电路连接材料及使用该电路连接材料的安装体的制造方法

电路连接材料及使用该电路连接材料的安装体的制造方法
【专利摘要】提供能够剥离期望的剥离膜的电路连接材料及使用该电路连接材料的安装体的制造方法。具有第1粘接剂层（11）和含有表面调整剂的第2粘接剂层（12），常温时（25℃），粘贴在第1粘接剂层（11）侧的第1剥离膜（21）的剥离力小于粘贴在第2粘接剂层（12）侧的第2剥离膜（22）的剥离力。由此，在常温时，可以剥离第1剥离膜（21），在加热时，可以剥离第2剥离膜（22）。
【专利说明】电路连接材料及使用该电路连接材料的安装体的制造方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及连接电子部件的电路连接材料以及使用该电路连接材料的安装体的 制造方法。本申请以在日本于2012年3月30日申请的日本专利申请号特愿2012 - 79543 为基础主张优先权，通过参照该申请，引用到本申请中。

【背景技术】
[0002] -直以来，作为将电子部件与基板连接的电路连接材料，采用例如在剥离膜 涂敷了分散有导电性粒子的粘合剂树脂的带状的各向异性导电膜（ACF:Anisotropic Conductive Film)。
[0003] 各向异性导电膜用在例如接合柔性印刷基板（FPC)或1C芯片的端子与形成在LCD (Liquid Crystal Display)面板的玻璃基板上的ΙΤ0 (铟锡氧化物：Indium Tin Oxide)电 极的、所谓的玻璃上薄膜（FOG)、玻璃上芯片（COG)等。
[0004] 另外，近年来，采用了使用如下各向异性导电膜提高导电性粒子的捕获效率的技 术，该各向异性导电膜为层叠具有导电性粒子的ACF层和由绝缘性树脂构成的NCF层的2 层结构(例如，参照专利文献1至3。）。
[0005] 图10是用于说明以现有的2层结构的各向异性导电膜进行的连接的截面图。该各 向异性导电膜具有层叠具有导电性粒子的ACF层111和由绝缘性树脂构成的NCF层112的 2层结构。另外，出于防止灰尘附着等的目的，在ACF层111侧粘贴盖膜121，在NCF层112 侧粘贴基底膜122。通常，基底膜122/NCF层112的剥离力设定为比盖膜121/ACF层111的 剥离力大，以在使用时，盖膜121侧能剥离。
[0006] 在使用该2层结构的各向异性导电膜的情况下，首先，剥离盖膜121，将ACF层111 粘贴在玻璃基板130。接着，剥离基底膜122,将NCF层112粘贴在FPC140。
[0007] 压接时，FPC140的端子141进入NCF层112,进而在ACF层111中夹入导电性粒 子而与ΙΤ0电极131电连接。因此，流入电子部件的端子间的导电性粒子数减少，与单层结 构相比，即便导电性粒子为少量，也能提高连接端子捕获的导电性粒子的比例(粒子捕获效 率)。
[0008] 另一方面，如图11所示，在将ACF层111粘贴在FPC140、将NCF层112粘贴在玻璃 基板130的情况下，导电性粒子的捕获效率会下降。
[0009] 因此，在现有的2层结构的各向异性导电膜中，根据与玻璃基板130、FPC140的哪 一个先粘接，需要预先调整与盖膜121、基底膜122的剥离力，另外，在调整剥离力之后，粘 接顺序会被限定。
[0010] 作为不限定粘接顺序的方法，如图12所示，可考虑采用NCF层112A/ACF层111/ NCF层112B的3层结构，但是导电性粒子的捕获效率会变低。
[0011] 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2009 - 170898号公报； 专利文献1 :日本特开2008 - 248065号公报； 专利文献1 :日本特开平11 一 241049号公报。


【发明内容】

[0012] 发明要解决的课题 本发明鉴于这样的现有的问题而提出，提供能够剥离期望的剥离膜的电路连接材料以 及使用该电路连接材料的安装体的制造方法。
[0013] 用于解决课题的方案 本件发明人锐意进行了研究，结果发现通过向电路连接材料的一方的最外层的粘接剂 层配合抑制加热时剥离力增加的表面调整剂，能够剥离期望的剥离膜。
[0014] 即，本发明所涉及的电路连接材料，其特征在于，包括第1粘接剂层、和包含表面 调整剂的第2粘接剂层，常温时，粘贴在所述第1粘接剂层侧的第1剥离膜的剥离力，小于 粘贴在所述第2粘接剂层侧的第2剥离膜的剥离力。
[0015] 另外，本发明所涉及的安装体的制造方法，其特征在于，包括：剥离工序，剥离电路 连接材料的第1剥离膜或第2剥离膜，所述电路连接材料具有第1粘接剂层、和含有表面调 整剂的第2粘接剂层，常温时，粘贴在所述第1粘接剂层侧的所述第1剥离膜的剥离力，小 于粘贴在所述第2粘接剂层侧的所述第2剥离膜的剥离力；以及压接工序，将在所述剥离工 序中剥离的所述电路连接材料的第1粘接剂层侧或第2粘接剂层侧预贴在第1电子部件， 隔着所述电路连接材料，将所述第1电子部件和所述第2电子部件压接，在所述剥离工序 中，常温下剥离所述第1剥离膜，并通过加热而剥离所述第2剥离膜。
[0016] 发明效果 依据本发明，由于在电路连接材料的一方的最外层的粘接剂层配合抑制加热时剥离力 增加的表面调整剂，使另一方最外层的粘接剂层侧的常温时的剥离力较小，所以能够根据 温度剥离期望的剥离膜。

【专利附图】

【附图说明】
[0017] 图1是示出本实施方式所涉及的电路连接材料的截面图； 图2是说明常温时的电路连接材料中的剥离膜的剥离的截面图； 图3是说明加热时的电路连接材料中的剥离膜的剥离的截面图； 图4是用于说明根据加热剥离第2剥离膜22时的连接的图； 图5是用于说明常温下剥离第1剥离膜21时的连接的图； 图6是示出实施例1的粘接剂片相对于温度的剥离力的关系的图表； 图7是示出实施例2的粘接剂片相对于温度的剥离力的关系的图表； 图8是示出比较例1的粘接剂片相对于温度的剥离力的关系的图表； 图9是示出比较例2的粘接剂片相对于温度的剥离力的关系的图表； 图10是用于说明以现有的2层结构的各向异性导电膜进行的连接的截面图； 图11是用于说明以现有的2层结构的各向异性导电膜进行的连接的截面图； 图12是用说明以3层结构的各向异性导电膜进行的连接的截面图。

【具体实施方式】
[0018] 以下，参照附图，对本发明的实施方式按下述顺序进行详细说明。
[0019] 1.电路连接材料及其制造方法 2. 安装体的制造方法 3. 实施例 < 1.电路连接材料及其制造方法> 首先，利用图1至图3,对能够选择本实施方式所涉及的电路连接材料的粘接剂层的功 能进行说明。
[0020] 图1是示出本实施方式所涉及的电路连接材料的截面图。该电路连接材料具有第 1粘接剂层11、和包含表面调整剂的第2粘接剂层12,常温时（25°C)，粘贴在第1粘接剂层 11侧的第1剥离膜21的剥离力小于粘贴在第2粘接剂层12侧的第2剥离膜22的剥离力。
[0021] 图2是说明常温时的电路连接材料中的剥离膜21的剥离的截面图。由于常温时 粘贴在第1粘接剂层11侧的第1剥离膜21的剥离力小于粘贴在第2粘接剂层12侧的第 2剥离膜22的剥离力，因此能够剥离第1剥离膜21。
[0022] 另外，图3是说明加热时的电路连接材料中的剥离膜22的剥离的截面图。由于加 热时粘贴在第1粘接剂层11侧的第1剥离膜21的剥离力大于粘贴在第2粘接剂层12侧 的第2剥离膜的剥离力，因此能够剥离第2剥离膜22。这是因为配合到第2粘接剂层12的 表面调整剂会抑制加热时的剥离力的增加。
[0023] 这样本实施方式所涉及的电路连接材料，可以根据常温时或加热时的温度而剥离 期望的剥离膜21、22,因此能够选择第1粘接剂层11和第2粘接剂层12的哪一个先粘接。
[0024] 作为本实施方式所涉及的电路连接材料的应用例，可举出使第1粘接剂层11或第 2粘接剂层12的任一个中含有导电性粒子的2层结构的各向异性导电膜，考虑到妨碍表面 调整剂的功能的可能性，优选使第1粘接剂层11含有导电性粒子。
[0025] 将本实施方式所涉及的电路连接材料适用于2层结构的各向异性导电膜的情况 下，例如，在第1粘接剂层11为含有导电性粒子的ACF (Anisotropic Conductive Film) 层、第2粘接剂层为不含有导电性粒子的NCF (Non Conductive Film)层的情况下，常温下 可以剥离ACF层表面，并通过加热可以剥离NCF层表面。另一方面，在第1粘接剂层11为 不含有导电性粒子的NCF层、第2粘接剂层为含有导电性粒子的ACF层的情况下，常温下可 以剥离NCF层表面，并通过加热可以剥离ACF层表面。
[0026] 接着，对本实施方式所涉及的电路连接材料的具体例进行详细说明。作为具体例 示出的电路连接材料，具有层叠含有导电性粒子的第1粘接剂层11和含有表面调整剂的第 2粘接剂层12的2层结构，在第1粘接剂层11侧粘贴有第1剥离膜21，在第2粘接剂层12 侧粘贴有第2剥离膜22。
[0027] 第1粘接剂层11在含有膜形成树脂、聚合性树脂、和聚合引发剂的粘接剂组合物 中分散有导电性粒子。
[0028] 膜形成树脂相当于平均分子量为10000以上的高分子量树脂，出于膜形成性的观 点，优选平均分子量为10000?80000左右。作为膜形成树脂，苯氧树脂、聚酯氨基甲酸酯 树脂（# U 7 T > 夕 >樹脂)、聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丁 醛树脂等的各种树脂，这些既可以单独使用，也可2种以上组合使用。相对于粘接剂组合物 100质量份，膜形成树脂的含有量通常为30?80质量份，优选为40?70质量份。
[0029] 聚合性树脂为自由基聚合性树脂、氧离子催化聚合性树脂等，可根据用途适当选 择。
[0030] 自由基聚合性树脂是具有通过自由基来聚合的官能团的物质，可举出环氧丙烯酸 酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等，这些既可以单独使用，也可以2种以上组合使用。相 对于粘接剂组合物1〇〇质量份，自由基聚合性树脂的含有量通常为10?60质量份，优选为 20?50质量份。
[0031] 氧离子催化聚合性树脂能够使用1官能性环氧化合物、含多环环氧树脂、脂肪族 类环氧树脂等。特别优选将双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、萘型环氧树脂、酚醛清 漆型环氧树脂等的环氧树脂单独或混合使用。
[0032] 聚合引发剂根据聚合性树脂等，可以适当选择自由基聚合引发剂、阳离子硬化剂 等。
[0033] 自由基聚合引发剂可以使用公知的材料，其中可以优选使用有机过氧化物。作为 有机过氧化物，可举出过氧化酮缩醇类、二酰基过氧化物类、过氧化二碳酸酯类、过氧化酯 类、二烷基过氧化物类、氢过氧化物类、硅烷基过氧化物类等，这些既可以单独使用，也可以 2种以上组合使用。相对于粘接剂组合物100质量份，自由基聚合引发剂的含有量通常为 0. 1?30质量份，优选为1?20质量份。
[0034] 阳离子硬化剂能够使用阳离子种使环氧树脂末端的环氧基开环，使环氧树脂彼此 自交联的材料。作为这样的阳离子硬化剂，芳香族锍盐、芳香族重氮鎗盐、碘鎗盐、鱗盐、硒 鎗盐等的鎗盐。特别是，芳香族锍盐在低温下的反应性优异，适用期长，因此适合作为阳离 子硬化剂。
[0035] 另外，作为其他的添加组合物，优选添加硅烷偶合剂。作为硅烷偶合剂，可以采用 环氧类、氨类、巯/硫类、脲类等。由此，能够提高有机材料和无机材料在界面上的粘接性。 另外，也可以添加无机填料。作为无机填料，可以使用硅石、滑石、氧化钛、碳酸钙、氧化镁 等，无机填料的种类无特别限定。通过无机填料的含有量，能够控制流动性，从而提高粒子 捕获率。另外，出于缓冲接合体的应力的目的，也可以适当使用橡胶成分等。
[0036] 接着，对第2粘接剂层12进行说明。第2粘接剂层是含有表面调整剂的粘接剂组 合物，利用表面调整剂来抑制加热时的剥离力的增加。
[0037] 表面调整剂是所谓的涂平（leveling)剂，具有在表面移动并降低表面张力的功 能。作为表面调整剂，可举出硅酮类、丙烯酸类、氟类等，这些中，出于表面张力下降能力、相 容性的观点，优选使用硅酮类表面调整剂。
[0038] 作为硅酮类表面调整剂的具体例，聚酯改性甲基烷基聚硅氧烷、聚酯改性聚二甲 基硅氧烷、聚醚改性聚二甲基硅氧烷、聚醚改性聚甲基烷基聚硅氧烷等。这些中，出于热稳 定性的观点，优选使用聚酯改性甲基烷基聚硅氧烷。
[0039] 另外，相对于粘接剂组合物100质量份，硅酮类表面调整剂的配合量通常为 0. 01?10质量份，优选为0. 05?5质量份。如果硅酮类表面调整剂的配合量过少，就得不 到加热时的剥离力增加的抑制效果，如果配合量过多，则膜性恶化。
[0040] 另外，第2粘接剂层12的粘接剂组合物，与第1粘接剂层11相同，含有膜形成树 月旨、聚合性树脂、和聚合引发剂。另外，膜形成树脂、聚合性树脂、及聚合引发剂，优选使用与 第1树脂同样材料。
[0041 ] 第1剥离膜21及第2剥离膜22由例如将硅酮等的剥离剂涂敷在PET (聚 对苯二甲酸乙二醇酯：Poly Ethylene Terephthalate)、OPP (定向聚丙烯：0riented Polypropylene)、PMP (聚一4 -甲基戊烯一1 :Poly - 4 - methylpentene - 1)、PTFE (聚 四氟乙烯：Polytetrafluoroethylene)等的基体材料上的层叠结构构成。另外，第1剥离 膜21及第2剥离膜22的剥离力，可以通过例如硅酮等的剥离剂的种类、基体材料的表面粗 糙度（Rz)等来调整。
[0042] 接着，对由上述的电路连接材料构成的各向异性导电膜的制造方法进行说明。本 实施方式中的各向异性导电膜的制造方法，粘合含有导电性粒子的第1粘接剂层11和含有 表面调整剂的第2粘接剂层12。
[0043] 具体而言，包括生成含有导电性粒子的第1粘接剂层11的工序、生成含有表面调 整剂的第2粘接剂层12的工序、以及粘贴第1粘接剂层11和第2粘接剂层12的工序。
[0044] 在生成第1粘接剂层11的工序中，向溶剂中溶解含有膜形成树脂、聚合性树脂、和 聚合引发剂并分散有导电性粒子的粘接剂组合物。作为溶剂，能够使用甲苯、乙酸乙酯等、 或者这些的混合溶剂。在调整第1粘接剂层11的树脂组合物后，利用棒涂机、涂敷装置等 来涂敷到第1剥离膜21上。
[0045] 接着，用热烤箱、加热干燥装置等来干燥涂敷到第1剥离膜21上的树脂组合物。由 此，能够得到厚度5?50 μ m左右的第1粘接剂层11。
[0046] 另外，生成第2粘接剂层12的工序与第1粘接剂层11相同，向溶剂中溶解含有膜 形成树脂、聚合性树脂、聚合引发剂、和表面调整剂的粘接剂组合物，在调整第2粘接剂层 12的树脂组合物后，将它涂敷到第2剥离膜上，使溶剂挥发而得到第2粘接剂层12。
[0047] 接着，在粘贴第1粘接剂层11和第2粘接剂层12的工序中，将第1粘接剂层11 与第2粘接剂层12粘贴而层叠，制作出2层结构的各向异性导电膜。
[0048] 这样通过粘贴第1粘接剂层和第2粘接剂层，第1粘接剂层11与第2粘接剂层12 层叠，能够得到第1剥离膜21粘贴到第1粘接剂层11侧、第2剥离膜22粘贴到第2粘接 剂层12侧的结构的各向异性导电膜。
[0049] 此外，在上述实施方式中，将第1粘接剂层和第2粘接剂层粘贴而制造，但是并不 限于此，在形成一个粘接剂层后，涂敷另一个粘接剂层的树脂组合物，并干燥而制造也可。
[0050] < 2.安装体的安装方法> 接着，对采用上述的电路连接材料的电子部件的安装方法进行说明。本实施方式中的 电子部件的安装方法，利用电路连接材料来连接第1电子部件与第2电子部件，该电路连接 材料具有第1粘接剂层11、和含有表面调整剂的第2粘接剂层12,常温时，粘贴在第1粘接 剂层11侧的第1剥离膜21的剥离力小于粘贴在第2粘接剂层12侧的第2剥离膜22的剥 离力。
[0051] 即，本实施方式中的电子部件的安装方法，包括：剥离工序，剥离电路连接材料的 第1剥离膜21或第2剥离膜22 ;压接工序，将在剥离工序中剥离的电路连接材料的第1粘 接剂层侧或第2粘接剂层侧预贴到第1电子部件，隔着电路连接材料压接第1电子部件和 第2电子部件。
[0052] 剥离工序中，常温下剥离第1剥离膜21，通过加热剥离第2剥离膜22。另外，在剥 离工序中，加热电路连接材料时，为了防止预料之外的硬化反应，优选从第2剥离膜22侧加 热。
[0053] 压接工序中，将第1粘接剂层侧11或第2粘接剂层12侧预贴于第1电子部件。例 如，在第1粘接剂层11为含有导电性粒子的ACF层，第2粘接剂层12为不含有导电性粒子 的NCF层的情况下，粘接第1粘接剂层侧11的电子部件，有例如ΙΤ0 (Indium Tin Oxide) 涂层玻璃、IZ0 (铟锌氧化物：Indium Zinc Oxide)涂层玻璃、SiNx (氮化硅）涂层玻璃等。 另外，粘接第2粘接剂层侧12的电子部件，例如为柔性印刷基板（FPC)、1C芯片等。
[0054] 图4是用说明通过加热剥离第2剥离膜22时的连接的图。在第1粘接剂层11为 含有导电性粒子的ACF层，第2粘接剂层12为不含有导电性粒子的NCF层的情况下，如图 4所示，因为第2剥离膜22的剥离，首先，NCF层侧预贴到FPC40的电极41上。此时，需要 修复（repair)的情况下，不交换主体侧的玻璃基板30而交换部件侧的FPC40既可，因此工 序上变得有利。
[0055] 另外，图5是用于说明常温下剥离第1剥离膜21时的连接的图。在第1粘接剂层 11为含有导电性粒子的ACF层，第2粘接剂层12为不含有导电性粒子的NCF层的情况下， 如图5所示，因为第1剥离膜21的剥离，首先，ACF层侧预贴到玻璃基板30的电极31上。 此时，需要修复的情况下，与以往同样，必须交换主体侧的玻璃基板30。
[0056] 这样在本实施方式中的电子部件的安装方法中，根据对玻璃基板30、FPC40的哪 一个先粘接电路连接材料，而能够选择第1粘接剂层11和第2粘接剂层12,电路连接材料 对被粘接体的粘接顺序变得不受限定。
[0057] [实施例] < 3.实施例> 以下，对本发明的实施例进行说明。在本实施例中，制作层叠了含有导电性粒子的ACF 层和含有表面调整剂的NCF层的2层结构的粘接片，并进行了粘贴在ACF层侧的盖膜及粘 贴在NCF层的基底膜的剥离力的测定。另外，对于利用粘接片来连接FPC和ΙΤ0涂层玻璃 的安装体，进行了粒子捕获效率的测定以及导通电阻的测定。此外，本发明并不限定于这些 实施例。
[0058] 如下进行剥离力的测定、粒子捕获效率的测定及导通电阻的测定。
[0059][剥离力的测定] 将各粘接片切开至lcm宽度，用双面胶将它固定在厚度0. 7mm的玻璃板。在测定盖膜 的剥离力的情况下，剥离基底膜，并且用双面胶来固定NCF层面。另外，在测定基底膜的剥 离力的情况下，剥离盖膜，并且用双面胶来固定ACF层面。
[0060] 将实验片设置在加热到实验温度的加热板上，以速度300mm/min沿90°上方向剥 离盖膜或基底膜，测定此时的剥离力。
[0061] [粒子捕获效率的测定及导通电阻的测定] 对安装体的连接部分的FPC端子捕获的粒子数进行计数，从每单位面积的粒子数算出 粒子捕获效率。另外，对于安装体，利用4端子法测定了流过电流1mA时的连接电阻值。
[0062] [实施例1] (ACF层的制作） 使导电性粒子分散于由苯氧树脂（品名：YP50,东都化成社制)60质量份、自由基聚合性 树脂（品名：M - 315,东亚合成社制）35质量份、硅烷偶合剂（品名：KBM - 503,信越硅酮社 制）2质量份、反应引发剂（品名：PERHEXA ( "一?今寸）C，日本油脂社制）2质量份构成的 组合物中，制作了厚度8 μ m的ACF层。
[0063] (NCF层的制作） 制作了由苯氧树脂（品名：YP50,东都化成社制）60质量份、自由基聚合性树脂（品名： Μ - 315,东亚合成社制)35质量份、硅烷偶合剂（品名：ΚΒΜ - 503,信越硅酮社制)2质量份、 反应引发剂（品名：PERHEXA C，日本油脂社制）2质量份、硅酮类表面调整剂（品名：ΒΥΚ315， 毕克化学日本（匕' 7^ S - '7' \パV)社制）2质量份构成的、厚度16 μ m的NCF层。
[0064] (粘接剂片的制作） 利用辊式层压装置在辊温度45°C下层压ACF层和NCF层，制作了盖膜/ACF层/NCF层 /基底膜的结构的粘接剂片。
[0065] 盖膜、基底膜使用厚度50 μ m的PET (硅酮处理)。另外，基底膜使用常温状态下基 底膜/NCF层侧的剥离力大于盖膜/ACF层侧的材料。
[0066](安装体的制作） 利用实施例1的粘接剂片，进行了评价用的FPC( 50 μ mP，Cu 8 μ mt - Sn镀层，38 μ mt) 和评价用的ΙΤΟ涂层玻璃（整个表面ΙΤΟ覆盖，玻璃厚度0.7mm)的接合。首先，将切开 至1.5mm宽度的粘接片加热到50°C，剥离基底膜，将粘接剂片的NCF层侧预贴于FPC。接 着，剥离盖膜，将粘接剂片的ACF层侧粘贴在ΙΤ0涂层玻璃，并预固定。随后，用加热工具 (heat tool)以1. 5mm宽度，作为缓冲材料使用由100 μ m厚度的聚四氟乙烯构成的片材， 在180°C - 3. 5MPa - 6sec (工具速度10mm/sec，工作台温度40°C)的条件进行压接，制作 了安装体。
[0067] (评价结果） 表1中示出实施例1的评价结果。常温时的盖膜及基底膜的剥离力分别为8mN/cm、 27mN/cm，50°C加热时的盖膜及基底膜的剥离力分别为175mN/Cm、115mN/cm。
[0068] 另外，图6中示出剥离力相对于实施例1的粘接剂片的温度的关系。由该图表可以 确认，在含有硅酮类表面调整剂的NCF层侧(基底膜侧)，抑制了加热导致的剥离力的增大， ACF层侧与NCF层侧的剥离力的强弱关系反转。因而，确认了实施例1的粘接剂片在常温时 剥离盖膜、在加热时剥离基底膜。
[0069] 另外，利用实施例1的粘接剂片的安装体的FPC端子的粒子捕获率为58 %，导通电 阻为1. 4 Ω。
[0070] [实施例2] 除了将NCF层的硅酮类表面调整剂（品名：BYK315,毕克化学日本社制）变更为0. 1质 量份以外，与实施例1同样地制作了粘接剂片。另外，利用实施例2的粘接剂片，以与实施 例1同样的顺序制作了安装体。
[0071] (评价结果） 表1中示出实施例2的评价结果。常温时的盖膜及基底膜的剥离力分别为lOmN/cm、 32mN/cm，50°C加热时的盖膜及基底膜的剥离力分别为170mN/Cm、148mN/cm。
[0072] 另外，图7中示出剥离力相对于实施例2的粘接剂片的温度的关系。从该图表可以 确认，在含有硅酮类表面调整剂的NCF层侧(基底膜侧)，抑制了加热导致的剥离力的增大， ACF层侧与NCF层侧的剥离力的强弱关系反转。因而，确认了实施例2的粘接剂片，在常温 时剥离盖膜，在加热时剥离基底膜。
[0073] 另外，利用实施例2的粘接剂片的安装体的FPC端子的粒子捕获率为54 %，导通电 阻为1. 4 Ω。
[0074] [比较例1] (ACF层的制作） 使导电性粒子分散于由苯氧树脂（品名：YP50,东都化成社制)60质量份、自由基聚合性 树脂（品名：Μ - 315,东亚合成社制）35质量份、硅烷偶合剂（品名：ΚΒΜ - 503,信越硅酮社 制)2质量份、反应引发剂（品名：PERHEXA C，日本油脂社制)2质量份构成的组合物中，制作 了厚度8μπι的ACF层。
[0075] (NCF层的制作） 制作了由苯氧树脂（品名：ΥΡ50,东都化成社制）60质量份、自由基聚合性树脂（品名： Μ - 315,东亚合成社制)35质量份、硅烷偶合剂（品名：ΚΒΜ - 503,信越硅酮社制)2质量份、 反应引发剂（品名：PERHEXA C，日本油脂社制）2质量份构成的、厚度16μπι的NCF层。
[0076] (粘接剂片的制作） 利用辊式层压装置在辊温度45°C下层压ACF层与NCF层，制作了盖膜/ACF层/NCF层 /基底膜的结构的粘接剂片。
[0077] 盖膜，基底膜采用了厚度50 μ m的PET (硅酮处理)。另外，基底膜使用了在常温状 态下，基底膜/NCF层侧的剥离力大于盖膜/ACF层侧的材料。
[0078](安装体的制作） 利用比较例1的粘接剂片进行了评价用的FPC (50 μ mP，Cu 8 μ mt - Sn镀层，38 μ mt) 和评价用的ΙΤΟ涂层玻璃（整个表面ΙΤΟ覆盖，玻璃厚度0. 7mm)的接合。首先，将切开至 1. 5mm宽度的粘接片加热至50°C，剥离盖膜，将粘接剂片的ACF层侧预贴于FPC。接着，剥离 基底膜，将粘接剂片的NCF层侧粘贴在ΙΤ0涂层玻璃，并预固定。随后，用加热工具以1. 5mm 宽度，作为缓冲材料使用l〇〇ym厚度的由聚四氟乙烯构成的片材，在180°C - 3. 5MPa - 6sec (工具速度10mm/sec，工作台温度40°C)的条件下进行压接，制作了安装体。
[0079] (评价结果） 在表1中示出比较例1的评价结果。常温时的盖膜及基底膜的剥离力分别为9mN/cm、 35mN/cm，50°C加热时的盖膜及基底膜的剥离力分别为168mN/Cm、255mN/cm。
[0080] 另外，图8中示出剥离力相对于比较例1的粘接剂片的温度的关系。从该图表可 以确认，随着温度的上升而ACF层侧和NCF层侧的两者的剥离力增大，剥离力的强弱关系没 有反转。因而，确认了比较例1的粘接剂片在常温时及加热时这种情况下，盖膜都剥离。
[0081] 另外，利用比较例1的粘接剂片的安装体的FPC端子的粒子捕获率为35 %，导通电 阻为2. 4 Ω。
[0082] [比较例2] 与比较例1同样地制作了 ACF层及NCF层。用辊式层压装置，在辊温度45°C下进行层 压，制作了盖膜/NCF层/ACF层/NCF层/基底膜的结构的粘接剂片。
[0083] 盖膜、基底膜采用了厚度50 μ m的PET (硅酮处理)。另外，基底膜使用了在常温状 态下基底膜/NCF层侧的剥离力大于盖膜/ACF层侧的材料。另外，利用比较例2的粘接剂 片以与比较例1同样的顺序制作了安装体。
[0084] (评价结果） 在表1中示出比较例2的评价结果。常温时的盖膜及基底膜的剥离力分别为8mN/cm、 30mN/cm，50°C加热时的盖膜及基底膜的剥离力分别为172mN/Cm、260mN/cm。
[0085] 另外，图9中示出剥离力相对于比较例2的粘接剂片的温度的关系。从该图表可 以确认，随着温度的上升而NCF层侧与NCF层侧两者的剥离力增大，剥离力的强弱关系没有 反转。因而，确认了比较例1的粘接剂片在常温时及加热时这两种情况下，盖膜都剥离。
[0086] 另外，用比较例2的粘接剂片的安装体的FPC端子的粒子捕获率为28%，导通电阻 为 3· 5Ω。
[0087] [表 1]

【权利要求】
1. 一种电路连接材料，具有第1粘接剂层和含有表面调整剂的第2粘接剂层， 常温时，粘贴在所述第1粘接剂层侧的第1剥离膜的剥离力小于粘贴在所述第2粘接 剂层侧的第2剥离膜的剥离力。
2. 如权利要求1所述的电路连接材料，加热时，粘贴在所述第1粘接剂层侧的第1剥离 膜的剥离力大于粘贴在所述第2粘接剂层侧的第2剥离膜的剥离力。
3. 如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述表面调整剂为硅酮类表面调整剂。
4. 如权利要求1至3的任一项所述的电路连接材料，所述第1粘接剂层含有导电性粒 子。
5. -种安装体的制造方法，包括： 剥离工序，剥离电路连接材料的第1剥离膜或第2剥离膜，所述电路连接材料具有第1 粘接剂层和含有表面调整剂的第2粘接剂层，常温时，粘贴在所述第1粘接剂层侧的所述第 1剥离膜的剥离力小于粘贴在所述第2粘接剂层侧的所述第2剥离膜的剥离力；以及 压接工序，将在所述剥离工序中剥离的所述电路连接材料的第1粘接剂层侧或第2粘 接剂层侧预贴于第1电子部件，隔着所述电路连接材料压接所述第1电子部件和第2电子 部件， 在所述剥离工序中，在常温下剥离所述第1剥离膜，通过加热剥离所述第2剥离膜。
【文档编号】G02F1/1345GK104204124SQ201380018276
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2013年3月27日 优先权日:2012年3月30日
【发明者】北村久美子 申请人:迪睿合电子材料有限公司