本实用新型涉及光纤通讯技术领域，具体为一种可调节的双级偏振无关光隔离器。
背景技术：
光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件，其工作原理是基于法拉第旋转的非互易性。通过光纤回波反射的光能够被光隔离器很好的隔离。光隔离器主要利用磁光晶体的法拉第效应。光隔离器的特性是：正向插入损耗低，反向隔离度高，回波损耗高。光隔离器是允许光向一个方向通过而阻止向相反方向通过的无源器件，作用是对光的方向进行限制，使光只能单方向传输，通过光纤回波反射的光能够被光隔离器很好的隔离，提高光波传输效率。双级偏振无关光隔离器属于光隔离器的一种，现有的双级偏振无关光隔离器无法调节，工作性能不稳定,在高功率下光隔离器易损伤。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种可调节的双级偏振无关光隔离器，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可调节的双级偏振无关光隔离器，包括第一光纤准直器、第二光纤准直器、第一旋光晶体和第二旋光晶体，所述第一光纤准直器和第二光纤准直器为对称设置，所述第一旋光晶体和第二旋光晶体设置在第一光纤准直器和第二光纤准直器之间，所述第一旋光晶体和第二旋光晶体为对称设置，所述第一光纤准直器和第一旋光晶体之间设置有第一双折射晶体，所述第二光纤准直器和第二旋光晶体之间设置有第二双折射晶体，所述第一旋光晶体和第二旋光晶体之间设置有第三双折射晶体和第四双折射晶体，所述第一双折射晶体和第一旋光晶体可移动连接，所述第一旋光晶体和第三双折射晶体可移动连接，所述第四双折射晶体和第二旋光晶体可移动连接，所述第二旋光晶体和第二双折射晶体可移动连接。
优选的，所述第一旋光晶体和第二旋光晶体表面分别设置有磁环。
优选的，所述第一双折射晶体、第二双折射晶体、第三双折射晶体和第四双折射晶体分别为掺钕钒酸钇晶体。
优选的，所述第一旋光晶体和第二旋光晶体分别为TGG晶体。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：由于晶体之间相互电性连接，可实现4个双折射晶体相对2个旋光晶体的同步等距调节，从而实现光隔离器输出端o光与e光的间距的调节，提高了隔离器工作性能稳定,并防止了在高功率下光隔离器的损伤。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1、第一光纤准直器，2、第二光纤准直器，3、第一旋光晶体，4、第二旋光晶体，5、第一双折射晶体，6、第二双折射晶体，7、第三双折射晶体，8、第四双折射晶体，9、磁环。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种可调节的双级偏振无关光隔离器，包括第一光纤准直器1、第二光纤准直器2、第一旋光晶体3和第二旋光晶体4，所述第一光纤准直器1和第二光纤准直器2为对称设置，所述第一旋光晶体3和第二旋光晶体4设置在第一光纤准直器1和第二光纤准直器2之间，所述第一旋光晶体3和第二旋光晶体4为对称设置，所述第一光纤准直器1和第一旋光晶体3之间设置有第一双折射晶体5，所述第二光纤准直器2和第二旋光晶体4之间设置有第二双折射晶体6，所述第一旋光晶体3和第二旋光晶体4之间设置有第三双折射晶体7和第四双折射晶体8，所述第一双折射晶体5和第一旋光晶体3可移动连接，所述第一旋光晶体3和第三双折射晶体7可移动连接，所述第四双折射晶体8和第二旋光晶体4可移动连接，所述第二旋光晶体4和第二双折射晶体6可移动连接。
所述第一旋光晶体3和第二旋光晶体4表面分别设置有磁环9，也可根据实际情况进行调节。
所述第一双折射晶体5、第二双折射晶体6、第三双折射晶体7和第四双折射晶体8分别为掺钕钒酸钇晶体，掺钕钒酸钇晶体透光范围宽、透过率高、双折射系数大、并易于加工。
所述第一旋光晶体3和第二旋光晶体4分别为TGG晶体，TGG晶体磁光常数大、热导性高、光损失低。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：于晶体之间相互电性连接，可实现4个双折射晶体相对2个旋光晶体的同步等距调节，从而实现光隔离器输出端o光与e光的间距的调节，提高了隔离器工作性能稳定,并防止了在高功率下光隔离器的损伤。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。