技术总结
提供电光装置和电子设备。能够可靠地抑制像素的薄膜晶体管中的光漏电流的产生。电光装置具有：薄膜晶体管(30)，其按照每个像素设置；以及遮光膜，其遮挡薄膜晶体管(30)的半导体层(30a)的至少一个的端部。该遮光膜是与半导体层(30a)的第1源极/漏极区域(30s)以及第2源极/漏极区域(30d)的端部以及该端部的侧面接触的源极电极(31)和漏极电极(32)，这些电极在半导体层(30a)的下层与中间层(33)接触。
技术研发人员：大堀光隆
受保护的技术使用者：精工爱普生株式会社
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2018.06.29