技术特征：
技术总结
本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R3表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。
技术研发人员：若山浩之;中岛诚;柴山亘;远藤雅久
受保护的技术使用者：日产化学工业株式会社
技术研发日：2015.11.06
技术公布日：2017.08.18