基底的加工装置的制作方法

文档序号:15541747发布日期:2018-09-28 19:49阅读:208来源:国知局

本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种基底的加工装置。



背景技术:

在半导体制造过程中,光刻工艺处于中心的地位,是集成电路生产中最重要的工艺步骤。半导体芯片的制作通常分为多层,在芯片制造前,先根据芯片上每一层的器件、金属线、连接等的布局,设计制作一个或多个掩膜版(mask),然后,再利用光刻工艺将该光刻掩膜板上的图形转移到晶片上。

其中的光刻掩膜板,也称为掩模版或者光罩,是一种对于曝光光线具有透光性的透光基板,其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形,可实现有选择地遮挡照射到晶片表面光刻胶上的光,并最终在晶片表面的光刻胶上形成相应的图案。实际生产中,掩膜版的清洁是半导体制作中关注的重点问题之一。

现有大多将掩膜版浸泡至IPA溶液(异丙醇溶液)中实现异物的清理。如图1所示,掩膜版1自盛放IPA溶液的槽体2中取出的过程中,一般利用出口处的风刀3对其进行吹干。然而,IPA的挥发性很强,残留于掩膜版1上的IPA液体会挥发,造成槽体2四周的IPA浓度超标,存在较大的安全隐患。在业界,已有通过对槽体2四周进行抽气,可以消除扩散在槽体2四周的IPA气体。但是,该做法存在一定的局限性。



技术实现要素:

有鉴于此,本实用新型提供一种基底的加工装置,能够从源头上降低容器内危险化学品所形成之危险气体的浓度,以此降低扩散于容器四周的危险气体浓度,最终消除安全隐患。

根据本实用新型的一个方面,提供了一种基底的加工装置,包括用于盛放浸泡所述基底的一危险化学品的一容器,且所述容器上开设有至少一个抽气孔。

优选地,所述加工装置还包括用于对所述容器内部进行抽气的一抽气机构,所述抽气机构设于所述容器外并与所述抽气孔连接。

优选地,所述基底为一掩膜版,且所述危险化学品为异丙醇溶液。

优选地,所述抽气机构包括抽气管道以及与所述抽气管道连接的抽气泵,所述抽气管道还与所述抽气孔连接。

优选地,所述抽气机构还与一厂务端连接。

优选地,至少一个所述抽气孔设置于所述容器的底部。

优选地,所述抽气孔具有进口和出口,且所述进口和/或所述出口处设置有一个阀门。

优选地,所述加工装置还包括设置于所述容器外围的一罩子,且所述罩子与所述容器之间存在一容置空间,所述容置空间与所述罩子上的至少一个抽气孔连通。

优选地,所述容器具有一开口,所述加工装置还包括设于所述容器外部的一吹扫机构,所述吹扫机构设于所述开口处并用于向所述开口吹气。

优选地,多个所述吹扫机构相对设置于所述开口处。

根据本实用新型提供的技术方案,所述加工装置包括用于盛放浸泡基底之危险化学品的容器,且所述容器上开设了至少一个抽气孔,将该抽气孔可与抽气机构进行连接,便可以将容器内因危险化学品散发形成之危险气体及时排走,且也不会造成危险气体的回流,因此,可以有效的降低容器内的危险气体的浓度,进而同步降低扩散于容器四周的危险气体的浓度,最终消除安全隐患。

在一个优选的实施例中,所述基底为掩膜版,且所述危险化学品为异丙醇溶液,通过异丙醇溶液的浸泡可以去除掩膜版上的异物,达到清洁的目的,并通过抽气孔和抽气机构可以有效降低异丙醇溶液挥发形成的IPA气体的浓度,确保生产安全。

附图说明

图1是现有的掩膜版的清洁装置的结构示意图;

图2是本实用新型一实施例提供的基底的加工装置的结构示意图。

图中:

掩膜版-1,槽体-2,风刀-3;

加工装置-10,容器-11,抽气机构-12,抽气孔-121,阀门-122、124,抽气泵-123,吹扫机构-13,基底-20。

具体实施方式

根据背景技术所提供的图1,发明人研究发现,其中的风刀3在吹干掩膜版1的过程中,还会引起IPA气体回流进入槽体2内部,而槽内的IPA气体通常在取放掩膜版1时易扩散至外部,因此,若不及时将槽内的IPA气体排走,不仅容易造成槽体四周的IPA气体浓度超标,而且还容易导致槽内的IPA气体浓度超标,存在较大的安全隐患。

基于此,本实用新型提供了一种基底的加工装置,能够从源头上降低容器内危险化学品所形成之危险气体的浓度,以此根本上控制扩散于容器四周的危险气体的浓度,从而有效的消除因危险气体浓度超标且不易有效的降低所带来的安全隐患。

以下结合附图2以及具体实施例对本实用新型提出的基底的加工装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

如在本说明书中所使用的,单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象,除非内容另外明确指出外。如在本说明书中所使用的,术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的,除非内容另外明确指出外。

图2是本实用新型一实施例提供的基底的加工装置的结构示意图,如图2所示,一种加工装置10,用于实现基底20之相关工艺处理,工艺处理方式包括但不限于掩膜版的清洁,还可以是需要将基底20浸泡之溶液中而实现工艺目的其它处理方式。因此,所述基底20包括但不限于掩膜版。

进一步,所述加工装置10包括一个容器11,所述容器11可以盛放浸泡基底20的危险化学品。危险化学品是指具有毒害、腐蚀、爆炸、燃烧、助燃等性质,对人体、设施、环境具有危害的剧毒化学品和其他化学品,本实施例的危险化学品特指易燃和易爆的化学品。本实施例中,危险化学品尤其是指用于清洁掩膜版的IPA溶液(即异丙醇溶液),通过IPA溶液来浸泡掩膜版可以有效的去除掩膜版上的异物(particle)。因此,在生产过程中,需要严格对危险化学品产生的危险气体之浓度进行管控,以此确保生产安全。

更进一步,为了排气,所述容器11之腔壁上设有至少一个抽气孔121,且所述抽气孔121优选与一个抽气机构12连接。所述抽气机构12用于通过所述抽气孔121对容器11的内部进行抽气,以及时吸走容器11内所聚集的危险气体。然而,所述抽气孔121的开设位置不限于图中所示的容器11之底部,还可以是侧壁、顶部等,但为了确保抽气效果,优选至少一个抽气孔121设于容器11之底部。

实际使用时,首先可将液态的危险化学品装入容器11中并进行密封,然后,将基底20放入容器11内浸泡若干时间,待浸泡完毕后,预先将容器11内液态的危险化学品排走,之后,再打开抽气机构12开始抽风,且优选在抽风的同时取出基底20,可以节省工序,降低生产时间,提高生产效率。

由此可见,通过在容器11上开设一个或多个抽气孔121,以及将抽气孔121优选与抽气机构12进行连接,便于将容器11内聚集的危险气体及时吸走,且在取出基底20的过程中也不会造成危险气体的回流,因此,可以有效的降低容器内的危险气体的浓度,进而同步降低扩散于容器11四周的危险气体的浓度,最终消除安全隐患。

如若所述抽气孔121设置为多个,优选多个抽气孔121设于容器11之侧面、底部等位置。本实施例中,所述抽气孔121具有进口和出口,所述进口靠近容器11的内壁,所述出口靠近容器11的外壁,优选的,在所述进口和所述出口中的至少一个处设置一个阀门122,以借助阀门122来控制抽气孔121的打开或关闭。可选的,所述阀门122为流量阀,可以调节气体的流量,从而调整抽气的速度。

进一步,所述抽气机构12可包括与抽气孔121连接的抽气管道,连接方式不限于固定连接还可以是可拆卸的连接。抽气管道优选耐腐蚀、排静电的材质。更进一步,所述抽气机构12还可包括与抽气管道连接的抽气泵123。再进一步,为了避免污染环境,所述抽气泵123排走的危险气体进一步进入厂务端进行无害化处理。

本实施例中,所述容器11具有一开口,具体可位于容器的顶部,且所述开口处设置有一个盖子(未图示),用于密封所述容器11,且可用于通过所述开口取放基底20。特别的,所述容器11的外部并于所述开口处设置有至少一个吹扫机构13,所述吹扫机构13用于向开口处吹气,以除去基底20上附着的危险化学品,达到干燥、清洗的目的。多个所述吹扫机构13可于开口处相对设置,但吹扫机构13的实现形式不限于风刀。

此外,所述加工装置10还可包括驱动基底20运动的提取机构(未图示),所述提取机构用于承载基底20并带动其运动,从而实现基底20的取放。

另外,所述加工装置10还可包括罩设于容器外部的一个罩子(未图示),且所述罩子与容器11之间存在空间以构成一个容置空间,优选的,所述容置空间与罩子上的至少一个抽气孔连通。因此,通过罩子上开设的抽气孔可以将扩散在容器四周的危险气体及时排走。优选的,所述罩子上的所述抽气孔与另设的抽气机构连接,以通过抽气机构将容置空间处的危险气体吸走。同理,吸走的危险气体最终进入厂务端进行无害化处理。再则,所述容器11的腔壁上还可开设进液孔(未图示),通过所述进液孔将液态的危险化学品送入容器11,当然也可通过进液孔将液态的危险化学品排出。类似的,所述进液孔处可设置一个阀门124,控制进液孔的打开或关闭,优选于容器11的外部设置阀门124。

最后,本实用新型实施例提供的加工装置10尤其适合于对掩膜版进行清洁处理,从而有效的降低IPA溶液挥发形成的IPA气体的浓度,以此确保掩膜版清洁工艺的安全。与现有技术相比,通过在盛放异丙醇溶液的容器11上开设抽气孔,可以在取出掩膜版的过程中同步抽气IPA气体,一方面避免IPA气体的回流,另一方面可以将容器内的IPA气体及时排走,降低了IPA气体扩散到容器外的机率,因此,有效的降低了容器四周的IPA气体的浓度,生产安全性高。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述,并非对本实用新型范围的任何限定,本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。

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