位相阵列器和显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种位相阵列器和显示装置。

背景技术：

传统显示装置10’中，如图1所示，背光源2’(Back Light Unit，BLU)发射出均匀的平面光照射到显示面板中。显示面板3’是由阵列基板(Array)、彩色滤光基板(Color Filter，CF)以及在有阵列基板(Array)、彩色滤光基板(Color Filter，CF)之间填充的配向层和液晶构成。在阵列基板、彩色滤光基板的阵列设计中会有金属层和黑矩阵部分32’(Black Matrix，BM)用于分隔红、绿、蓝三个RGB像素部分34’，黑矩阵部分32’的位置是不透光的。背光源2’所发射出的平面光如图1所示，对应彩色滤光基板基板上RGB像素部分34’的光线为实线所示的光线，可以正常透过彩色滤光基板形成三原色进行显示，但是透过黑矩阵部分32’的光线为虚线所示，会被遮挡不能通过，不能形成有效显示，从而被浪费掉，这样背光源的工作效率低，不利于功耗的降低。

因此，如何提高光学利用率成为亟待解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种位相阵列器和显示装置，主要目的是提高光学利用率。

为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供了一种位相阵列器，包括：

多个无电极部分和多个有电极部分，多个所述无电极部分和多个所述有电极部分均由铁电晶体材料制成，相邻两个所述无电极部分中间设置一个所述有电极部分或相邻两个所述有电极部分中间设置一个所述无电极部分，光透过所述无电极部分和所述有电极部分具有相对相位差，响应于对所述有电极部分施加电压，以在距所述位相阵列器第一距离处形成光强相干增强区和光强相干相消区。

在该技术方案中，多个所述无电极部分包括多个无电极条，多个所述有电极部分包括多个第一有电极条；

多个所述无电极条和多个所述第一有电极条沿第一方向交错设置。

在该技术方案中，多个所述有电极部分还包括多个第二有电极条；

多个所述第二有电极条沿第二方向间隔设置；

所述第一方向与所述第二方向垂直。

在该技术方案中，所述相对相位差为

其中，

d为所述位相阵列器的厚度，单位：米；

λ为光的波长，单位：米；

n0为未加电压时位相阵列器的折射率；

d33为位相阵列器的压电系数，单位：米/伏特；

r13是位相阵列器的线性电光系数，单位：米/伏特；

V为对所述有电极部分施加电压，单位：伏特。

在该技术方案中，所述位相阵列器的一侧全部设置有电极，所述位相阵列器的另一侧仅在所述有电极部分设置电极。

在该技术方案中，所述铁电晶体材料为铌酸锂材料。

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括如前所述的位相阵列器；

背光源；和

显示面板，所述显示面板包括多个像素部分和多个黑矩阵部分；

所述背光源、位相阵列器和显示面板依次平行设置，且所述位相阵列器与所述显示面板的垂直距离为第一距离。

在该技术方案中，一个所述像素部分与相邻的一个所述黑矩阵部分组成一个亚像素，所述亚像素的沿第一方向和沿第二方向的长度分别为L和W；

一个无电极条沿第一方向的长度和相邻的一个第一有电极条沿第一方向的长度之和为d1，一个无电极条沿第二方向的长度和相邻的第二有电极条沿第二方向的长度之和为d2；

其中，L＝d1，W＝d2。

在该技术方案中，所述黑矩阵部分沿第一方向的长度为b1，所述黑矩阵部分沿第二方向的长度为b2；

所述第一有电极条沿第一方向的长度为a1，所述第二有电极条沿第二方向的长度为a2；

其中，a1：a2＝L:W＝b1:b2。

在该技术方案中，所述位相阵列器朝向所述显示面板的一侧涂覆有机树脂层，所述有机树脂层的厚度等于所述第一距离。

本发明实施例提出的一种位相阵列器和显示装置，其中位相阵列器设置在背光源与显示面板之间，位相阵列器包括多个无电极部分和多个有电极部分，相邻两个所述无电极部分中间设置一个所述有电极部分或相邻两个所述有电极部分设置一个所述无电极部分多个无电极部分和多个有电极部分均由铁电晶体材料制成，铁电晶体材料能够自发极化，且自发极化方向能随外施电场方向的改变而转向，有电极部分即为两侧分别镀有透明电极的部分，背光源照射的入射光为平行光，从而在位相阵列器的初始状态下时，入射光射入无电极部分和有电极部分后不会发生变化，从而无电极部分和有电极部分具有相同的光学位相差，而在对有电极部分两侧施加外加电场后，由于相邻两个所述无电极部分中间设置一个所述有电极部分或相邻两个所述有电极部分设置一个所述无电极部分，入射光照射到无电极部分或有电极部分上时，会发生狭缝衍射，形成衍射波，有电极部分的极化方向会根据施加的外加电场而发生改变，从而入射光到达无电极部分和有电极部分时的光学位相差不同，无电极部分的光学位相差与有电极部分的光学位相差存在相对相位差，从而无电极部分发出的衍射波和有电极部分发出的衍射波在空间中相遇并发生干涉效应，在位相阵列器远离光源一侧距位相阵列器第一距离处形成光强相干增强区和光强相干相消区，其中，光强相干增强区的范围与无电极部分的范围相同，光强相干相消区的范围与有电极部分的范围相同，将显示面板设置在距位相阵列器第一距离处，并将光强相干增强区与显示面板中像素部分对应，光强相干相消区与显示面板中黑矩阵部分对应，从而黑矩阵部分不会得到光的照射，而像素部分能够得到传导至光强相干增强区的光的照射，即背光源照射的绝大部分会照射至像素部分，从而能够极大地提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，实现背光源功耗的有效降低。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

图1为现有技术的一种显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种显示装置的爆炸图；

图3为本发明实施例提供的一种位相阵列器的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

图5为本发明实施例提供的一种二维可调阵列器结构透光率模拟图；

图6为本发明实施例提供的一种位相阵列器尺寸与像素部分尺寸关系图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的位相阵列器和显示装置其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

如图2至图6所示，本发明实施例提供了一种位相阵列器1，包括：

多个无电极部分12和多个有电极部分14，多个无电极部分12和多个有电极部分14均由铁电晶体材料制成，相邻两个所述无电极部分中间设置一个所述有电极部分或相邻两个所述有电极部分中间设置一个所述无电极部分，光透过无电极部分12和有电极部分14具有相对相位差，响应于对有电极部分14施加电压，以在距位相阵列器1第一距离处形成光强相干增强区4和光强相干相消区5。

如图2所示，本发明实施例提出的一种位相阵列器1，位相阵列器1设置在背光源2与显示面板3之间，位相阵列器1包括多个无电极部分12和多个有电极部分14，相邻两个无电极部分12中间设置一个有电极部分14或相邻两个有电极部分14设置一个无电极部分12多个无电极部分12和多个有电极部分14 均由铁电晶体材料制成，铁电晶体材料能够自发极化，且自发极化方向能随外施电场方向的改变而转向，有电极部分14即为两侧分别镀有透明电极的部分，背光源2照射的入射光为平行光，从而在位相阵列器1的初始状态下时，入射光射入无电极部分12和有电极部分14后不会发生变化，从而无电极部分12和有电极部分14具有相同的光学位相差，而在对有电极部分14两侧施加外加电场后，由于相邻两个无电极部分12中间设置一个有电极部分14或相邻两个有电极部分14设置一个无电极部分12。

如图2所示，照射到无电极部分12的入射光为背光源2到位相阵列器1之间的实线部分，照射到有电极部分14的入射光为背光源2到位相阵列器1之间的虚线部分，入射光照射到无电极部分12或有电极部分14上时，会发生狭缝衍射，形成衍射波，位相阵列器1到显示面板3之间的实线部分为无电极部分 12发生衍射形成的衍射波，位相阵列器1到显示面板3之间的虚线部分为有电极部分14发生衍射形成的衍射波，有电极部分14的极化方向会根据施加的外加电场而发生改变，从而入射光到达无电极部分12和有电极部分14时的光学位相差不同，无电极部分12的光学位相差与有电极部分14的光学位相差存在相对相位差，从而无电极部分12发出的衍射波和有电极部分14发出的衍射波在空间中相遇并发生发生干涉效应，在位相阵列器1远离光源一侧距位相阵列器1第一距离处形成光强相干增强区4和光强相干相消区5，光强相干增强区4 和光强相干相消区5不是实际存在的，其中，光强相干增强区4的范围与无电极部分12的范围相同，光强相干相消区5的范围与有电极部分14的范围相同，将显示面板3设置在距位相阵列器1第一距离处，并将光强相干增强区4与显示面板3中像素部分34对应，光强相干相消区5与显示面板3中黑矩阵部分32 对应，从而黑矩阵部分32不会得到光的照射，而像素部分34能够得到传导至光强相干增强区4的光的照射，即背光源2照射的绝大部分会照射至像素部分 34，从而能够极大地提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，实现背光源2功耗的有效降低。

下面结合附图和实施例对本发明进一步的详细说明。

如图3所示，本发明实施例中，多个无电极部分12包括多个无电极条，多个有电极部分14包括多个第一有电极条142；

多个无电极条和多个第一有电极条142沿第一方向交错设置。

在该实施例中，无电极条和第一有电极条142交错设置，即两个无电极条之间设置一个第一有电机条，两个第一有电极条142之间设置一个无电极条，从而在对多个有电极条上设置的透明电极施加电压时，每一组有电极条和无电极条，会发生狭缝衍射，形成衍射波，而后对于整个位相阵列器由于干涉效应形成与无电极条和第一有电极条142的周期对应的多个光强相干增强区4和多个光强相干相消区5，从而在第一方向将多个像素部分34的位置分别设置在多个光强相干增强区4的位置，在第一方向将多个黑矩阵部分32的位置分别设置在多个光强相干相消区5的位置，使得在第一方向上的像素部分34能够接收到光源照射的绝大部分光，在第一方向上的黑矩阵部分32不会得到光的照射，从而能够极大地提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，实现背光源2功耗的有效降低。

如图3所示，在本发明实施例中，多个有电极部分14还包括多个第二有电极条144；

多个第二有电极条144沿第二方向间隔设置；

第一方向与第二方向垂直。

在该实施例中，第二有电极条144沿第二方向间隔设置，从而在第一方向上两个无电极条之间设置有一个第一有电极条142，两个第一有电极条142之间设置有一个无电极条，在第二方向上，两个无电极条之间设置有一个第二有电极条144，两个第二有电极条144之间设置有一个无电极条，从而在对多个有电极条上设置的透明电极施加电压时，在第一方向和第二方向均会发生狭缝衍射，形成衍射波，而后由干涉效应形成与无电极条、第一有电极条142和第二有有电极条的周期对应的多个光强相干增强区4和多个光强相干相消区5，显示面板 3包括多个像素部分34和多个黑矩阵部分32，多个黑矩阵部分32包括沿第一方向设置的第一黑矩阵部分322和沿第二方向设置的第二黑矩阵部分324，从而在第一方向与第二方向均能够实现像素部分34能够接收到光源照射的绝大部分光，而黑矩阵部分32不会得到光的照射，从而能够进一步提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，进一步实现背光源2功耗的有效降低。

如图1所示，本发明实施例中，相对相位差为

其中，

d为位相阵列器1的厚度，单位：米；

λ为光的波长，单位：米；

n0为未加电压时位相阵列器1的折射率；

d33为位相阵列器1的压电系数，单位：米/伏特；

r13是位相阵列器1的线性电光系数，单位：米/伏特；

V为为对有电极部分14施加电压，单位：伏特。

在该实施例中，无电极部分12和有电极部分14的位相差分别为和设和为未对有电极部分14施加电压时的位相差，那么在对有电极部分14施加电压后，有电极部分14的位相差会随外加电压产生则而其中，d为位相阵列器1的厚度；λ为光的波长；n0为未加电压时位相阵列器1的折射率；d33为位相阵列器1的压电系数；r13是位相阵列器1的线性电光系数；V为对有电极部分14施加电压。从而相对相位差的大小是根据对有电极部分14施加电压来决定的。

在本发明实施例中，位相阵列器1易受温度或者压力等外力影响。此时对有电极部分14施加的电压能够起到调控作用，调节电压V，从而对有电极部分 14的相位差进行微调，以使得相对相位差的大小保持不变，从而使得光学干涉情况保持不变，从而使得位相阵列器应用场景和前途更为广泛。

如图2所示，在该实施例中，无电极部分12和有电极部分14均透光材料。

本发明实施例中，有电极部分14和无电极部分12均为透光材料，从而背光源2发出的入射光在经过有电极部分14和无电极部分12时，无光学遮挡，不会产生光学损失，避免了背光源2光学利用率的下降。

在本发明实施例中，透明电极为铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)，透明电极还可以为铟镓锌氧化物(IGZO)等其它电极。

在本发明实施例中，在位相阵列器1一侧全部设置有电极，另一侧仅在有电极部分14设置电极，从而工艺简单，易于生产。

优选地，位相阵列器1中仅在有电极部分14的两侧设置电极。

可选地，电极为透明电极。

在本发明实施例中，铁电晶体材料为铌酸锂材料。

可选地，铁电晶体材料还可以为钛酸钡类陶瓷、铁磁晶体、多晶体以及铁氧体类的烧结材料等。

如图2所示，本发明实施另一方面提供一种显示装置10，包括如前的位相阵列器1，背光源2和显示面板3，背光源2、位相阵列器1和显示面板3依次平行设置，本发明实施例提出的一种位相阵列器1，位相阵列器1设置在背光源 2与显示面板3之间，位相阵列器1包括多个无电极部分12和多个有电极部分14，相邻两个无电极部分12中间设置一个有电极部分14或相邻两个有电极部分14设置一个无电极部分12多个无电极部分12和多个有电极部分14均由铁电晶体材料制成，铁电晶体材料能够自发极化，且自发极化方向能随外施电场方向的改变而转向，有电极部分14即为两侧分别镀有透明电极的部分，背光源 2照射的入射光为平行光，从而在位相阵列器1的初始状态下时，入射光射入无电极部分12和有电极部分14后不会发生变化，从而无电极部分12和有电极部分14具有相同的光学位相差，而在对有电极部分14两侧施加外加电场后，由于相邻两个无电极部分12中间设置一个有电极部分14或相邻两个有电极部分 14设置一个无电极部分12。

如图2所示，照射到无电极部分12的入射光为背光源2到位相阵列器1之间的实线部分，照射到有电极部分14的入射光为背光源2到位相阵列器1之间的虚线部分，入射光照射到无电极部分12或有电极部分14上时，会发生狭缝衍射，形成衍射波，位相阵列器1到显示面板3之间的实线部分为无电极部分 12发生衍射形成的衍射波，位相阵列器1到显示面板3之间的虚线部分为有电极部分14发生衍射形成的衍射波，有电极部分14的极化方向会根据施加的外加电场而发生改变，从而入射光到达无电极部分12和有电极部分14时的光学位相差不同，无电极部分12的光学位相差与有电极部分14的光学位相差存在相对相位差，从而无电极部分12发出的衍射波和有电极部分14发出的衍射波在空间中相遇并发生干涉效应，在位相阵列器1远离光源一侧距位相阵列器1第一距离处形成光强相干增强区4和光强相干相消区5，光强相干增强区4 和光强相干相消区5不是实际存在的，其中，光强相干增强区4的范围与无电极部分12的范围相同，光强相干相消区5的范围与有电极部分14的范围相同，将显示面板3设置在距位相阵列器1第一距离处，并将光强相干增强区4与显示面板3中像素部分34对应，光强相干相消区5与显示面板3中黑矩阵部分32 对应，从而黑矩阵部分32不会得到光的照射，而像素部分34能够得到传导至光强相干增强区4的光的照射，即背光源2照射的绝大部分会照射至像素部分 34，从而能够极大地提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，实现背光源2功耗的有效降低。

在该实施例中，第二有电极条144沿第二方向间隔设置，从而在第一方向上两个无电极条之间设置有一个第一有电极条142，两个第一有电极条142之间设置有一个无电极条，在第二方向上，两个无电极条之间设置有一个第二有电极条144，两个第二有电极条144之间设置有一个无电极条，从而在对多个有电极条上设置的透明电极施加电压时，在第一方向和第二方向均会发生狭缝衍射，形成衍射波，而后由干涉效应形成与无电极条、第一有电极条142和第二有有电极条的周期对应的多个光强相干增强区4和多个光强相干相消区5，显示面板 3包括多个像素部分34和多个黑矩阵部分32，多个黑矩阵部分32包括沿第一方向设置的第一黑矩阵部分322和沿第二方向设置的第二黑矩阵部分324，从而在第一方向与第二方向均能够实现像素部分34能够接收到光源照射的绝大部分光，而黑矩阵部分32不会得到光的照射，从而能够进一步提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，进一步实现背光源2功耗的有效降低。

在该实施例中，无电极部分12和有电极部分14的位相差分别为和设和为未对有电极部分14施加电压时的位相差，那么在对有电极部分14施加电压后，有电极部分14的位相差会随外加电压产生则而其中，d为位相阵列器1的厚度；λ为光的波长；n0为未加电压时位相阵列器1的折射率；d33为位相阵列器1的的压电系数；r13是材料的线性电光系数；V为对透明电极施加的电压，从而相对相位差的大小是根据对透明电极施加的电压来决定的。

在该实施例中，一个像素部分34与相邻的一个黑矩阵部分32组成一个亚像素，亚像素的沿第一方向和沿第二方向的长度分别为L和W；

一个无电极条沿第一方向的长度和相邻的一个第一有电极条142沿第一方向的长度之和为d1，一个无电极条沿第二方向的长度和相邻的第二有电极条144 沿第二方向的长度之和为d2；

其中，L＝d1，W＝d2。

在该实施例中，一个像素部分34与相邻的一个黑矩阵部分32组成一个亚像素，亚像素的长和宽分别为L和W；

一个无电极条和相邻的一个第一有电极条142的长度之和为d1，一个无电极条沿第二方向的长度和相邻的第二有电极条144沿第二方向的长度之和为d2；

亚像素的长L等于一个无电极条和相邻的一个第一有电极条142的长度之和d1，亚像素的宽W等于一个无电极条沿第二方向的长度和相邻的第二有电极条144沿第二方向的长度之和为d2。

在该实施例中，一个第一有电极条142沿第一方向的长度为a1，一个第二有电极条144沿第二方向的长度为a2；显示面板3的一个黑矩阵部分32沿第一方向的长度为b1，显示面板3的一个黑矩阵部分32沿第二方向的长度为b2，其中，a1：a2＝L:W＝b1:b2。

如图5所示，在该实施例中，位相阵列器1中一个无电极条和第一有电极条142组成第一方向的一个周期，一个无电极条和相邻的一个第一有电极条142 的长度之和d1，d1即为第一方向上的一个周期的长度，位相阵列器1中一个无电极条和第二有电极条144组成沿第二方向的一个周期，一个无电极条沿第二方向的长度和相邻的第二有电极条144沿第二方向的长度之和为d2，d2即为第二方向一个周期的长度。在显示面板3中一个像素部分34和相邻的一个黑矩阵部分32组成一个亚像素，亚像素的长和宽分别为L和W，即亚像素沿第一方向的长度为L，沿第二方向的长度为W，其中亚像素沿第一方向的长度L等于位相阵列器1沿第一方向的一个周期长度d1，亚像素沿第二方向的长度W等于位相阵列器1沿第二方向的一个周期长度d2，从而位相阵列器1在第一方向上的周期大小与每个亚像素沿第一方向的长度相等，位相阵列器1在第二方向上的周期大小与每个亚像素沿第二方向的长度相等，L＝d1，W＝d2，a1：a2＝L:W＝b1:b2，即位相阵列器1与显示面板3一一对应，而光强相干增强区4的范围与无电极部分12的范围相同，光强相干相消区5的范围与有电极部分14的范围相同，从而使得有电极部分14和无电极部分12衍射波形成的光强相干增强区4与像素部分34完全对应，光强相干相消区5与黑矩阵部分32完全对应，从而能够提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，进一步实现背光源2功耗的有效降低。

在本发明实施例中，位相阵列器1朝向显示面板3的一侧涂覆有机树脂层，有机树脂层的厚度等于第一距离。

在该实施例中，位相阵列器1在朝向显示面板3的一侧涂覆有机树脂层，有机树脂层的厚度等于第一距离，即有机树脂层的厚度等于位相阵列器1的无电极部分12和有电极部分14的衍射波干涉形成的光强相干增强区4和光强相干相消区5距位相阵列器1的距离，位相阵列器1在朝向显示面板3的一侧涂覆有机树脂层使得显示面板3能够位于光强相干增强区4和光强相干相消区5 处，以使光强相干相消区5与黑矩阵部分32完全对应，从而能够提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，进一步实现背光源2功耗的有效降低。

在该实施例中，显示面板3上各处的光强为

其中，

n为显示面板3在第一方向上的亚像素个数；m为显示面板3在第二方向上的亚像素个数；z为第一距离，单位：米；相对相位差为x指第一方向上的坐标，单位：米；y指第二方向上的坐标，单位：米；d1为一个无电极条和相邻的一个第一有电极条142的长度之和，单位：米；d2为一个无电极条沿第二方向的长度和相邻的第二有电极条144沿第二方向的长度之和，单位：米；λ为入射光的波长，单位：米；

由上式可以看出，显示面板3沿第一方向的像素个数n为偶数，则(p为整数)，cnm可得到最大值，故设置电压V使得可得z处最大光强。

优选地，本发明选取的入射光为白光，即为白光干涉，从而选取零级干涉条纹(p＝0)，则当控制外加在有电极部分14两侧的透明电机的电压V使得时，z处可得最大光强。白光是由可见光区各种波长的光按一定比例组成。只有当对可见光区各种波长光的光程差等于零或等于几个波长时，才可能观察到白光的干涉条纹。如图6所示，而当以白光照明狭缝时，则得数目不多的彩色直条纹，它们对称地排布在中央亮条纹的两侧，显示面板3的像素部分34与图6中A区的干涉区对应，黑矩阵部分32与图6中非干涉区B区和 C区对应。

本发明实施例中，控制外加在有电极部分14两侧的透明电机的电压V使得并将同时代入光强分布公式并使用Matlab等模拟工具可模拟得到最合适的z值。

可选地，背光源2发出的入射光还可以为单色光，当以单色光照明狭缝时，在屏上呈现出明暗相间的、与狭缝平行的直条纹。

可选地，背光源2为mini led(RGB三色)背光源2，其对应RGB区分别为RGB色光，此时适用于单色光干涉条件。

本发明实施例提出的一种位相阵列器1和显示装置10，其中位相阵列器1 设置在背光源2与显示面板3之间，位相阵列器1包括多个无电极部分12和多个有电极部分14，相邻两个无电极部分12中间设置一个有电极部分14或相邻两个有电极部分14设置一个无电极部分12多个无电极部分12和多个有电极部分14均由铁电晶体材料制成，铁电晶体材料能够自发极化，且自发极化方向能随外施电场方向的改变而转向，有电极部分14即为两侧分别镀有透明电极的部分，背光源2照射的入射光为平行光，从而在位相阵列器1的初始状态下时，入射光射入无电极部分12和有电极部分14后不会发生变化，从而无电极部分 12和有电极部分14具有相同的光学位相差，而在对有电极部分14两侧施加外加电场后，由于相邻两个无电极部分12中间设置一个有电极部分14或相邻两个有电极部分14设置一个无电极部分12，入射光照射到无电极部分12或有电极部分14上时，会发生狭缝衍射，形成衍射波，有电极部分14的极化方向会根据施加的外加电场而发生改变，从而入射光到达无电极部分12和有电极部分 14时的光学位相差不同，无电极部分12的光学位相差与有电极部分14的光学位相差存在相对相位差，从而无电极部分12发出的衍射波和有电极部分14发出的衍射波在空间中相遇并发生发生干涉效应，在位相阵列器1远离光源一侧距位相阵列器1第一距离处形成光强相干增强区4和光强相干相消区5，其中，光强相干增强区4的范围与无电极部分12的范围相同，光强相干相消区5的范围与有电极部分14的范围相同，将显示面板3设置在距位相阵列器1第一距离处，并将显示面板3中像素部分34与光强相干增强区4重合，显示面板3中黑矩阵部分32与光强相干相消区5重合，从而黑矩阵部分32不会得到光的照射，而像素部分34能够得到传导至光强相干增强区4的光的照射，即背光源2照射的绝大部分会照射至像素部分34，从而能够极大地提高光学利用率，在保证整个产品光学水平的情况下，实现背光源2功耗的有效降低。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。