具有亲水sog材料的电润湿支撑板及其制备方法、电润湿显示器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种具有SOG材料的电润湿支撑板及其制备方法，所述的支撑板包括基板，位于基板之上的电极，和设于电极上的疏水绝缘层，疏水绝缘层上设有像素墙，所述像素墙上表面布置有亲水SOG材料层或者所述像素墙是亲水SOG材料形成的，本发明还公开了具有该支撑板的电润湿显示器。本发明通过在像素墙上表面布置亲水SOG材料层来增加像素墙上表面的亲水性，保证通过不同材料制备的像素墙均可以得到一致的亲水性，且各区域亲水性均匀。或者直接选取亲水SOG材料制备高亲水性的像素墙，从而实现了电润湿工艺中像素墙表面亲水性较高且均匀，保证第一流体不翻墙，提高了产品的质量和可靠性。本发明可以用于电润湿装置。
【专利说明】具有亲水SOG材料的电润湿支撑板及其制备方法、电润湿显示器
【技术领域】
[0001]本发明涉及电润湿【技术领域】，具体地，涉及具有亲水S0G材料的电润湿支撑板及其制备方法，和包括该支撑板的电润湿显示器。
【背景技术】
[0002]电润湿显示装置包括流体腔室和电极结构，其中流体腔室包含不导电的第一流体(烷烃等)、导电的第二流体(水或盐溶液)，流体相互接触且不可混溶。如专利CN102792207A等中描述了一种电润湿显示装置，它包括两个支撑板，在其中一个支撑板上设置有壁图案即像素墙，像素墙由光刻胶类物质(比如SU8)经光刻工艺得到，像素墙围成的像素格所形成的区域就是显示区域，电润湿显示装置就在这个显示区上产生显示效果。不导电的第一流体便填充于像素墙所形成的显示区域内，其周围的像素墙用于阻挡第一流体流向周围像素格，从而得到稳定的显示结构。由于第一流体是疏水的，因此像素墙的上表面需要较高的亲水性以保证疏水的第一流体不会跨过像素墙流向周围像素格，而一般的SU8等光刻胶形成的像素墙上表面亲水性不高，经常会出现第一流体翻过像素墙的情况，即驱动跳墨现象，从而导致电压消失而第一流体不能流回，无法重复显示。需要使用其他仪器设备对像素墙上表面进行改性。
[0003]现在常用的方法有等离子体刻蚀、UV/03等方法，需要额外的仪器来完成，因此增加了成本；并且仪器光源能量有波动，经常会造成同样的处理时间而改性结果不同的情况；同时，某些制造墙的光刻胶即使经过uv/o3处理亲水性变强，也会出现第一流体翻墙的情况，而等离子体刻蚀可能会破坏显示区域的疏水绝缘层。
[0004]中国专利文献CN103809282公开了一种减少电湿润显示组件驱动跳墨的情形发生的方法，具体地，在第一电极层上设置有机硅氧烷高分子层，高分子层藉由光交联反应将光照区的有机硅氧烷上的S1-H键与光可交联基团反应；再经由显影液以将光遮区的有机硅氧烷的S1-H键转换成S1-OH键，使光遮区的高分子层转变成亲水性，而达到极性反转的功效，因而高分子层转变成具有共平面的亲水区以及疏水区的图案层，并且亲水区与水的接触角以及疏水区与水的接触角的差异较大，从而减少电湿润显示组件驱动跳墨的情形发生。
[0005]但该方法形成的疏水区和亲水区在一个平面上，仍不能有效阻止所谓的跳墨现象。而且有机硅氧烷吸水性强，热不稳定，极易水解变亲水。
[0006]旋涂玻璃(Spin On Glass，S0G，以下简称S0G材料)，一般是利用溶胶-凝胶技术，通过控制含有S1-o网络的化合物在有机溶剂中的水解缩合反应来制备。其中亲水S0G材料可以分为亲水硅酸盐基S0G、亲水有机硅S0G、亲水P/B等掺杂S0G。处理之后，亲水硅酸盐基S0G类似于Si02，不吸收多余的水汽，且热稳定。
【发明内容】
[0007]为解决上述技术问题，本发明提供一种具有亲水30(}材料的电润湿支撑板及其制备方法，及具有该支撑板的电润湿显示装置。
[0008]本发明提供一种具有亲水30(}材料的电润湿支撑板，包括基板，位于基板之上的电极，和设于电极上的疏水绝缘层，疏水绝缘层上设有像素墙，所述像素墙上表面布置有亲水30(}材料层或者所述像素墙材料是由亲水30(}材料形成的。
[0009]进一步地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 70。，优选地，? 50。，更优选地，彡30。。
[0010]更进一步地，所述亲水30(}材料为亲水硅酸盐基30(}材料。
[0011]本发明还提供了一种电润湿显示器，包括上述的支撑板。
[0012]本发明根据所选取亲水30(}材料性能和工艺的不同，还提出了几种具有亲水30(}材料的电润湿支撑板的制备方法。
[0013]方法一包括以下步骤:
提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层；
在疏水绝缘层上依次设置像素墙材料层、亲水30(}材料层和306保护层；
依次去除位于显示区域的30(}保护层、亲水30(}材料层和像素墙材料层；
去除余下的30(}保护层，得到上表面具有亲水30(}材料层的像素墙。
[0014]方法一优选地适用于烘烤温度彡15000的亲水30(}材料。
[0015]方法二包括以下步骤:
提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层；
在疏水绝缘层上布置像素墙，所述像素墙在疏水绝缘层上呈凸起状；
在疏水绝缘层上设置疏水绝缘层保护层，所述疏水绝缘层保护层完全覆盖所述像素墙围成的凹槽区域底部的疏水绝缘层；
设置亲水30(}材料层，所述亲水306材料层至少完全覆盖所述像素墙的上表面；
设置30(}保护层，所述306保护层保护亲水306材料层位于像素墙上表面的部分；
去除亲水30(}材料层未被30(}保护层保护的部分；
去除疏水绝缘层保护层和30(}保护层，得到上表面具有亲水30(}材料层的像素墙。
[0016]方法二优选地适用于烘烤温度彡12000的亲水30(}材料。
[0017]方法三包括以下步骤:
提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层；
在疏水绝缘层上依次设置亲水30(}材料层、806保护层；
依次去除位于显示区域的30(}保护层和亲水30(}材料层；
去除余下的30(}保护层，得到由亲水30(}材料形成的像素墙。进一步地，作为方法三的改进，还提供了方法四，具体地:
提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层；
在疏水绝缘层上设置图案化的疏水绝缘层保护层；所述图案化的疏水绝缘层保护层覆盖位于显示区域部分的疏水绝缘层；
依次在上述步骤得到的基板之上设置亲水30(}材料层、806保护层；
依次去除位于显示区域的30(}保护层、亲水30(}材料层；
去除疏水绝缘层保护层和余下的30(}保护层，得到由亲水30(}材料形成的像素墙。
[0018]即增加了疏水绝缘层保护层，避免制造过程中对其造成损害，影响器件质量。方案三和方案四，适用于可以实现厚膜涂布的亲水S0G材料，如一次涂布膜厚彡1 μ m的亲水S0G材料。
[0019]本发明的有益效果是:本发明通过在像素墙上表面布置亲水S0G材料层来增加像素墙上表面的亲水性，保证通过不同材料制备的像素墙均可以得到一致的亲水性，且各区域亲水性均匀。或者直接选取亲水S0G材料制备高亲水性的像素墙，从而实现了电润湿工艺中像素墙表面亲水性较高且均匀，保证第一流体不翻墙，提高了产品的质量和可靠性。本发明可以用于电润湿装置。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。
[0021]图1是本发明实施例的电润湿显示装置的像元结构的截面图；
图2是本发明实施例的电润湿显示装置像元结构俯视图；
图3是本发明的第一实施方式制备具有亲水S0G材料的电润湿支撑板的过程示意图； 图4是本发明的第二实施方式制备具有亲水S0G材料的电润湿支撑板的过程示意图； 图5是本发明的第三实施方式制备具有亲水S0G材料的电润湿支撑板的过程示意图； 图6是本发明的第四实施方式制备具有亲水S0G材料的电润湿支撑板的过程示意图。
【具体实施方式】
[0022]以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
[0023]如图f图2所示，图1以电润湿显示装置1的形式示出了电润湿装置的部分横截面。该显示装置包括多个像元2，在图中示出了其中的一个。像元2的横向范围在图中由两条虚线3和4表示。像元2包括第一支撑板5和第二支撑板6。这些支撑板5和6可以是每个像元2的分离的部件，但是优选地，这些支撑板5和6被多个像元2共有。支撑板可以包括玻璃或聚合物基板6、7，并且可以是刚性的或柔性的。
[0024]电润湿显示装置1具有观看面8和背面9，可以观看由电润湿显示装置1在观看面8上形成的图像显示。在图1中，第一支撑板5面向背面9，第二支撑板6面向观看面8，可选地，第一支撑板5可以面向观看面8。电润湿显示装置1可以是反射型、透射型或透射反射型的。电润湿显示装置1可以是分段显示型的，在其中图像可以由段组成，每一段包括几个像元2。电润湿显示装置1可以是有源阵列驱动显示型的，或者是无源驱动显示装置1。多个像元2可以是单色的。对于彩色显示装置，像元2可以分组，每组具有不同的颜色。可选地，单独的图像元素也能够显示不同的颜色。
[0025]支撑板5和6间的空间10充满两种流体:第一流体11和第二流体12，第二流体12与第一流体11不混溶。第二流体12为导电性的或电极性的，可以是水或诸如氯化钠水溶液的盐溶液。优选地，第二流体12是透明的，但可以是彩色的、白色的、吸收的或反射的。第一流体11是非导电性的，例如可以是如同十六烷或(硅树脂)油的烷烃。
[0026]第一流体11吸收至少一部分光谱，第一流体11对于一部分光谱可以是透射的，形成颜色过滤器。为了这个目的，第一流体11可以通过添加颜料微粒或染料被染色。可选地，第一流体11可以是黑色，即充分地吸收光谱的所有部分，或者反射。反射层可以反射整个可见光谱，使该层呈现为白色，或反射它的部分，使其有颜色。
[0027]第一支撑板5包括绝缘层13，绝缘层13可以直接由疏水绝缘层15来充当，进一步地，为了保证绝缘效果，可以在疏水绝缘层15下设置电介质层16，和疏水绝缘层15 —起构成绝缘层13。
[0028]绝缘层13可以是透明的或反射的，绝缘层13可以在像元2的壁之间延伸。如图1中所示。优选地,绝缘层13的厚度少于2Mm，更优选地，少于lMm。
[0029]疏水绝缘层15面向空间10，如图1中所示。疏水绝缘层15可以是DuPont公司提供的诸如AF1600、AF1600X或AF1601的非晶体含氟聚合物，或者任何其他低表面能聚合物，如Cytop,Hyflon等。优选地，疏水绝缘层15的厚度在30(T800nm之间。电介质层16可以是氧化硅层或氮化硅层，具有例如200nm的厚度。
[0030]疏水绝缘层15的表面14的疏水特性使得第一流体11优先粘附至绝缘层13，因为第一流体11具有比第二流体12高的相对于绝缘层13的表面润湿性。润湿性涉及流体对固体表面的相对亲和性。
[0031]每个像元2包括作为支撑板5的一部分的电极17。电极17通过绝缘层13与流体分离；邻近像元2的电极被非导电层分离。其他层可以设置在绝缘层13和电极17之间。电极17可以是任何期望的形状或形式。在图1中仅示意性地表示出，通过信号线18向像元2的电极17提供电压信号。第二信号线19被连接至与导电的第二流体12接触的电极。当所有像元2被第二流体12流动地互相连接并且共享第二流体12而不被像素墙20阻断时，该第二电极由所有像元2共用。像元2可以由施加在信号线18和19间的电压控制。基板7上的电极17被耦连至显示驱动系统。在具有以阵列形式设置的像元2的显示装置1中，在基板7上的第一电极17可以被耦连至控制线阵列。
[0032]第一流体11被沿着像元2横截面的像素墙20限制于一个像元2内。像元2的横截面可以具有任意形状。当像元2以阵列形式排列时，横截面通常是正方形或长方形。虽然像素墙20被示为从绝缘层13突出的结构，但它们也可以是第一支撑板5的排斥(repel)第一流体11的表面层，例如亲水层或弱疏水绝缘层15。像素墙20可以从第一支撑板5向第二支撑板6延伸，但是也可以如图1所示从第一支撑板5向第二支撑板6部分地延伸。由虚线3和4表示的像元2的范围，由像素墙20的中心限定。由虚线21和22表示的像元2的像素墙20之间的区域被称为显示区域23，在其上产生显示效果。
[0033]像素墙20的上表面需要较高的亲水性以保证疏水的第一流体11不会跨过像素墙20流向周围像素格，本发明中的像素墙20上表面布置有亲水S0G材料层或者像素墙20是由亲水S0G材料形成的。进一步地，所述亲水S0G材料的表面水滴接触角< 70°，优选地，<50°，更优选地，<30°。更进一步地，所述亲水S0G材料为亲水硅酸盐基S0G材料。
[0034]图2示出第一支撑板5的疏水绝缘层15的平面图中的正方形像元2的阵列。图2中，中心像元2的范围(与图1中的虚线3和虚线4对应)由虚线25表示。线26表示像素墙20的内边界，该线也是显示区域23的边。像素墙20的图案覆盖第一区域27。
[0035]当没有电压施加在电极间时，第一流体11在像素墙20之间形成一层流体，如图1所示。施加电压会使第一流体11收缩((3011廿，例如靠着像素墙20，如图1中虚线形状24所示。第一流体11的可控形状用于作为光阀操作像元2，在显示区域23提供显示效果。
[0036]在显示装置1的制造过程中，包括电极17的电极结构被设置在基板7上。接着为防止上下支撑板5和6短路可布置一层电介质层16，电介质层16可以是氧化娃层或氮化娃层，具有例如20011111的厚度。(也可以不布置电介质层16，直接用疏水绝缘层15当做绝缘层⑶。
[0037]如图3飞所示，根据所选取亲水30(}材料性能和工艺的不同，提出了四种具有亲水806材料的电润湿支撑板的制备方法的实施方式。
[0038]实施方式一、如图3所示。该方案优选地，适用于烘烤温度彡1501亲水30(}材料，以减少烘烤对像素墙20造成伤害。进一步优选地，适用于烘烤温度? 1201的亲水30(}材料；更进一步优选地，适用于烘烤温度? 1001的亲水306材料。
[0039]首先提供一基板7，该基板7之上设置有电极17，电极之上设有疏水绝缘层15 ；如图3(4。当然在电极17和疏水绝缘层15之间也可以设有电介质层16。
[0040]制造的下一个步骤是在疏水绝缘层15表面上设置像素墙20材料层，如图3(6)。像素墙20材料可以是光刻胶(例如，別-8),涂布后进行预烘干。涂布的方法可以但不限于旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷涂、滚涂等。烘干后，像素墙20材料厚度可以根据需要进行选择，比如2?20 9 III。
[0041]制造的下一个步骤是设置亲水30(}材料层201 ；如图3 (￠)。亲水30(}材料可以是亲水硅酸盐基301亲水有机硅类306、亲水卩/8等掺杂306。优选地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 70。；更优地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 50。；更优地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 30。。
[0042]30(}材料可以为一层，也可以为两层或多层。涂布的方法可以但不限于旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷涂、滚涂等。涂布后对30(}材料进行烘烤，烘烤温度需保证对之前布置的像素墙材料层没有伤害。烘烤后的30(}材料层201尺寸可根据需要进行选择，比如厚度为
0.1~2 口爪。
[0043]制造的下一个步骤是布置30(}保护层30，如图3 ((1)。30(}保护层30材料可以是光刻胶，也可以是其他可以清洗掉的物质。
[0044]制造的下一个步骤是去除位于显示区域23的30(}保护层30。
[0045]当30(}保护层30是光刻胶材料时，806保护层30可以通过曝光、显影等已知步骤去除位于显示区域23部分，从而保留位于第一区域27的30(}保护层30。如图3 (6)、3江)。
[0046]制造的下一个步骤是去除位于显示区域23的亲水30(}材料层201。
[0047]亲水30(}材料层201去除的方法不限于反应离子刻蚀(虹幻、感应耦合等离子体刻蚀(10？)、册酸去除、强碱如1(0?等去除。如图3 (邑)。
[0048]制造的下一个步骤是去除位于显示区域23的像素墙材料层20。
[0049]例如，像素墙20材料为光刻胶，通过曝光、显影等步骤去除位于显示区域23部分，从而保留位于第一区域27的像素墙材料层20。
[0050]制造的下一个步骤是去除余下的30(}保护层30，得到上表面具有亲水30(}材料层201的像素墙20。
[0051]通过选择合适的显影液，此步骤和上一步骤可以合并，即在去除位于显示区域23的像素墙材料层20的同时剥离剩余的30(}保护层30。如图3 00。
[0052]实施方式二、如图4所示。该方案优选地，适用于烘烤温度彡1201的亲水306材料。进一步优选地，适用于烘烤温度彡1501的亲水306材料。
[0053]首先提供一基板7，该基板7之上设置有电极17，电极之上设有疏水绝缘层15 ；如图4(4。当然在电极17和疏水绝缘层15之间也可以设有电介质层16。
[0054]制造的下一个步骤是制备像素墙20，如图4 (13广4(0。像素墙20可以用已知方法布置在第一区域27中的疏水绝缘层15表面上，并呈凸起状。已知方法可包括在表面上旋涂像素墙材料，材料可以是光刻胶(例如，別-8),对于光刻胶像素墙材料，可以通过光刻工艺去除显示区域23的像素墙材料，从而得到像素墙20。像素墙20的尺寸可根据需要进行选择，比如:宽度5?50 11 III，高度2?20 9 III。
[0055]制造的下一个步骤是布置疏水绝缘层保护层40保护疏水绝缘层15，所述疏水绝缘层保护层40完全覆盖所述像素墙20围成的凹槽区域底部的疏水绝缘层15，如图4((1广4(0。材料可以是光刻胶，也可以是其他可以清洗掉的物质。制造保护层的方法可以是但不限于旋涂、刮涂、涂布、淋涂、丝网印刷等。疏水绝缘层保护层40的材料可以为一层，也可以为两层或多层。当疏水绝缘层保护层40是光刻胶材料时，可以通过涂布、预烘烤、曝光、显影等步骤除去像素墙20上表面的保护材料。
[0056]制造的下一个步骤是设置亲水30(}材料层201，如图4(0。亲水30(}材料可以是亲水硅酸盐基301亲水有机硅类306、亲水卩/8等掺杂306。优选地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 70。；更优地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 50。；更优地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 30。。
[0057]亲水30(}材料可以为一层，也可以为两层或多层，至少要完全覆盖所述像素墙20的上表面；涂布的方法可以但不限于旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷涂、滚涂等。涂布后对30(}材料进行烘烤。30(}材料烘烤后的尺寸可根据需要进行选择，比如厚度为0.1-2 ^ 0。
[0058]制造的下一个步骤是设置30(}保护层30，所述30(}保护层30保护亲水30(}材料层201位于像素墙20上表面的部分，即30(}保护层30保护位于第一区域27的30(}材料层201。如图4(8广400。30(}保护层30的材料可以是光刻胶，也可以是其他可以清洗掉的物质。当30(}保护层30是光刻胶材料时，可以通过涂布、预烘烤、曝光、显影等步骤去除位于显示区域23的30(}保护层30，进而保留像素墙20上表面部分的30(}保护层30。厚度需要控在:刻蚀完显不区域23中的未水30(}材料后，位于弟一区域27的30(}保护层30仍未完全被刻蚀。30(}保护层30可以为一层，也可以为两层或多层。
[0059]制造的下一个步骤是去除亲水30(}材料层201未被30(}保护层30保护的部分，如图4(1)。去除的方法不限于反应离子刻蚀(812)、感应耦合等离子体刻蚀(工⑶)、!!？酸去除、强碱如1(0?等去除。为了使非像素墙上表面的亲水30(}材料被去除完全，可以增加去除程度以去除部分疏水绝缘层保护层40材料和306保护层30材料，但不允许疏水绝缘层保护层40下的疏水绝缘层暴露被刻蚀，及30(}保护层30下的亲水30(}材料暴露被刻蚀。
[0060]制造的下一个步骤是去除疏水绝缘层保护层40和30(}保护层30，如图4 0)。可以采用清洗的方法去除，清洗剂的选择采用可以有效去除保护层但不损伤被保护的材料的溶液。可选用但不限于选用光刻胶作为保护层，用显影液或去胶液作为清洗液。最终得到上表面具有亲水30(}材料层的像素墙。
[0061]方案三、如图5所示。
[0062]首先提供一基板7，该基板7之上设置有电极17，电极之上设有疏水绝缘层15 ；如图5(4。当然在电极17和疏水绝缘层15之间也可以设有电介质层16。
[0063]制造的下一个步骤是在疏水绝缘层表面15上设置亲水30(}材料层201，如图5(4。亲水30(}材料可以是亲水硅酸盐基306、亲水有机硅类306、亲水？/8等掺杂306。优选地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 70。；更优地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 50。；更优地，所述亲水30(}材料的表面水滴接触角? 30。。
[0064]亲水30(}材料可以为一层，也可以为两层或多层。涂布的方法可以但不限于旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷涂、滚涂等。涂布后进行烘烤。30(}材料烘烤后的尺寸可根据需要进行选择，比如厚度为2?20 4 111。
[0065]制造的下一个步骤是在亲水30(}材料层201表面布置30(}保护层30，如图5 (￠)。30(}保护层30材料可以是光刻胶，也可以是其他可以清洗掉的物质。
[0066]制造的下一个步骤是去除位于显示区域23的30(}保护层30。例如，当30(}保护层30材料为光刻胶时，通过曝光、显影等步骤去除，得到图案化的保护层。如图5 ((1)、5 (6)。30(}保护层30厚度需要控在:刻蚀完显示区域23中的亲水30(}材料后，位于第一区域27的806保护层30仍未完全被刻蚀。
[0067]制造的下一步骤是去除位于显示区域23的亲水30(}材料层201。如图5 (^)。
[0068]去除的方法不限于反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀(工⑶)、册酸去除、强碱如1(0?等去除。为了使亲水30(}材料被去除完全，可以增加去除程度，以去除部分806保护层30材料，但应保证30(}保护层30下的亲水30(}材料没有裸露被刻蚀。
[0069]制造的下一个步骤是去除剩余的30(}保护层30，得到由亲水30(}材料形成的像素墙，如图5(0。
[0070]方案四、如图6所示。作为方案三的改进，在布置30(}材料层之前，增加疏水绝缘层保护层，避免制造过程中对疏水绝缘层造成损害，影响器件质量。
[0071]具体地，
首先提供一基板7，该基板7之上设置有电极17，电极之上设有疏水绝缘层15 ；如图6(^)。当然在电极17和疏水绝缘层15之间也可以设有电介质层16。
[0072]制造的下一个步骤是在疏水绝缘层15上设置图案化的疏水绝缘层保护层40，使其覆盖位于显示区域23的疏水绝缘层15 ；如图6(6) ,6(0)。
[0073]疏水绝缘层保护层40的材料可以是光刻胶，也可以是其他可以清洗掉的物质。制造保护层的方法可以是但不限于旋涂、刮涂、涂布、淋涂、丝网印刷等。疏水绝缘层保护层40的材料可以为一层，也可以为两层或多层。当疏水绝缘层保护层40是光刻胶材料时，可以通过涂布、预烘烤、曝光、显影等步骤得到该保护层。
[0074]余下步骤同方案3，只是最后去除保护层时增加去除疏水绝缘层保护层40的步骤。
[0075]方案三和方案四，由于是直接采用30(}材料制作像素墙，所以适用于可以实现厚膜涂布的亲水30(}材料，优选地,适用于一次涂布膜厚? 1III的亲水30(}材料，进一步优选地，适用于一次涂布膜厚彡211111的亲水30(}材料。
[0076]上述几种工艺中，去除保护层后，为避免有机物残留，可选用⑶#3清洗表面，此步骤也可省略。
[0077]进一步地，上述几种工艺中，在所述的步骤完成后，还可以增加一个步骤后烘，具体地对像素墙20及其表面的30(}材料层201或者30(}材料制得的像素墙20进行后烘，例如烘烤温度可以为150-2001，烘烤时间为0.5-21！，以得到更高的稳定性。
[0078]虽然以上对几种主要的布置30(}材料层的工艺进行了阐述，但是实现的方案并不局限于这几种工艺，任意等同的变化或者替换也属于本申请方案要求保护的范围。
[0079]虽然本发明参考电润湿显示装置进行了阐明，但本发明适用于亲水材料布置于疏水绝缘层上的任何电润湿装置。其他电润湿装置的实例是诸如电润湿光圈和快门的电润湿光学兀件，以及芯片实验室(装置。
[0080]以上对本发明的较佳实施方式进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
【权利要求】
1.一种具有亲水SOG材料的电润湿支撑板，包括基板，位于基板之上的电极，和设于电极上的疏水绝缘层，疏水绝缘层上设有像素墙，其特征在于:所述像素墙上表面布置有亲水SOG材料层或者所述像素墙是由亲水SOG材料形成的。
2.根据权利要求1所述的电润湿支撑板，其特征在于:所述亲水SOG材料的表面水滴接触角<70°。
3.根据权利要求2所述的电润湿支撑板，其特征在于:所述亲水SOG材料为亲水硅酸盐基SOG材料。
4.一种电润湿显示器，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的支撑板。
5.一种如权利要求1-3任一项所述的电润湿支撑板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层； 在疏水绝缘层上依次设置像素墙材料层、亲水SOG材料层和SOG保护层； 依次去除位于显示区域的SOG保护层、亲水SOG材料层和像素墙材料层； 去除余下的SOG保护层，得到上表面具有亲水SOG材料层的像素墙。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于:所述亲水SOG材料的烘烤温度彡 150。。。
7.—种如权利要求1-3任一项所述的电润湿支撑板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层； 在疏水绝缘层上布置像素墙，所述像素墙在疏水绝缘层上呈凸起状； 在疏水绝缘层上设置疏水绝缘层保护层，所述疏水绝缘层保护层完全覆盖所述像素墙围成的凹槽区域底部的疏水绝缘层； 设置亲水SOG材料层，所述亲水SOG材料层至少完全覆盖所述像素墙的上表面； 设置SOG保护层，所述SOG保护层保护亲水SOG材料层位于像素墙上表面的部分； 去除亲水SOG材料层未被SOG保护层保护的部分； 去除疏水绝缘层保护层和SOG保护层，得到上表面具有亲水SOG材料层的像素墙。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于:所述亲水SOG材料的烘烤温度彡 120。。。
9.一种如权利要求1-3任一项所述的电润湿支撑板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层； 在疏水绝缘层上依次设置亲水SOG材料层、SOG保护层； 依次去除位于显示区域的SOG保护层和亲水SOG材料层； 去除余下的SOG保护层，得到由亲水SOG材料形成的像素墙。
10.一种如权利要求1-3任一项所述的电润湿支撑板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板，该基板之上设置有电极，电极之上设有疏水绝缘层； 在疏水绝缘层上设置图案化的疏水绝缘层保护层，所述图案化的疏水绝缘层保护层覆盖位于显示区域部分的疏水绝缘层；依次在上述步骤得到的基板之上设置亲水SOG材料层、SOG保护层；依次去除位于显示区域的SOG保护层、亲水SOG材料层；去除疏水绝缘层保护层和余下的SOG保护层，得到由亲水SOG材料形成的像素墙。
【文档编号】G02F1/167GK104409414SQ201410665529
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月19日 优先权日:2014年11月19日
【发明者】周国富, 李发宏, 罗伯特·安德鲁·海耶斯, 窦盈莹 申请人:华南师范大学, 深圳市国华光电科技有限公司, 深圳市国华光电研究所