显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

在液晶显示面板中，静电释放(ESD，Electro-Static discharge)是一种常见的故障，它的产生原因是多种多样的，有外静电产生和内电荷积累等，因此在产品在出货前，需要对每一个产品进行ESD抗性测试，只有通过了测试的产品才是合格的产品。目前ESD抗性测试是用1-10kV的电压轰击成盒后的显示面板测试区域。实验发现，ESD电荷容易积累在黑矩阵(BM，Black Matrix)上。如图1和图2所示，图1是传统显示面板周边的BM层结构示意图，图2是图1中A-A位置处的截面结构示意图。显示面板包括阵列基板70和彩膜基板71，彩膜基板包括衬底711和覆盖在衬底711上的黑矩阵层712，由图1和图2可知，黑矩阵层712为整面覆盖。

解决黑矩阵层712的静电积累方法有很多，从改善材料特性角度出发，如使用静电积累较小的黑矩阵层712材料，但是一般静电积累较小的材料，容易被击穿。从产品设计角度出发，当前有在黑矩阵层712外侧设计一圈沟槽713，请结合图3和图4，图3为在传统显示面板的黑矩阵层外周设置沟槽后的结构示意图，图4为图3中B-B位置处的截面结构示意图。在沟槽713处就可以使积累的电荷迅速释放，从而保护了产品，提高了ESD抗性。

但是，在上述结构中，由于有BM沟槽的出现，使得沟槽所在区域容易漏光。

技术实现要素：

本发明提供一种显示面板及其制备方法，能够解决现有技术存在的BM沟槽漏光的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板包括衬底和覆盖在所述衬底上的黑矩阵层；所述黑矩阵层的外周设有沟槽，以释放电荷，所述沟槽贯穿所述黑矩阵层；所述沟槽内覆盖有遮挡件，以遮挡光线。

其中，所述遮挡件的厚度小于或等于所述黑矩阵层的厚度。

其中，所述遮挡件包括遮挡部和支撑部，所述遮挡部覆盖在所述沟槽内，所述支撑部凸出到所述沟槽外，用于支撑所述阵列基板和所述彩膜基板以维持所述阵列基板和所述彩膜基板的间隔。

其中，所述支撑部由整个所述遮挡部在厚度方向的延伸而形成。

其中，所述支撑部由所述遮挡部的部分区域在厚度方向的延伸而形成。

其中，所述支撑部间隔分布在所述遮挡部上。

其中，所述遮挡件由黑色光阻材料形成。

其中，所述沟槽为一个封闭的环状沟槽。

其中，所述沟槽呈条状，所述黑矩阵层上有多个沟槽，所述多个沟槽均匀分布在所述黑矩阵层的四周。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明通过在黑矩阵层的外周设置沟槽来使积累的电荷迅速释放，从而保护产品，提高ESD抗性，还在沟槽内设置遮挡件来遮挡光线，以防止显示面板漏光。因而，本发明不仅能保护产品，还能在不改变现有工艺及材料的条件下，提高了产品性能和生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是传统显示面板周边的BM层结构示意图；

图2是图1中A-A位置处的截面结构示意图；

图3是在传统显示面板的黑矩阵层外周设置沟槽后的结构示意图；

图4为图3中B-B位置处的截面结构示意图；

图5是本发明显示面板第一实施例的结构示意图；

图6是图5中C-C位置处的截面结构示意图；

图7是图5中D-D位置处的截面结构示意图；

图8是本发明显示面板第二实施例的结构示意图；

图9是图8中E-E位置处的截面结构示意图；

图10是图8中F-F位置处的截面结构示意图；

图11是本发明显示面板第三实施例的结构示意图；

图12是图11中G-G位置处的截面结构示意图；

图13是图8中H-H位置处一种情况的截面结构示意图；

图14是图8中H-H位置处另一种情况的截面结构示意图；

图15是本发明显示面板的黑矩阵层上的沟槽一个实施例的结构示意图；

图16是本发明显示面板的黑矩阵层上的沟槽另一个实施例的结构示意图；

图17是本发明显示装置实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图5、图6和图7，图5是本发明显示面板第一实施例的结构示意图。图6是图5中C-C位置处的截面结构示意图，图7是图5中D-D位置处的截面结构示意图。

本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板10和彩膜基板11，当然，还包括设置在阵列基板10和彩膜基板11之间的液晶层(图未示)。彩膜基板11包括衬底111和覆盖在衬底111上的黑矩阵层112以及彩色色阻层115等。黑矩阵层112的外周设有沟槽113，以释放电荷，沟槽113贯穿黑矩阵层112。沟槽113内覆盖有遮挡件114，以遮挡光线。

区别于现有技术，本发明通过在黑矩阵层112的外周设置沟槽113来使积累的电荷迅速释放，从而保护产品，提高ESD抗性，还在沟槽113内设置遮挡件114来遮挡光线，以防止显示面板漏光。因而，本发明不仅能保护产品，还能在不改变现有工艺及材料的条件下，提高了产品性能和生产效率。

遮挡件114的厚度可以小于或等于黑矩阵层112的厚度，举例而言，本实施例中，遮挡件114的厚度等于黑矩阵层112的厚度，如图6所示，该遮挡件114的作用就是在沟槽113处挡住光线，防止漏光，其中，遮挡件114由黑色的光阻材料制成。遮挡件114可以在形成阵列基板11和彩膜基板12之间的支撑件的时候同时形成，因而节省了工艺步骤和材料，降低了成本。

请参阅图8、图9和图10，图8是本发明显示面板第二实施例的结构示意图。图9是图8中E-E位置处的截面结构示意图，图10是图8中F-F位置处的截面结构示意图。

本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板20和彩膜基板21。彩膜基板21包括衬底211和覆盖在衬底211上的黑矩阵层212以及彩色色阻层215等。黑矩阵层212的外周设有沟槽213，以释放电荷，沟槽213贯穿黑矩阵层212。沟槽213内覆盖有遮挡件214，以遮挡光线。

具体而言，遮挡件214包括遮挡部2141和支撑部2142，遮挡部2141覆盖在沟槽213内，支撑部2142凸出到沟槽213外，用于支撑阵列基板20和彩膜基板21以维持阵列基板20和彩膜基板21的间隔。

本实施例中，支撑部2142由整个遮挡部2141在厚度方向的延伸而形成。即，支撑部2142的延伸方向上的纵向截面为连续的，在延伸方向上，支撑部2142的长度与遮挡部2141的长度相等，如图10所示。

遮挡件214由黑色的光阻材料制成。该遮挡件214可以与其它位置的支撑件同时形成，当然，由于遮挡件214上形成了支撑部2142，因而其它位置上可以不需要再形成支撑件。

请参阅图11、图12、图13和图14，图11是本发明显示面板第三实施例的结构示意图。图12是图11中G-G位置处的截面结构示意图，图13是图8中H-H位置处一种情况的截面结构示意图。图14是图8中H-H位置处另一种情况的截面结构示意图。

本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板30和彩膜基板31。彩膜基板31包括衬底311和覆盖在衬底311上的黑矩阵层312以及彩色色阻层315等。黑矩阵层312的外周设有沟槽313，以释放电荷，沟槽313贯穿黑矩阵层312。沟槽313内覆盖有遮挡件314，以遮挡光线。

具体而言，遮挡件314包括遮挡部3141和支撑部3142，遮挡部3141覆盖在沟槽313内，支撑部3142凸出到沟槽313外，用于支撑阵列基板30和彩膜基板31以维持阵列基板30和彩膜基板31的间隔。

支撑部3142由遮挡部3141的部分区域在厚度方向的延伸而形成。举例而言，在一种情况下，如图13所示，遮挡部3141在黑矩阵层312的上、下、左、右四个位置分别形成一个支撑部3142，图13中的支撑部3142为在黑矩阵层312的右侧形成的。

在另一种情况下，如图14所示，支撑部3142间隔分布在遮挡部3141上。图14中的支撑部3142是遮挡部3141在黑矩阵312的右侧形成的。

其中，遮挡件314由黑色光阻材料形成。上述两种情况下的支撑部3142的横截面均可以呈圆形、方形或者三角形等。该遮挡件314可以与其它位置的支撑件同时形成，当然，由于遮挡件314上形成了支撑部3142，因而其它位置上可不需要再形成支撑件。

黑矩阵层312上形成的沟槽313的形状可以有多种。例如，如图15所示，图15是本发明显示面板的黑矩阵层上的沟槽一个实施例的结构示意图。该实施例中的沟槽413为一个封闭的环状沟槽413。如图16所示，图16是本发明显示面板的黑矩阵层上的沟槽另一个实施例的结构示意图。该实施例中的沟槽513呈条状，黑矩阵层512上有多个沟槽513，多个沟槽513均匀分布在黑矩阵层512的四周。

值得一提的是，不管是哪一种形状的沟槽，其内设置的遮挡件可以是上述任意一实施例中的遮挡件的结构。

本发明还提供了一种显示装置600，如图17所示，图17是本发明显示装置实施例的结构示意图。该显示装置600包括上述任一实施例中的显示面板601。

综上所述，本发明不仅提高了显示面板ESD抗性，还有效防止显示面板漏光，提高了产品性能和生产效率。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。