本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法。
背景技术：
微影技术是将光罩上的图案先转移到pr上，再以溶剂浸泡将pr受光照射到的部分加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或互补的光阻图；黄光使用的技术为微影技术，黄光制程是指微影制程的环境照明光源采用的是黄光，黄光制程线路精准度水平高；光刻机(maskaligner)又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等；光杯是光刻机的核心部件，在光刻显影后，在光刻显影后出现缺陷异常需要将光阻层清洗去除后重新光刻；光阻分正光阻和负光阻，在光刻技术领域正光阻占主要地位，现有技术中大都采用碱性溶剂进行负光阻的去除，这种碱溶剂配方的清洗剂存在着清洗效果不好，同时会对零部件造成老化和腐蚀；或者使用专门的清洗设备，生产成本高。因此，急需一种对光刻机光杯上的固化的或液态的负光阻进行清洗去除，从而使得光杯能够再生使用的再生方法，能够大大的降低使用成本，提高了光刻机的使用寿命和使用效果；使用有机溶剂进行清洗，毒性小近乎无毒，对环境友好，成本低，清洗效果较好，同时不会对光杯造成老化和腐蚀；清洗方法简单，大大提高了生产效率。
技术实现要素：
发明的目的：为了克服背景技术的不足，本发明公开了一种黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法，能够大大的降低使用成本，提高了光刻机的使用寿命和使用效果；负光阻制程采用的是mark-8，使用酮有机溶剂和酰胺溶剂复配进行清洗，毒性小近乎无毒，对环境友好，成本低，清洗效果较好，同时不会对光杯造成老化和腐蚀；清洗方法简单。
技术方案：为了实现以上目的，本发明公开了一种黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法，包括以下步骤：
1)浸泡清洗液的选择和配制：浸泡清洗液的选择为酰胺溶剂和酮类有机溶剂，所述的酰胺溶剂和酮类有机溶剂的复配体积比为3:1；
2)浸洗：将步骤1)配制好的浸泡清洗液倒入浸缸中，再将待清洗再生的零部件浸入到浸泡清洗液中，溶解掉大部分的固化或液态的负光阻；
3)漂洗：将浸泡好后的零部件用溶剂进行漂洗清除干净零部件各边、角的残留负光阻和浸泡清洗液，以便零部件的再生使用；
4)水洗：将漂洗后的零部件用超纯水水洗去除零部件残留的浸泡清洗液和漂洗溶剂；
5)干燥：将水洗后的零部件置于超净干燥设备中进行干燥。
另，所述步骤1)中的酮有机溶剂具体为n-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮的一种。
另有，所述步骤1)中的酰胺溶剂为n,n-二甲基甲酰胺、异丙醇酰胺、n,n’-二甲基乳酰胺中的一种。
还，所述步骤2)中的浸泡时间为1.5h-2.5h，优选为2h。浸泡时间的选择经过长期的试验，时间太短，浸泡后负光阻层溶解不够，还残留大量的负光阻层；浸泡时间超过2h后负光阻层的溶解度达到最低，溶解速率低；浸泡时间太长也不利于后面的零部件漂洗和水洗工序；综合考虑，采用2h最合适。
还有，所述步骤3)中漂洗用的溶剂为丙酮溶剂，漂洗时间为8-15min，优选为10min。丙酮的挥发速率极快的强溶剂，非常常规而且成本低，大大提高了漂洗能力、漂洗效果；漂洗时间短，生产效率高；节约时间成本。
再，所述步骤4)中超纯水水洗时间为25-35min，优选为30min。超纯水的选择确保不会带入其他杂质，而且不会在零部件表面留下水珠，不会影响后面的使用效果；水洗时间的选择决定了水洗零部件是否彻底，时间太短水洗不完全，仍然会有残液残留；水洗时间太长，不利于控制生产成本。
再有，所述的步骤5)中干燥温度为55-65℃，时间为1.5h-2.5h，优选温度为60℃，时间为2h。温度太低，时间太短都会造成零部件表面的脱水不足，同时也延长了生产周期，降低了生产效率，不利于企业的生产需求；温度太高容易引起零部件表面的分解和老化，时间太长也易于造成零部件的老化。
此外，所述的再生方法中黄光制程光刻机零部件负光阻的制程使用的设备是telcleantrackmark-8，厂家：tel(tokyoelectronlimited)型号：cleantrackmark-8。
上述技术方案可以看出，本发明具有如下有益效果：本发明所述的一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法，相比现有技术，具有以下优点：采用常规的毒性小近乎无毒的酮有机溶剂和酰胺溶剂复配，，利用相似相溶原理对黄光制程光刻机零部件负光阻进行清洗去除以便再生使用，酮有机溶剂和酰胺溶剂按照科学合理的比例进行复配，大大提高了复配溶剂的溶解力和蒸发速率，清洗效果好，清洗液成本低，对环境友好，同时酰胺和酮有机溶剂均具有还原性，可以很好的抑制零部件表面的腐蚀和老化，很好的保护零部件不会造成其腐蚀和老化，确保了零部件的再生使用效果，不会对零部件的使用产生影响；使用本发明的浸泡清洗液和再生方法再生黄光制程光刻机零部件负光阻再生次数可达100次。
具体实施方式
下面结合表1，对本发明具体实施方式进行详细的描述。
表1为实施例1-6的一种黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法各步骤条件参数。
表1实施例所述的各步骤试剂和参数条件
本发明所述的黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法，浸泡时间最优为2h，漂洗液为丙酮，漂洗时间最优为10min，水洗时间最优为30min，超净干燥温度最优为60℃，时间为2h。
本发明实施例1-7所述一种黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法，包括以下步骤：
1)浸泡清洗液的选择和配制：浸泡清洗液的选择为酰胺溶剂和酮类有机溶剂，所述的酰胺溶剂和酮类有机溶剂的复配体积比为3:1；
2)浸洗：将步骤1)配制好的浸泡清洗液倒入浸缸中，再将待清洗再生的零部件浸没到浸泡清洗液中，溶解掉大部分的固化或液态的负光阻；
3)漂洗：将浸泡好后的零部件用丙酮溶剂进行漂洗清除干净零部件各边、角的残留负光阻和浸泡清洗液，以便零部件的再生使用；
4)水洗：将漂洗后的零部件用超纯水水洗去除零部件残留的浸泡清洗液和漂洗溶剂；
5)干燥：将水洗30min后的零部件置于超净干燥设备中进行干燥。
所述的再生方法中黄光制程光刻机零部件负光阻的制程使用的设备是telcleantrackmark-8，厂家：tel(tokyoelectronlimited)型号：cleantrackmark-8。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。