一种阵列基板、显示面板以及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示屏技术领域，特别是涉及一种阵列基板、一种显示面板以及一种显示装置。

背景技术：

随着显示技术的不断发展，阵列基板被广泛应用于显示装置中，阵列基板的性能也得到了广泛的重视。

阵列基板在制备过程中或者使用过程中很容易产生静电，现有的技术中，通常会在阵列基板上设置静电释放线，以释放阵列基板上产生的静电，防止静电对阵列基板上的电子元件造成损坏。

然而，由于静电释放线释放电荷的能力有限，在静电释放线上累积的静电荷较多的情况下，很容易击伤静电释放线，造成阵列基板内部的电子元件线路断路或短路，导致阵列基板显示不良。也就是说，现有的阵列基板中，缺乏一种有效的静电保护方案。

技术实现要素：

鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种阵列基板、一种显示面板以及一种显示装置。

为了解决上述问题，本申请实施例公开了一种阵列基板，包括形成在基板上的多条栅线、多条数据线、像素电极、公共电极和公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线连接，所述阵列基板还包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述公共电极线连接，所述第一薄膜晶体管的第二极悬空，且在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠；其中，

所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述第一薄膜晶体管、所述公共电极线设置于所述非显示区。

可选地，所述第一薄膜晶体管的第二极在所述基板上的正投影与所述公共电极线在所述基板上的正投影至少部分交叠。

可选地，所述公共电极线上设有开口，所述第一薄膜晶体管的第二极在所述公共电极线所在平面上的正投影位于所述开口内。

可选地，所述阵列基板还包括静电释放单元，所述静电释放单元与所述公共电极线连接。

可选地，所述公共电极通过第一过孔与所述公共电极线连接。

可选地，所述栅线及所述数据线交叉形成多个像素单元，所述像素单元包括第二晶体薄膜管，所述像素电极通过第二过孔与所述第二晶体薄膜管的第二极连接。

可选地，所述公共电极设置于所述像素电极和所述第一薄膜晶体管之间，所述公共电极上在与所述第二过孔对应的位置设置有开口。

可选地，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述公共电极线同层设置；所述第一薄膜晶体管设置在所述数据线与所述公共电极线的交叉处。

为了解决上述问题，本申请实施例还公开了一种显示屏，所述显示屏包括上述的阵列基板。

为了解决上述问题，本申请实施例还公开了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。

本申请实施例包括以下优点：

本申请实施例中，在阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以向所述公共电极线释放，使得与所述公共电极线连接的第一薄膜晶体管的栅极电压升高，导通所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极，由于所述第二极悬空，且所述第二极在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述第二极与所述公共电极之间可以形成释放电容，以释放与所述第一极连接的所述数据线上的静电荷，实现对所述阵列基板的静电保护。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2是图1所示的阵列基板截面a-a’的剖视图；

图3是图1所示的阵列基板中截面b-b’的剖视图；

图4是本实用新型提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图5是图4所示的阵列基板中截面b-b’的剖视图；

图6是本实用新型提供的再一种阵列基板的结构示意图；

图7是本实用新型提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图8是图7所示的阵列基板截面a-a’的剖视图；

图9是图7所示的阵列基板中截面b-b’的剖视图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

参照图1，示出了本实用新型提供的一种阵列基板的结构示意图。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括形成在基板上的多条栅线10、多条数据线11、像素电极12、公共电极13和公共电极线14，公共电极13与公共电极线14连接。所述阵列基板还包括至少一个第一薄膜晶体管15，第一薄膜晶体管15的第一极151与数据线11连接，第一薄膜晶体管15的栅极152与公共电极线14连接，第一薄膜晶体管15的第二极153悬空，且在所述基板上的正投影与公共电极13在所述基板上的正投影至少部分交叠；其中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，第一薄膜晶体管15、公共电极线14设置于所述非显示区。

在实际应用中，所述显示区主要由像素单元构成，所述像素单元可以用于发出对应颜色的光线，以使用户可以在所述阵列基板中看到显示的信息。所述非显示区通常设置在所述显示区的周边区域。

在实际应用中，将第一薄膜晶体管15、公共电极线14设置于所述非显示区，可以避免第一薄膜晶体管15、公共电极线14占据所述显示区的面积影响到所述显示区的显示效果。

本实用新型实施例中，在所述阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以向公共电极线14释放，使得与公共电极线14连接的第一薄膜晶体管15的栅极152电压升高，导通第一薄膜晶体管15的第一极151和第二极153，由于第二极153悬空，且第二极153在所述基板上的正投影与公共电极13在所述基板上的正投影至少部分交叠，第二极153与公共电极13之间可以形成释放电容，以释放与第一极151连接的数据线11上的静电荷，实现对所述阵列基板的静电保护。

其中，第一极151和第二极153可以分别为第一薄膜晶体管15的源极和漏极，或者，第一极151和第二极153可以分别为第一薄膜晶体管15的漏极和源极，本实用新型实施例对此不做限定。

本实用新型实施例中，所述阵列基板还包括静电释放单元(附图中没有示出)，所述静电释放单元与公共电极线14连接。所述阵列基板在制备过程中或者使用过程中产生静电时，所述静电释放单元可以将所该静电导向公共电极线14进行释放，使得与公共电极线14连接的第一薄膜晶体管15的栅极152电压升高，导通第一薄膜晶体管15的第一极151和第二极153，释放与第一极151连接的数据线11上的静电荷，实现对所述阵列基板的静电保护。

具体地，所述静电释放单元可以包括但不局限于静电释放线、静电释放电路等，本实用新型对此不做限定。

在实际应用中，栅线10及数据线11交叉形成多个像素单元，该像素单元包括第二晶体薄膜管16，所述像素电极可以通过第二过孔b与第二晶体薄膜管16的第二极连接。

参照图2，示出了图1所示的阵列基板截面a-a’的剖视图。

本发明实施例中，阵列基板截面a-a’的剖视图为第二晶体薄膜管16位置处的膜层状态示意图。其中，20为基板，在基板20上依次形成有第二晶体薄膜管16的栅极162、栅极绝缘层21以及第二晶体薄膜管16的第一极161、第二极163、第二有源层164和数据线11，第二晶体薄膜管16的栅极162和第一极161、第二极163之间设置有栅极绝缘层21。栅极绝缘层21上依次形成有钝化层22、像素电极12、绝缘层23以及公共电极13。

在实际应用中，第二薄膜晶体管16的第一极161可以为数据线11的一部分，也即，数据线11可以作为第一极161，像素电极12通过第二过孔b与第二极163连接，用于提供像素单元的像素电压，具体地，第二过孔b可以穿过钝化层22以使第二晶体薄膜管16的第二极163暴露，公共电极13可以用于提供公共电压。

示例的，栅极绝缘层21可以采用氮化硅或氧化硅制成，栅极绝缘层21可以是单层结构，也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅等。钝化层22也可以采用氮化硅或氧化硅制成，钝化层22可以是单层结构，也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅等。同理，绝缘层23也可以采用氮化硅或氧化硅；绝缘层23可以是单层结构，也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅等。

参照图3，示出了图1所示的阵列基板中截面b-b’的剖视图。

本发明实施例中，阵列基板截面b-b’的剖视图为第一晶体薄膜管15位置处的膜层状态示意图。如图3所示，基板20上形成有第一晶体薄膜管15的栅极152、公共电极线14、第一晶体薄膜管15的第二极153、第一有源层154和数据线11(151)，公共电极13通过第一过孔a连接公共电极线14，具体地，第一过孔a依次穿过绝缘层23、钝化层22和栅极绝缘层21，以使公共电极线14暴露。其中，公共电极线14和栅极152连接，第一晶体薄膜管15的栅极152和第一极151、第二极153之间设置有栅极绝缘层21。

在实际应用中，第一薄膜晶体管15的第一极151可以为数据线11的一部分，也即，数据线11可以作为第一极151，或者，数据线11和第一极151可以为相互独立且导通的元件，本实用新型实施例对此不做限定。

同理，第一薄膜晶体管15的栅极152可以为公共电极线14的一部分，也即，公共电极线14可以作为栅极152，或者，公共电极线14和栅极152可以为相互独立且导通的元件，本实用新型实施例对此不做限定。

在实际应用中，将第一薄膜晶体管15的栅极152与公共电极线14同层设置，可以方便栅极152和公共电极线14进行连接，而将第一薄膜晶体管15设置在数据线11与公共电极线14的交叉处，可以方便在基板20上形成第一薄膜晶体管15，提高第一薄膜晶体管15的加工便利性。

本实用新型实施例中，公共电极线14通过第一过孔a与公共电极13连接。在所述阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以向公共电极线14释放，使得与公共电极线14连接的栅极152电压升高，导通第一极151和第二极153，由于第二极153悬空，且第二极153在基板20上的正投影与公共电极13在所述基板上的正投影至少部分交叠，第二极153与公共电极13之间可以形成释放电容，以释放与第一极151连接的数据线11上的静电荷，实现对所述阵列基板的静电保护。

具体地，第一薄膜晶体管15的第一极151、栅极152、第二级153，以及第二薄膜晶体管16的第一极161、栅极162第二极163皆可以采用cu、al、mo、ti、cr、w等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备。同理，第一薄膜晶体管15的第一极151、栅极152、第二级153，以及第二薄膜晶体管16的第一极161、栅极162、第二极163可以是单层结构，也可以采用多层结构，如mo\al\mo，ti\cu\ti，moti\cu等。

参照图4，示出了本实用新型提供的另一种阵列基板的结构示意图，参照图5，示出了图4所示的阵列基板中截面b-b’的剖视图。

图4、图5所示的阵列基板中，第一薄膜晶体管15的第二极153在基板20上的正投影与公共电极线14在基板20上的正投影至少部分交叠。

在实际应用中，第一薄膜晶体管15的第二极153在基板20上的正投影与公共电极13在基板20上的正投影至少部分交叠，第二极153与公共电极13之间可以形成释放电容c1。同时，由于第一薄膜晶体管15的第二极153在基板20上的正投影与公共电极线14在基板20上的正投影至少部分交叠，第二极153与公共电极线14之间可以形成释放电容c2。由于公共电极13通过第一过孔a连接公共电极线14，释放电容c2和释放电容c1并联，可以增大对于数据线11上的静电荷的释放能力，进一步提升对于所述阵列基板的静电保护效果。

参照图6，示出了本实用新型提供的再一种阵列基板的结构示意图。

图6所示的阵列基板中，公共电极线14上设有开口c，第一薄膜晶体管15的第二极153在公共电极线14所在平面上的正投影位于开口c内。

在实际应用中，由于第一薄膜晶体管15的第二极153与公共电极13之间可以形成释放电容，在所述阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以通过第二极153进行释放。但是，由于第二极153悬空，第二极153上的电压很容易受到静电荷的影响而产生波动，影响到数据线11上的电压。图6所示的阵列基板中，由于第二极153在公共电极线14所在平面上的正投影位于开口c内，公共电极线14可以用于对第二极153形成静电屏蔽，避免第二极153上的电压受到静电荷的影响而产生波动，进而，可以避免影响到数据线11上的电压，提高数据线11上的数据传输精度。

参照图7，示出了本实用新型提供的又一种阵列基板的结构示意图，参照图8，示出了图7所示的阵列基板截面a-a’的剖视图，参照图9，示出了图7所示的阵列基板中截面b-b’的剖视图。

如图8所示，公共电极13设置于像素电极12的下方，公共电极13在与第二过孔b对应的位置设置有开口d，第二过孔b依次穿过绝缘层23、钝化层22，以使得第二薄膜晶体管16的第二极163暴露。第二过孔b可以穿过开口d，进而，可以使得像素电极12通过第二过孔b与第二薄膜晶体管16的第二极163连接。

在实际应用中，公共电极13可以设置于像素电极12和第一薄膜晶体管15、第二薄膜晶体管16之间。在实际应用中，在公共电极13设置于像素电极12和第一薄膜晶体管15、第二薄膜晶体管16之间的情况下，可以使得公共电极13与第一薄膜晶体管15的第二极153之间的距离较近，这样，就可以使得公共电极13与第二极153之间可以形成较大的释放电容，增大该释放电容对于数据线11上的静电荷的释放能力，进一步提升对于所述阵列基板的静电保护效果。

如图9所示，公共电极13可以通过第一过孔a与公共电极线14连接，第一过孔a可以依次穿过钝化层22和栅极绝缘层21，以使公共电极线14暴露。

本实用新型实施例中，在阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以向所述公共电极线释放，使得与所述公共电极线连接的第一薄膜晶体管的栅极电压升高，导通所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极，由于所述第二极悬空，且所述第二极在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述第二极与所述公共电极之间可以形成释放电容，以释放与所述第一极连接的所述数据线上的静电荷，实现对所述阵列基板的静电保护。

实施例二

本实用新型实施例二还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板，该阵列基板包括形成在基板上的多条栅线、多条数据线、像素电极、公共电极和公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线连接，其特征在于，所述阵列基板还包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述公共电极线连接，所述第一薄膜晶体管的第二极悬空，且在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠；其中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述第一薄膜晶体管、所述公共电极线设置于所述非显示区。

其中，所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极可以分别为源极和漏极，或者，所述第一极和所述第二极可以分别为第一薄膜晶体管的漏极和源极，本实用新型实施例对此不做限定。

本实用新型实施例中，所述阵列基板还包括静电释放单元，所述静电释放单元与所述公共电极线连接。所述阵列基板在制备过程中或者使用过程中产生静电时，所述静电释放单元可以将所该静电导向所述公共电极线进行释放，使得与所述公共电极线连接的所述第一薄膜晶体管的栅极电压升高，导通所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极，释放与所述第一极连接的数据线上的静电荷，实现对所述阵列基板的静电保护。

具体地，所述静电释放单元可以包括但不局限于静电释放线、静电释放电路等，本实用新型对此不做限定。

在实际应用中，所述栅线及所述数据线交叉形成多个像素单元，所述像素单元包括第二晶体薄膜管，所述像素电极可以通过第二过孔与所述第二晶体薄膜管的第二极连接。

该阵列基板上还可以在基板上依次形成有第二晶体薄膜管的栅极、栅极绝缘层以及第二晶体薄膜管的第一极、第一有源层、第二极和数据线，所述第二薄膜晶体管的栅极和第一极之间设置有栅极绝缘层。所述栅极绝缘层上依次形成有钝化层、像素电极、绝缘层以及公共电极。

而且，所述基板上还可以形成有所述第一晶体薄膜管的栅极、公共电极线、所述第一晶体薄膜管的第二极、第二有源层和数据线，其中，所述公共电极线和所述第一薄膜晶体管的栅极连接。

具体地，所述显示面板可以包括但不局限于tn(扭曲向列型，twistednematic)面板、ips(平面转换，in-planeswitching)面板、va(verticalalignment，广视角)面板以及oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)中的任意一种。

本实用新型实施例中，该显示面板包括阵列基板，在阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以向所述公共电极线释放，使得与所述公共电极线连接的第一薄膜晶体管的栅极电压升高，导通所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极，由于所述第二极悬空，且所述第二极在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述第二极与所述公共电极之间可以形成释放电容，以释放与所述第一极连接的所述数据线上的静电荷，实现对所述显示面板的静电保护。

实施例三

本实用新型实施例三还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板，该显示面板包括上述阵列基板，该阵列基板包括形成在基板上的多条栅线、多条数据线、像素电极、公共电极和公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线连接，其特征在于，所述阵列基板还包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述公共电极线连接，所述第一薄膜晶体管的第二极悬空，且在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠；其中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述第一薄膜晶体管、所述公共电极线设置于所述非显示区。

具体的，该显示装置可为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实用新型实施例中，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括阵列基板，在阵列基板上存在静电荷时，静电荷可以向所述公共电极线释放，使得与所述公共电极线连接的第一薄膜晶体管的栅极电压升高，导通所述第一薄膜晶体管的第一极和第二极，由于所述第二极悬空，且所述第二极在所述基板上的正投影与所述公共电极在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述第二极与所述公共电极之间可以形成释放电容，以释放与所述第一极连接的所述数据线上的静电荷，实现对所述显示面板的静电保护，进而，可以实现对所述显示装置的静电保护。

尽管已描述了本申请实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。