本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板以及显示面板。
背景技术：
薄膜晶体管(thin-filmtransistor,tft)液晶显示面板(liquidcrystaldisplay,lcd)由于具有色彩度高、能耗低等优势，而在显示技术领域中占据主流地位。
tft-lcd的制作过程包括阵列基板形成、液晶盒组装、模块组装等三大部分。其中阵列基板采用阵列制造工程制作，具体通过在玻璃基板上制备各层薄膜图形，完成包括薄膜晶体管在内的像素阵列。阵列基板中的薄膜包括金属薄膜，具体的包括扫描线的金属薄膜和数据线的金属薄膜。
在阵列基板的制作过程中，由于设备运行、工艺环境、原材料材质等因素的影响，会产生工艺不良，影响产品的良品率，比如扫描线、数据线断线不良。因此，在阵列基板制作完成后，会对上述发生断线不良的扫描线、数据线进行修复。
然而，在进行断线修复的过程中，可能会产生断线修复失败的情况，故需要提供一种断线修复检测机制，以确保阵列基板的良品率。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种阵列基板以及显示面板，可以提高显示面板断线修复检测的有效性。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底，所述衬底包括显示区域，以及设置在所述显示区域外围的非显示区域；
至少一条第一金属线以及至少一条经断线修复的第二金属线，所述第一金属线和所述第二金属线层叠设置在所述显示区域上；
检测装置，所述检测装置设置在所述非显示区域上，所述检测装置与所述第一金属线和所述第二金属线电性连接，所述检测装置通过检测所述第二金属线的阻值，以及所述第一金属线和所述第二金属线之间的阻值，对所述第二金属线进行断线修复检测。
在一些实施例中，所述第一金属线和所述第二金属线两端均具有一衬垫，所述检测装置与所述衬垫连接。
在一些实施例中，所述检测装置包括多个探针、阻值测试单元以及连接所述探针、所述阻值测试单元的连接线；所述探针与对应的衬垫电性连接；
所述阻值测试单元，用于通过所述探针对所述第二金属线的阻值进行测量，得到第一阻值，以及通过所述探针对所述第一金属线和所述第二金属线之间的阻值进行测量，得到第二阻值。
在一些实施例中，所述检测装置还包括；
判断单元，用于对所述阻值测试单元测得的所述第一阻值和所述第二阻值进行判断，判断所述第一阻值是否小于预设阻值，所述第二阻值是否为无穷大；
第一确定单元，用于在所述判断单元判断所述第一阻值不小于预设阻值，或所述第二阻值不为无穷大时，确定所述第二金属线断线修复失败；
第二确定单元，用于在所述判断单元判断所述第一阻值小于预设阻值，且所述第二阻值为无穷大时，确定所述第二金属线断线修复成功。
在一些实施例中，所述检测装置还包括：
显示单元，用于在所述第一确定单元确定所述第二金属线断线修复失败时，显示失败结果，以提示重新对所述第二金属线进行断线修复。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括一阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底，所述衬底包括显示区域，以及设置在所述显示区域外围的非显示区域；
至少一条第一金属线以及至少一条经断线修复的第二金属线，所述第一金属线和所述第二金属线层叠设置在所述显示区域上；
检测装置，所述检测装置设置在所述非显示区域上，所述检测装置与所述第一金属线和所述第二金属线电性连接，所述检测装置通过检测所述第二金属线的阻值，以及所述第一金属线和所述第二金属线之间的阻值，对所述第二金属线进行断线修复检测。
在一些实施例中，所述第一金属线和所述第二金属线两端均具有一衬垫，所述检测装置与所述衬垫连接。
在一些实施例中，所述检测装置包括多个探针、阻值测试单元以及连接所述探针、所述阻值测试单元的连接线；所述探针与对应的衬垫电性连接；
所述阻值测试单元，用于通过所述探针对所述第二金属线的阻值进行测量，得到第一阻值，以及通过所述探针对所述第一金属线和所述第二金属线之间的阻值进行测量，得到第二阻值。
在一些实施例中，所述检测装置还包括；
判断单元，用于对所述阻值测试单元测得的所述第一阻值和所述第二阻值进行判断，判断所述第一阻值是否小于预设阻值，所述第二阻值是否为无穷大；
第一确定单元，用于在所述判断单元判断所述第一阻值不小于预设阻值，或所述第二阻值不为无穷大时，确定所述第二金属线断线修复失败；
第二确定单元，用于在所述判断单元判断所述第一阻值小于预设阻值，且所述第二阻值为无穷大时，确定所述第二金属线断线修复成功。
在一些实施例中，所述检测装置还包括：
显示单元，用于在所述第一确定单元确定所述第二金属线断线修复失败时，显示失败结果，以提示重新对所述第二金属线进行断线修复。
相较于现有的，本发明实施例的阵列基板以及显示面板，设置了检测装置，通过检测第二金属线的阻值，以及第一金属线和第二金属线之间的阻值，确定第二金属线的断线修复是否成功，提高了断线修复检测的有效性。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的阵列基板的另一结构示意图。
图3为本发明实施例提供的第二金属线断线修复的结构示意图。
图4为本发明实施例提供的第二金属线断线修复的另一结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参照图1，图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。阵列基板1包括衬底10、至少一条第一金属线20、至少一条经断线修复的第二金属线30，以及检测装置40。
衬底10包括显示区域11和设置在显示区域11外围的非显示区域12。其中非显示区12还包括位于显示区周边的周边区域(dummy区)和封装区(sealant区)。
该第一金属线20和第二金属线30层叠设置在衬底10的显示区域11上。如图2所示，第一金属线20、第二金属线30两端具有一衬垫a，供连接检测装置40连接，以进行阻值检测。其中，第一金属线20可以为栅极配线，第二金属线30可以为源极配线。在一些实施例中，如图1所示，第一金属线20和第二金属线30之间还设置有绝缘层50。
如图1所示，检测装置40设置在非显示区域12上，优选的，可以将检测装置40设置在周边区域。该检测装置40与第一金属线20、第二金属线30电性连接，该检测装置40通过检测第二金属线30的阻值，以及第一金属线20、第二金属线30之间的阻值，来对第二金属线30进行断线修复检测。优选的，该检测装置40与第一金属线20、第二金属线30两端的衬垫a连接。
如图2所示，该检测装置40包括探针41、阻值测试单元42、连接线43、判断单元44、第一确定单元45、第二确定单元46以及显示单元47。其中，该探针42与对应的衬垫a电性连接，该连接线43连接该探针41和阻值测试单元42。该阻值测试单元42用于通过探针41对第二金属线30的阻值进行测量，得到第一阻值，以及通过探针41对第一金属线20、第二金属线30之间的阻值进行测量，得到第二阻值。如图2所示，检测装置40包括3个探针，从上至下依次为第一探针、第二探针以及第三探针，其中第一探针、第三探针分别连接第二金属线30一端的衬垫a，用于测量第二金属线30的阻值。第二探针连接第一金属线20一端的衬垫a，需要说明的是，可以通过该第二探针，以及第一探针、第三探针中任意一个来测量第一金属线20和第二金属线30之间的阻值。
当在阵列基板1生产过程中，存在断线不良情况时，可以在断路点之间采用激光化学气相沉积(laserchemicalvapordeposition,lasercvd)方法进行修复。具体的，如图1或2所示，可以在真空腔室内，利用激光与反应气体的化学反应，按照激光的移动路径在第二金属线30断线区域沉积一层导电薄膜31，以实现第二金属线30断线区域用导电薄膜31连通。
然而，上述修复过程中可能会出现修复失败的情况，出现如图3所示的断线和如图4所示的十字线，如果出现十字线，说明修补后的长膜能量太大，对下层膜层造成干扰。因此，在本实施例中，检测装置40还包括判断单元44、第一确定单元45和第二确定单元46。该判断单元44通过对阻值测试单元42测得的第一阻值和第二阻值作进一步评估，以确定第二金属线30是否修补成功。具体的，判断单元44将第一阻值与预设阻值进行对比，判断第一阻值是否小于预设阻值。其中，该预设阻值可以为根据第二金属线30组成材料性质设置的值，在此不做具体限定。优选的，该预设阻值可以为100欧姆。同时，如果第二金属线30修补成功，不对第一金属线20造成干扰，则其与第一金属线20之间的阻值将趋向无穷大，因此判断单元44还判断第二阻值是否为无穷大。
接着，当判断单元44判断第一阻值不小于预设阻值，或第二阻值不为无穷大时，第一确定单元45确定该第二金属线30断线修复失败。当判断单元44判断第一阻值小于预设阻值，且第二阻值为无穷大时，第二确定单元46确定该第二金属线30断线修复成功。
然后，显示单元47在第一确定单元45确定第二金属线30修复失败时，显示失败结果，以提示重新对第二金属线30进行断线修复。具体的，当第一单元确定第一阻值小于预设阻值，且第二阻值不为无穷大时，显示“修复后的第二金属线对第一金属线造成干扰”。
在一些实施例中，显示单元47还在第二确定单元46确定第二金属线30修复成功时，显示成功结果，并提示去除检测装置40，以对阵列基板1进行下一步的生产工艺。此时，可以将连接线43截断，以去除检测装置40。
进一步的，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括一阵列基板。请参照图1，图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。阵列基板1包括衬底10、至少一条第一金属线20、至少一条经断线修复的第二金属线30，以及检测装置40。
衬底10包括显示区域11和设置在显示区域11外围的非显示区域12。其中非显示区12还包括位于显示区周边的周边区域(dummy区)和封装区(sealant区)。
该第一金属线20和第二金属线30层叠设置在衬底10的显示区域11上。如图2所示，第一金属线20、第二金属线30两端具有一衬垫a，供连接检测装置40连接，以进行阻值检测。其中，第一金属线20可以为栅极配线，第二金属线30可以为源极配线。在一些实施例中，如图1所示，第一金属线20和第二金属线30之间还设置有绝缘层50。
如图1所示，检测装置40设置在非显示区域12上，优选的，可以将检测装置40设置在周边区域。该检测装置40与第一金属线20、第二金属线30电性连接，该检测装置40通过检测第二金属线30的阻值，以及第一金属线20、第二金属线30之间的阻值，来对第二金属线30进行断线修复检测。优选的，该检测装置40与第一金属线20、第二金属线30两端的衬垫a连接。
如图2所示，该检测装置40包括探针41、阻值测试单元42、连接线43、判断单元44、第一确定单元45、第二确定单元46以及显示单元47。其中，该探针42与对应的衬垫a电性连接，该连接线43连接该探针41和阻值测试单元42。该阻值测试单元42用于通过探针41对第二金属线30的阻值进行测量，得到第一阻值，以及通过探针41对第一金属线20、第二金属线30之间的阻值进行测量，得到第二阻值。如图2所示，检测装置40包括3个探针，从上至下依次为第一探针、第二探针以及第三探针，其中第一探针、第三探针分别连接第二金属线30一端的衬垫a，用于测量第二金属线30的阻值。第二探针连接第一金属线20一端的衬垫a，需要说明的是，可以通过该第二探针，以及第一探针、第三探针中任意一个来测量第一金属线20和第二金属线30之间的阻值。
当在阵列基板1生产过程中，存在断线不良情况时，可以在断路点之间采用激光化学气相沉积(laserchemicalvapordeposition,lasercvd)方法进行修复。具体的，如图1或2所示，可以在真空腔室内，利用激光与反应气体的化学反应，按照激光的移动路径在第二金属线30断线区域沉积一层导电薄膜31，以实现第二金属线30断线区域用导电薄膜31连通。
然而，上述修复过程中可能会出现修复失败的情况，出现如图3所示的断线和如图4所示的十字线，如果出现十字线，说明修补后的长膜能量太大，对下层膜层造成干扰。因此，在本实施例中，检测装置40还包括判断单元44、第一确定单元45和第二确定单元46。该判断单元44通过对阻值测试单元42测得的第一阻值和第二阻值作进一步评估，以确定第二金属线30是否修补成功。具体的，判断单元44将第一阻值与预设阻值进行对比，判断第一阻值是否小于预设阻值。其中，该预设阻值可以为根据第二金属线30组成材料性质设置的值，在此不做具体限定。优选的，该预设阻值可以为100欧姆。同时，如果第二金属线30修补成功，不对第一金属线20造成干扰，则其与第一金属线20之间的阻值将趋向无穷大，因此判断单元44还判断第二阻值是否为无穷大。
接着，当判断单元44判断第一阻值不小于预设阻值，或第二阻值不为无穷大时，第一确定单元45确定该第二金属线30断线修复失败。当判断单元44判断第一阻值小于预设阻值，且第二阻值为无穷大时，第二确定单元46确定该第二金属线30断线修复成功。
然后，显示单元47在第一确定单元45确定第二金属线30修复失败时，显示失败结果，以提示重新对第二金属线30进行断线修复。具体的，当第一单元确定第一阻值小于预设阻值，且第二阻值不为无穷大时，显示“修复后的第二金属线对第一金属线造成干扰”。
在一些实施例中，显示单元47还在第二确定单元46确定第二金属线30修复成功时，显示成功结果，并提示去除检测装置40，以对阵列基板1进行下一步的生产工艺。此时，可以将连接线43截断，以去除检测装置40。
本发明实施例的阵列基板以及显示面板，设置了检测装置，通过检测第二金属线的阻值，以及第一金属线和第二金属线之间的阻值，确定第二金属线的断线修复是否成功，提高了断线修复检测的有效性。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。