相位差膜的制作方法

文档序号:12799721阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种相位差膜,所述相位差膜由于对400nm附近的短波长的可见光显示高吸收选择性,因而具有高耐光性,并且在用于显示装置时可赋予良好的显示特性。满足下述式(1)~(4)全部的相位差膜:2≤A(380) (1),0.5≤A(400) (2),0.4≥A(420)/A(400) (3),100nm≤Re(550)≤170nm (4)。式中,A(λ)表示波长λnm处的吸光度、Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。

技术研发人员:幡中伸行;吉冈真之介;小泽昭一;葛西辰昌
受保护的技术使用者:住友化学株式会社
技术研发日:2016.12.27
技术公布日:2017.07.04
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