专利名称：光学装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及光学装置。
首先，用
图13至图16说明现有的光学装置的结构及工作情况。
图13是表示现有的光学装置的光学系统的图，在图13中，在作为发光元件的半导体激光元件1发出的光的光轴上，从半导体激光元件1一侧开始依次配置着生成三条光束用的绕射光栅2、作为光偏振装置的全息光学元件3、作为聚光装置的准直透镜4及作为聚光装置的物镜5。
信息记录媒体6配置在物镜5的聚焦面上。另外，在半导体激光元件1的两侧形成受光元件群7，该受光元件群7具有接受由全息光学元件3产生的偏向光用的多个受光元件。
另外，如图14所示，在绕射光栅2上形成有一定间距的平行于X轴的光栅。另外，在全息光学元件3上形成具有透镜作用的绕射光栅(图中未示出)。
其次，说明从半导体激光元件1射出的光的传播情况。在图13中，从半导体激光元件1射出的光透过绕射光栅2时，被绕射光栅2沿Y轴方向绕射，分成+1次绕射光、-1次绕射光、以及0次绕射光这样三条光束。另外，+1次绕射光及-1次绕射光沿着Y轴方向即沿着图13中垂直于图纸的方向绕射，所以在图中不能与0次绕射光区别开来表示。0次绕射光被称为主光束，用于获得在信息记录媒体6上记录的信号、以及光学装置和信息记录媒体6的焦点误差信号，±1次绕射光被称为子光束，用于获得跟踪误差信号。这三条光束通过全息光学元件3后入射到准直透镜4上。由准直透镜4形成的平行光被物镜5聚焦在信息记录媒体6上，再被反射到物镜5一侧。
在信息记录媒体6上反射的光沿相反的路径传播，依次分别再射入物镜5、准直透镜4、全息光学元件3。再次入射到全息光学元件3中的光朝向X轴方向偏转并入射到受光元件群7上。由接受主光束及子光束、并与受光元件群7连接的运算元件(图中未示出)分别算出信息记录媒体6上记录的信号、焦点误差信号、以及跟踪误差信号。
另外，在图14中，在区域11中，0次绕射光入射到准直透镜4中，在区域12中，+1次绕射光入射到准直透镜4中，在区域13中，-1次绕射光入射到准直透镜4中。
在现有的光学装置中，通过调节绕射光栅2的光栅深度，能适当地设定绕射效率。所谓绕射光栅深度是指绕射光栅的空间调制程度而言，例如在折射率型绕射光栅的情况下，是指折射率的空间调制的大小。
图15是表示绕射光栅2的绕射光栅深度和0次绕射光的绕射效率的关系曲线(线X)、以及绕射光栅2的绕射光栅深度和±1次绕射光的绕射效率的关系曲线(线Y)。由图15可知，如果使±1次绕射光的绕射效率增大，则与此相反，0次绕射光的绕射效率下降。从能量守恒法则来看，这是必然的。
因此，要使主光束及子光束两者的光量都增加，则不能同时提高两者的S/N比。
另外，在现有的光学装置中存在这样的缺点由于信息记录媒体6上的记录道方向的倾斜，根据信息记录媒体6上的子光束光点，对信号进行差动运算获得的跟踪误差信号发生偏移。该偏移是由于在半导体激光元件1的端面或绕射光栅2或全息光学元件3或信息记录媒体6等之间产生的多次反射引起的。
用图16说明发生该现象的机理之一例。图16(a)、图16(b)中的X轴、Y轴、Z轴的方向分别与图13中的X轴、Y轴、Z轴的方向对应。为了使附图简化，除了半导体激光元件1、绕射光栅2、信息记录媒体6以外，图中未示出其他构成要素。信息记录媒体6的记录面相对于用虚线表示的水平面绕X轴倾斜角度δ。在图16中，点A及点B表示照射在信息记录媒体6上的激光光点，点C表示激光的出射点，点D表示半导体激光器1的端面上的来自信息记录媒体6的返回光的光点。
如图16(a)所示，从半导体激光器1的出射点C射出的光在信息记录媒体6上的光点B处反射，被绕射光栅2绕射后返回到半导体激光器1的端面上的光点D处。在这里被反射后，再次绕射了绕射光栅2的光到达信息记录媒体6上的光点A处(光路1C→B→D→A)。被这样多次反射的光到达图中未示出的受光元件群7上。其结果，与通过原来的光路到达受光元件群7的光之间由于光程差而产生相位差，两者互相干涉。
另外，如图16(b)所示，从半导体激光器1的出射点C射出的光在信息记录媒体6上的光点A处反射，绕射了绕射光栅2后返回到半导体激光器1的端面上的光点D处。在这里被反射后，再次绕射了绕射光栅2的光到达信息记录媒体6上的光点A处(光路2C→A→D→A)。这时也一样，被这样多次反射的光到达图中未示出的受光元件群7上。其结果，与通过原来的光路到达受光元件群7的光之间由于光程差而产生相位差，两者互相干涉。
另外，上述干涉的程度(干涉强度)随着与信息记录媒体6上的记录道方向的倾斜角度δ对应的相位差的不同而变化。因此，存在基于子光束光点的信号强度变化，致使跟踪误差信号产生偏移的问题。
同样有时主光束和子光束之间也会由于多次反射而产生干涉，存在再生信号及跟踪误差信号的S/N比劣化的问题。
因此本发明的目的在于提供一种即使不增加半导体激光元件1本身的发光能力，也能分别增加主光束及子光束的光量，能同时提高两者的S/N比的光学装置。
本发明的另一个目的在于提供一种通过抑制信息记录媒体和光学装置中使用的光学零件之间产生的多次反射，减少跟踪误差信号的偏移，同时通过抑制主光束和子光束之间的干涉，能提高再生信号或跟踪误差信号的S/N比的光学装置。
本发明的光学装置有发光元件、将从上述发光元件射出的光分成多条光束用的绕射光栅、以及使通过了上述绕射光栅的光聚焦用的聚焦装置，上述绕射光栅有绕射效率互不相同的第一光栅区及第二光栅区。
本发明的光学装置中的绕射光栅由于分别独立地设定使主光束通过用的第一光栅区、以及使子光束通过用的第二光栅区的绕射效率，所以能增加光的利用效率。
另外，本发明的光学装置中的绕射光栅通过设定第一及第二光栅区的绕射效率，以便使主光束通过用的第一光栅区的±1次绕射光的绕射效率比第二光栅区的±1次绕射光的绕射效率低，能抑制信息记录媒体和光学装置中使用的光学零件之间的多次反射。其结果，能减少跟踪误差信号的偏差。另外，还能抑制主光束和子光束之间的干涉。这种效果和上述的提高光的利用效率的效果相辅相成，能进一步提高再生信号或跟踪误差信号的S/N比。
图1是表示本发明的实施例1的光学装置中的绕射光栅的2表示本发明的实施例1的光学装置中的绕射光栅的另一结构例，图2(a)是平面图，图2(b)～(d)是沿图2(a)中的I-I线的箭头方向看到的剖面3表示本发明的实施例1的光学装置中的绕射光栅的另一结构例图4是表示本发明的实施例1的光学装置的5是表示本发明的实施例1的光学装置的6是表示本发明的实施例1的光学装置的7是表示本发明的实施例1的光学装置的8是表示本发明的实施例1的光学装置的9是表示本发明的实施例1的光学装置的10是表示本发明的实施例1的光学装置的11是表示本发明的实施例1的光学装置的12表示本发明的实施例2的光学装置中的绕射光栅的13表示本发明的及现有的光学装置的14是表示现有的光学装置中的绕射光栅的15是表示现有的绕射光栅的光栅深度和绕射效率的关系曲线16是说明信息记录媒体和光学装置之间的多次反射用的图其次，用图1至图12说明本发明的实施例。
(实施例1)以下，说明本发明的实施例1的光学装置。
实施例1的光学装置的结构与用图13说明过的现有的光学装置的结构基本上相同，但本发明的实施例1的绕射光栅2的结构在以下方面与现有的绕射光栅不同。
图1(a)是实施例1的光学装置中的绕射光栅2的平面图，图1中的X轴、Y轴、Z轴的方向分别与图13中的X轴、Y轴、Z轴的方向对应。在图1(a)中，绕射光栅2有平行于X轴的呈带状的第一光栅区8、以及在第一光栅区8的两外侧形成的第二光栅区9，第一光栅区8和第二光栅区9具有互不相同的绕射效率。第一光栅区8中的光栅及第二光栅区9中的光栅平行于呈带状的第一光栅区8，即平行于X轴。另外，第一光栅区8及第二光栅区9中的光栅的条纹间距相同。
如图1(a)所示，在区域11中0次绕射光入射到准直透镜4中，在区域12中+1次绕射光入射到准直透镜4中，在区域13中-1次绕射光入射到准直透镜4中。
这样配置绕射光栅2使从图13中的半导体激光器1射出的激光的光轴通过第一光栅区8的中央部分，通过了第一光栅区8的0次绕射光作为主光束，另外，在第二光栅区9中绕射的±1次绕射光作为子光束用。这样，实施例1的光学装置中的绕射光栅2被分成生成主光束用的第一光栅区8和生成子光束用的第二光栅区9，在各自的区域通过独立地调节光栅深度，能分别独立地设定0次绕射光及±1次绕射光的绕射效率。因此，即使提高第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率，也不会影响在第二光栅区9中生成的±1次绕射光的强度，另外，即使提高第二光栅区9的±1次绕射光的绕射效率，也不会影响在第一光栅区8中生成的0次绕射光的强度。
根据以上的理由，在实施例1的光学装置中，为了使在第一光栅区8中生成的0次绕射光的强度较大，另外，使在第二光栅区9中生成的±1次绕射光的强度较大，所以设定第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率比第二光栅区9的0次绕射光的绕射效率大。因此，能提高光的利用效率。另外，不提高半导体激光元件1本身的发光强度，也能增加主光束及子光束两者的光量，能提高两者的S/N比。就是说，为了增大第一光栅区8的0次的绕射效率，而减少±1次的绕射效率。因此，能抑制例如图16(a)所示的光路1(C→B→D→A)及图16(b)所示的光路2(C→A→D→A)的多次反射的影响，所以能减少主光束和子光束之间的干涉效果。因此，这种效果和提高光的利用效率的效果相辅相成，能提高再生信号及跟踪误差信号的S/N比。另外，由于同样的理由，还能降低跟踪误差信号的偏移。
另外，第一光栅区8的光栅间距和第二光栅区9的光栅间距既可以相同，也可以不同。
另外，第一光栅区8和第二光栅区9也可以如图2所示构成。图2(a)是绕射光栅2的平面图，图2(b)～(d)是沿图2(a)中的I-I线箭头方向看到的剖面图。在图2(b)～(d)中，虚线表示反复形成同样的形状。
例如，第一光栅区8的绕射光栅的深度和第二光栅区9的绕射光栅的深度也可以不同。例如，如图2(b)所示，在使第一光栅区8的绕射光栅的深度比第二光栅区9的绕射光栅的深度小的情况下，能将第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率设定得比第二光栅区9的0次绕射光的绕射效率大。
另外，也可以是第一光栅区8的绕射光栅的深度、或第二光栅区9的绕射光栅的深度以一定的周期呈台阶式的变化。例如，如图2(c)所示，在使第一光栅区8的绕射光栅的深度呈台阶式的变化，同时使第一光栅区8的绕射光栅的深度比第二光栅区9的绕射光栅的深度小的情况下，能将第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率设定得比第二光栅区9的0次绕射光的绕射效率大，所以能提高光的利用效率。另外，由于呈台阶状、模拟式的闪光栅(ブレ-ズ)化，所以能抑制-1次绕射光的发生。即，更能提高光栅区8的0次绕射光的绕射效率，所以能提高光的利用效率，同时能抑制主光束和子光束的干涉效应，所以能提高再生信号及跟踪误差信号的S/N比。
另外，如图2(d)所示，如果使第一光栅区8的光栅呈闪光栅状(锯齿状)，则能完全抑制-1次绕射光的发生，所以更能提高再生信号及跟踪误差信号的S/N比。
另外，第一光栅区8和第二光栅区9的绕射光栅图形也可以不同。例如，如图3(a)所示，如果在第一光栅区8中形成曲线状的绕射光栅，则使来自信息记录媒体6的主光束的返回光聚焦绕射后，能检测导向受光元件的再生信号。另外，如图3(b)所示，也可以用形成了光栅方向互不相同的光栅的多个区域构成第一光栅区8。
另外，也可以使第一光栅区8呈带状，这样形成第二光栅区9使绕射光栅的方向相对于第一光栅区8的绕射条纹间距的方向倾斜规定角度。如果这样处理，不仅能设定第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率比第二光栅区9的0次绕射光的绕射效率大，而且在例如用3光束法检测跟踪误差信号的情况下，具有能容易地实现使主光束和子光束的聚焦光点相距记录道间距的1/4的距离配置在信息记录媒体6上的效果。
另外，在本实施例中，如图1(a)所示，虽然说明了区域12或区域13重叠在第一光栅区8上的情况，但如图1(b)所示，如果这样设计光学系统在第二光栅区9内形成区域12及区域13，则全部子光束都能通过第二光栅区9。因此，子光束的强度与第一光栅区8的绕射效率的大小完全无关，所以不用考虑子光束的强度，能自由地设定第一光栅区8的绕射效率。
另外，假设从半导体激光元件1的发光点到绕射光栅2的距离为d，准直透镜4的数值孔径为NA时，如果使第一光栅区8沿Y轴方向的宽度为2d tan(sin-1(NA))以上，则只有通过第一光栅区8的0次绕射光成为主光束。因此，由于主光束的强度与第二光栅区域9的绕射大小完全无关，所以可不考虑子光束的强度而自由设定第一光栅区域8的绕射效率。
在本实施例中，虽然说明了具有包括准直透镜4及物镜5的无限远系统型的光学系统的光学装置，但即使采用只使用物镜5的有限远系统型的光学系统，也同样能实施。
另外，如图4所示，如果将绕射光栅2及全息光学元件3集成为一个整体，则能减少光学零件个数，光学装置能小型化、薄型化。
另外，如图5所示，如果将半导体激光元件1和受光元件群7配置在同一个外壳14中，同时利用将绕射光栅2和全息光学元件3集成为一个整体的光学零件封闭外壳14，则能使光学装置小型化、薄型化，同时能大幅度提高光学装置的可靠性。
另外，如图6所示，如果将半导体激光元件1和受光元件群7集成在一个硅基板15上构成一个整体，则与将单个的元件配置在外壳14内部的情况相比较，组装工序变得容易了。另外，如果采用半导体精细加工技术，则能将对来自受光元件群7的电信号变换成电流电压或进行计算的集成电路也同时集成在基板15上。因此，能降低由配置在光学装置内的布线引起的噪声，所以能实现S/N比好的光学装置。另外，在该集成化过程中这样实施采用半导体精细加工技术，在硅基板15上形成全部受光元件群7之后，进行芯片接合，混合构成。在此情况下，在半导体激光元件1为面发光型的情况下，可以使发光面朝上进行芯片接合，但在半导体激光元件1为端面出射型的情况下，如图7所示，采用半导体精细加工技术，在基板15上形成凹部，将半导体激光元件1接合在其内部即可。
另外，在凹部内形成倾斜45°的面，在该面上蒸镀金属或电介质膜等，形成微型反射镜17，来自半导体激光元件1的出射光被微型反射镜17反射，所以能沿上部方向取出光。
另外如果采用半导体精细加工技术，则能在其中制作监视用受光元件16，用来接受半导体激光元件1的出射光中朝向与微型反射镜17相反一侧射出的光，进行半导体激光元件1的输出调整。如果采用该结构，则能将半导体激光元件1的光输出经常调整在最佳状态，具有能抑制由于光的过剩输出引起的电力浪费的效果。
另一方面，采用半导体异质外延技术，在硅基板15上单片地形成化合物半导体层(图中未示出)，还可以采用在硅基板15或化合物半导体层上形成半导体激光元件1及受光元件群7的方法实施。在此情况下，也可以不使用硅基板15，只在化合物半导体层上集成为一体形成半导体激光元件1及受光元件群7。
另外，在本实施例中，虽然说明了利用全息光学元件3的+1次绕射光及-1次绕射光两者，检测再生信号及各种伺服信号的光学装置，但如图8所示，如果只利用全息光学元件3的+1次绕射光或-1次绕射光，检测再生信号及各种伺服信号，由于能减少构成受光元件群7的受光元件的个数，所以能降低光学装置的成本。
另外，如图9所示，除了图1中的光学装置的结构外，通过再设置偏振光束分支装置18、反射体19、偏振光分离装置20、偏振信号检测用受光元件群21，能检测光磁信号。在图9中，入射到偏振光束分支装置18的来自信息记录媒体6的反射光被分支到全息光学元件3的方向及反射体19的方向。如上面所述，被分支到全息光学元件3的方向的反射光由上述全息光学元件3绕射并聚焦在受光元件群7上，计算并检测伺服信号。
另一方面，由偏振光束分支装置18分支的返回光中被分支到反射体19上的光被反射体19反射后，在偏振光分离装置20中被分离成P偏振光和S偏振光，并被导向偏振信号检测用受光元件群21，算出再生信号。因此，一般说来，由于能提高光利用效率不好的光磁信号检测用光学装置的光利用效率，所以能用低功率型半导体激光元件工作。另外，通过提高再生信号的S/N比，能获得高品质的再生信号。就是说，由于第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率增大，所以±1次绕射光的绕射效率减小。因此，由于能抑制多次反射的影响，所以主光束和子光束之间的干涉效果减小。因此，这种效果和提高光的利用效率的效果相辅相成，能提高再生信号及跟踪误差信号的S/N比。另外，由于同样的理由，还能降低跟踪误差信号的偏移。
另外，如图10所示，如果将偏振光束分支装置18、反射体19和偏振光分离装置20集成为一个整体，则能减少光学零件个数，所以光学装置能小型化、薄型化、低成本化。
另外，如图11所示，如果将半导体激光元件1、受光元件群7和偏振信号检测用受光元件群21集成在基板15上，配置在外壳14内，同时利用将绕射光栅2和全息光学元件3集成为一个整体的光学零件封闭外壳14，另外将偏振光束分支装置18、反射体19和偏振光分离装置20集成为一个整体，并安装集成在将绕射光栅2和全息光学元件3集成为一个整体的光学零件上，则能使光学装置小型化、薄型化，同时能大幅度提高光学装置的可靠性。
另外，在以上说明中，虽然给出了对信息记录媒体进行再生/记录用的光学装置的使用例，但在其他光学信息处理系统中也能使用本结构的光学装置。
(实施例2)其次，说明本发明的实施例2的光学装置。
实施例2的光学装置的结构基本上与实施例1的光学装置的结构相同，但本发明的实施例2的绕射光栅2的结构在以下方面与实施例1的不同。
图12是实施例2的光学装置中的绕射光栅2的平面图，图1中的X轴、Y轴、Z轴的方向分别与图13中的X轴、Y轴、Z轴的方向对应。在图12中，在绕射光栅2上形成平行于X轴、有一定间距的光栅。但是，在绕射光栅2的中央部分形成平行于X轴的呈带状的不存在光栅的无栅区10。
可是，形成了无栅区10的地方相当于实施例1的绕射光栅2中形成了第一光栅区8的地方。如在实施例1中所述，通过实施例1的绕射光栅2的第一光栅区8的0次绕射光被作为主光束用，为了提高主光束的强度，最好使第一光栅区8的0次绕射光的绕射效率为100％。结果，在形成了实施例1的第一光栅区8的区域不形成光栅，即等效于设置实施例2中的无栅区。
如上所述，由于在绕射光栅2的中央部形成无栅区，所以能最大限度地提高主光束的强度。而且，第一光栅区8为无栅区，所以不发生±1次绕射光。因此，能完全出去由于例如图16(a)所示的光路1(C→B→D→A)及图16(b)所示的光路2(C→A→D→A)的多次反射发生的主光束和子光束之间的干涉产生的噪声分量。因此，能大幅度提高再生信号及跟踪误差信号的S/N比。另外，还能降低跟踪误差信号的偏移。
另外，实施例1中所示的各种应用例在本实施例2同样也能适用。另外，也可以将本实施例2的光学装置用于对信息记录媒体进行再生/记录用的系统以外的光信息处理系统。
另外，也可以使绕射光栅2的光栅相对于呈带状形成的无栅区10倾斜规定角度。
如上所述，本发明的光学装置由于由按照不同的目的将使半导体激光元件射出的光分支的绕射光栅分成的多个绕射光栅区构成，所以不提高半导体激光元件本身的发光强度，也能增加主光束及子光束两者的光量，能同时提高两者的S/N比。
另外，本发明的光学装置由于使主光束通过用的第一光栅区的±1次的绕射效率比第二光栅区的±1次的绕射效率低，能抑制信息记录媒体和半导体激光元件等之间的多次反射，所以能减少跟踪误差信号的偏差。
权利要求
1.一种光学装置，其特征在于有发光元件、将从上述发光元件射出的光分成多条光束用的绕射光栅、以及使通过了上述绕射光栅的光聚焦用的聚焦装置，上述绕射光栅有绕射效率互不相同的第一光栅区及第二光栅区。
2.一种光学装置，其特征在于有将光照射在信息记录媒体上用的发光元件、将从上述发光元件射出的光分成多条光束用的绕射光栅、将由上述绕射光栅分支出来的上述多条光束聚焦在上述信息记录媒体上用的聚焦装置、使从上述信息记录媒体反射的光偏向用的光偏向装置、以及接受由上述光偏向装置偏向的上述多条光束用的受光元件，上述绕射光栅有绕射效率互不相同的第一光栅区及第二光栅区。
3.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区的绕射光栅深度与上述第二光栅区的绕射光栅深度不同。
4.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区的绕射光栅深度及/或上述第二光栅区的绕射光栅深度以一定的周期呈台阶式的变化。
5.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区的绕射光栅及/或上述第二光栅区的绕射光栅呈闪光栅状。
6.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区的绕射光栅图形和上述第二光栅区的绕射光栅图形不同。
7.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区的0次绕射光的绕射效率比上述第二光栅区的0次绕射光的绕射效率大。
8.根据权利要求2所述的光学装置，其特征在于将上述第一光栅区的0次绕射光作为记录或再生上述信息记录媒体上记录的信息信号用的主光束用，将上述第二光栅区的+1次及/或-1次绕射光作为检测跟踪误差信号用的子光束用，使上述全部子光束通过上述第二光栅区。
9.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区呈带状形成，上述第一光栅区中的光栅和上述第二光栅区中的光栅与上述呈带状形成的上述第一光栅区平行地形成。
10.根据权利要求1或2所述的光学装置，其特征在于上述第一光栅区呈带状形成，上述第一光栅区中的光栅及/或上述第二光栅区中的光栅相对于上述呈带状形成的上述第一光栅区倾斜规定角度形成。
11.一种光学装置，其特征在于有发光元件、将从上述发光元件射出的光分成多条光束用的绕射光栅、以及使通过了上述绕射光栅的光聚焦用的聚焦装置，上述绕射光栅有无栅区，通过了上述无栅区的光的一部分或全部入射到上述聚焦装置上。
12.一种光学装置，其特征在于有将光照射在信息记录媒体上用的发光元件、将从上述发光元件射出的光分成多条光束用的绕射光栅、将由上述绕射光栅分支出来的上述多条光束聚焦在上述信息记录媒体上用的聚焦装置、使从上述信息记录媒体反射的光偏向用的光偏向装置、以及接受由上述光偏向装置偏向的上述多条光束用的受光元件，上述绕射光栅有无栅区，通过了上述无栅区的光的一部分或全部入射到上述聚焦装置上。
13.根据权利要求11或12所述的光学装置，其特征在于上述绕射光栅深度以一定的周期呈台阶式的变化。
14.根据权利要求11或12所述的光学装置，其特征在于上述绕射光栅呈闪光栅状。
15.根据权利要求11或12所述的光学装置，其特征在于调节上述绕射光栅的绕射效率，以便使通过上述绕射光栅的上述无栅区以外的区域后入射到上述聚焦装置上的光量为最大。
16.根据权利要求12所述的光学装置，其特征在于将通过上述无栅区的光作为记录或再生上述信息记录媒体上记录的信息信号用的主光束用，将上述绕射光栅上的+1次及/或-1次绕射光作为检测跟踪误差信号用的子光束用，使上述子光束通过除了上述无栅区以外的上述绕射光栅区域。
17.根据权利要求11或12所述的光学装置，其特征在于上述无栅区呈带状形成，上述绕射光栅的光栅与上述呈带状形成的上述无栅区平行地形成。
18.根据权利要求11或12所述的光学装置，其特征在于上述无栅区呈带状形成，上述绕射光栅的光栅相对于上述呈带状形成的上述无栅区倾斜规定角度形成。
19.根据权利要求2或12所述的光学装置，其特征在于还备有运算放大来自上述受光元件的电信号的电路。
20.根据权利要求2或12所述的光学装置，其特征在于上述光偏向装置是具有透镜作用的绕射光栅。
21.根据权利要求2或12所述的光学装置，其特征在于还具有偏振光束分支装置。
22.根据权利要求2或12所述的光学装置，其特征在于至少上述发光元件和上述受光元件被集成配置在同一框体中。
全文摘要
本发明的光学装置有:发光元件(1)、绕射光栅(2)、聚焦装置(5)、光偏向装置(3)、以及受光元件(7)。绕射光栅有绕射效率互不相同的第一光栅区及第二光栅区;将第一光栅区的0次绕射光作为信息信号再生用的主光束用,将第二光栅区的+1次及/或－1次绕射光作为跟踪误差信号再生用的子光束用。因此,即使不增加发光元件的发光能力,也能分别增加主光束及子光束的光量,能同时提高两者的S/N比。
文档编号G11B7/12GK1271933SQ0010708
公开日2000年11月1日 申请日期2000年4月28日 优先权日1999年4月28日
发明者高须贺祥一, 井岛新一, 中西秀行, 吉川昭男, 中西直树 申请人:松下电子工业株式会社