本发明涉及一种方法，具体是一种制备亚波长抗反射压膜的方法。
背景技术：
由于不同材料折射率之间的差异，导致入射光波在材料界面上发生反射。这将影响光学系统的性能，特别对高品质光显示、太阳能电池、电荷耦合器件等，必须尽量在广角宽光谱范围内减少表面反射。
通常的抗反射结构是蒸镀单层氟化镁介质，但其透过光谱宽度和角度范围受到限制。设计蒸镀多层光学膜，虽能改善系统性能，但其对镀膜工艺要求高，成品率低，且不同材料的热膨胀系数、湿度系数及弹性模量不同，都会导致光学膜抗反性能下降。由于亚波长纳米抗反结构具有宽波段和宽角度的优点，因而能够极大地提高光学器件抗反射性能。例如《awide-angleantireflectionsurfaceforthevisiblespectrum》(nanotechnology，20，2009)在可见波段，同时入射角在0°到40°之间，抗反射结构的反射率达到0.45%；《broadbandandomnidirectionalantireflectionemployingdisorderedgannanopillars》（opticsexpress，16(12)，8784，2008）报道的在gan基底表面制作亚波长结构，极大地提高了led外量子效率。抗反射结构在平板显示，太阳能电池，光电耦合器件及发光二极管（led）等光电器件中均有广泛应用。
目前在制作亚波长抗反射纳米结构方法上，主要有图形制作的光刻工艺、自组装技术，以及转移图形的刻蚀工艺。而制作纳米结构的光刻工艺如电子束光刻等，制作成本高，工艺周期长，制作面积有限，对于实现规模化等有一定困难；自组装技术虽然方法简单，但是目前只是在实验研究阶段，还有许多技术问题需要解决。在《fabricationofsinano-pillararraythroughninano-dotmaskusinginductivelycoupledplasma》（thinsolidfilms，475(2005)，41–44）《plasma-etchingfabricationandpropertiesofblacksiliconbyusingsputteredsilvernanoparticlesasmicromasks》（thinsolidfilms，2012）中提到了利用金属粒子作为干法刻蚀的掩模制作抗反射结构。但是这些方法都是用热蒸发，电子束蒸发或磁控溅射等镀金属的方法制作金属膜，这些设备制法成本太高，对于大规模的推广具有一定的限制。为此寻找一种制作成本低廉，工艺简单，并可大面积制作的工艺方法成为目前研究重点和热点。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种制备亚波长抗反射压膜的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种制备亚波长抗反射压膜的方法，包括如下步骤：a）利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法，在含氧基底表面沉积硬掩膜，在单面抛光的基片上沉积一层金属层；b）在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层，将沉积有金属层的基片进行快速退火处理，经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子，该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布，且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围；c）以该周期性单排光刻胶柱体图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层，以所述纳米金属粒子为掩模，对所述基片进行干法刻蚀，将纳米金属粒子的分布图形转移到基片上，在基片上形成具有非周期性的亚波长光栅结构；d）以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构，清洗掉纳米金属粒子并将基片清洗干净之后，获得所述亚波长抗反射结构。
作为本发明进一步的方案：以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜、采用反应离子束刻蚀或者离子束刻蚀来形成单排周期性硬掩膜图形层。
作为本发明进一步的方案：所述化学氧化还原沉积金属层的方法为银镜反应，该银镜反应包括步骤：以硝酸银：氢氧化钠：水=1:0.5:500的质量比制备第一溶液；对上述第一溶液滴上适量氢氧化氨溶剂，直至该第一溶液变清晰透明为止，形成第二溶液；以葡萄糖：水=1:1000的质量比制备第三溶液；将所述第二溶液和第三溶液按1：1比例混合进行反应，形成金属银沉积。
作为本发明进一步的方案：以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜、采用深反应离子束刻蚀或反应离子束刻蚀对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构。
作为本发明再进一步的方案：所述基片能够是硅片或者氮化镓片中的一种，当该基片为硅片时，还能够为p型或n型掺杂的硅片。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明具有广角宽谱的抗反射效果；采用湿法制作金属掩模降低了生产设备成本，同时工艺方法成本低廉，制作简单，并可实现大面积的制作。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例中，一种制备亚波长抗反射压膜的方法，包括如下步骤：a）利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法，在含氧基底表面沉积硬掩膜，在单面抛光的基片上沉积一层金属层；b）在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层，将沉积有金属层的基片进行快速退火处理，经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子，该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布，且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围；c）以该周期性单排光刻胶柱体图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层，以所述纳米金属粒子为掩模，对所述基片进行干法刻蚀，将纳米金属粒子的分布图形转移到基片上，在基片上形成具有非周期性的亚波长光栅结构；d）以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构，清洗掉纳米金属粒子并将基片清洗干净之后，获得所述亚波长抗反射结构。
以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜、采用反应离子束刻蚀或者离子束刻蚀来形成单排周期性硬掩膜图形层。
所述化学氧化还原沉积金属层的方法为银镜反应，该银镜反应包括步骤：以硝酸银：氢氧化钠：水=1:0.5:500的质量比制备第一溶液；对上述第一溶液滴上适量氢氧化氨溶剂，直至该第一溶液变清晰透明为止，形成第二溶液；以葡萄糖：水=1:1000的质量比制备第三溶液；将所述第二溶液和第三溶液按1：1比例混合进行反应，形成金属银沉积。
以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜、采用深反应离子束刻蚀或反应离子束刻蚀对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构。
所述基片能够是硅片或者氮化镓片中的一种，当该基片为硅片时，还能够为p型或n型掺杂的硅片。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。