本发明涉及使用电致变色材料构成的电光学装置等。
背景技术
在例如国际公开第2012/118188号(专利文献1)中公开了与使用电致变色材料构成的电光学装置相关的现有技术。该专利文献1中公开的装置在各自具有电极的透明基板间配置电解质层，在任一透明基板的电极的表面设置微细的凹凸，另一透明基板的电极表面是平滑的。于是，在电极间施加电压时，在一个电极，电解质层的银离子被还原而以银膜形式析出，若解除电压则银膜再度以银离子形式溶解。此时，在平滑表面的电极上析出银膜的情况下，该电极的表面呈镜面状态并反射入射光。另外，在微细凹凸表面的电极上析出银膜的情况下，在该电极的表面入射光发生漫反射，从而外观上呈黑色状态。另外，在电极间不施加电压的情况下呈透明状态。
另外，在研究将上述专利文献1中公开的装置用作反射型显示装置的情况下，具有以下的不利状况。例如考虑将电极图案化成任意的形状来构成显示部的情况。此时，若银膜在具有微细凹凸的电极析出，则在与该电极对应的部分能够实现黑色显示，但由于该部分的周围呈透明状态(光透过状态)，因而对比度低，从而可能产生可见性低之类的不利状况。针对该不利状况，例如还考虑了通过在任一透明基板的背面配置散射版，使透过了非显示部分的光散射、使对比度提高的情况。但是，在这种情况下，由于在非显示状态下散射版始终可见，因而得不到透明状态，从而在扩大作为显示装置的用途这一方面并不优选。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/118188号
技术实现要素：
发明所要解决的课题
本发明的具体方式的目的之一在于提供一种电光学装置，其能够适合用作可见性优异的反射型显示装置。
解决课题的手段
本发明的一个方式的电光学装置包含：(a)第1基板，其在一面侧具有第1电极；(b)第2基板，其在一面侧具有第2电极，与上述第1基板对置配置；以及(c)电解质层，其含有电沉积材料，被配置在上述第1电极与上述第2电极之间；(d)上述第1电极和上述第2电极分别在与上述电解质层相接的一面侧具有凹凸形状；(e)上述第1电极的一面侧的表面粗糙度ra为0.4μm以上；(f)上述第2电极的一面侧的表面粗糙度ra为0.02μm以上、且为比上述第1电极的表面粗糙度相对小的值。
利用上述构成，通过在第1电极与第2电极之间适宜地施加电压，能够自由地切换白色状态、黑色状态和透明状态，从而能够得到一种新型的电光学装置，其在例如作为显示装置使用的情况下，图像的可见性优异，且在非使用时呈透明状态，视野不会受到阻碍。
附图说明
图1是示出第1实施方式的电光学装置的构成的示意性截面图。
图2是用于详细说明第1电极的构成的示意性截面图。
图3是用于详细说明第2电极的构成的示意性截面图。
图4是用于说明电光学装置的工作原理的示意性截面图。
图5是示出实施例的电光学装置中的第1电极的表面处理状态的观察图像的图。
图6是示出实施例的电光学装置的第1电极中的相对反射亮度与表面粗糙度的关系的图。
图7是示出实施例的电光学装置的相对反射亮度与ra/rsm(ra与rsm之比)的关系的图。
图8是示出表面凹凸的尺寸与散射效率的关系的图。
图9是示出实施例的电光学装置的第2电极中的反射率与表面粗糙度的关系的图。
图10是示出第2实施方式的电光学装置的构成的示意性截面图。
图11是用于说明第2实施方式的电光学装置的工作的示意性俯视图。
图12是示出任意设定了电极形状的电光学装置的构成例的示意性截面图。
图13是用于说明第2实施方式的电光学装置的工作的示意性俯视图。
具体实施方式
(第1实施方式)
图1是示出第1实施方式的电光学装置的构成的示意性截面图。图1所示的电光学装置100例如作为显示装置使用，包含第1基板11、第2基板12、电解质层13、密封材料14、驱动装置20来构成。
第1基板11例如为具有透光性的硬质基板(例如玻璃基板)。在该第1基板11的一面侧设置第1电极15，该第1电极15在其大致整个面上具有微细的凹凸形状。同样地，第2基板12例如为具有透光性的硬质基板(例如玻璃基板)。在该第2基板12的一面侧设置第2电极16，该第2电极16在其大致整个面上具有微细的凹凸形状。
第1基板11与第2基板12按照使彼此的一面侧面对面的方式来进行配置。并且，本实施方式的电光学装置100按照从第1基板11侧被用户视觉识别出的方式进行配置来使用。即，在视觉识别侧配置第1基板11。
电解质层13使用包含电沉积材料的电解液构成，被配置在第1基板11与第2基板12的各一面侧之间。详细地说，构成电解质层13的电解液包含电致变色材料、介体、支持电解质、溶剂、凝胶化用聚合物等来构成。
作为构成电解质层13的材料的一例，电致变色材料可以使用agbr350mm、介体可以使用cucl230mm、支持电解质可以使用libr700mm、溶剂可以使用三甘醇二甲醚。
需要说明的是，银化合物并不限于上述物质，可以使用氯化银、氧化银、溴化银、碘化银、硝酸银等。银化合物的浓度例如优选为5mm以上500mm以下，但并不限于此。
支持电解质只要可促进发色材料的氧化还原反应等就没有特别限定，例如可适合使用锂盐(licl、libr、lii、libf4、liclo4等)、钾盐(kcl、kbr、ki等)、钠盐(nacl、nabr、nai等)。支持电解质的浓度例如优选为10mm以上1m以下，但并不限于此。
溶剂只要能够稳定地保持发色材料等且折射率n与第1基板11、第2基板12的构成材料相近或同等程度就没有特别限定。折射率优选为同等程度是由于，在将电光学装置制成透明状态的情况下可提高透明性，以使得尽可能不会发生界面处的反射。例如，若各基板是折射率为1.52的无碱玻璃，则在溶剂与玻璃的折射率差为±0.15时，能够使界面反射为1％以下；在折射率差为±0.10时，能够使界面反射为0.5％以下。作为这样的溶剂，可以使用碳酸亚丙酯等极性溶剂、无极性的有机溶剂、以及离子性液体、离子导电性高分子、高分子电解质等。具体地说，可以使用三甘醇二甲醚(n＝1.432)、碳酸亚丙酯(n＝1.419)、二甲基亚砜(n＝1.479)、n,n-二甲基甲酰胺(n＝1.431)、四氢呋喃(n＝1.409)、γ-丁内酯(n＝1.436)等。
密封材料14在第1基板11与第2基板12的各一面侧之间包围基板彼此重叠的区域来进行设置，其密封电解质层13。作为密封材料14，可使用例如uv固化型的密封材料、uv-热固化型的密封材料、热固化型的密封材料。
在本实施方式中，在密封材料14中添加间隙材料(例如直径50μm)，利用该间隙材料确保第1基板11与第2基板12的相互间距离(单元厚度)。需要说明的是，作为第1基板11、第2基板12使用大面积基板的情况下，为了降低单元厚度的不均，优选在基板面内分散配置间隙材料。
驱动装置20与第1电极15和第2电极16连接，藉由它们向电解质层13供给驱动电压。
图2是用于详细说明第1电极的构成的示意性截面图。作为第1电极15的构成，认为有几种方式。图2(a)所示方式的第1电极15包含导电膜22来构成，该导电膜22是沿着在第1基板11的一面侧形成的多个微细凹部21的表面形状来设置的。如图所示，导电膜22沿着凹部21的表面形状设置，在第1基板11的一面侧具有由多个凹部24形成的凹凸形状。图2(b)所示方式的第1电极15具有设置在第1基板11的一面侧的导电膜23，导电膜23在其一面侧具有由多个微细的凹部24形成的凹凸形状。利用这些中的任一方式均可得到具有微细的凹凸形状的第1电极15。
图2(c)是用于对第1电极的凹凸形状进行详细说明的示意性截面图。第1电极15的导电膜22(或23)的表面的凹凸例如可以如图所示由凹部24的深度l和宽度w来定义。凹部24的深度l例如为数百nm左右，凹部24的宽度w例如为几微米。需要说明的是，作为凹部24的形状模型，考虑图示这样的半球状，实际上可认为是接近半球状的无规形状，其深度和宽度也不是一定的，可以在一定范围内具有偏差。本实施方式中的第1电极15的表面粗糙度优选为例如0.4μm以上0.8μm以下。此处所说的表面粗糙度例如为算术平均粗糙度ra(在下文中也是同样的)。
图3是用于详细说明第2电极的构成的示意性截面图。图示方式的第2电极16包含设置在第2基板12的一面侧的大致平坦的导电膜25、以及设置在该导电膜25的上表面侧的具有多个微细的凹凸形状的导电膜26来构成。导电膜25例如为ito膜等导电膜。另外，导电膜26具有比上述第1电极15的导电膜22等小约1位数这样的数量级的表面粗糙度，其使用例如ito纳米颗粒等金属纳米颗粒来形成。导电膜26的表面粗糙度优选为例如0.02μm以上0.1μm以下。
需要说明的是，此处示例出了由导电膜25和导电膜26这2层形成的第2电极16，但其构成并不限定于此。例如，可以在第2基板12的一面侧形成导电膜后，对该导电膜的表面利用物理方法(喷砂法等)或化学方法(蚀刻法等)施以适当的处理，从而得到具有纳米数量级的表面粗糙度的第2电极16。
图4是用于说明电光学装置的工作原理的示意性截面图。通过在第1电极15与第2电极16之间按照第1电极15侧相对为低电位的方式施加直流电压，金属核产生并生长，如图4(a)所示，在第1电极15的凹部24上有金属膜30析出。此时，在第2电极16上无金属膜析出。在第1电极15上析出的金属膜30如图所示为致密的膜，其沿着包含各凹部24构成的微小的凹凸形状来形成。此时的凹凸形状若为可见光的波长以上的尺寸(例如0.4μm以上)则入射光被散射，因而外观上呈白色状态(明状态)。
另外，通过在第1电极15与第2电极16之间按照第2电极16侧相对为低电位的方式施加直流电压，金属核产生并生长，如图4(b)所示，在第2电极16的导电膜26上有金属膜32析出。此处，由于电场集中在纳米数量级的凸部，因而金属离子向导电膜26的供给不均匀，金属膜32如图所示生长为树枝状。由此形成纳米数量级的多孔状的金属膜32。通过像这样金属膜32成为多孔状的错综复杂的结构，入射到该金属膜32的光反复进行多重反射，被金属膜32吸收。因此，入射光的大部分不会回到电光学装置的外部，外观上呈黑色状态(暗状态)。
这样，在本实施方式的电光学装置100中，由于按照第2电极16的表面粗糙度为比第1电极15的表面粗糙度小约1位数以上的值的方式来构成各电极，因而入射到各电极的光的行为不同，通过利用该行为的差异，能够切换白色状态和黑色状态。需要说明的是，由于对各电极均未施加电压、或者在各电极为同电位的情况下不发生金属膜的析出，因而电光学装置在外观上呈透明状态(使入射光透过的状态)。即，本实施方式的电光学装置100能够自由切换白色状态、黑色状态、透明状态这三种状态。
接着对本实施方式的电光学装置的制造方法进行说明。此处，对于通过在各电极的一面侧设置多个微细的凹部、在这些凹部设置导电膜来构成第1电极15且使用金属纳米颗粒构成第2电极16的情况，说明其适宜的制造方法的一例。
在无碱玻璃基板等透明基板的一面实施例如喷砂处理，从而在透明基板的一面侧形成微细的凹凸形状。由此得到在一面侧具有微细的凹凸形状的第1基板11。此时，通过适宜地设定喷砂处理的各条件，能够控制第1基板11的凹凸形状的粗糙度状态。在使用喷砂处理的情况下，作为其各条件，可以举出投射材(磨粒)的粒径、投射材的材质、投射压力、投射角度、处理时的基板距离、处理时间等。需要说明的是，也可以使用湿蚀刻处理等来替换喷砂处理。作为湿蚀刻处理的各条件，可以举出试剂组成、浓度、处理时间等。
接着，在第1基板11的具有凹凸形状的面上形成导电膜。例如，通过溅射法形成由ito(铟锡氧化物)形成的透明导电膜(ito膜)。由此，在第1基板11的一面侧形成第1电极15。ito膜的表面电阻例如为5ω/sq.左右，膜厚为数百nm。需要说明的是，作为透明导电膜，只要在可见光区域的透光性高就没有特别限定，例如还能够使用zno膜、ga2o5膜、石墨烯膜等，并且对透明导电膜的形成方法也没有特别限定，例如可以考虑真空蒸镀法、离子镀法、旋转涂布法等各种方法(以下相同)。
另一方面，在无碱玻璃基板等透明基板的一面通过溅射法等成膜法形成导电膜。例如，通过溅射法形成由ito(铟锡氧化物)形成的透明导电膜(ito膜)。由此得到在一面侧具有导电膜25的第2电极16。需要说明的是，也可以使用预先设有ito膜等导电膜的透明基板。
接着，通过在该导电膜25的上表面侧利用金属纳米颗粒实施装饰，形成具有纳米数量级的凹凸的导电膜26。作为金属纳米颗粒，例如可使用ito纳米颗粒。导电膜26的形成例如可如下进行：通过丝网印刷等涂布含有ito纳米颗粒的糊料，其后对该涂布后的膜进行烧制，从而形成导电膜26。
接着，在一个基板、例如在第1基板11的一面侧涂布添加有间隙材料的密封材料。作为密封材料，例如可以使用紫外线固化型、热固化型、紫外线固化与热固化混合型等各种密封材料。
另外，在另一第2基板12的一面侧散布间隙材料(例如粒径100μm)。此时经验上优选散布量为1～3个/mm2，但并不限定于此。需要说明的是，也可以不使用间隙材料而通过在基板上形成肋条等突起体来进行间隙控制。这种情况下，优选突起体的长厚比尽可能高。
接着，在第1基板11与第2基板12之间封入包含电沉积材料的电解液。该工序例如通过真空注入法来进行。具体地说，先将第1基板11与第2基板12贴合，之后通过真空注入法向两者间注入电解液。需要说明的是，该工序也可通过滴下式注入法(odf法)来进行。具体地说，在第1基板11的一面侧的被密封材料包围的区域内滴加电解液后，使该第1基板11的一面与第2基板12的一面彼此相对，将两者贴合。之后通过施与紫外线和/或热而使密封材料固化。由此得到密封材料14以及周围被该密封材料14密封的电解质层13。
如以上这样能够制造出本实施方式的电光学装置100。需要说明的是，对于第1电极15在导电膜的一面设置多个微细的凹部来构成的情况，也可以使用除了获得第1电极15的工序以外与上述同样的制造方法。关于获得第1电极15的工序，例如可以通过溅射法等适宜的成膜法在第1基板11的一面上形成导电膜，通过喷砂处理或蚀刻处理对该导电膜的一面进行加工，从而形成多个凹部。
(实施例)
作为电光学装置的实施例，制作出几个样品。
将各样品的电解质层13的层厚设为100μm。作为电解质，使溶剂为gbl，作为电致变色材料加入agbr350mm，作为支持电解质(支持盐)加入licl1750mm，作为介体加入tacl530mm。另外，作为第1电极15、第2电极16，分别使用表面电阻为5ω/sq.的ito膜。
关于第1电极15的表面的凹凸形状，通过改变喷砂条件如下所述制作出表面状态、具体地说平均粗糙度(算术平均粗糙度)ra不同的样品。此处所说的平均粗糙度(算术平均粗糙度)ra、平均长度rsm、平均深度rc分别对应于由jis标准(jisb0601：2001)定义的平均粗糙度ra、平均长度rsm、平均深度rc。
图5是示出实施例的电光学装置中的第1电极的表面处理状态的观察图像的图。在该实施例的电光学装置中，第1基板15的表面粗糙度ra为0.49μm、表面所形成的各凹部的直径约为3～7μm。
接着对实施例的各样品的可视角特性进行说明。可视角的特性通常通过各角度的反射亮度相对于以被测定物的基板面的法线方向为基准倾斜5°的角度的反射亮度的角度依赖性进行评价。能够视觉识别出投射到投影屏幕上的屏幕图像的范围被称为视野范围角度，是指相对反射亮度达到1/2的值的角度。在作为宽视野角的显示装置使用的情况下，优选视野范围角度为60°以上。对于各样品，以5°～60°的范围每隔5°测定各角度的反射亮度。
图6是示出实施例的电光学装置的第1电极中的相对反射亮度与表面粗糙度的关系的图。需要说明的是，此处的相对反射亮度是在使金属膜30在第1电极15上析出的状态下测定的视野范围角度60°的值。如图所示可知，若表面粗糙度ra大于0.4μm，则相对反射亮度倾向于急剧增大。通常认为，若表面粗糙度ra为波长的1/2以上，则散射强。但是，60°的相对反射亮度相对于表面粗糙度ra未必单调增加。据信，这与电极的表面凹凸的密度有关。表面凹凸以平均长度rsm的间隔存在，据信，若rsm相对于ra增大，则表面凹凸的密度降低、散射减小。
图7是示出实施例的电光学装置的相对反射亮度与ra/rsm(ra与rsm之比)的关系的图。如图所示，可知ra/rsm越大，60°的相对反射亮度越大。根据基于各数据点得到的近似曲线可知，为了使60°的相对反射亮度为0.5以上，ra/rsm的值至少为0.018以上即可。
图8是示出表面凹凸的尺寸与散射效率的关系的图。对于因表面凹凸所致的散射来说，根据凹凸高度的不同，其散射效率也可以不同。在将由银膜形成的电极的表面凹凸用球来近似的情况下，相对于各尺寸的1个凹凸部的散射效率如图所示。通过mie散射理论求出散射截面积，由散射截面积与1个凹凸部的投影截面积之比求出散射效率。将散射截面积大于投影截面积的情况下的散射效率设为1。根据图8，若表面凹凸的尺寸为10μm，则散射效率在可见光区域为0.5左右。即50％为正反射成分，呈现出接近镜面反射的反射特性。从而可知，表面凹凸的平均深度rc需要小于该表面凹凸的尺寸，可以为10μm以下。另外可知，通常若表面凹凸的尺寸为入射光的波长的1/10以下，则不会发生散射，因而可以为大于该值的尺寸。在视野范围角度为60°以上的样品中，平均深度rc分别为1.77μm～1.93μm，与通过计算求出的散射效率高的表面凹凸的尺寸很好地吻合。
另外，关于第2电极16的表面的凹凸形状，通过改变使用ito纳米颗粒的导电膜26的成膜条件，如下所述制备表面状态、具体地说平均粗糙度(算术平均粗糙度)ra不同的样品。此处所说的平均粗糙度(算术平均粗糙度)ra也对应于由jis标准(jisb0601：2001)定义的平均粗糙度ra。
图9是示出实施例的电光学装置的第2电极中的反射率与表面粗糙度的关系的图。需要说明的是，此处的反射率是在使金属膜32在第2电极16上析出的状态下设入射光的波长为600nm进行测定得到的反射率。如图所示，可知至少在表面粗糙度ra大于0.018μm的范围，反射率为低值、为10％左右。即可知为适于暗显示(黑)的状态。需要说明的是，在表面粗糙度ra小于0.015μm的范围，反射率增高，且第2电极16呈镜面(镜)状态。
(第2实施方式)
图10是示出第2实施方式的电光学装置的构成的示意性截面图。图10所示的电光学装置100a具有：设于第1电极15的上表面侧的绝缘膜43、夹着该绝缘膜43设于第1电极15的上表面侧的第3电极45、设于第2电极16的上表面侧的绝缘膜44、以及夹着该绝缘膜44设于第2电极16的上表面侧的第4电极46，这一点与第1实施方式的电光学装置100不同，除此以外具备同样的构成。需要说明的是，在第1实施方式和第2实施方式中，对于通用的构成附以相同的附图标记，省略针对它们的详细说明。
绝缘膜43设于第1电极15的上表面侧，在俯视观察时具有使第1电极15的中央开口的环状(框状)的形状。同样地，绝缘膜44设于第2电极16的上表面侧，在俯视观察时具有使第2电极16的中央开口的环状(框状)的形状。绝缘膜43与绝缘膜44被设置成大致相同的形状，在俯视观察时按相互重叠的方式配置。作为这些绝缘膜43、44，只要对电解液13稳定就没有特别限定，例如可以使用sio2膜、al2o3膜、sin膜等。
第3电极45夹着绝缘膜43设于第1电极15的上表面侧，在俯视观察时与绝缘膜43为大致相同形状且、具有使第1电极15的中央开口的环状(框状)的形状。该第3电极45具有与第1电极15同样的表面形状。
第4电极46夹着绝缘膜44设于第2电极16的上表面侧，在俯视观察时与绝缘膜44为大致相同形状、具有使第2电极16的中央开口的环状(框状)的形状。该第4电极46具有与第2电极16同样的表面形状。
各绝缘膜43、44和第3电极45、第4电极46例如可通过以下的方法形成。需要说明的是，对于除此以外的电光学装置100a的制造方法与第1实施方式相同，在此省略说明。
与第1实施方式同样地在第1基板11上形成第1电极15。接着形成覆盖第1电极15的中央的抗蚀剂膜，在该状态下通过溅射法等形成绝缘膜。接着，使用喷砂处理或湿蚀刻处理等在该绝缘膜的表面形成凹凸形状，在该具有凹凸形状的面上通过溅射法等形成导电膜。其后通过剥离抗蚀剂膜除去覆盖第1电极15的中央的绝缘膜和导电膜，从而得到以环状覆盖第1电极15的周边部的绝缘膜43和第3电极45。
另外，与第1实施方式同样地在第2基板12上形成第2电极16。接着形成覆盖该第2电极16的中央的抗蚀剂膜，在该状态下通过溅射法等形成绝缘膜。接着通过溅射法等在该绝缘膜的表面形成导电膜。其后通过剥离抗蚀剂膜除去覆盖第2电极16的中央的绝缘膜和导电膜，从而得到以环状覆盖第2电极16的周边部的绝缘膜44和导电膜。之后，通过胶版印刷法等在该导电膜的上侧形成金属纳米颗粒层，从而得到第4电极46。
图11是用于说明第2实施方式的电光学装置的工作的示意性俯视图。在第2实施方式的电光学装置100a中，通过利用驱动装置20可变地设定施加到第1电极15、第2电极16、第3电极45、第4电极46中的每一电极的电位，能够实现各种工作状态。
例如，在第1电极15与第2电极16之间施加第1电极15呈相对低电位(阴极)的电压(例如2.5v)，在第3电极45与第4电极46之间施加第4电极46呈相对低电位(阴极)的电压(例如2.5v)。由此，如图11(a)所示，在第1电极15与第2电极16的重叠区域，金属膜在第1电极15上析出，因而得到白色状态；在第3电极45与第4电极46的重叠区域，金属膜在第4电极46上析出，因而得到黑色状态。即，由于周边部呈黑色状态、中央部呈白色状态，因而能够进行作为正常黑模式的显示。
另外，在第1电极15与第2电极16之间施加第2电极16呈相对低电位(阴极)的电压(例如2.5v)，在第3电极45与第4电极46之间施加第3电极45呈相对低电位(阴极)的电压(例如2.5v)。由此，如图11(b)所示，在第1电极15与第2电极16的重叠区域，金属膜在第2电极16上析出，因而得到黑色状态；在第3电极45与第4电极46的重叠区域，金属膜在第3电极45上析出，因而得到白色状态。即，由于周边部呈白色状态、中央部呈黑色状态，因而能够进行作为正常白模式的显示。
另外，在各电极间不施加电位差的情况下，如图11(c)所示，得到透明状态。此外，尽管省略了图示，但通过按照在第3电极45与第4电极46之间不产生电位差的方式在第1电极15与第2电极16之间施加电位差，也能够进行在透明状态中显出白色状态或黑色状态的显示。反之，尽管省略了图示，但通过按照在第1电极15与第2电极16之间不产生电位差的方式在第3电极45与第4电极46之间施加电位差，也能够进行周边部为白色状态或黑色状态、中央显现出透明状态的显示。
需要说明的是，在上文中，为了易于理解并简化说明，使第1电极15和第2电极16分别为矩形、第3电极45和第4电极46为围绕它们的环状，但各电极的形状能够任意地设定。
(第3实施方式)
图12是示出第3实施方式的电光学装置的构成例的示意性截面图。图12中示出的电光学装置100b中，改变上述电光学装置100a中的各电极的形状，示出了能够进行段式显示的情况下的构成例。需要说明的是，在第2实施方式和第3实施方式中，对于通用的构成附以相同的附图标记，省略针对它们的详细说明。
第3实施方式中的第1电极15具有与7段显示(参照后述的图13)的各显示部对应且相互分离的7段电极。各段电极的构成与上述第1、第2实施方式的第1电极15相同。在各段电极上分别连接未图示的迂回布线(引き回し配線)，藉由这些迂回布线与驱动电路20连接，从而能够分别单独地施加电压。
同样地，第3实施方式中的第2电极16具有与7段显示(参照后述的图13)的各显示部对应且相互分离的7段电极。各段电极的构成与上述第1、第2实施方式的第2电极16相同。在各段电极上分别连接未图示的迂回布线，藉由这些迂回布线与驱动电路20连接，从而能够分别单独地施加电压。
另外，第3实施方式中的绝缘膜43和第3电极45在第1基板11的一面侧相对于第1电极15的未设置各段电极的区域互补地设置。绝缘膜43按照也覆盖与第1电极15的各段电极连接的迂回布线(省略图示)的上侧的方式设置。由此能够防止因迂回布线上的金属膜的析出所致的不需要的显示的发生。
同样地，第3实施方式中的绝缘膜44和第4电极46在第2基板12的一面侧相对于第2电极16的未设置各段电极的区域互补地设置。绝缘膜44按照也覆盖与第2电极16的各段电极连接的迂回布线(省略图示)的上侧的方式设置。由此能够防止因迂回布线上的金属膜的析出所致的不需要的显示的发生。
第1电极15、第2电极16、各绝缘膜43、44和第3电极45、第4电极46例如可通过以下的方法形成。需要说明的是，对于除此以外的电光学装置100a的制造方法与第1实施方式相同，在此省略说明。
首先，与第1实施方式同样地在第1基板11上形成第1电极15。接下来通过将该第1电极15图案化而形成各段电极以及迂回布线。接着形成覆盖各段电极的抗蚀剂膜。接下来通过溅射法等形成覆盖第1电极15的各段电极上的抗蚀剂膜以及迂回布线的绝缘膜。接着，使用喷砂处理或湿蚀刻处理等在该绝缘膜的表面形成凹凸形状，通过溅射法等在该具有凹凸形状的面上形成导电膜。其后通过剥离抗蚀剂膜除去覆盖第1电极15的各段电极的绝缘膜和导电膜，从而得到覆盖第1电极15的段电极以外的部分的绝缘膜43和第3电极45。
另外，与第1实施方式同样地在第2基板12上形成第2电极16。接下来通过将该第2电极16图案化而形成各段电极以及迂回布线。接着形成覆盖各段电极的抗蚀剂膜。接下来通过溅射法等形成覆盖第2电极16的各段电极上的抗蚀剂膜以及迂回布线的绝缘膜。接着，通过溅射法等在该绝缘膜的表面形成导电膜。其后通过剥离抗蚀剂膜除去覆盖第2电极16的各段电极的绝缘膜和导电膜，从而得到覆盖第2电极16的各段电极以外的部分的绝缘膜44和导电膜。之后通过胶版印刷法等在该导电膜的上侧形成金属纳米颗粒层，从而得到第4电极46。
图13是用于说明第3实施方式的电光学装置的工作的示意性俯视图。第3实施方式的电光学装置100b中，通过利用驱动装置20可变地设定施加到第1电极15、第2电极16、第3电极45、第4电极46中的每一电极的电位，能够实现各种工作状态。具体地说，图13(a)示出作为正常黑模式的显示例，图13(b)示出作为正常白模式的显示例，图13(c)示出透明状态的显示例。需要说明的是，向各电极施加电压的方式与上述图11所示的电光学装置100a的情况相同，通过对各段电极分别施加电压使7段的各显示部分别呈白色状态、黑色状态或者透明状态，从而能够显示出任意的数字、英文字等。
需要说明的是，在第2和第3实施方式中，第1电极15和第3电极45能够得到透明状态和白色状态，第2电极16和第4电极46能够得到透明状态和黑色状态。该方式从加工工时的方面出发是优选的，但可利用的方式并不限于此。也可以为第1电极15和第4电极46得到透明状态和白色状态的方式、第2电极16和第3电极45得到透明状态和黑色状态的方式。这种情况下，第4电极46如下形成：在第4电极46形成前使用喷砂处理或湿蚀刻处理等在绝缘膜44表面形成凹凸形状，通过溅射法等在该具有凹凸形状的面形成导电膜，从而形成第4电极46。第3电极45通过在第3电极45形成后利用胶版印刷法等在第3电极45的上侧设置金属纳米颗粒层来构成。
根据以上各实施方式的电光学装置，能够自由地切换白色状态、黑色状态和透明状态，因而通过使用该电光学装置，能够得到图像的可见性优异、且在非使用时呈透明状态而不会阻碍视野的显示装置。这样的电光学装置能够适当地用作例如陈列窗中的数位标牌、平视显示器等用途的显示装置。
需要说明的是，本发明并不限于上述实施方式的内容，能够在本发明要点的范围内进行各种变形来实施。例如，在上述实施方式中，是从第1基板侧视觉识别电光学装置的，但也可以从第2基板侧视觉识别电光学装置。另外，本发明的电光学装置的用途并不仅限于显示用途。
符号的说明
11：第1基板
12：第2基板
13：电解质层
14：密封材料
15：第1电极
16：第2电极
20：驱动装置
21、24：凹部
22、23、25、26：导电膜
30、32：金属膜
43、44：绝缘膜
45：第3电极
46：第4电极