液晶显示装置制造方法

液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明的液晶显示装置的特征在于，具备：第1基板以及第2基板，该第1基板以及第2基板使主面彼此对置地配置；液晶层，其配置在所述第1基板以及所述第2基板之间；多个栅极布线，其配置在所述第2基板的所述主面上；多个源极布线，其与多个该栅极布线交叉地配置在所述第2基板的所述主面上；第1绝缘膜，其覆盖多个所述栅极布线以及多个所述源极布线地配置在所述第2基板的所述主面上；遮光膜，其覆盖多个所述源极布线地配置在所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，其覆盖多个所述栅极布线、多个所述源极布线以及所述遮光膜地配置在所述第1绝缘膜上；信号电极，其设置在该第2绝缘膜上；和公共电极，其设置在所述第2绝缘膜上，并用于与所述信号电极之间形成电场，在该液晶显示装置中，配置有在俯视下位于所述信号电极与所述源极布线之间、并且在剖视下位于所述第1绝缘膜与所述遮光膜之间的屏蔽电极，其中所述信号电极位于由多个所述栅极布线以及多个所述源极布线围成的区域，在该屏蔽电极与所述遮光膜之间配置有第3绝缘膜。
【专利说明】液晶显示装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于便携式电话、数码照相机、便携式游戏机或便携式信息终端等的 各种各样的用途的液晶显示装置。

【背景技术】
[0002] 横电场方式的液晶显不装置具备相互对置的一对基板、和配置在一对基板间的液 晶层，在一对基板中的一个基板（阵列基板）侧配置有栅极布线、源极布线、TFT(薄膜晶体 管）、信号电极、公共电极，在一对基板中的另一个基板（对置基板）侧配置有彩色滤波器。
[0003] 在该液晶显示装置中，信号电极以及公共电极在相同面上交替地排列，通过对信 号电极以及公共电极施加电压，在信号电极以及公共电极之间产生电场，并通过该电场来 控制液晶层中的液晶分子的方向。通过利用该横电场来控制液晶分子的方向能实现宽视角 化。
[0004] 近年来的液晶显示装置正被谋求高显示品质，并以提高显示品质为目的,在宽视 角化的基础上实现了高亮度化。
[0005] 作为兼顾它们的技术，存在黑矩阵在阵列上（以下，称为Β0Α)技术（参照特开 2006-301505号公报）。在Β0Α技术中，由于在形成了信号电极等的阵列基板侧覆盖栅极布 线以及源极布线地形成遮光膜，因而与将遮光膜配置在对置基板上的情况相比，无需再设 置基板彼此贴合时的位置偏移余量。由此，能够减小遮光膜的宽度，实现像素的高开口率 化，并能够实现高亮度化。此外，通过在形成了栅极布线、源极布线、信号电极以及公共电极 等的阵列基板上存在遮光膜，能够在广视角范围内用遮光膜遮盖布线以及电极，因而能够 防止因在布线端以及电极端的反射、散射而引起的对比度的下降。
[0006] 另一方面，对于横电场方式的液晶显示装置，存在如下这样的问题点：通过在源极 布线以及信号电极之间产生的耦合电容，信号电极的电压由于源极布线的电压变动而容易 变动，有可能对显示品质造成影响。
[0007] 在现有技术中，针对该问题点，通过在源极布线以及信号电极之间的区域配置屏 蔽电极，对源极布线的电压的变动给信号电极带来的影响进行了抑制。
[0008] 但是，在将该屏蔽电极配置在与遮光膜相邻的区域的情况下，存在如下这样的问 题点：有可能来自光源装置的光被屏蔽电极遮住，开口率下降，像素的高亮度化降低。此外， 在与遮光膜重叠并接触地配置了屏蔽电极的情况下，由于一般而言遮光膜难以作为完全的 绝缘体而发挥作用，因而存在源极布线与屏蔽电极之间的寄生电容增大、有可能施加给源 极布线的负载变大这样的问题点。


【发明内容】

[0009] 本发明鉴于上述问题点而作，其目的在于提供一种液晶显示装置，能够抑制源极 布线的电压变动给信号电极造成的影响的同时，抑制像素的开口率的下降以及对源极布线 的负载的增加。
[0010] 本发明的液晶显示装置的特征在于，具备：第1基板以及第2基板，该第1基板以 及第2基板使主面彼此对置地配置；液晶层，其配置在所述第1基板以及所述第2基板之 间；多个栅极布线，其配置在所述第2基板的所述主面上；多个源极布线，其与多个该栅极 布线交叉地配置在所述第2基板的所述主面上；第1绝缘膜，其覆盖多个所述栅极布线以及 多个所述源极布线地配置在所述第2基板的所述主面上；遮光膜，其覆盖多个所述源极布 线地配置在所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，其覆盖多个所述栅极布线、多个所述源极布线 以及所述遮光膜地配置在所述第1绝缘膜上；信号电极，其设置在该第2绝缘膜上；和公共 电极，其设置在所述第2绝缘膜上，并用于与所述信号电极之间形成电场，在该液晶显示装 置中，配置有在俯视下位于所述信号电极与所述源极布线之间、并且在剖视下位于所述第1 绝缘膜与所述遮光膜之间的屏蔽电极，其中所述信号电极位于由多个所述栅极布线以及多 个所述源极布线围成的区域，在该屏蔽电极与所述遮光膜之间配置有第3绝缘膜。

【专利附图】

【附图说明】
[0011] 图1是表示本发明的第1实施方式中的液晶显示装置的俯视图。
[0012] 图2是沿图1的I-Ι线的剖面图。
[0013] 图3是表示像素中的配置在第2基板上的布线、电极以及遮光膜的俯视图。
[0014] 图4是沿图3的II-II线的液晶显示装置的剖面图。
[0015] 图5是表示非显示区域中的第2基板上的布线、绝缘膜以及接触孔等的剖面图。
[0016] 图6是表示本发明的第2实施方式中的液晶显示装置的主要部分的俯视图。
[0017] 图7是沿图6的III-III线的液晶显示装置的剖面图。
[0018] 图8是表示本发明的第3实施方式中的液晶显示装置的主要部分的俯视图。
[0019] 图9是沿图8的IV-IV线的液晶显示装置的剖面图。
[0020] 图10是表示本发明的第4实施方式中的液晶显示装置的主要部分的俯视图。
[0021] 图11是沿图10的v-v线的液晶显示装置的剖面图。

【具体实施方式】
[0022] [第1实施方式]
[0023] 参照图1?图5对本发明的第1实施方式中的液晶显示装置1进行说明。
[0024] 液晶显示装置1具备液晶面板2、向液晶面板2射出光的光源装置3、在液晶面板 2上配置的第1偏光板4、和在液晶面板2与光源装置3之间配置的第2偏光板5。
[0025] 在液晶面板2中，第1基板21以及第2基板22被对置地配置，在第1基板21以 及第2基板22之间配置有液晶层23,并且围住该液晶层23地配置有将第1基板21以及第 2基板22接合的密封材料24。
[0026] 第1基板21具有：第1主面21a，其具有显示区域ED以及位于该显示区域E D的外 侧的非显示区域EN ;和第2主面21b，其位于第1主面21a的相反侧。第1基板21例如由 玻璃、塑料等形成。
[0027] 在第1基板21的第2主面21b上，配置有彩色滤波器211。
[0028] 彩色滤波器211具有仅使可见光中特定的波长光透过的功能。多个彩色滤波器 211位于第1基板21的第2主面21b上，并按照每个像素进行配置。各彩色滤波器211具 有红、绿以及蓝中的任意一种颜色。此外，彩色滤波器211并不限于上述颜色，例如也可以 配置黄色、白色等的彩色滤波器211。作为彩色滤波器211的材料，例如可以举出添加了染 料或颜料的树脂。
[0029] 此外，在彩色滤波器211上配置平坦化膜、取向膜（未图示）等。
[0030] 第2基板22具有：第1主面22a，其与第1基板21的第2主面21b相对置；和第 2主面22b，其位于第1主面22a的相反侧。另外，第2基板22能够由与第1基板21相同 的材料形成。
[0031] 首先，参照图3以及图4,对在与显示区域ED相重叠的第2基板22的第1主面22a 上配置的各构件进行说明。
[0032] 在第2基板22的第1主面22a上，配置有多个栅极布线221以及辅助电容布线 222,并覆盖多个栅极布线221以及辅助电容布线222地配置有栅绝缘膜223。在栅绝缘膜 223上配置有多个源极布线224。此外，在栅绝缘膜223上，覆盖多个源极布线224地配置 有第1层间绝缘膜225。在该第1层间绝缘膜225上，配置有屏蔽电极S。此外，在第1层 间绝缘膜225上，覆盖屏蔽电极S地配置有第2层间绝缘膜226。在该第2层间绝缘膜226 上配置有遮光膜BM。此外，在第1层间绝缘膜226上覆盖遮光膜BM地配置有平坦化膜227， 在该平坦化膜227上配置有公共电极228以及信号电极229。
[0033] 栅极布线221具有将从驱动1C(未图示）供给的栅极电压施加给薄膜晶体管TFT 的功能。如图3所示，栅极布线221在第2基板22的第1主面22a上在X方向上延伸。此 夕卜，多个栅极布线221沿Y方向排列。栅极布线221由具有导电性的材料形成，例如由铝、 钥、钛、钕、铬、铜或包含这些的合金形成。
[0034] 栅极布线221例如通过下述方法而形成。
[0035] 首先，通过溅射法、蒸镀法或化学气相沉积法，在第2基板22的第1主面22a上形 成导电膜。对该导电膜的表面涂敷感光性树脂，并对所涂敷的感光性树脂进行曝光处理以 及显影处理，由此在感光性树脂形成所希望的形状的图案。接着，用蚀刻液对导电膜进行蚀 亥IJ，使导电膜成为所希望的形状后，剥离所涂敷的感光性树脂。这样，通过成膜以及图案化 能够形成栅极布线221。
[0036] 辅助电容布线222配置于第2基板22的第1主面22a。辅助电容布线222与栅极 布线221位于相同面上。如图3所示，辅助电容布线222在X方向上延伸。此外，辅助电容 布线222也可以由与栅极布线221相同的材料形成。
[0037] 另外，在本实施方式中，辅助电容布线222与栅极布线221形成在相同面上，但并 不限于此。即，辅助电容布线222也可以与栅极布线221形成于不同的层。
[0038] 栅绝缘膜223配置为在第1主面22a上覆盖栅极布线221以及辅助电容布线222。 栅绝缘膜223由氮化硅、氧化硅等具有绝缘性的材料形成。另外，栅绝缘膜223能够通过上 述的溅射法、蒸镀法或化学气相沉积法等在第2基板22的第1主面22a上形成。
[0039] 源极布线224具有将从驱动1C供给的信号电压经由薄膜晶体管TFT施加给信号 电极229的功能。如图3所示，多个源极布线224在Y方向上延伸。此外，多个源极布线 224在栅绝缘膜223上沿X方向排列。源极布线224也可以由与栅极布线221相同的材料 形成。源极布线224能够通过与栅极布线221相同的方法来形成。另外，在本实施方式中， 源极布线224形成为直线状，但也可以使其弯曲来形成。
[0040] 薄膜晶体管TFT具有非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等的半导体层、设置在该半 导体层上并且与源极布线224相连接的源极电极、和漏极电极。此外，薄膜晶体管TFT的漏 极电极经由漏极布线D以及接触孔C与信号电极229相连接。
[0041] 在薄膜晶体管TFT中，源极电极以及漏极电极间的半导体层的电阻根据经由栅极 布线221施加给半导体层的栅极电压而变化，由此控制图像信号向信号电极229的写入或 非写入。
[0042] 第1层间绝缘膜225配置为在栅绝缘膜223上覆盖源极布线224。第1层间绝缘 膜225也可以由与栅绝缘膜223相同的材料形成。
[0043] 屏蔽电极S具有遮蔽由施加给源极布线224的电压产生的电场的功能。另外，在 图3中，屏蔽电极S的形成区域用斜线（实线）来表示（关于图6以及图8也同样）。
[0044] 屏蔽电极S配置在第1层间绝缘膜225上。此外，如图3所示，屏蔽电极S的一部 分与源极布线224相邻地在Y方向上延伸。另外，在实施方式中，屏蔽电极S的延伸部形成 为直线状，但也可以使其弯曲来形成。
[0045] 此外，屏蔽电极S的延伸部在俯视下位于源极布线224与信号电极229之间。此 夕卜，屏蔽电极S位于遮光膜BM的形成区域。另外，屏蔽电极S只要其至少一部分位于遮光 膜BM的形成区域即可。
[0046] 本实施方式的屏蔽电极S通过接触孔C与辅助电容布线222相连接。另外，屏蔽 电极S也可以并不与辅助电容布线222连接而与公共电极228连接。此外，屏蔽电极S也 可以与公共电极228以及辅助电容布线222的双方连接。此外，屏蔽电极S也可以与地电 位相连接，只要能够确保其表面积也可以是浮动的。
[0047] 屏蔽电极S的材料由具有导电性的材料形成。屏蔽电极S的材料，例如可以 举出 ITO (Indium Tin Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、ATO (Antimony Tin Oxide)、 AZ0(Al_Doped Zinc Oxide)、氧化锡、氧化锌等的透光材料、或错、钥、钛、钕、铬、铜等或包 含这些的合金的不透光材料，但只要是具有导电性的材料即可，并不限于此。
[0048] 第2层间绝缘膜226具有将屏蔽电极S以及遮光膜BM电绝缘的功能。第2层间 绝缘膜226覆盖屏蔽电极S地配置在第1层间绝缘膜225上。第2层间绝缘膜226也可以 由与栅绝缘膜223相同的材料形成。
[0049] 遮光膜BM具有遮住光的功能。遮光膜BM配置在第2层间绝缘膜226上，并且定 位为与栅极布线221、辅助电容布线222、源极布线224以及公共电极228的一部分相重叠。 此外，遮光膜BM形成为覆盖屏蔽电极S。另外，遮光膜BM也可以形成为覆盖屏蔽电极S的 至少一部分。
[0050] 在图3中，遮光膜BM的形成区域用斜线（虚线）来示出（关于图6以及图8也同 样）。
[0051] 由于遮光膜BM覆盖栅极布线221、源极布线224以及辅助电容布线222地形成在 第2基板22侧，因而与遮光膜BM形成在第1基板21侧的情况相比，能够高精度地对栅极 布线221、辅助电容布线222以及源极布线224进行遮光。
[0052] 遮光膜BM的材料，例如可以举出添加了高遮光性的颜色（例如黑色）的染料或颜 料的树脂、铬等的金属或合金。
[0053] 平坦化膜227覆盖遮光膜BM地配置于第2层间绝缘膜226。平坦化膜227由有机 材料形成，可以举出丙烯酸系树脂、环氧系树脂或聚酰亚胺系树脂等。另外，平坦化膜227 的膜厚例如被设定在1 μ m?5 μ m的范围内。另外，在降低寄生电容的观点上，优选增大平 坦化膜227的膜厚。
[0054] 公共电极228具有通过从驱动1C施加的电压在与信号电极229之间产生电场的 功能。公共电极228配置在平坦化膜227上。公共电极228由具有导电性的透光材料形成， 例如由ΙΤ0、120、41'0、八20、氧化锡、氧化锌或导电性高分子形成。
[0055] 信号电极229具有通过从驱动1C施加的电压在与公共电极228之间产生电场的 功能。多个信号电极229配置在平坦化膜227上，并沿X方向排列。此外，公共电极228位 于X方向上的信号电极229的两侧。S卩，信号电极229与公共电极228在X方向上交替地 配置。另外，在本实施方式中，信号电极229形成为直线状，但也可以使其弯曲。信号电极 229由与公共电极228相同的材料形成。
[0056] 信号电极229的宽度例如设定在2μπι?5μπι的范围内。信号电极229与公共电 极228之间的间隔例如设定在5 μ m?20 μ m的范围内。
[0057] 在液晶显示装置1中，在俯视下，由于屏蔽电极S位于信号电极229与源极布线 224之间，因而屏蔽电极S会遮蔽由源极布线224产生的电场，能够降低源极布线224的电 压的变动给信号电极229的电压造成的影响。
[0058] 另外，由于该屏蔽电极S位于遮光膜BM的形成区域内，因而能降低屏蔽电极S对 来自光源装置3的光的遮挡，并能够抑制像素的开口率的降低。此外，只要用透光材料来形 成屏蔽电极S，也能够降低位于遮光膜BM的形成区域外的屏蔽电极S的部位所引起的遮光。
[0059] 而且，在液晶显示装置1中，在剖视下，第2层间绝缘膜226配置于屏蔽电极S与 遮光膜BM之间。由于通过该第2层间绝缘膜226将屏蔽电极S与遮光膜BM绝缘，因此即 使在遮光膜BM并未作为完全的绝缘体而发挥作用的情况下，也能够抑制由于源极布线224 与屏蔽电极S之间的寄生电容的增大而导致施加给源极布线224的负载变大。
[0060] 接着，参照图5对与非显示区域EN相重叠的第2基板22的第1主面22a上的各 构件进行说明。另外，图5是表示非显示区域E N的一部分的剖面图。此外，省略上述已经 说明过的构件的说明。
[0061] 在与非显示区域EN相重叠的第2基板22的第1主面22a上，配置有第1布线导体 2210。此外，在第2基板22的第1主面22a上，配置有栅绝缘膜223。在栅绝缘膜223上配 置有第2布线导体2211。此外，在栅绝缘膜223上，覆盖第2布线导体2211的一部分地配 置有第1层间绝缘膜225。在栅绝缘膜223以及第1层间绝缘膜225,形成有贯通孔H，该贯 通孔Η使第1布线导体2210以及第2布线导体2211露出。在该贯通孔Η内配置有连接导 体Τ。此外，在第1层间绝缘膜225上，覆盖连接导体Τ地配置有第2层间绝缘膜226。在 第2层间绝缘膜226上与贯通孔Η相重叠地配置有遮光膜ΒΜ。此外，在该遮光膜ΒΜ上配置 有平坦化膜227,在该平坦化膜227上配置有第3布线导体2212。
[0062] 第1布线导体2210配置于第2基板22的第1主面22a。第1布线导体2210与栅 极布线221或辅助电容布线222等相连接。第1布线导体2210也可以由与栅极布线221 相同的材料形成。
[0063] 在栅绝缘膜223以及第1层间绝缘膜225形成有贯通孔H。贯通孔Η位于第1布 线导体2210以及第2布线导体2211上，且第1布线导体2210的一部分以及第2布线导体 2211的一部分通过贯通孔Η从栅绝缘膜223以及第1层间绝缘膜225露出。
[0064] 第2布线导体2211配置于栅绝缘膜223,并与源极布线224位于相同面上。此外， 第2布线导体2211与驱动1C等相连接。第2布线导体2211也可以由与源极布线224相 同的材料形成。
[0065] 连接导体Τ具有连接第1布线导体2210以及第2布线导体2211的功能。连接导 体Τ配置于贯通孔Η，并在贯通孔Η内与第1布线导体2210相连接。此外，连接导体Τ的一 部分配置在贯通孔Η的外侧，并位于第1层间绝缘膜225上。此外，连接导体Τ的一部分也 位于第2布线导体2211上，并在该部分与第2布线导体2211相连接。另外，连接导体Τ由 与屏蔽电极S相同的材料形成。
[0066] 在液晶显示装置1中，配置了连接导体Τ的贯通孔Η位于遮光膜ΒΜ的形成区域。 艮Ρ，在遮光膜ΒΜ的形成区域内通过连接导体Τ将第1布线导体2210以及第2布线导体 2211连接。由此，因为位于贯通孔Η内的连接导体Τ、第1布线导体2210以及第2布线导 体2211并未从遮光膜ΒΜ被露出，所以外光由连接导体Τ、第1布线导体2210以及第2布线 导体2211进行反射，能够抑制在显示区域E D的图像品质下降。
[0067] 而且，在液晶显示装置1中，连接导体T以及屏蔽电极S由相同材料形成，因而能 够通过相同的成膜工序以及图案形成工序来形成两者，能够简化制造工序。
[0068] 第3布线导体2212配置于平坦化膜227,并与信号电极229以及公共电极228位 于相同面上。第3布线导体2212在框体开口部或框体开口部的外侧与第2布线导体2211 等相连接。第3布线导体2212也可以由与公共电极228相同的材料形成。
[0069] 接着，参照图2以及图4,对液晶层23、密封部24、光源装置3、第1偏光板24以及 第2偏光板25进行说明。
[0070] 液晶层23配置在第1基板21与第2基板22之间。液晶层23包含向列型液晶等 的液晶分子。
[0071] 在液晶显示装置1中，通过对设置在相同面上的信号电极229和公共电极228施 加电压，在信号电极229与公共电极228之间产生电场，并通过该电场来控制液晶层23中 的液晶分子的方向。
[0072] 密封材料24具有将第1基板21与第2基板22贴合的功能。密封材料24在俯视 下围住显示区域E D地设置在第1基板21与第2基板22之间。该密封材料24由环氧树脂 等形成。
[0073] 光源装置3具有向液晶面板2的显示区域ED射出光的功能。光源装置3具有光 源31以及导光板32。另外，在本实施方式中的光源装置3中，光源31采用了 LED等的点光 源，但也可以采用冷阴极管等的线光源。
[0074] 第1偏光板4具有选择性地使规定的振动方向的光透过的功能。该第1偏光板4 配置为与液晶面板2的第1基板21的第1主面21a相对置。
[0075] 第2偏光板5具有选择性地使规定的振动方向的光透过的功能。该第2偏光板5 配置为与第2基板22的第2主面22b相对置。
[0076][第2实施方式]
[0077] 图6以及图7是表示第2实施方式中的液晶显示装置1A的主要部分的图。
[0078] 液晶显示装置1A与第1实施方式中的液晶显示装置1相比，不同点在于与信号电 极229相重叠地配置有与该信号电极229电连接的第1导电膜Gl。
[0079] 第1导电膜G1配置在第1层间绝缘膜225上，并与屏蔽电极S配置在相同面上。 此外，第1导电膜G1定位为与信号电极229的形成区域相重叠。此外，第1导电膜G1与屏 蔽电极S由相同材料形成。
[0080] 第1导电膜G1与信号电极229电连接，具体来说，信号电极229与第1导电膜G1 经由接触孔C连接。
[0081] 在液晶显示装置1A中，在俯视下，第1导电膜G1在信号电极229的下层且形成在 信号电极229的形成区域。由此，从位于信号电极229的下层的第1导电膜G1向位于信号 电极229的两侧的公共电极228产生电力线。通过该电力线，即使在白色显示时利用人的 手指等按压了显示区域E D的情况下，也能降低信号电极229以及公共电极228之间的区域 中的液晶分子的取向的紊乱，因而能够抑制因反向扭转域（reverse twist domain)的产生 而引起的显示品质的下降。
[0082] 此外，在液晶显示装置1A中，第1导电膜G1以及屏蔽电极S由相同材料形成。由 此，由于能够通过相同的成膜工序以及图案形成工序来形成第1导电膜G1与屏蔽电极S，因 此能够简化液晶显示装置1A的制造工序。
[0083] [第3实施方式]
[0084] 图8以及图9是表示第3实施方式中的液晶显示装置1B的主要部分的图。
[0085] 液晶显示装置1B与第1实施方式中的液晶显示装置1相比，下述的点不同。
[0086] 在液晶显示装置1B中，在1个像素中，形成多个信号电极229,在各信号电极229 的X方向的两侧形成公共电极228从而进一步增加了像素的分割数。
[0087] 此外，在液晶显示装置1B中在第1层间绝缘膜225上配置有第2导电膜G2。
[0088] 第2导电膜G2定位为与公共电极228的形成区域相重叠，并与公共电极228电连 接。具体来说，公共电极228与第2导电膜G2经由接触孔C连接。而且，也可以经由接触 孔C使第2导电膜G2与辅助电容布线222连接。
[0089] 屏蔽电极S经由接触孔C与公共电极228相连接。而且，屏蔽电极S也可以经由 接触孔C与辅助电容布线222相连接。
[0090] 在液晶显示装置1C中，在俯视下，第2导电膜G2在公共电极228的下层且形成在 公共电极228的形成区域。由此，从位于公共电极228的下层的第2导电膜G2向位于公共 电极228的两侧的信号电极229产生电力线。通过该电力线，即使在白色显示时利用人的 手指等按压了显示区域E D的情况下，也能降低信号电极229与公共电极228之间的区域中 的液晶分子的取向的紊乱，因而能够抑制因反向扭转域的产生而引起的显示品质的下降。
[0091] 此外，由于通过将屏蔽电极S与公共电极228连接，能够将屏蔽电极S兼用作第2 导电膜G2,因而能够在信号电极229与屏蔽电极S之间产生电场，并能够通过该电场来控制 液晶层23的液晶分子，并且能够削减液晶显示装置1C的部件件数。
[0092] 此外，在液晶显示装置1C中，第2导电膜G2以及屏蔽电极S由相同材料形成。由 此，由于能够通过相同成膜工序以及图案形成工序来形成第2导电膜G2以及屏蔽电极S，因 此能够简化液晶显示装置1C的制造工序。
[0093] [第4实施方式]
[0094] 图10以及图11是表示第4实施方式中的液晶显示装置1C的主要部分的图。
[0095] 液晶显示装置1C与第1实施方式中的液晶显示装置1相比，下述的点不同。
[0096] 在液晶显示装置1C中，在1个像素中，形成多个信号电极229,在各信号电极229 的X方向的两侧形成公共电极228从而进一步增加了像素的分割数。
[0097] 此外，在液晶显示装置1C中，在第1层间绝缘膜225上设置有第1导电膜G1以及 第2导电膜G2。
[0098] 第1导电膜G1定位为与信号电极229的形成区域相重叠，并与信号电极229电连 接。具体来说，信号电极229与第1导电膜G1经由接触孔C连接。
[0099] 第2导电膜G2定位为与公共电极228的形成区域相重叠，并与公共电极228电连 接。具体来说，公共电极228与第2导电膜G2经由接触孔C连接。而且，也可以经由接触 孔C使第2导电膜G2与辅助电容布线222连接。
[0100] 屏蔽电极S经由接触孔C与公共电极228相连接。而且，屏蔽电极S也可以经由 接触孔C与辅助电容布线222相连接。
[0101] 在液晶显示装置1C中，在第1层间绝缘膜225上，配置有第1导电膜G1。由此，从 第1导电膜G1向位于信号电极229的两侧的公共电极228产生电力线。通过该电力线，即 使在白色显示时利用人的手指等按压了显示区域E D的情况下，也能降低信号电极229与公 共电极228之间的区域中的液晶分子的取向的紊乱，并能够抑制因反向扭转域的产生而引 起的显示品质的下降。
[0102] 此外，与第1导电膜G1形成在相同面上的第2导电膜G2配置在第1导电膜G1的 X方向的一侧，并且与第1导电膜G1形成在相同面上的屏蔽电极S配置在第1导电膜G1的 X方向的另一侧。即，通过将屏蔽电极S与公共电极228连接，能够将屏蔽电极S兼用作第 2导电膜G2。由此，由于能够在信号电极229与第2导电膜G2之间以及在信号电极229与 屏蔽电极S之间产生电场，因而能够通过该电场来控制液晶层23的液晶分子，并且能够削 减液晶显示装置1C的部件件数。
[0103] 此外，在液晶显示装置1C中，第1导电膜G1、第2导电膜G2以及屏蔽电极S由相 同材料形成。由此，由于能够通过相同成膜工序以及图案形成工序来形成第1导电膜G1、第 2导电膜G2以及屏蔽电极S，因而能够简化液晶显示装置1B的制造工序。
[0104] 本发明并非特别限定于上述的第1?第4实施方式，在不脱离本发明的主旨的范 围内能进行各种变更以及改良。
[0105] 符号说明
[0106] 1、1A、1B、1C液晶显示装置
[0107] 2液晶面板
[0108] ED显示区域
[0109] EN非显示区域
[0110] 21第1基板
[0111] 21a 第 1 主面
[0112] 21b第2主面（主面）
[0113] 211彩色滤波器
[0114] 22第2基板
[0115] 22a第1主面（主面）
[0116] 22b 第 2 主面
[0117] 221栅极布线
[0118] 222辅助电容布线
[0119] 223栅绝缘膜
[0120] 224源极布线
[0121] 225第1层间绝缘膜（第1绝缘膜）
[0122] 226第2层间绝缘膜（第3绝缘膜）
[0123] 227平坦化膜（第2绝缘膜）
[0124] 228公共电极
[0125] 229信号电极
[0126] 2210第1布线导体
[0127] 2211第2布线导体
[0128] 2212第3布线导体
[0129] TFT薄膜晶体管
[0130] S屏蔽电极
[0131] BM遮光膜
[0132] D漏极布线
[0133] G1第1导电膜
[0134] G2第2导电膜
[0135] C接触孔
[0136] Η贯通孔
[0137] Τ连接导体
[0138] 23液晶层
[0139] 24密封材料
[0140] 4第1偏光板
[0141] 5第2偏光板
[0142] 3光源装置
[0143] 31 光源
[0144] 32导光板
【权利要求】
1. 一种液晶显示装置，其特征在于，具备：第1基板以及第2基板，该第1基板以及第2 基板使主面彼此对置地配置；液晶层，其配置在所述第1基板以及所述第2基板之间；多个 栅极布线，其配置在所述第2基板的所述主面上；多个源极布线，其与多个该栅极布线交叉 地配置在所述第2基板的所述主面上；第1绝缘膜，其覆盖多个所述栅极布线以及多个所述 源极布线地配置在所述第2基板的所述主面上；遮光膜，其覆盖多个所述源极布线地配置 在所述第1绝缘膜上；第2绝缘膜，其覆盖多个所述栅极布线、多个所述源极布线以及所述 遮光膜地配置在所述第1绝缘膜上；信号电极，其设置在该第2绝缘膜上；和公共电极，其 设置在所述第2绝缘膜上，并用于与所述信号电极之间形成电场， 所述液晶显示装置配置有在俯视下位于所述信号电极与所述源极布线之间、并且在剖 视下位于所述第1绝缘膜与所述遮光膜之间的屏蔽电极，其中所述信号电极位于由多个所 述栅极布线以及多个所述源极布线围成的区域， 在该屏蔽电极与所述遮光膜之间配置有第3绝缘膜。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中， 在所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，配置有与所述信号电极重叠的、与所述信号 电极电连接的导电膜， 所述导电膜与所述屏蔽电极配置在相同面上，并且由与所述屏蔽电极相同的材料形 成。
3. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中， 在所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，配置有与所述公共电极重叠的、与所述公共 电极电连接的导电膜， 该导电膜与所述屏蔽电极配置在相同面上，并且由与所述屏蔽电极相同的材料形成。
4. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中， 在所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，配置有与所述信号电极重叠的、与所述信号 电极电连接的第1导电膜， 在所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，配置有与所述公共电极重叠的、与所述公共 电极电连接的第2导电膜， 所述第1导电膜以及所述第2导电膜与所述屏蔽电极配置在相同面上，并且由与所述 屏蔽电极相同的材料形成。
5. 根据权利要求1?4中任一项所述的液晶显示装置，其中， 所述屏蔽电极与所述公共电极电连接。
6. 根据权利要求1?5中任一项所述的液晶显示装置，其中， 在所述第2基板的所述主面上，隔着所述第3绝缘膜而与所述屏蔽电极对置地配置有 辅助电容布线， 所述屏蔽电极与所述辅助电容布线电连接。
【文档编号】G02F1/1368GK104115060SQ201380009091
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年2月20日 优先权日:2012年2月27日
【发明者】西出雅彦, 酒井英明, 小仓健慈, 北村茂树, 有泽崇志 申请人:京瓷株式会社