表面处理液及光学膜的制作方法

本发明涉及一种表面处理液及光学膜，且特别是有关于一种具有离子性化合物的表面处理液及光学膜。

背景技术：

在裁切光学卷膜时，光学卷膜的成分会沾附在裁切刀具上。此些沾附成分在下次裁切时会残留在光学卷膜的裁切面，而对裁切面造成污染。因此，亟需提出一种能改善光学卷膜的成分沾附在裁切刀具的技术。

技术实现要素：

因此，本发明提出一种表面处理液及光学膜，可改善现有问题。

本发明一实施例提出一种表面处理液。表面处理液包括溶剂及表面处理剂。表面处理剂为具有有机阳离子并且熔点为25℃以上且50℃以下的离子性化合物。

其中，该溶剂包含酒精及水。

其中，该酒精与水的比例介于1：1～3：7。

其中，该表面处理剂为抗静电剂。

其中，该表面处理剂的重量百分比为该溶剂的0.1～5％。

其中，该有机阳离子包含咪唑鎓阳离子、吡啶鎓阳离子、铵阳离子、锍阳离子与鏻阳离子至少一者。

其中，由该吡啶鎓阳离子所组成的吡啶鎓盐的结构式如下：

其中，r3表示具有12-16个碳原子的直链烷基，r4表示氢原子或甲基，x^-表示具有氟原子的离子；x^-在吡啶鎓盐中是氟离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子、三氟乙酸根离子、三氟甲磺酸根离子、双(氟磺酰基)亚胺离子、双(三氟甲磺酰基)酰亚胺离子、三(三氟甲磺酰基)甲烷离子、六氟砷酸根离子、六氟銻酸根离子、六氟鈮酸盐离子、六氟鉭酸盐离子、(聚)氢氟氟离子、全氟丁烷磺酸盐离子、双(五氟乙磺酰基)酰亚胺离子、全氟丁酸离子或(三氟甲磺酰基)(三氟甲烷羰基)酰亚胺离子。

本发明另一实施例提出一种光学膜。光学膜包括一膜体及一前述表面处理液。表面处理液形成于膜体的表面。

其中，该表面为该膜体的上表面、下表面或侧面。

其中，该表面为该膜体的最外侧表面。

其中，该光学膜为一光学卷膜或一裁切后光学膜片。

为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解，以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1～图2绘示依照本发明一实施例的裁切设备的示意图。

图3绘示图1的裁切刀具切断光学卷膜的示意图。

图4绘示依照本发明另一实施例的裁切刀具的剖视图。

图5绘示依据本发明一实施例的光学膜片的裁切面附着有表面处理液的示意图。

其中，附图标记：

10：光学卷膜

10’：成分

10a：光学膜片

10b：下表面

10s：裁切面

10u：上表面

11：第一保护层

12：第一覆盖层

13：偏光层

14：第二覆盖层

15：黏胶层

15s：黏胶面

16：第二保护层

100：裁切设备

110：传输轮

120：承靠轮

130、230：裁切刀具

130s：表面

140：容器

150：表面处理元件

231：刀体

232：粗糙化结构

231s：刀面

232r：凹部

a1：虚线

c1：表面处理液

d1、d2：转动方向

l1：清洁长度

l2：进入深度

l3：裁切厚度

p1：裁切处

t1：接触区

t11、t12：切线方向

w1：内径

具体实施方式

请参照图1～图3，图1～图2绘示依照本发明一实施例的裁切设备100的示意图，而图3绘示图1的裁切刀具130切断光学卷膜10的示意图。

如图1所示，裁切设备100用以裁切光学卷膜10。裁切设备100包括至少一传输轮110、承靠轮120、至少一裁切刀具130、至少一容器140及一表面处理元件150。数个传输轮110用以传输光学卷膜10，光学卷膜10可被夹持于及传输于此些传输轮110的其中二者之间。

虽然图未绘示，然裁切设备100可更包含一控制模块，此控制模块可控制传输轮110、承靠轮120、裁切刀具130及表面处理元件150的运转。例如，控制模块可包含控制器及驱动器，其中控制器例如是由半导体工艺制成的电路，而驱动器例如是马达。马达电性连接传输轮110、承靠轮120、裁切刀具130及表面处理元件150，使控制器可控制马达驱动此些元件转动，例如是控制此些元件的转速。

传输轮110可传输光学卷膜10通过裁切刀具130与承靠轮120之间。承靠轮120与裁切刀具130相对配置。裁切刀具130用以裁切光学卷膜10。承靠轮120可做为光学卷膜10的承靠，让裁切刀具130能切断光学卷膜10。

如图1及图2所示，容器140用以容纳表面处理液c1，表面处理液c1可清洁及/或涂布裁切刀具130，以去除裁切刀具130上的杂质。此外，表面处理液c1也可涂布于裁切刀具130的表面130s，进而避免或减少此些杂质在下次裁切时残留在光学卷膜10的裁切面上或裁切刀具130的表面上。本发明实施例不限于表面处理液c1必须同时具备清洁及涂布(或涂层)功能，在另一实施例中，表面处理液c1可具备清洁与涂布功能的一者。

在一实施例中，如图1所示，光学卷膜10包括第一保护层11、第一覆盖层12、偏光层13、第二覆盖层14、黏胶层15及第二保护层16。偏光层13形成于第一覆盖层12与第二覆盖层14之间。第一保护层11设置于第一覆盖层12上。黏胶层15设置于第二覆盖层14与第二保护层16之间，用以于后续黏合至一液晶面板(图未示)之上。在一实施例中，本发明实施例的光学卷膜10可为单层膜或为多层膜。例如，光学卷膜10可包含前述数个层结构的至少一层。

第一覆盖层12及第二覆盖层14的材料可选自于由三醋酸纤维素(triacetatecellulose,tac)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,pmma)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚丙稀(polypropylene,pp)、环烯烃聚合物(cycloolefinpolymer,cop)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)或上述的任意组合所组成的一族群。

偏光层13可为吸附配向的二色性色素的聚乙烯醇(polyvinylalcohol,pva)薄膜或由液晶材料掺附具吸收染料分子所形成。聚乙烯醇可借由皂化聚乙酸乙烯酯而形成。在一些实施例中，聚乙酸乙烯酯可为乙酸乙烯酯的单聚物或乙酸乙烯酯及其它单体的共聚物等。上述其它单体可为不饱和羧酸类、烯烃类、不饱和磺酸类或乙烯基醚类等。在另一些实施例中，聚乙烯醇可为经改质的聚乙烯醇，例如，经醛类改质的聚乙烯甲醛、聚乙烯乙醛或聚乙烯丁醛等。

第一保护层11可由聚酯树脂、烯烃树脂、乙酸纤维素树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸丁二酯(polyethyleneterephthalate,pet)、聚乙烯(polyethylene,pe)或聚丙烯(polypropylene,pp)、环烯烃树脂或上述的组合，其中聚酯树脂例如是聚对苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯，而丙烯酸树脂例如是聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)。

黏胶层15可由例如是(甲基)丙烯酸共聚物的材料制成，例如是可包含但不限于官能基的材料，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等材料。

第二保护层16例如是离型层，其可例如是表面涂有离型剂的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，其中离型剂例如是但不限于硅树脂。如此，第二保护层16容易自黏胶层15上撕除，以露出黏胶层15，使裁切后的光学卷膜10通过黏胶层15黏合至液晶面板(图未示)。

在一实施例中，光学卷膜10可选择性地包含不聚光的成分，例如是环烯烃聚合物(cycloolefinpolymer,cop)。此种不聚光的成分会导致激光无法聚焦，而造成无法一次切断光学卷膜10。反观本发明实施例，如图3所示，采用裁切刀具130可一次切断光学卷膜10，不受光学卷膜10材质的影响。在另一实施例中，在裁切刀具130裁切光学卷膜10前，可先使用激光裁切光学卷膜10的部分厚度，然后再由裁切刀具130切断光学卷膜10。在此实施例中，发射激光的激光产生器可设置在裁切刀具130的上游，如图1的虚线a1处。此外，激光产生器的数量可与裁切刀具130的数量相等。

在裁切刀具130裁切光学卷膜10时，光学卷膜10的层结构的成分10’(例如是黏胶层15的成分)会沾附在裁切刀具130上，导致在后续裁切光学卷膜10时，沾附在裁切刀具130的成分10’残留在光学卷膜10的裁切面10s(裁切面10s绘示在图3)上。

在本实施例中，表面处理液c1内包含一离型剂。当裁切刀具130接触表面处理液c1时，离型剂会涂布沾附在裁切刀具130上。离型剂可减少成分10’对裁切刀具130的沾附性，进而减少成分10’沾附在裁切刀具130的数量。此外，表面处理液c1的的材质包含一硅氧烷聚合物，例如为硅利康(silicone)，及/或表面处理液c1可更包含一含氟化合物。

如图1及图2所示，表面处理元件150与裁切刀具130是直接接触。在裁切刀具130转动时，表面处理元件150可擦拭裁切刀具130，以强制性去除(如擦拭)沾附在裁切刀具130上的成分10’。被去除的成分10’转移至表面处理元件150上，转移到表面处理元件150的成分10’通过表面处理元件150的转动被带入容器140内的表面处理液c1中，以减少表面处理元件150’上的成分10’数量。换言之，通过表面处理元件150的转动可产生对表面处理元件150’的清洁及/或涂布效果。当溶入表面处理液c1内的成分10’数量会愈来愈多，可更换表面处理液c1。

在另一实施例中，裁切设备100更包括一过滤模块(未绘示)，其连接容器140，可将容器140内的表面处理液c1往外输出至一过滤器，在过滤器滤除成分10’后，再将过滤后(净化后)的表面处理液c1回送至容器140内。如此，可不需更换容器140内的表面处理液c1，或减少容器140内的表面处理液c1的更换频率。

在一实施例中，如图1所示，表面处理元件150的转动方向d1与裁切刀具130的转动方向d2是反向。例如，表面处理元件150的转动方向d1为逆时针，而裁切刀具130的转动方向d2为顺时针。在另一实施例中，表面处理元件150的转动方向d1可为顺时针，而裁切刀具130的转动方向d2可为逆时针。如此，在表面处理元件150与裁切刀具130的接触区t1，表面处理元件150的切线方向t11与裁切刀具130的切线方向t12同向，可减少表面处理元件150过度摩擦裁切刀具130，进而减少裁切刀具130的磨损(相较于此，当表面处理元件150的切线方向t11与裁切刀具130的切线方向t12反向时，表面处理元件150与裁切刀具130的磨损会增加)。

此外，表面处理元件150的转速与裁切刀具130的转速是相异的。例如，表面处理元件150的转速慢于裁切刀具130的转速，此速差可增加表面处理元件150与裁切刀具130的相对移动量，以去除沾附在裁切刀具130上的成分10’。在一实施例中，表面处理元件150的转速与裁切刀具130的转速的比值介于0.5与2之间，此比值范围足以去除沾附在裁切刀具130上的成分10’，且又不至于造成裁切刀具130或表面处理元件150的过度磨损。

此外，表面处理元件150的转速愈慢，表面处理元件150清洁及/或涂布裁切刀具130的效果愈差；表面处理元件150的转速愈快，表面处理元件150将表面处理液c1甩至裁切刀具130的机会愈大或量愈多。

如图1所示，表面处理元件150部分进入表面处理液c1内，使表面处理元件150在转动时可沾附到表面处理液c1，进而使表面处理元件150在转动时表面处理液c1能经常性清洁及/或涂布裁切刀具130。在一实施例中，表面处理元件150例如是海绵，其可吸收表面处理液c1，并将吸收的表面处理液c1通过毛细现象传输至裁切刀具130，让更多的表面处理液c1清洁及/或涂布裁切刀具130。在此设计下，表面处理元件150可选择性地不转动，通过海绵吸收表面处理液c1能可清洁及/或涂布裁切刀具130。在另一实施例中，表面处理元件150可以是其它种类材质，如橡胶或塑料。

此外，如图2所示，由于表面处理元件150具有软质性及/或弹性，使表面处理元件150与裁切刀具130紧密接触。如此，可增强表面处理元件150去除残留在裁切刀具130上的成分10’的效果。

如图2所示，裁切刀具130以清洁长度l1与表面处理元件150接触，表面处理元件150以进入深度l2进入表面处理液c1内，进入深度l2至少等于清洁长度l1，使通过容器140内的表面处理液c1的表面处理元件150吸收足够的表面处理液c1去清洁裁切刀具130的清洁长度l1的部分。如图1及图3所示，清洁长度l1大致上等于或大于裁切厚度l3，使得经过光学卷膜10的整个裁切面10s的裁切刀具130的部分(即清洁长度l1的部分)受过清洁及/或涂布，进而减少或甚至避免残留在裁切面10s上的成分10’的数量。

在一实施例中，如图1所示，裁切刀具130与光学卷膜10的裁切处p1位于容器140的上方。如此，因为裁切所产生的成分10’的颗粒全部或大部分都能掉落在容器140内，以避免成分10’的颗粒污染到裁切设备100的所处环境。如图2所示，容器140的数量与裁切刀具130相等。在另一实施例中，容器140的数量可以是一个，裁切设备100的全部裁切刀具130可位于容器140的正上方，可达到类似前述的技术效果。

本发明一实施例的裁切方法包括以下步骤。首先，提供前述裁切设备100。然后，裁切设备100的裁切刀具130裁切光学卷膜10。然后，裁切设备100的表面处理液c1清洁及/或涂布裁切刀具130。

请参照图4，其绘示依照本发明另一实施例的裁切刀具230的剖视图。前述实施例的裁切设备100的裁切刀具130也可以本实施例的裁切刀具230取代。

裁切刀具230包括刀体231及粗糙化结构232。刀体231具有刀面231s，而粗糙化结构232形成于刀面231s。粗糙化结构232包括数个凹部232r。

刀体231与粗糙化结构232可以是一体成形结构。以制造方法来说，可采用例如是喷砂、水刀、激光或其它合适技术形成于刀体231的刀面231s上，所形成的凹部232r的范围即构成粗糙化结构232。以凹部尺寸来说，就喷砂而言，所形成的粗糙化结构232的凹部232r的内径w1大致是介于5微米与80微米之间，较佳可介于10微米与50微米之间。然凹部232r的内径w1的实际范围可视工艺而定，其也可以小于5微米，或大于80微米，本发明实施例不加以限定。

如图4所示，本发明实施例的粗糙化结构232可将刀具与光学卷膜10的接触模式由面接触转变成点接触，可降低裁切刀具230裁切光学卷膜10的摩擦阻力。此外，如图4所示，表面处理液c1附着于粗糙化结构232上，例如位于粗糙化结构232的凹部232r内，因此能增加刀具230与光学卷膜10之间的液体润滑性，更降低裁切刀具230裁切光学卷膜10的摩擦阻力。

请参照图5，其绘示依据本发明一实施例的光学膜片10a的裁切面10s附着有表面处理液c1的示意图。

裁切刀具230裁断光学卷膜10，以裁切出光学膜片10a。由于裁切刀具230的数个凹部232r容纳有表面处理液c1，因此在裁切后，表面处理液c1可附着在光学膜片10a的裁切面10s的至少一部分上。由于裁切刀具230经过光学膜片10a的整个厚度，因此裁切面10s包含第一保护层11、第一覆盖层12、偏光层13、第二覆盖层14、黏胶层15及第二保护层16的裁切面。表面处理液c1附着在光学膜片10a的裁切面10s的范围由粗糙化结构232的范围及/或表面处理液c1附着在粗糙化结构232上的范围而定。

在本实施例中，图4及图5的表面处理液c1为抗静电液。图1的裁切设备100的表面处理液c1可以本实施例的抗静电液取代。抗静电液例如是包含溶剂及表面处理剂，其中溶剂包含酒精及水，而表面处理剂例如是抗静电剂。在一实施例中，以溶剂例如包含酒精与水为100％来说，抗静电剂的重量百分比约为溶剂的0.1～5％，可达到优良的抗静电效果。以溶剂为100％来说，在一实施例中，酒精及水的比例可介于1：1～3：7，且以3：7的组成具有更优良的抗静电效果(相较于前者而言)。

以表面处理剂来说，其例如是为具有有机阳离子并且熔点为25℃以上且50℃以下的离子性化合物。借由使用熔点为25℃以上的离子性化合物、即于室温下为固体的离子性化合物，可抑制防静电性能的经时变化，换言之，可长期保持防静电性能。就防静电性能的长期稳定性的观点而言，离子性化合物更佳为具有30℃以上、或35℃以上的熔点。

作为构成离子性化合物的阳离子成分，例如可列举：咪唑鎓阳离子、吡啶鎓阳离子、铵阳离子、锍阳离子、鏻阳离子等。此些离子中，于用于本发明实施例的表面处理液的溶剂的情况时，就于沾附于刀具上或光学膜片上时不易带电的观点而言，较佳为吡啶鎓阳离子或咪唑鎓阳离子。

另一方面，于离子性化合物中，成为上述阳离子成分的对离子的阴离子成分可为无机的阴离子，亦可为有机的阴离子，例如可列举如下者：氯阴离子[cl^-]、溴阴离子[br^-]、碘阴离子[i^-]、四氯铝酸盐阴离子[alcl4^-]、七氯二铝酸盐阴离子[al2cl7^-]、四氟硼酸盐阴离子[bf4^-]、六氟磷酸盐阴离子[pf6^-]、过氯酸盐阴离子[clo4^-]、硝酸盐阴离子[no3^-]、乙酸盐阴离子[ch3coo^-]、三氟乙酸盐阴离子[cf3coo^-]、氟磺酸盐阴离子[fso3^-]、甲磺酸盐阴离子[ch3so3^-]、三氟甲磺酸盐阴离子[cf3so3^-]、对甲苯磺酸盐阴离子[p-ch3c6h4so3^-]、双(氟磺酰基)酰亚胺阴离子[(fso2)2n^-]、双(三氟甲磺酰基)酰亚胺阴离子[(cf3so2)2n^-]、三(三氟甲磺酰基)甲基化阴离子[(cf3so2)3c^-]、六氟砷酸盐阴离子[asf6^-]、六氟锑酸盐阴离子[sbf6^-]、六氟铌酸盐阴离子[nbf6^-]、六氟钽酸盐阴离子[taf6^-]、二甲基亚膦酸盐阴离子[(ch3)2poo^-]、(聚)氟化氢氟阴离子[f(hf)n^-](n为1～3左右)、二氰胺阴离子[(cn)2n^-]、硫氰酸盐阴离子[scn^-]、全氟丁磺酸盐阴离子[c4f9so3^-]、双(五氟乙磺酰基)酰亚胺阴离子[(c2f5so2)2n^-]、全氟丁酸盐阴离子[c3f7coo^-]、(三氟甲磺酰基)(三氟甲烷羰基)酰亚胺阴离子[(cf3so2)(cf3co)n^-]等。

在此些阴离子中，尤其是包含氟原子的阴离子成分提供防静电性能优异的离子性化合物，故而可较佳地使用，尤佳为六氟磷酸盐阴离子、双(氟磺酰基)酰亚胺阴离子及双(三氟甲磺酰基)酰亚胺阴离子。

本发明实施例所使用的离子性化合物的具体例可自上述阳离子成分与阴离子成分的组合中适当地选择。作为具体的阳离子成分与阴离子成分的组合的化合物，可列举如下者。

·吡啶鎓盐：n-己基吡啶鎓六氟磷酸盐、n-辛基吡啶鎓六氟磷酸盐、n-甲基-4-己基吡啶鎓六氟磷酸盐、n-丁基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、n-辛基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、n-己基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、n-辛基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、n-甲基-4-己基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、n-丁基-4-甲基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、n-辛基-4-甲基吡啶鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、n-己基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-辛基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-甲基-4-己基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-丁基-4-甲基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-辛基-4-甲基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-己基吡啶鎓对甲苯磺酸盐、n-辛基吡啶鎓对甲苯磺酸盐、n-甲基-4-己基吡啶鎓对甲苯磺酸盐、n-丁基-4-甲基吡啶鎓对甲苯磺酸盐、n-辛基-4-甲基吡啶鎓对甲苯磺酸盐等。

·咪唑鎓盐：1-乙基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓对甲苯磺酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲磺酸盐等。

·吡咯烷鎓盐：n-丁基-n-甲基吡咯烷鎓六氟磷酸盐、n-丁基-n-甲基吡咯烷鎓双(氟磺酰基)酰亚胺、n-丁基-n-甲基吡咯烷鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-丁基-n-甲基吡咯烷鎓对甲苯磺酸盐等。

·铵盐：四丁基铵六氟磷酸盐、四丁基铵双(氟磺酰基)酰亚胺、四己基铵双(氟磺酰基)酰亚胺、三辛基甲基铵双(氟磺酰基)酰亚胺、(2-羟基乙基)三甲基铵双(氟磺酰基)酰亚胺、四丁基铵双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、四己基铵双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、三辛基甲基铵双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、(2-羟基乙基)三甲基铵双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、四丁基铵对甲苯磺酸盐、四己基铵对甲苯磺酸盐、三辛基甲基铵对甲苯磺酸盐、(2-羟基乙基)三甲基铵对甲苯磺酸盐、(2-羟基乙基)三甲基铵二甲基亚膦酸盐等。

该等离子性化合物可分别单独使用，或组合两种以上而使用。

此外，在一实施例中，本发明的离子性化合物可为一吡啶鎓阳离子，化合物的结构式(1)如下：

结构式(1)的吡啶鎓盐的阳离子例如是n-烷基吡啶鎓阳离子。结构式(1)的r3表示具有12-16个碳原子的直链烷基。结构式(1)的阳离子例如是n-十二烷基吡啶离子、n-十四烷基吡啶离子、n-十五烷基吡啶离子、n-十六烷基吡啶离子、n-十二烷基-4-甲基吡啶离子、n-十三烷基-4-甲基吡啶离子、n-十四烷基-4-甲基吡啶离子、n-十五烷基-4-甲基吡啶鎓离子或n-十六烷基-4-甲基吡啶鎓离子。

结构式(1)的r4表示氢原子或甲基，x-表示具有氟原子的离子。x-在吡啶鎓盐中利如是氟离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子、三氟乙酸根离子、三氟甲磺酸根离子、双(氟磺酰基)亚胺离子、双(三氟甲磺酰基)酰亚胺离子、三(三氟甲磺酰基)甲烷离子、六氟砷酸根离子、六氟銻酸根离子、六氟鈮酸盐离子、六氟鉭酸盐离子、(聚)氢氟氟离子、全氟丁烷磺酸盐离子、双(五氟乙磺酰基)酰亚胺离子、全氟丁酸离子或(三氟甲磺酰基)(三氟甲烷羰基)酰亚胺离子。

由于构成式的吡啶鎓盐的阴离子成分x^-为具有氟原子的离子，因此能得到抗静电性能优异的离子性化合物。具体來說，该阴离子例如是：氟离子[f^-](フッ素イオン)、四氟硼酸根离子[bf4^-]、六氟磷酸根离子[pf6^-]、三氟乙酸根离子[cf3coo^-]、三氟甲磺酸根离子[cf3so3^-]、双(氟磺酰基)酰亚胺离子[(fso2)2n^-]、双(三氟甲磺酰基)酰亚胺离子[(cf3so2)2n^-]、三(三氟甲磺酰基)甲烷离子[(cf3so2)3c^-]、六氟砷酸根离子[asf6^-]、六氟銻酸根离子[sbf6^-]、六氟鈮酸根离子[nbf6^-]、六氟鉭酸盐离子[taf6^-]、(聚)氢氟氟酸离子[f(hf)n^-](n约为1至3)、全氟丁烷磺酸根离子[c4f9so3^-]、双(五氟乙磺酰基)酰亚胺离子[(c2f5so2)2n^-]、全氟丁酸离子[c3f7coo^-]、(三氟甲磺酰基)(三氟甲烷羰基)酰亚胺离子[(cf3so2)(cf3co)n^-]等。

用于本发明实施例的吡啶鎓盐的具体实例可以适当地选自前述阳离子与阴离子的组合。作为阳离子和阴离子组成的化合物的具体实例如是：n-十二烷基吡啶六氟磷酸盐、n-十四烷基吡啶六氟磷酸盐、n-十六烷基吡啶六氟磷酸盐、n-十二烷基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐、n-十四烷基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐、n-十六烷基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐、n-十二烷基吡啶双(氟磺酰基)酰亚胺、n-十四烷基吡啶双(氟磺酰基)酰亚胺、n-十六烷基吡啶双(氟磺酰基)酰亚胺、n-十二烷基-4-甲基吡啶双(氟磺酰基)酰亚胺、n-十四烷基-4-甲基吡啶双(氟磺酰基)酰亚胺、n-十六烷基-4-甲基吡啶双(氟磺酰基)酰亚胺、n-十二烷基吡啶双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-十四烷基吡啶双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-十六烷基吡啶双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-十二烷基-4-甲基吡啶双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-十四烷基-4-甲基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、n-十六烷基-4-甲基吡啶鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺等等。

吡啶鎓盐为n-十二烷基吡啶双(三氟甲磺酰基)酰亚胺的结构式例如是：

吡啶鎓盐为n-十六烷基吡啶双(三氟甲磺酰基)酰亚胺的结构式例如是：

吡啶鎓盐为n-十二烷基吡啶六氟磷酸盐的结构式例如是：

吡啶鎓盐为n-十六烷基吡啶六氟磷酸盐的结构式例如是：

吡啶鎓盐为n-己基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐的结构式例如是：

吡啶鎓盐为n-丁基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐的结构式例如是：

结构式(1)的吡啶鎓盐的特征在于，由r3表示的烷基是长链。吡啶鎓盐可由常见的制备方式制成，例如下列结构式(2)。

结构式(2)的r3及r4的界定同于结构式(1)的r3及r4的界定。结构式(2)相当于烷基溴化吡啶鎓。通过对相当于lix^-(其中x^-如结构式(1)所界定)的锂盐进行离子交换反应，然后用水洗涤，将生成的溴化锂转移至水相，基于有机相的制备方法，可制成结构式(1)的吡啶鎓盐。此些吡啶鎓盐可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。此外，吡啶鎓盐的实例当然不限于上面列出的化合物。

如图5所示，由于抗静电液附着在光学膜片10a的裁切面10s上，因此可避免静电吸附现象，进而减少或避免杂质沾附在裁切面10s上，以保持裁切面10s的洁净度。

光学膜片10a可贴附于一光学产品(未绘示)上，以提供光学产品一光学功能。在将光学膜片10a贴附于光学产品的工艺中，需先将第二保护层16自光学膜片10a上撕除，以露出黏胶层15，然后再以黏胶层15与光学产品的一透光件(未绘示)对接的方式，将光学膜片10a贴附在透光件上。虽然在第二保护层16自光学膜片10a上撕除过程中会于黏胶层15的黏胶面15s产生静电，然由于裁切面10s具有优良洁净度(杂质少)，使被静电吸附到黏胶面15s的杂质会明显减少，此可避免污染黏胶层15的黏胶面15s，进而增强黏胶层15与光学产品的结合性。此外，前述光学产品例如是触控面板、显示面板、触控显示面板或任何有需要光学膜片10a的产品，而光学产品的透光件例如是玻璃、透光塑板或其它合适元件。

此外，本文的表面处理液c1也可直接涂布在光学膜的膜体的任何一表面，以获得类似前述的抗静电及/或减少污染的技术功效。前述光学膜例如是光学卷膜或裁切后光学膜片。举例来说，在裁切前及/或裁切后，表面处理液c1可涂布在图3或图4的光学卷膜10的上表面10u及/或下表面10b；或者，在裁切前及/或裁切后，表面处理液c1可涂布在图5的裁切后光学膜片10a的上表面10u、下表面10b及/或侧面，如裁切面10s。此外，前述上表面10u、下表面10b及/或侧面为膜片的最外侧的表面。另，前述光学膜的膜体例如是包含第一保护层11、第一覆盖层12、偏光层13、第二覆盖层14、黏胶层15与第二保护层16的至少一者。

综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。