅像素区域100a’为开启状态,而像素区域100b’为关闭状态，电场99a’则被限制于像素区域100a’。电场因第二共用电极88而被限制于对应的像素区域的理由可能为前述一对第二共用电极88具有屏蔽功能。降低或消除延伸进相邻像素区域的电场的结果，可减少像素区域100a’中像素电极图案80a’的第一柱状体Pla’及像素区域100b’中像素电极图案80b’的第一柱状体Plb’之间的最短距离D’。如上所述，液晶显示装置2000的第一部分Ρ1'可与液晶显示装置1000的第一部分Pl具有相似结构。然而，当最短距离D’减少时，若第一柱状体的间距保持不变，则第一部分Ρ1'的结构可能具有超过二个以上的第一柱状体Pla’，如图4A所示。因此，可增加液晶显示装置2000的存储电容Cst’。
[0058]虽然前述一对第二共用电极88的排列可能已经大幅降低或消除漏光及混色，可选择性地使用与液晶显示装置2000中相同的方式提供如图2所示的至少一遮光元件SI~S3。在一些实施例中，为进一步消除漏光及混色，背光模块77’可使用准直光源。在一些实施例中，可选择性地在对立基板30与相对的基板10上设置一非必要的扩散膜150。
[0059]在本实施例中，第一共用电极60可电连接至前述一对第二共用电极88。举例而言，第一共用电极60可通过形成于绝缘层70中且在第一共用电极60与前述一对第二共用电极88之间的多个介层窗63电连接至前述一对第二共用电极88,如图4B所不。在一些实施例中，多个介层窗63亦可分别形成于前述一对栅极线11与前述一对数据线12的交点上。此外，为便于输入一并联的共同电压(未绘不)，包括多个介层窗63的像素区域100a’或100b’可为基板10的一像素阵列(未绘示)中的一周边像素区域，如图4A所示。
[0060]图5A?5B为沿图4A的B_B’线所作的剖面图，分别显示了未发生及发生间隔物误对准的液晶显示装置2000。应理解的是，在另一实施例中(未绘示)，电连接结构E可与图3C?3D相似。在本实施例中，第一共用电极60可填充进第一介层窗开口 103以电连接至露出的金属层101，第二绝缘层70可设置于第一共用电极60上，其中一第二介层窗开口109形成于第二绝缘层70中以露出第一共用电极60，一导电层90可设置于第二绝缘层70上并填充进第二介层窗开口 109以电连接至第一共用电极60。因此，金属层101及导电层90可通过第一共用电极60彼此电连接。参照图5A?5B，可在基板10与对立基板30之间的液晶层20中形成至少一间隔物500’。在本实施例中，间隔物500’相较于前述第3A?3B的间隔物500可具有明显较大的尺寸。特别是间隔物500’可具有明显大于第二介层窗开口 109的尺寸(或直径)，使得无论间隔物500’形成于何处，间隔物500’底部区域的支持皆保持相对不变，如图5A?5B所示。因此，虽然间隔物500’可形成于不同区域中，图5A及5B的间隔物500’的稳定区域Al’及A2’仍可相似。因此，因间隔物误对准所引起的不良影响可通过使用本发明实施例的改进的间隔物设计来消除。
[0061]已知间隔物500’可具有任意尺寸(或直径)或形状，只要其尺寸(或直径)明显大于第二介层窗开口 109。在一实施例中，间隔物500’可为长轴实质上沿第二方向Y的椭圆形。在另一实施例中，间隔物500’可为长轴实质上沿第一方向X的椭圆形。在又一实施例中，间隔物500’可为实质圆形。因此，已改善稳定性的液晶显示装置2000的间隔物500’提升了液晶显示装置2000的结构完整性。此外，由于间隔物误对准为重要的问题，故本发明允许更灵活的间隔物设计。
[0062]根据前述实施例，本发明提供一种提升的液晶显示装置，其具有高的存储电容、减少或没有漏光及混色问题、改善的间隔物稳定性及液晶显示装置的结构完整性、以及更灵活的间隔物设计。
[0063]虽然本发明已通过举出较佳实施例详述如上，可理解的是，本发明并不限于前述揭露的实施例。相反地，本发明包含各种修改及相似排列(如同对本【技术领域】中具有通常知识者为显而易见者)。因此，本发明所申请专利范围应根据最广义的解释以涵盖所有修改及相似的排列。
【权利要求】
1.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括: 一基板，具有向一第一方向延伸的一对栅极线及向一第二方向延伸的一对数据线所定义的至少一像素区域； 一第一绝缘层，设置于该基板上并对应于该像素区域； 一第一共用电极，设置于该第一绝缘层上； 一像素电极图案，设置于该第一共用电极上； 一第二绝缘层，设置于该第一共用电极与该像素电极图案之间； 一对第二共用电极，形成于该第二绝缘层上并对应于该对数据线；以及 一对立基板，相对于该基板。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该第一共用电极、该像素电极图案、或该第二共用电极均由一透明导电材料形成。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该第一共用电极通过形成于该第二绝缘层中的多个介层窗电连接至该第二共用电极。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述介层窗形成于该像素区域的该对栅极线之一与该对数据线的交点上。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，该像素区域为该基板的一像素阵列的一周边像素区域。
6.根据权利要求1所 述的液晶显示装置，其特征在于，该像素电极图案包括一结构，其具有至少二个第一柱状体，彼此分离且实质上向该第二方向延伸，其中所述第一柱状体的每一者各自连接至实质上向该第一方向延伸的一第二柱状体。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该对第二共用电极实质上向该第二方向延伸。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括一彩色滤光层形成于该对立基板与该基板之间。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该像素电极图案包括一导电层，该液晶显示装置还包括一电连接结构电连接至该对数据线其中之一，其中该电连接结构包括: 一金属层，嵌入于该第一绝缘层中，其中一第一介层窗开口形成于该第一绝缘层中以露出该金属层； 一第二介层窗开口，形成于该第二绝缘层中，以露出该金属层；以及该导电层，设置于该第二绝缘层上且填充进该第一介层窗开口及该第二介层窗开口，以电连接至该金属层。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置还包括一间隔物，位于该基板与该对立基板之间的一液晶层中，其中该间隔物的尺寸大于该第二介层窗开口的直径。
11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，该间隔物为圆形或为长轴实质上沿该第一方向或该第二方向的椭圆形。
12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该像素电极图案包括一导电层，该液晶显示装置还包括一电连接结构，电连接至该对数据线中的其中之一，其中该电连接结构包括: 一金属层，嵌入于该第一绝缘层中，其中一第一介层窗开口形成于该第一绝缘层中以露出该金属层； 该第一共用电极，填充进该第一介层窗开口，以电连接至该露出的金属层； 该第二绝缘层，设置于该第一共用电极上，其中一第二介层窗开口形成于该第二绝缘层中以露出该第一共用电极；以及 该导电层，设置于该第二绝缘层上且填充进该第二介层窗开口，以电连接至该第一共用电极。
13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置还包括一间隔物，位于该基板与该对立基板之间的一液晶层中，其中该间隔物的尺寸大于该第二介层窗开口的直径。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其特征在于，该间隔物为圆形或长轴实质上沿该第一方向或该第二方向的椭圆形。
15.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置还包括设置于该基板下的背光模块。
16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其特征在于， 该背光模块使用一准直光源。
17.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置还包括一扩散膜，位于该对立基板上且相对于该基板。
18.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置还包括至少一遮光兀件，嵌入于该第一绝缘层或形成于该对立基板上。
【文档编号】G02F1/1339GK103576397SQ201310319919
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月26日 优先权日:2012年7月26日
【发明者】柴崎稔 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司