评估方法、曝光装置、曝光方法以及制造物品的方法与流程

本发明涉及用于评估光学特性的评估方法、曝光装置、曝光方法以及制造物品的方法。

背景技术：

作为在半导体器件等的制造步骤(光刻步骤)中使用的一个装置，存在将原件(original)的图案转印到基板上的投射区域(shot regions)的曝光装置。在曝光装置中，一部分曝光光在投影光学系统中被吸收，因此投影光学系统的光学特性在由该吸收产生的热量的影响下可能会波动。结果，可能变得难以精确地将原件的图案转印到投射区域。

日本专利公开No.63-58349提出了通过使用具有曝光量、曝光时段等作为变量的模型公式来预测投影光学系统的光学特性的波动量并且基于预测值来控制投影光学系统的光学特性的方法。日本专利公开No.63-58349还提出了测量光学特性的波动量并且基于实际测量值和预测值来确定预测公式以便减小预测值中产生的误差的方法。

在日本专利公开No.63-58349中，光学特性的波动量实际上是通过使用原件上的标记测量的，其中原件具有应被转印到投射区域的电路图案。因此，无法检测该标记在投影光学系统的像平面上的、所述电路图案被投影到其上的区域中的像。结果，为了减小预测值中产生的误差而对预测公式进行的精确确定可能被执行得不够充分。

技术实现要素：

本发明提供例如有利于精确地预测投影光学系统的光学特性的波动量的技术。

根据本发明的一个方面，提供了一种通过用预测公式获得投影光学系统的光学特性相对于经由所述投影光学系统对基板的曝光时段的波动量的预测值来评估所述光学特性的评估方法，所述方法包括：通过使用专用图案来确定预测公式，在所述专用图案中，多个标记按矩阵被布置在所述投影光学系统的物平面上，其中，所述确定步骤包括：从所述多个标记中选择位于将在对所述基板进行曝光时在物平面上形成的照明区域中的至少两个标记，以及基于所述至少两个标记在所述投影光学系统的像平面上形成的像的位置来获得所述预测公式。

根据本发明的另一个方面，提供了一种对基板进行曝光的曝光装置，所述装置包括：投影光学系统，被配置为将原件的图案投影到所述基板上；改变单元，被配置为改变所述投影光学系统的光学特性；以及控制单元，被配置为通过使用其中多个标记按矩阵被布置在所述投影光学系统的物平面上的专用图案来确定用于预测所述光学特性相对于曝光时段的波动量的预测值的预测公式，并且基于通过所述预测公式获得的预测值来控制所述改变单元，其中，所述控制单元：从所述多个标记中选择位于将在对所述基板进行曝光时在物平面上形成的照明区域中的至少两个标记，并且基于所述至少两个标记在所述投影光学系统的像平面上形成的像的位置来获得所述预测公式。

根据本发明的另一个方面，提供了一种经由光学投影系统对基板进行曝光的曝光方法，所述方法包括：通过预测公式获得所述投影光学系统的光学特性相对于曝光时段的波动量的预测值；以及通过基于所获得的预测值调整所述投影光学系统的光学特性来经由所述投影光学系统对所述基板进行曝光，其中，所述获得步骤包括通过使用其中多个标记按矩阵被布置在所述投影光学系统的物平面上的专用图案来确定所述预测公式，并且其中，所述确定布置包括：从所述多个标记中选择位于将在对所述基板进行曝光时在物平面上形成的照明区域中的至少两个标记，并且基于所述至少两个标记在所述投影光学系统的像平面上形成的像的位置来获得所述预测公式。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造物品的方法，所述方法包括：使用经由投影光学系统对基板进行曝光的曝光方法来对基板进行曝光；对曝光的基板进行显影；以及对经显影的基板进行处理以制造所述物品，其中，所述曝光方法包括：通过预测公式获得所述投影光学系统的光学特性相对于曝光时段的波动量的预测值；以及通过基于所获得的预测值调整所述投影光学系统的光学特性来经由所述投影光学系统对所述基板进行曝光，其中，所述获得步骤包括通过使用其中多个标记按矩阵被布置在所述投影光学系统的物平面上的专用图案来确定所述预测公式，并且其中，所述确定步骤包括：从所述多个标记中选择位于将在对所述基板进行曝光时在物平面上形成的照明区域中的至少两个标记，并且基于所述至少两个标记在所述投影光学系统的像平面上形成的像的位置来获得所述预测公式。

参照附图阅读对示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出了根据第一实施例的曝光装置的示意图；

图2是示出了根据第一实施例的曝光装置中的曝光处理的流程图；

图3是示出了曝光时段和投影倍率的波动量之间的关系的曲线图；

图4是示出了基板载物台的坐标和检测单元的输出之间的关系的曲线图；

图5A是示出了具有电路图案的原件的视图；

图5B是示出了具有电路图案的原件的视图；

图6是示出了确定预测公式的方法的流程图；

图7A是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；

图7B是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；

图8A是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；

图8B是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；

图9A是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；

图9B是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；

图10A是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图；以及

图10B是示出了第二原件中的照明区域和所选标记的视图。

具体实施方式

下面将参照附图来描述本发明的示例性实施例。注意，相同的附图标记在整个附图中表示相同的构件，并且将不对其进行重复描述。

<第一实施例>

将参照图1来描述根据本发明的第一实施例的曝光装置100。图1是示出了根据第一实施例的曝光装置100的示意图。曝光装置100可以包括例如照明光学系统1、保持原件2的原件载物台3(保持单元)、投影光学系统4、可以在保持基板5的同时移动的基板载物台6(载物台)、以及控制单元10。控制单元10包括例如CPU和存储器，并且控制将原件2的图案转印到基板5上的投射区域的处理(控制曝光装置100的相应单元)。

照明光学系统1通过使用该系统中所包括的遮光构件(诸如遮蔽叶片)来使从光源(未示出)发出的光成形，并且用成形的光来对原件2的一部分进行照明。原件2的被照明光学系统1照明的部分在下文中将被称为“照明区域1a”。原件2和基板5分别被原件载物台3和基板载物台6保持，并且经由投影光学系统4被置于在光学上几乎共轭的位置(投影光学系统4的物平面和像平面)处。投影光学系统4将原件2的图案投影到基板5(投射区域)上。

现在将参照图2来描述将原件2的图案转印到基板上的每个投射区域的处理(曝光处理)。图2是示出了根据第一实施例的曝光装置100的曝光处理的流程图。

在步骤S11中，控制单元10控制输送单元(未示出)以便将形成有应被转印到基板上的每个投射区域的电路图案的原件2输送到原件载物台3上，并且控制原件载物台3以便保持原件2。此时，控制单元10可以从数据保存单元11获得指示原件2的图案应被转印到的投射区域的大小的信息。在步骤S12中，控制单元10控制输送单元(未示出)以便将基板5输送到基板载物台6上，并且控制基板载物台6以便保持基板5。

在步骤S13中，控制单元10控制基板载物台6，以使得原件2的图案被转印到的目标的投射区域(在下文中将被称为目标投射区域)位于投影光学系统4的下面。在步骤S14中，控制单元10控制焦点测量单元7测量基板5在投影光学系统4的光轴方向上的高度，并且控制基板载物台6以使得基板5的表面位于投影光学系统4的最佳聚焦位置处。焦点测量单元7可以包括例如照射单元7a和光接收单元7b，照射单元7a用光照射基板5，光接收单元7b接收由基板5反射的光。

在步骤S15中，控制单元10控制通过用来自照明光学系统1的光经由原件2和投影光学系统4照射目标投射区域来将原件2的图案转印到目标投射区域的处理(曝光处理)。在步骤S16中，控制单元10确定在基板上是否存在曝光处理应被连续执行的投射区域(下一个投射区域)。如果控制单元10确定存在下一个投射区域，则所述处理前进到步骤S17。如果控制单元10确定不存在下一个投射区域，则所述处理前进到步骤S13。在步骤S17中，控制单元10控制输送单元(未示出)以便恢复原件2和基板5。

在这样配置的曝光装置100中，一部分曝光光在投影光学系统4中被吸收，因此投影光学系统4的光学特性在曝光时段期间在由该吸收而产生的热量的影响下可能会波动。结果，可能变得难以精确地将原件2的图案转印到投射区域。因此，曝光装置100通过预测公式获得投影光学系统4的光学特性相对于曝光时段的波动量的预测值，并且在基于该预测值控制改变光学特性的改变单元的同时执行曝光处理。下面将描述改变单元的布置以及计算预测值的方法。

首先，将描述改变单元的布置。改变单元可以包括例如驱动单元4b和基板载物台6中的至少一个，其中驱动单元4b驱动投影光学系统4的光学元件4a。当投影光学系统4的诸如投影倍率、畸变、焦点、像场弯曲、纵向倍率和横向倍率之间的差异等之类的光学特性改变时，控制作为改变单元的驱动单元4b是有效的。当投影光学系统4的诸如焦点之类的光学特性改变时，控制作为改变单元的基板载物台6是有效的。图1中所示的驱动单元4b被配置为驱动一个光学元件4a。然而，本发明不限于此。驱动单元4b可以被配置为驱动多个光学元件4a。

现在将描述计算预测值的方法。在第一实施例中，将描述获得投影光学系统4的投影倍率相对于曝光时段的波动量的预测值β(t)的例子。预测值β(t)可以通过例如由以下公式给出的预测公式(模型公式)获得：

β(t)＝C_β(1-exp(-t/τ))...(1)

其中，τ表示取决于投影光学系统4的光学元件4a的热传导的时间常数，C_β表示指数函数的幅度，t表示曝光时段。C_β可以通过以下公式获得：

C_β＝C_β0·Tr·SF·I·W_refl...(2)

其中，C_β0表示用于校正预测值中产生的误差的系数，Tr表示原件2的透射率，SF表示取决于投射区域的大小(尺寸和/或形状)的系数，I表示照度，W_refl表示基板5的反射率。

如图3中所示，在这样获得的预测值β(t)中可能产生相对于实际测量值的误差。图3是示出了曝光时段和投影倍率的波动量之间的关系的曲线图。图3示出了根据公式(1)和(2)获得的预测值β(t)以及通过实验获得的实际测量值。如果如上所述在预测值β(t)中产生相对于实际测量值的误差，则即使根据预测值β(t)来控制改变单元，也可能变得难以精确地将原件2的图案转印到每个投射区域。

因此，曝光装置100获得投影光学系统4的光学特性的波动量的实际测量值βm(t)，并且如以下公式所给出的，通过实际测量值βm(t)与预测值β(t)的比值来获得系数C_β0：

C_β0＝βm(t)/β(t)...(3)

然后，通过用所获得的系数C_β0校正上述公式(2)来确定由公式(1)给出的预测公式。获得实际测量值βm(t)的步骤可以例如按每个基板5、每预定数量的基板5、或每批来执行。系数C_β0可以在每次获得实际测量值βm(t)时被改变。然而，系数C_β0可以在曝光时段内不同的多个实际测量值βm(t)被累计之后被改变。在这种情况下，系数C_β0可以通过对每个曝光时段的实际测量值βm(t)和预测值β(t)之间的差异执行最小二乘拟合而获得。

现在将描述获得投影光学系统4的光学特性的波动量的实际测量值βm(t)的方法。投影光学系统4的光学特性的波动量可以通过例如设在基板载物台6上的检测单元6a的输出来测量。检测单元6a可以包括与在投影光学系统4的物平面上形成的标记对应的形状的透射部分，并且可以被配置为检测该标记在TTL方法中通过投影光学系统4在像平面上形成的像。在这样配置的检测单元6a中，当该标记在投影光学系统4的像平面上形成的像与所述透射部分匹配时，检测单元6a的输出达到其峰值。因此，通过使检测单元6a在移动基板载物台6的同时检测标记的像，控制单元10可以基于当检测单元6a的输出达到其峰值时的基板载物台6的坐标来获得投影光学系统4的光学特性的波动量。

如图4中所示的波形可以通过例如使检测单元6a在移动基板载物台6的同时检测标记的像来获得。图4是示出了基板载物台6的坐标(位置)和检测单元6a的输出之间的关系的曲线图。控制单元10对检测单元6a的输出设置任意水平SL，并且获得当检测单元6a的输出达到水平SL时的基板载物台6的坐标X1A和X1B。这允许控制单元10根据由(X1A+X1B)/2给出的公式获得当检测单元6a达到其峰值时的基板载物台6的坐标。控制单元10可以通过使用例如不同于上述方法的微分来获得当检测单元6a的输出达到其峰值时的基板载物台6的坐标。

然而，如果当如上所述地获得实际测量值βm(t)时使用具有应被转印到投射区域的电路图案的原件2，则无法检测标记在投影光学系统4的像平面上的、电路图案被投影到其上的区域中的像。一般来说，如图5A和5B中所示，在具有电路图案的原件2中，用于获得实际测量值βm(t)的标记2b可以位于电路图案形成区域2a的外部。因此，检测单元6a不能在投影光学系统4的像平面上的、电路图案被转印到的区域中执行检测，使得难以精确地确定预测公式以便减小预测值β(t)中产生的误差。注意，图5A和5B是示出了在电路图案形成区域2a中的X方向上的尺寸不同的原件2的视图。如图5B中所示，即使标记2c被形成为比标记2b更靠近原件2的中心，标记2c一般也位于电路图案形成区域2a的外部。因此，同样在这种情况下，检测单元6a不能在投影光学系统4的像平面上的、电路图案被转印到的区域中执行检测。

为了应对这种情况，第一实施例的曝光装置100通过使用专用图案来确定(校正)预测公式，在该专用图案中，多个标记8a按矩阵布置在投影光学系统4的物平面上。例如，该专用图案被形成在与其中形成有电路图案的原件2不同的第二原件8上。当曝光装置100确定预测公式时，原件载物台3保持第二原件8而非原件2。此外，该专用图案被配置为使得标记8a分别在纵向方向和短边方向上以短于投影光学系统4的物平面上的最大可照明区域的尺寸的十分之一的节距位于该最大可照明区域中。在这样配置的专用图案中，在最大可照明区域中可以形成100个或更多个标记8a。在第一实施例中，将描述使用具有如下专用图案的第二原件8的例子：在该专用图案中，标记8a以1mm的节距按矩阵被布置。

现在将参照图6来描述根据第一实施例的确定曝光装置100中的预测公式的方法。图6是示出了确定预测公式的方法的流程图。

在步骤S21中，控制单元10从专用图案中的多个标记8a中选择在曝光处理时(在对基板进行曝光时)位于将在物平面上形成的照明区域中的至少两个标记8a。例如，控制单元10基于指示针对光学特性的各个项(每个项)在照明区域1a中将选择的标记8a的位置和数量的选择信息来选择标记8a。照明区域1a可以基于指示在步骤S11中获得的投射区域的大小的信息来确定。光学特性的项可以包括例如以下中的至少一个：投影倍率、畸变、焦点、像场弯曲、以及纵向倍率和横向倍率之间的差异。

例如，当光学特性的项是X方向上的投影倍率时，照明区域中在X方向上具有最大位置差异的两个标记8a的位置可以作为要选择的标记8a的位置而被设置用于选择信息。因此，控制单元10可以通过基于该选择信息选择标记8a来选择如图7A和7B中的每个图中所示的照明区域中的两个标记8a’。图7A是示出了当投射区域具有最大可曝光大小时的照明区域1a以及两个所选标记8a’的视图。图7B是示出了在X方向上其尺寸小于图7A中的尺寸的照明区域1a以及两个所选标记8a’的视图。

例如，当光学特性的项是X方向和Y方向上的投影倍率时，照明区域中在X方向和Y方向上具有最大位置差异的四个标记8a的位置可以作为要选择的标记8a的位置而被设置用于选择信息。因此，控制单元10可以通过基于该选择信息选择标记8a来选择如图8A和8B中的每个图中所示的照明区域中的四个标记8a’。图8A是示出了当投射区域具有最大可曝光大小时的照明区域1a以及四个所选标记8a’的视图。图8B是示出了在X方向上其尺寸小于图8A中的尺寸的照明区域1a以及四个所选标记8a’的视图。

存在例如期望更精确地测量投影光学系统4的投影倍率的情况。在这种情况下，照明区域中在X方向和Y方向上具有最大位置差异的四个标记8a以及在它们的中间位置处的标记8a的位置可以作为要选择的标记8a的位置而被设置用于选择信息。因此，控制单元10可以通过基于该选择信息选择标记8a来选择如图9A和9B中的每个图中所示的照明区域中的八个标记8a’。图9A是示出了当投射区域具有最大可曝光大小时的照明区域1a以及八个所选标记8a’的视图。图9B是示出了在X方向上其尺寸小于图9A中的尺寸的照明区域1a以及八个所选标记8a’的视图。

在第一实施例中，已经描述了控制单元10自动地基于选择信息选择标记8a的例子。然而，本发明不限于此。例如，专用图案可以显示在诸如监视器之类的显示单元上，并且用户可以从诸如鼠标或键盘之类的输入单元选择标记8a。

在步骤S22中，控制单元10使检测单元6a在移动基板载物台6的同时检测在步骤S21中选择的标记8a’的像。在步骤S23中，基于检测单元6a的输出以及基板载物台6的坐标，控制单元10获得在步骤S21中选择的标记8a’的像的位置，并且获得投影光学系统4的光学特性的波动量。然后，在步骤S24中，如由上述公式(3)给出的，控制单元10基于在步骤S23中获得的投影光学系统的光学特性的波动量的实际测量值βm(t)来获得系数C_β0。例如，控制单元10通过校正之前的预测公式来获得预测值β(t)，并且基于该预测值β(t)和实际测量值βm(t)之间的比值来获得系数C_β0。在步骤S25中，控制单元10通过用所获得的系数C_β0校正上述公式(1)来确定预测公式。

如上所述，第一实施例的曝光装置100通过使用专用图案来确定用于预测投影光学系统4的光学特性的波动量的预测公式，在所述专用图案中，多个标记8a按矩阵被布置在投影光学系统4的物平面上。通过使用这样确定的预测公式获得光学特性的波动量的预测值，可以减小预测值中产生的误差并且精确地将原件2的图案转印到基板5。

<第二实施例>

在第二实施例中，将参照图6来描述用于预测投影光学系统4的畸变的波动量的预测公式的方法。在第二实施例中，将描述图6中所示的流程图中的各个步骤当中与第一实施例不同的步骤S21。

在步骤S21中，控制单元10从专用图案中的多个标记8a中选择在曝光处理时位于物平面上的照明区域中的至少两个标记8a。当测量投影光学系统的畸变时，可以使用比用于测量投影倍率的标记8a多的标记8a。因此，当光学特性的项是畸变时，要选择的标记8a的位置被设置用于选择信息，以使得除了在测量投影倍率时选择的标记8a之外，比它们更靠近第二原件8的中心的标记8a也被选择。这允许控制单元10通过基于该选择信息选择标记8a来选择如图10A和10B中所示的照明区域中的十二个标记8a’。图10A是示出了当投射区域具有最大可曝光大小时的照明区域1a以及所选标记8a’的视图。图10B是示出了在X方向上其尺寸小于图10A中的尺寸的照明区域1a以及所选标记8a’的视图。

在第一实施例和第二实施例中的每个中，已经描述了投影倍率的校正和畸变的校正被相互独立地执行的例子。然而，一般来说，不会只有投影倍率和畸变中的一个出现波动。因此，实用的是校正投影倍率和畸变两者。在这种情况下，根据在步骤S23中获得的标记8a的像的位置(与目标位置的偏差量)的结果，投影倍率和畸变可以被相互分离，并且被用诸如最小二乘拟合的方法量化以获得各个系数。

在第一实施例和第二实施例中的每个中，也已经描述了基于与投射区域的大小对应的照明区域1a的大小来选择标记的例子。然而，控制单元10可以自动地基于配方信息来选择标记。在这种情况下，选择标记8a的方法包括以下所示的几种方法。

(1)选择照明区域中的标记8a以使得X方向上的位置差异变为最大(例如，图7A和7B中所示的标记8a’的位置)的方法。

(2)选择照明区域中的标记8a以使得X方向和Y方向上的位置差异变为最大(例如，图8A和8B中所示的标记8a’的位置)的方法。

(3)除了照明区域中被选为使得X方向和Y方向上的位置差异变为最大的标记8a之外，还选择标记8a的中间位置处的标记8a(例如，图9A和9B中所示的标记8a’的位置)的方法。

(4)除了照明区域中被选为使得X方向和Y方向上的位置差异变为最大的标记8a以及这些标记8a的中间位置处的标记8a之外，还选择更靠近中心的标记8a(例如，图10A和10B中所示的标记8a’的位置)的方法。

<第三实施例>

在第三实施例中，将描述作为投影光学系统4的光学特性的聚焦位置(最佳聚焦位置)的校正。像投影光学系统4的投影倍率那样，投影光学系统4的聚焦位置可以通过例如设在基板载物台6上的检测单元6a的输出来测量。当标记在投影光学系统4的像平面上形成的像位于投影光学系统4的最佳聚焦位置处时，检测单元6a的输出达到其峰值。因此，控制单元10可以基于当检测单元6a的输出达到其峰值时投影光学系统4和检测单元6a之间的位置关系来获得投影光学系统4的最佳聚焦位置。

投影光学系统4的聚焦位置的波动量的预测值F(t)可以通过例如由以下公式给出的预测公式(模型公式)获得：

F(t)＝C_F(1-exp(-t/τ))...(4)

其中，τ表示取决于投影光学系统4的光学元件的热传导的时间常数，C_F表示指数函数的幅度，t表示曝光时段。C_F可以通过以下公式获得：

C_F＝C_F0·Tr·SF·I·W_refl...(5)

其中，C_F0表示用于校正预测值中产生的误差的系数，Tr表示原件2的透射率，SF表示取决于投射区域的大小(尺寸和/或形状)的系数，I表示照度，W_refl表示基板5的反射率。

在这样获得的预测值F(t)中产生相对于实际测量值的误差。如果如上所述在预测值F(t)中产生相对于实际测量值的误差，则即使根据预测值F(t)控制改变单元，也可能变得难以精确地将原件2的图案转印到每个投射区域。因此，同样在第三实施例中，如在第一实施例中那样，获得投影光学系统4的聚焦位置的波动量的实际测量值Cm(t)，并且如由以下公式所给出的，通过实际测量值Cm(t)和预测值C(t)的比值来获得系数C_F0：

C_F0＝Cm(t)/C(t)...(6)

同样在第三实施例中，通过使用专用图案来确定投影光学系统的聚焦位置的波动量的预测值F(t)，在所述专用图案中，多个标记按矩阵被布置在投影光学系统4的物平面上。确定预测公式的方法的描述与第一实施例中参照图6给出的描述相同，因此被省略。注意，在第三实施例中，驱动投影光学系统4的光学元件的驱动单元4b和基板载物台6中的至少一个可以被用作改变投影光学系统4的光学特性的改变单元。例如，当驱动单元4b被用作改变单元时，控制单元10基于通过预测公式获得的预测值F(t)来控制驱动单元4b以改变投影光学系统4的聚焦位置，以使得基板5位于投影光学系统4的最佳聚焦位置处。当基板载物台6被用作改变单元时，控制单元10基于预测值F(t)来控制基板载物台6以改变基板和投影光学系统4之间的距离，以使得基板5位于投影光学系统4的最佳聚焦位置处。

<物品制造方法的实施例>

根据本发明的实施例的物品制造方法适合于制造物品，例如诸如半导体器件或具有微型结构的元件之类的微型设备。根据本实施例的物品制造方法包括：使用上述曝光装置在涂覆到基板的光致抗蚀剂上形成潜像图案的步骤(对基板进行曝光的步骤)、以及对具有在该步骤中形成的潜像图案的基板进行显影的步骤。该制造方法还包括其他已知步骤(氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平面化、蚀刻、抗蚀剂移除、切片、接合、和包装)。根据本实施例的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个上优于常规方法。

<其它实施例>

本发明的实施例还可以通过读出并且执行记录在存储介质(其也可以被更完整地称为“非暂时性计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述实施例中的一个或多个实施例的功能的一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现，以及可以通过由系统或装置的计算机例如通过从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述实施例中的一个或多个实施例的功能而执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括用于读出并执行计算机可执行指令的单独的计算机或单独的处理器的网络。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如以下中的一个或多个：硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储器、光盘(诸如压缩盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)^TM)、闪存设备、存储卡等。

其它实施例

本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。

虽然已经参照示例性实施例描述了本发明，但是要理解本发明不限于所公开的示例性实施例。权利要求的范围应被赋予最广泛的解释，以便涵盖所有这种修改以及等同的结构和功能。