一种分划板及其制作方法与流程

本发明涉及分划板技术领域，尤其涉及一种分划板及其制作方法。

背景技术：

分划板一般安装在望远镜的右目镜焦平面上，它是一块极簿的表面刻有分划密位线的薄玻璃，由于这块薄玻璃理论上讲也参与了成像，延长了物镜的焦距，会对右目镜的长度有或多或少的影响。分划板对洁净度要求极高，任何微小的灰尘都会在观测时产生很大的黑点，同时分划板的安装位置精度要求极高，因此，尽量不要拆卸，如果拆卸，一定要按原样复原。民用方面：分划板主要是用于显微镜、放大镜、经纬仪等光学检测、测量、测绘仪器中作为测量校准光学部件。比如工程项目中的测绘仪器都需要使用。

现有技术中，分划板采用电镀或蒸镀铬金属，然后在通过粘结层在其表面贴设有保护层，这种结构的分划板首先电镀或蒸镀铬的分划板对于光的敏感性不是很好，使用时需要借助外界的光源，在一些特殊领域，这样的分划板将不能达到预期的目标；第二，采用镀银的分划板附着力不能达到和好的要求，容易脱落，并且容易氧化，使其不能正常使用；第三，采用粘结保护层的方式，这样由于使用粘结层以及保护层存在一定的折射率差，这样使分划板不在精准；基于上述这些技术问题亟待提供一种分划板及其制作方法技术方案。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种分划板及其制作方法以解决上述的技术问题。

本发明的一个技术方案是：

一种分划板，其特征在于，包括：

承载体，所述承载体包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面；

分划线，所述分划线位于所述承载体的第一表面，且所述分划线由金属构成；

保护结构，所述保护结构包覆所述分划线；

其中，所述承载体以及保护结构的透过率大于90%。

在其中一实施例中，所述承载体与所述保护结构存在折射率差，且所述折射率差小于0.5。

在其中一实施例中，所述承载体为玻璃。

在其中一实施例中，所述分划线由银构成，且所述银采用磁控溅射方式形成于所述承载体的第一表面。

在其中一实施例中，所述保护结构为二氧化硅，所述二氧化硅通过蒸镀或磁控溅射方式形成于所述分划线表面。

一种分划板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一承载体，所述承载体包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面，在所述承载体第一表面设有金属膜；

S2、将步骤S1中的金属膜图形化形成分划线；

S3、在步骤S2中所述分划线表面设有保护结构；

其中，所述承载体以及保护结构的透过率大于90%。

在其中一实施例中，所述步骤S1中金属膜采用磁控溅射方式形成。

在其中一实施例中，所述步骤S2中图形化方式为：在所述金属膜表面设有感光胶，通过曝光蚀刻，形成分划线；其中，所述蚀刻使用的蚀刻液包括硝酸铈铵or醋酸钠。

在其中一实施例中，所述步骤S3中保护结构采用蒸镀或磁控溅射方式形成。

在其中一实施例中，所述承载体与所述保护结构存在折射率差，且所述折射率差小于0.5。

本发明的有益效果：本发明提供一种分划板及其制作方法采用磁控溅射技术形成银，得到的双面高反射银膜，在保证膜层达到了双面高反射率的同时，增加了银膜与玻璃基体之间的粘附力，膜层本身的致密性以及耐腐蚀性能，在腐蚀的过程中，可得到单边侧蚀＜1μm、线条陡直、边缘无毛刺缺口的银基图形分划板；在银基分划板上，采用蒸镀或磁控溅射技术形成一层具有一定厚度的SiO2膜，增强了银基分划板的耐磨性和抗氧化能力，同时没有降低银膜双面的高反射率，避免了存放周期短的缺点。

附图说明

图1为本发明一种分划板的结构示意图；

图2为本发明一种分划板另一种的结构示意图；

图3为本发明一种分划板又一种结构示意图；

图4为本发明一种分划板又一种结构示意图；

图5为本发明一种分划板又一种结构示意图；

图6为本发明一种分划板制备方法流程示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1，一种分划板，包括：承载体10，所述承载体10包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面；分划线20，所述分划线20位于所述承载体10的第一表面，且所述分划线20由金属构成；保护结构30，所述保护结构30包覆所述分划线20；其中，所述承载体10以及保护结构30的透过率大于等于90%，或者所述承载体10以及保护结构30的透过率大于等于95%；由于分划板实用在一些精密仪器，并且对于透过率都有比较高的要求，例如：望远镜、显微镜等。

所述保护结构30包覆所述分划线20，这里的“包覆”使分划线20不裸露在外防止分划线20的氧化，影响分划板的正常使用。

请参阅图1，图1中的保护结构30的外部形貌和分划线20相仿，存在一个连续的起伏；请参阅图2，图2中的保护结构31仅仅包覆分划线20，恰好保护分划线20，且所述保护结构31的形貌和分划线20相仿；请参阅图3，图3中的保护结构32远离分划线20的一侧为一平面，且所述保护结构32的厚度大于所述分划线20的厚度，这样等于所述分划线20被保护结构32埋入在内部；请参阅图4以及图5，保护结构33以及保护结构34在图1以及图2的基础上形成了一定的弧度。

在其中一实施例中，由于分划板使用的领域都为高精度光学仪器测量，所述这样要求承载体10以及保护结构30光学的差异不能太大，所以所述承载体10与所述保护结构30存在折射率差，且所述折射率差小于0.7，更进一步小于等于0.5，或者小月等于0.4。

在其中一实施例中，所述承载体10可以选用高透过率的玻璃或者高透过率硬质塑料。

在其中一实施例中，分划板上的分划线20反射率越高这样在使用时将会越明显，越容易辨识，所以所述分划线20由银构成，且所述银采用磁控溅射方式形成于所述承载体10的第一表面，银的反射率比较高，这里采用磁控溅射方式这样使的银和承载体10的粘合力更加牢固，并且银的双面反射率能达到大于等于90%或银的双面反射率能达到大于等于95%，这样在使用的过程中，对于外界光的要求并不是非常高，适用的环境更加宽广。

在其中一实施例中，为了减少承载体与保护结构之间的光学差异，当承载体10选用玻璃时，所述保护结构30为二氧化硅，所述二氧化硅通过蒸镀或磁控溅射方式形成于所述分划线20表面，由于玻璃的主要成分就是二氧化硅，，这样两者之间的差异非常小，性能更加优越，另外，采用蒸镀或磁控溅射方式形成增加了与承载体之间的附着力，使之更加牢固。

请参阅图6，一种分划板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一承载,10，所述承载体10包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面，在所述承载体10第一表面设有金属膜；

S2、将步骤S1中的金属膜图形化形成分划线20；

S3、在步骤S2中所述分划线表面设有保护结构30或31或32或33或34；

其中，所述承载体以及保护结构的透过率大于90%。

在其中一实施例中，为了增加金属与承载体10的附着力，所述步骤S1中金属膜采用磁控溅射方式形成。

在其中一实施例中，所述步骤S2中图形化方式为：在所述金属膜表面设有感光胶,所述金属膜可以选用银薄膜，通过曝光蚀刻，形成分划线20；其中，所述蚀刻使用的蚀刻液包括硝酸铈铵or醋酸钠，在腐蚀的过程中，可得到单边侧蚀＜1μm、线条陡直、边缘无毛刺缺口的银基图形分划板。

在其中一实施例中，所述步骤S3中保护结构采用蒸镀或磁控溅射方式形成。所述承载体与所述保护结构存在折射率差，且所述折射率差小于0.5。其中，所述承载体10可以选高透过率玻璃或者高透过率硬质塑料，保护结构可以选用与承载体光学效果相似的材料，例如，承载体10选用玻璃，则保护结构选用二氧化硅。

本申请中保护结构30到保护结构34只是为了叙述上的方便，其实所起到的作用以及达到的目的是相同的。

本发明提供一种分划板及其制作方法采用磁控溅射技术形成银，得到的双面高反射银膜，在保证膜层达到了双面高反射率的同时，增加了银膜与玻璃基体之间的粘附力，膜层本身的致密性以及耐腐蚀性能，在腐蚀的过程中，可得到单边侧蚀＜1μm、线条陡直、边缘无毛刺缺口的银基图形分划板；在银基分划板上，采用蒸镀或磁控溅射技术镀制一层具有一定厚度的SiO2膜，增强了银基分划板的耐磨性和抗氧化能力，同时没有降低银膜双面的高反射率，避免了存放周期短的缺点。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。