基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门的制作方法

文档序号:12116219阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,包括一个正方晶格的光子晶体,该光子晶体具有自准直干涉效应;其特征是:在光子晶体的内部制作有三个沿自准直光束传播方向排列的线缺陷作为三个分束器S1、S2和S3,分束器S1是全反射分束器,分束器S2和分束器S3是部分反射分束器;分束器分束器S1和分束器S2的距离Δl1=12a,分束器S2和分束器S3的距离Δl2=25a,其中a为光子晶体的晶格常数;光子晶体中设置有三个入射端口和一个输出端口,三个入射端口为两个输入光束端口和一个参考光端口。

2.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,所述正方晶格的光子晶体是以硅为背景材料的二维空气孔正方晶格的光子晶体,背景材料硅的介电常数ε=11.56。

3.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,所述光子晶体的大小为35a*35a。

4.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,所述光子晶体的柱半径r=0.3a。

5.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,所述入射端口的入射光束波长为3.7037a。

6.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,分束器S1的半径为rS1=0.387a,宽度为6排格点。

7.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,分束器S2的半径为rS2=0.419a。

8.根据权利要求1所述的基于自准直干涉效应的二维光子晶体逻辑同或门,其特征是,分束器S3的半径为rS3=0.419a。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1