极化无关的光电装置的制作方法

本发明的实施例是有关于一种光电装置(optoelectronicdevice)，且特别是有关于一种极化无关(polarizationindependent)的光电装置。

背景技术：

因特网使用的快速扩张已引起对于高速通信链路和装置(包含光链路和装置)的需求。相较于电链路，使用光纤的光链路具有许多优点：较大带宽、较高抗噪声度、降低功率耗散以及极小串扰。由硅制成的光电集成电路是有利的，这是因为其可在用于制成极大规模集成(very-largescaleintegrated；vlsi)电路的相同铸造厂中制造。光通信技术通常以1.3微米(μm)和1.55微米的红外波长频带操作。归因于硅在1.3微米和1.55微米的红外波长频带中的透明度和硅的高折射率，硅的光学性质较适用于传输光信号。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种极化无关的光电装置，包括：散射结构，布置成沿第一散射轴以及沿第二散射轴同时对入射电磁辐射进行散射，其中所述第一散射轴与所述第二散射轴非正交；以及收集结构，收集所述散射的电磁辐射，其中所述收集结构包括与所述第一散射轴对准的第一输入端口以及与所述第二散射轴对准的第二输入端口。

附图说明

在结合附图阅读时，根据以下详细描述最好地理解本公开的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的光电装置的俯视图；

图2示出根据一些实施例的包括与收集结构相关联的光合路器的光电装置的俯视图；

图3示出根据一些实施例的包括与收集结构相关联的电组合电路的光电装置的俯视图；

图4示出根据一些实施例的包括相位调谐元件的电组合电路的电路图；

图5a示出根据一些实施例的相位调谐元件的电路图；

图5b示出根据一些实施例的相位调谐元件的电路图；

图6示出根据一些实施例的包括多个输入端口和相关联的光检测器的光电装置的俯视图；

图7到图15示出根据一些实施例的散射结构的视图；

图16示出根据一些实施例的用于使散射电磁辐射相位对准的方法的流程图；

附图标号说明：

100：光电装置；

105、105a、105b、105c、105d、105e：散射结构；

110：收集结构；

115：介质；

120：电磁辐射；

125a、125b、125c：散射轴；

130、130(1)、130(2)、130(3)、130(4)、130(5)、130(6)：输入端口；

135：中心点；

140(1)、140(2)：径向位置；

145：倾斜角；

200：光合路器；

205、305、305(1)、305(2)、305(3)、305(4)、305(5)、305(6)：光检测器；

300、400：电组合电路；

310、410：放大器；

405：相位调谐元件；

415：控制器；

505、520：延迟级；

510：电阻器；

515、530：电容器；

525：电感器；

700、800、900、1200、1400：柱；

705、805、905、1205、1405：栅格；

900a、1200a、1400a：下部部件；

900b、1200b、1400b(1)、1400b(2)、1400b(3)：上部部件；

1100：块状半导体层；

1105：内埋式绝缘层；

1110：第一半导体层；

1115：第二半导体层；

1210：开口；

1600：方法；

1605、1610、1615：步骤；

11-11：线；

pd-1、pd-2、pd-3、pd-4、pd-5…pd-n：光检测器；

ptg-1、ptg-2、ptg-3、ptg-4、ptg-5…ptg-n：相位调谐元件。

具体实施方式

以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的多个不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各个实例中重复附图标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

另外，为易于描述，本文中可使用空间相对术语，例如“在…下面”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等等来描述如图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。

举例来说，光电装置用于通过介质，例如光纤电缆来传送光信号。在介质的接收端上，光电接收器收集入射电磁辐射并进行光到电转化来允许处理入射电磁辐射上携载的信息。在一些实施例中，一种光电装置包括对入射电磁辐射进行散射的散射结构和收集结构，所述收集结构包括在散射结构附近安置的输入端口以收集散射电磁辐射。将所收集散射电磁辐射提供到一个或多个光检测器以进行光到电转化。在一些实施例中，输入端口安置在围绕散射结构的周边的不同径向位置处，其中所述径向位置相对于散射结构的中心点来限定倾斜角。在一些实施例中，散射结构沿非正交散射轴同时对入射电磁辐射进行散射，且输入端口通过非正交散射轴在收集结构中对准。在一些实施例中，离开介质的入射电磁辐射经竖直极化。然而，不确定撞击于收集结构上的经竖直极化的电磁辐射的正交分量的特定定向。如下文将详细地描述，收集结构中的输入端口的相对安置增强光电装置的极化无关性。

现参看图1，示出根据一些实施例的光电装置100的一部分的俯视图。光电装置100包括散射结构105和收集结构110。在一些实施例中，例如光纤电缆等等的介质115在光电装置100附近终止。电磁辐射120离开介质115且撞击于散射结构105上。将从散射结构105反射的电磁辐射接收到收集结构110中。在一些实施例中，介质115以相对于包括散射结构105的水平平面的倾斜角来安置。根据一些实施例，散射结构105的宽度尺寸和长度尺寸是介质115的对应宽度尺寸和长度尺寸的约两倍。在一些实施例中，电磁辐射120经竖直极化。“经竖直极化”的电磁波包括电场向量和在相对于电场向量的直角处的磁场向量。电场向量和磁场向量都垂直于传播方向。根据一些实施例，散射结构105沿相对于彼此非正交的散射轴125a、散射轴125b、散射轴125c对电磁辐射120进行散射。在一些实施例中，散射轴125a、散射轴125b、散射轴125c的数目和定向改变。根据一些实施例，某些散射轴彼此正交，但不与其它散射轴正交，使得至少第一散射轴125a相对于至少第二散射轴125b非正交。

在一些实施例中，收集结构110包括输入端口130，所述输入端口分别称为输入端口130(1)到输入端口130(n)。在一些实施例中，输入端口130围绕散射结构105的周边安置。在一些实施例中，输入端口130一起连续覆盖散射结构105的整个周边。在一些实施例中，特定邻接输入端口130一起覆盖散射结构105的周边的连续部分。在一些实施例中，输入端口130以非连续方式覆盖散射结构105的周边的部分。在一些实施例中，收集结构110包括至少三个输入端口130。在一些实施例中，收集结构110划分成至少三个区段，每一区段具有至少一个输入端口130。根据一些实施例，输入端口130是硅结构或引导入射电磁辐射的波导。

根据一些实施例，输入端口130相对于散射结构105的中心点135安置在围绕散射结构105的不同径向位置处。举例来说，输入端口130(1)在第一径向位置140(1)处，且输入端口130(2)在第二径向位置140(2)处。径向位置140(1)、径向位置140(2)相对于散射结构105的中心点135来限定倾斜角145。

根据一些实施例，某些输入端口130与散射轴对准。举例来说，输入端口130(3)与散射轴125a的一端对准，且输入端口130(4)与散射轴125a的相对端对准。

参看图2，示出根据一些实施例的包括与收集结构110相关联的光合路器200的光电装置100的俯视图。在一些实施例中，收集结构110包括围绕散射结构105的周边安置的输入端口130(其分别称为输入端口130(1)到输入端口130(n))。输入端口130包括延伸到光合路器200的波导。根据一些实施例，波导到光合路器200的光路径长度大体上相等以使得其中传播的信号是相位对准的。在一些实施例中，输入端口130和相关联的波导包括嵌入于介电材料中的硅结构。在一些实施例中，光合路器200是多模干涉仪，例如6:1多模干涉仪。光合路器200的光输出耦合到光检测器205。光检测器205输出信号，所述信号具有指示由光合路器200输出的电磁辐射的强度的性质。举例来说，在一些实施例中，光检测器205输出电流，所述电流与由光合路器200输出的电磁辐射的强度成正比或以其它方式指示所述强度。作为另一实例，在一些实施例中，光检测器205的输出处所产生的电压与由光合路器200输出的电磁辐射的强度成正比或以其它方式指示所述强度。因此，光检测器205的输出是对由介质115提供的信号的电测量。光检测器205的输出中的转变对应于电磁信号中的边缘。

在一些实施例中，输入端口130(1)、输入端口130(4)与散射轴125a的相对端对准，输入端口130(2)、输入端口130(5)与散射轴125b的相对端对准，以及输入端口130(3)、输入端口130(6)与散射轴125c的相对端对准。根据一些实施例，由散射结构105产生的散射轴125a到散射轴125c的数目和定向对应于输入端口130的数目和位置。在一些实施例中，输入端口130的布局限定散射结构105的周边。举例来说，图2中的散射结构105具有对应于输入端口130的布局的六边形周边。在一些实施例中，散射结构105限定n边多边形，其中n等于收集结构中的输入端口130的数目。在一些实施例中，虽然多边形具有直线边缘，但整体形状相对于散射结构105的中心点近似圆形。

参看图3，根据一些实施例示出包括与收集结构110相关联的电组合电路300的光电装置100的俯视图。在一些实施例中，散射结构105的周边和输入端口130(1)到输入端口130(6)的布局对应于上文参考图2所描述所述周边和布局。在一些实施例中，每一输入端口130(1)到输入端口130(6)耦合到相应光检测器305(1)到光检测器305(6)。在一些实施例中，光检测器305(1)到光检测器305(6)是锗类pin二极管且每一光检测器的尺寸是长度约20微米且宽度约0.5微米。

在一些实施例中，光检测器305(1)到光检测器305(6)耦合到电组合电路300中的放大器310，所述电组合电路产生与电组合电路300的输入处接收的电流的大小成正比的电压。光检测器305(1)到光检测器305(6)中的每一个产生输出信号，所述输出信号指示穿过相关联的输入端口130(1)到输入端口130(6)的电磁辐射或与所述电磁辐射成正比。电组合电路300组合来自光检测器305(1)到光检测器305(6)的单独信号以产生输出信号，所述输出信号提供对由介质115提供的信号的电测量。电组合电路300的输出中的转变对应于电磁信号中的边缘。

参看图4，根据一些实施例示出包括相位调谐元件405的电组合电路400的电路图。在一些实施例中，相位调谐元件405(ptg-1到ptg-n)耦合于光检测器305(pd-1到pd-n)(例如，图3中的光检测器305(1)到光检测器306(6))与放大器410之间。相位调谐元件405允许来自光检测器305的单独信号的相位对准。根据一些实施例，通过测量单独光检测器305之间的相位差并调节由相位调谐元件405产生的可变延迟来配置相位调谐元件405。在一些实施例中，检测每一光检测器305的输出信号的上升边缘或下降边缘。调节由每一相位调谐元件405产生的延迟直到下降边缘或上升边缘在整个光检测器305中相位对准。在一些实施例中，控制器415在光电装置100的操作期间动态地调谐相位调谐元件405。在一些实施例中，相位调谐元件405基于设计阶段期间在光电装置100上进行的特性化测试而被静态地配置。

参看图5a，根据一些实施例示出相位调谐元件405的电路图。在一些实施例中，相位调谐元件405包括将延迟引入通过相位调谐元件405传播的信号中的延迟级505。在一些实施例中，每一延迟级505包括电阻器510和电容器515。在一些实施例中，相位调谐元件405的总延迟通过改变延迟级505的数目来配置。在一些实施例中，电阻器510中的一个或多个是可变电阻器，其中电阻基于施加到电阻器510的例如由控制器415施加的偏置电压而改变。在一些实施例中，电容器515中的一个或多个是可变电容器，其中电容基于施加到电容器515的例如由控制器415施加的偏置电压而改变。

参看图5b，根据一些实施例示出相位调谐元件405的电路图。在一些实施例中，相位调谐元件405包括将延迟引入通过相位调谐元件405传播的信号中的延迟级520。在一些实施例中，每一延迟级520包括电感器525和电容器530。在一些实施例中，相位调谐元件405的总延迟通过改变延迟级520的数目来配置。在一些实施例中，电感器525中的一个或多个是可变电感器，其中电感基于施加到电感器525的例如由控制器415的偏置电压而改变。在一些实施例中，电容器530中的一个或多个是可变电容器，其中电容基于施加到电容器530的例如由控制器415施加的偏置电压而改变。

参看图6，示出根据一些实施例的包括大量输入端口130的光电装置100的俯视图，所述输入端口各自具有相关联的光检测器305。在一些实施例中，图3中示出的电组合电路300耦合到图6中示出的光检测器305。在一些实施例中，图4中示出的电组合电路400耦合到图6中示出的光检测器305。如图6中所见，随着光检测器305的数目增大，散射结构105的周边接近环形形状。根据一些实施例，输入端口130和相关联的光检测器305的数目依据围绕散射结构105的可用电路面积而改变。在一些实施例中，在散射结构105具有约62微米的外围且光检测器305具有约0.5微米的宽度和约2微米的间距的情况下，光检测器305的数目是31。

参看图7到图15，根据一些实施例示出散射结构的各种视图。根据一些实施例，散射结构可用于上文所描述的光电装置100中。

参看图7，根据一些实施例示出散射结构105a的俯视图。在一些实施例中，散射结构105a包括布置于栅格705中的柱700。在一些实施例中，栅格705中的柱700的间隔是周期性的。在一些实施例中，栅格705中的柱700的间隔是不规律的。根据一些实施例，柱700具有环形水平截面形状。柱700的环形水平截面形状造成大量非正交散射轴(未示出)。在一些实施例中，图6的光电装置100采用散射结构105a以促成大量径向安置的输入端口130。

参看图8，根据一些实施例示出散射结构105b的俯视图。在一些实施例中，散射结构105b包括布置于栅格805中的柱800。在一些实施例中，栅格805中的柱800的间隔是周期性的。在一些实施例中，栅格805中的柱800的间隔是不规律的。根据一些实施例，柱800具有三角形水平截面形状。柱800的三角形水平截面形状造成沿散射轴125a、散射轴125b、散射轴125c散射的电磁辐射。在一些实施例中，柱800的每一边缘被称为刻面，其中每一柱具有垂直于散射轴125a、散射轴125b、散射轴125c中的一个定向的至少一个刻面。在一些实施例中，柱800的每一刻面垂直于散射轴125a、散射轴125b、散射轴125c中的不同一个来定向。在一些实施例中，图3和图4中的光电装置100采用散射结构105b。

参看图9到图11，根据一些实施例分别示出散射结构105c的俯视图、等角视图以及截面图。在一些实施例中，散射结构105c包括布置于栅格905中的柱900。在一些实施例中，栅格905中的柱900的间隔是周期性的。在一些实施例中，栅格905中的柱900的间隔是不规律的。根据一些实施例，柱900各自具有下部部件900a和安置于下部部件900a上的上部部件900b。根据一些实施例，下部部件900a与上部部件900b具有不同的水平截面形状。在一些实施例中，下部部件900a具有梯形水平截面形状。在一些实施例中，上部部件900b具有环形水平截面形状。举例来说，改变下部部件900a和上部部件900b的水平截面形状允许产生用于散射结构105c的非正交散射轴的各种布置。在一些实施例中，环形水平截面形状造成朝着收集结构110大体上均匀散射的入射电磁辐射。在一些实施例中，多边形形状用于提供多个散射轴，且随着多边形的面的数目增大，散射特性接近圆形的散射特性。

参看图11，示出根据一些实施例的沿图9中绘示的线11-11的栅格905的截面图。在一些实施例中，散射结构105c形成于具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；soi)配置的衬底上，所述配置包括块状半导体层1100、内埋式绝缘层1105、其中形成下部部件900a的第一半导体层1110以及其中形成上部部件900b的第二半导体层1115。在一些实施例中，第一半导体层1110和第二半导体层1115可包括相同或不同的材料组合物。在一些实施例中，第一半导体层1110和第二半导体层1115是由刻蚀工艺区分的同一半导体层的部分。在一些实施例中，内埋式绝缘层1105暴露于柱900之间。根据一些实施例，进行图案化刻蚀工艺来限定下部部件900a和上部部件900b。在一些实施例中，块状半导体层1100是硅。在一些实施例中，块状半导体层1100是除硅以外的材料，例如硅锗、iii-v化合物半导体材料等等。在一些实施例中，内埋式绝缘层1105是二氧化硅或其它合适的介电质。在一些实施例中，第一半导体层1110和第二半导体层1115是硅。

参看图12到图13，分别示出根据一些实施例的散射结构105d的俯视图和等角视图。在一些实施例中，散射结构105d包括布置于栅格1205中的柱1200。在一些实施例中，栅格1205中的柱1200的间隔是周期性的。在一些实施例中，栅格1205中的柱1200的间隔是不规律的。根据一些实施例，柱1200各自具有下部部件1200a和安置于下部部件1200a上的上部部件1200b。根据一些实施例，柱1200类似于图9到图11中所描述的柱900，除了通过上部部件1200b和下部部件1200a限定开口1210以暴露下方内埋式绝缘层1105(绘示于图11中)以外。

参看图14到图15，分别示出根据一些实施例的散射结构105e的俯视图和等角视图。在一些实施例中，散射结构105e包括布置于栅格1405中的柱1400。在一些实施例中，栅格1405中的柱1400的间隔是周期性的。在一些实施例中，栅格1405中的柱1400的间隔是不规律的。根据一些实施例，柱1400各自具有下部部件1400a和安置于下部部件1400a上的上部部件1400b(1)到上部部件1400b(3)。根据一些实施例，下部部件1400a具有梯形水平截面形状。在一些实施例中，上部部件1400b(1)到上部部件1400b(3)具有三角形水平截面形状。举例来说，改变下部部件1400a和上部部件1400b(1)到上部部件1400b(3)的水平截面形状允许产生用于散射结构105e的非正交散射轴的各种布置。

在一些实施例中，图7到图15中所示出的散射结构实施于半导体晶片上。在一些实施例中，半导体晶片具有绝缘体上半导体(soi)配置，所述配置包括块状半导体层、内埋式绝缘层以及其中形成散射结构的元件的至少一个半导体层。图11示出参考散射结构105c的一个实施例的这种soi衬底。举例来说，相同衬底配置可采用于图7、图8以及图12到图15中所示出的其它散射结构105a、散射结构105b、散射结构105d、散射结构105e。

参看图16，根据一些实施例示出用于使散射电磁辐射相位对准的方法1600的流程图。在步骤1605处，电磁辐射沿第一散射轴散射以产生第一散射电磁辐射且沿第二散射轴散射以产生第二散射电磁辐射。在一些实施例中，第一散射轴与第二散射轴非正交。在步骤1610处，检测第一散射电磁辐射以得到第一经检测辐射，且检测第二散射电磁辐射以得到第二经检测辐射。在步骤1615处，第一经检测辐射与第二经检测辐射相位对准。

在一些实施例中，一种光电装置包括对入射电磁辐射进行散射的散射结构和收集结构，所述收集结构包括在散射结构附近安置的输入端口以收集散射电磁辐射。将所收集散射电磁辐射提供到一个或多个光检测器以进行光到电转化。在一些实施例中，离开介质的入射电磁辐射经竖直极化。然而，不确定撞击于收集结构上的经竖直极化的电磁辐射的正交分量的特定定向。收集结构中的输入端口的相对安置增强光电装置的极化无关性。

在一些实施例中，一种装置包含散射结构和收集结构。散射结构布置成沿第一散射轴和沿第二散射轴同时对入射电磁辐射进行散射。第一散射轴与第二散射轴非正交。收集结构布置成收集散射电磁辐射且包含与第一散射轴对准的第一输入端口和与第二散射轴对准的第二输入端口。

在相关实施例中，所述第一输入端口以及所述第二输入端口沿所述散射结构的周边的连续区一起收集所述散射电磁辐射。

在相关实施例中，所述的装置包括：第一光检测器，耦合到所述第一输入端口；第二光检测器，耦合到所述第二输入端口；以及放大器，耦合到所述第一光检测器以及所述第二光检测器以产生输出信号。

在相关实施例中，所述的装置，包括：第一相位调谐电路，耦合于所述第一光检测器与所述放大器之间；以及第二相位调谐电路，耦合于所述第二光检测器与所述放大器之间。

在相关实施例中，所述的装置，包括：控制器，对所述第一相位调谐电路以及所述第二相位调谐电路进行配置以使所述第一光检测器以及所述第二光检测器相位对准。

在相关实施例中，所述第一输入端口包括第一波导且所述第二输入端口包括第二波导，且所述装置包括：光合路器，耦合到所述第一波导以及所述第二波导，其中所述第一波导具有第一路径长度且所述第二波导具有实质上等于所述第一路径长度的第二路径长度；以及光检测器，耦合到所述光合路器。

在相关实施例中，所述散射结构包括一组柱。

在相关实施例中，所述散射结构包括一组散射元件，所述组散射元件中的每一散射元件具有三角形水平截面形状。

在相关实施例中，所述散射结构包括一组散射元件，且所述组散射元件中的每一散射元件包括：第一部件，具有第一水平截面形状；以及第二部件，具有不同于所述第一水平截面形状的第二水平截面形状且安置于所述第一部件上。

在相关实施例中，所述散射结构包括：第一散射元件，具有垂直于所述第一散射轴安置的第一刻面；以及第二散射元件，具有垂直所述第二散射轴安置的第一刻面。

在相关实施例中，所述收集结构包括：第三输入端口，与所述第一散射轴对准且相对于所述第一输入端口而安置在所述第一散射轴的相对端处；以及第四输入端口，与所述第二散射轴对准且相对于所述第二输入端口而安置在所述第二散射轴的相对端处。

在一些实施例中，一种装置包含散射结构和收集结构。散射结构布置成对入射电磁辐射进行散射。收集结构围绕散射结构的周边布置以收集散射电磁辐射。收集结构包含安置在围绕散射结构的周边的第一径向位置处的第一输入端口和安置在围绕散射结构的周边的第二径向位置处的第二输入端口。第一径向位置和第二径向位置相对于散射结构的中心点限定倾斜角。

在相关实施例中，所述第一输入端口以及所述第二输入端口沿所述散射结构的所述周边的连续区一起收集所述散射电磁辐射。

在相关实施例中，所述的装置，包括：第一光检测器，耦合到所述第一输入端口；第二光检测器，耦合到所述第二输入端口；以及放大器，耦合到所述第一光检测器以及所述第二光检测器以产生输出信号。

在相关实施例中，所述的装置，包括：第一相位调谐电路，耦合于所述第一光检测器与所述放大器之间；以及第二相位调谐电路，耦合于所述第二光检测器与所述放大器之间。

在相关实施例中，所述的装置，包括：控制器，对所述第一相位调谐电路以及所述第二相位调谐电路进行配置以使所述第一光检测器以及所述第二光检测器相位对准。

在相关实施例中，所述第一输入端口包括第一波导且所述第二输入端口包括第二波导，且所述装置包括：光合路器，耦合到所述第一波导以及所述第二波导，其中所述第一波导具有第一路径长度且所述第二波导具有实质上等于所述第一路径长度的第二路径长度；以及光检测器，耦合到所述光合路器。

在相关实施例中，所述散射结构包括一组散射元件，且所述组散射元件中的每一散射元件包括：第一部件，具有第一水平截面形状；以及第二部件，具有不同于所述第一水平截面形状的第二水平截面形状且安置于所述第一部件上。

在一些实施例中，一种方法包含沿第一散射轴对电磁辐射进行散射以产生第一散射电磁辐射，且沿第二散射轴对电磁辐射进行散射以产生第二散射电磁辐射。第一散射轴与第二散射轴非正交。检测第一散射电磁辐射以得到第一经检测辐射，且检测第二散射电磁辐射以得到第二经检测辐射。第一经检测辐射与第二经检测辐射相位对准。

在相关实施例中，所述相位对准包括：对相位调谐电路的可变延迟进行配置以使所述第一经检测辐射与所述第二经检测辐射相位对准。

前文概述若干实施例的特征使得本领域的一般技术人员可更好地理解本公开的各方面。本领域的一般技术人员应了解，其可以易于使用本公开作为设计或修改用于进行本文中所介绍的各种实施例的相同目的和/或获得相同优势的其它方法和结构的基础。本领域的一般技术人员还应认识到，这些等效构造并不脱离本公开的精神和范围，且其可在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替代和更改。

虽然已以特定针对结构特征或方法动作的语言来描述主题，但应理解，所附权利要求书的主题不必限于上文所描述的具体特征或动作。相反地，上文所描述的具体特征和动作经公开作为实施权利要求中的至少一些的实例形式。

本文中提供实施例的各种操作。描述一些或所有所述操作的次序不应解释为暗示这些操作必然依赖于次序。应理解，替代次序具有本说明书的益处。此外，应理解，并非全部操作都一定存在于本文中所提供的每一实施例中。此外，应理解，并非全部操作一定在一些实施例中。

应了解，本文中描绘的层、特征、元件等是以相对于彼此的特定尺寸，例如结构性尺寸或定向而示出，例如，为了简单起见并易于理解，在一些实施例中，相同物体的实际尺寸实质上不同于本文中示出的尺寸。另外，存在用于形成本文中提及的层、区、特征、元件等等的各种技术，例如刻蚀技术、平坦化技术、植入技术、掺杂技术、旋涂技术、溅镀技术、生长技术或例如化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)的沉积技术中的至少一种。

此外，“示例性”在本文中使用意味着充当实例、例子、说明等，且不一定是有利的。如本申请中所使用，“或”意在意味着包含性的“或”而不是排它性的“或”。另外，除非另外规定或从待涉及单数形式的上下文中可知，否则如本申请和所附权利要求书中所使用，“一”通常解释为意味“一个或多个”。同样，a和b中的至少一个和/或类似表达总地来说意味着a或b或a和b两个。此外，就使用“包含”、“具有”或其变体来说，这些术语意在以类似于术语“包括”的方式为包含性的。同样，除非另外规定，否则“第一”、“第二”等等并不意在暗示时间性、空间性、次序等。相反，这些术语仅用作用于特征、元件、物品等等的标识符、名称等。举例来说，第一元件和第二元件通常对应于元件a和元件b或两种不同或两种相同的元件或同一元件。

同样，虽然已关于一个或多个实施方案绘示和描述了本公开，但是一般技术人员在阅读和理解了本说明书和附图后将想到等效的更改和修改。本公开包括所有这些修改和更改，且仅受限于所附权利要求书的范围。尤其对于由上述组件(例如，元件、资源等)来进行的各种功能来说，除非另有指示，否则用于描述这些组件的术语意在对应于进行所描述组件的指定功能(例如，功能上等效的)的任何组件，即使结构上不等效于所公开的结构也是这样。此外，虽然可能已经关于几个实施方案中的仅一个公开了本公开的特定特征，但是这些特征可以与其它实施方案的一个或多个其它特征组合，这可能对于任何给定或特定应用来说是所需且有利的。