驱动阵列基板、显示面板和显示设备的制作方法

本发明涉及显示领域，尤其涉及驱动阵列基板、显示面板和显示设备。

背景技术：

随着平板显示技术的发展，人们对显示设备的画质要求越来越高，其中，可视角度是衡量显示设备画质的一个重要指标。对于液晶显示设备而言，大多数液晶显示设备所显示的颜色都会随着视角而变化，其原因之一是由于液晶显示面板是通过对液晶施加电压控制液晶偏转，从而实现背光穿透量的控制。而由于液晶的偏转，在背光穿过液晶分子时，背光从不同方向出射的光线穿透量不同，即随角度呈现不同的光穿透率，因而造成从不同角度观察，显示亮度不相同。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述液晶显示设备从不同角度观察，显示亮度不相同的技术问题，提供一种驱动阵列基板、显示面板和显示设备。

本发明实施例提供一种驱动阵列基板，包括基板，设置在基板上的若干个第一子像素，若干个第二子像素以及若干个公共电极，每个第一子像素均包括第一薄膜晶体管，每个第二子像素均包括第二薄膜晶体管，在基板的第一方向和第二方向上均排列有第一子像素和第二子像素；

第一子像素与第二子像素在第一方向上依次相间排列，且第一子像素与第二子像素在第二方向上依次相间排列；

每个第一子像素还包括第一存储电容；第一存储电容第一端连接对应的第一薄膜晶体管的漏极，第二端连接对应的公共电极的第一端；

每个第二子像素还包括第二存储电容；第二存储电容的电容值小于第一存储电容的电容值；第二存储电容的第一端连接对应的第二薄膜晶体管的漏极，第二端连接对应的公共电极的第一端；

每个公共电极的第二端均用于连接相同电位。

在其中一个实施例中，第一存储电容的电容值与第二存储电容的电容值之比为3/2。

在其中一个实施例中，每个第一薄膜晶体管的漏极与公共电极绝缘并交叠形成第一重叠区；

每个第二薄膜晶体管的漏极与公共电极绝缘并交叠形成第二重叠区；

第一重叠区的面积大于第二重叠区的面积。

在其中一个实施例中，基板上还设有绝缘层；

公共电极覆盖部分基板，绝缘层覆盖公共电极和基板；

第一薄膜晶体管的漏极覆盖部分绝缘层并与公共电极在空间上重叠以形成第一重叠区；

第二薄膜晶体管的漏极覆盖部分绝缘层并与公共电极在空间上重叠以形成第二重叠区。

在其中一个实施例中，第一重叠区的面积与第二重叠区的面积之比为3/2。

一种驱动阵列基板，包括基板，设置在基板上的若干个第一子像素，若干个第二子像素以及若干个公共电极，每个第一子像素均包括第一薄膜晶体管，每个第二子像素均包括第二薄膜晶体管，其特征在于，在基板的第一方向和第二方向上均排列有第一子像素和第二子像素；

第一子像素与第二子像素在第一方向上依次相间排列，且第一子像素与第二子像素在第二方向上依次相间排列；

每个第一子像素还包括第一存储电容；第一存储电容第一端连接对应的第一薄膜晶体管的漏极，第二端连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极；

每个第二子像素还包括第二存储电容；第二存储电容的电容值小于第一存储电容的电容值；第二存储电容的第一端连接对应的第二薄膜晶体管的漏极，第二端连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极。

在其中一个实施例中，第一存储电容的电容值与第二存储电容的电容值之比为3/2。

一种显示面板，包括上述驱动阵列基板、与驱动阵列基板相匹配的彩膜基板，以及设置于驱动阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

在其中一个实施例中，彩膜基板包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，沿第一方向的各色阻按红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的顺序循环排列，且沿第二方向的各色阻按红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻的顺序循环排列，第一方向与第二方向垂直。

本发明实施例还提供一种显示设备，包括上述实施例提供的显示面板。

上述驱动阵列基板，通过设置用于维持液晶偏转电压的第一存储电容和第二存储电容，其中第一存储电容的电容值比第二存储电容的电容值大，从而使得加在第一存储电容柜对应液晶上的电压大于第二存储电容对应液晶的电压，因此第一存储电容对应液晶的偏转角大于第二存储电容对应液晶的第二偏转角。当背光穿过不同偏转角的液晶时，则对应不同视角的穿透率，即背光穿过第一像素液晶时对应在第一观察角度的穿透率最大，背光穿过第二像素液晶时对应在第二观察角度的穿透率最大，另外，沿基板第一方向上间隔设置第一子像素与第二子像素，沿基板第二方向上也间隔设置第一子像素与第二子像素，实现在多方向上液晶显示设备的可视角度的广视角优化。

附图说明

图1为本发明一个实施例驱动阵列基板的示意图；

图2为本发明另一个实施例驱动阵列基板的示意图；

图3为本发明一个实施例第一子像素的结构示意图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种驱动阵列基板，包括基板1，若干个子像素，以及若干个公共电极4。其中，每个子像素均设置在基板上，子像素包括第一子像素11和第二子像素12，每个第一子像素11均包括第一薄膜晶体管2，每个第二子像素12均包括第二薄膜晶体管。其中，在基板1的第一方向和第二方向上均排列有第一子像素11和第二子像素12；第一子像素11与第二子像素12在第一方向上依次相间排列，且第一子像素11与第二子像素12在第二方向上依次相间排列；每个第一子像素11还包括第一存储电容111，每个第二子像素12还包括第二存储电容121，第二存储电容121的电容值小于第一存储电容111的电容值。

第一存储电容111的第一端连接对应的第一薄膜晶体管2的漏极23，即第一存储电容111的第一端连接其所在第一子像素11的第一薄膜晶体管2的漏极23。第一存储电容111的第二端连接对应的公共电极4的第一端。可选地，第一存储电容111的第一端可以直接连接第一薄膜晶体管2的漏极23，也可以间接连接第一薄膜晶体管2的漏极23，只要是电连接即可。同样地，第一存储电容111的第二端可以直接连接对应的公共电极4的第一端，也可以间接连接公共电极4的第一端，只要是电连接即可。

第二存储电容121的第一端连接对应的第二薄膜晶体管的漏极，即第二存储电容的第一端连接所在第二子像素的第二薄膜晶体管的漏极。第二存储电容121的第二端连接对应的公共电极4的第一端。可选地，第二存储电容121的第一端可以直接连接第二薄膜晶体管的漏极，也可以间接连接第二薄膜晶体管的漏极，只要是电连接即可。同样地，第二存储电容121的第二端可以直接连接公共电极4的第一端，也可以间接连接公共电极4的第一端，只要是电连接即可。

每个公共电极的第二端用于连接相同的电位。

可选地，驱动阵列基板还包括若干条扫描线3以及若干条数据线5。其中，数据线5和扫描线3都是设置在基板上的导电线。数据线5沿基板的第一方向排列，扫描线3沿基板的第二方向排列。

第一子像素11设置在基板上，每个第一薄膜晶体管2的栅极21连接对应的一条扫描线3，源极22连接对应的一条数据线5，漏极23连接对应的第一存储电容111的第一端。第一薄膜晶体管2在接收到扫描线3的扫描信号后，第一薄膜晶体管2的源极22和漏极23导通，此时源极22接收来自数据线5的显示驱动电压，并将显示驱动电压输出至漏极23，与彩膜基板的公共电极相配合形成电场，以驱动夹设在驱动阵列基板和彩膜基板之间对应区域的液晶进行偏转。与此同时，漏极23输出的显示驱动电压还向第一存储电容111充电。当扫描信号结束后，第一薄膜晶体管2关断，在第一薄膜晶体管2关断到下一次导通的期间内，第一子像素11对应区域的液晶将通过第一薄膜晶体管2漏电，导致液晶两端的电压逐渐下降，液晶的偏转将逐渐复位。此时，第一存储电容111用于向对应区域的液晶提供第一保持电压，保持液晶偏转正常。

同样地，第二子像素12设置在基板1上，每个第二薄膜晶体管的栅极连接对应的一条扫描线3，源极连接对应的一条数据线5，漏极连接对应的第二存储电容121的第一端，每个第二存储电容121的第二端连接对应的公共电极4的第一端。每个公共电极4的第二端用于连接相同电位。第二薄膜晶体管的栅极在接收到扫描线3的扫描信号后，源极和漏极导通，对应的数据线5通过源极向漏极输出驱动电压，漏极通过与彩膜基板上的公共电极4相配合形成电场，以驱动夹设在驱动阵列基板和彩膜基板之间对应区域的液晶进行偏转。同时，漏极将显示驱动电压输出至第二存储电容121以向第二存储电容121充电，第二存储电容121用于在第二薄膜晶体管关断后至下一次导通的期间内向对应区域的液晶提供第二保持电压，保持液晶偏转正常。当然，为形成电场以驱动液晶偏转，在一些类型的液晶面板中，彩膜基板的公共电极也可以设置在驱动阵列基板上，比如采用ips(in-planeswitching，面内转换技术)技术的液晶面板，这是本领域技术人员所了解并能实现的，在此不再赘述。

由于第二存储电容121的电容值小于第一存储电容111的电容值，因此第二保持电压小于第一保持电压，第二像素液晶的偏转角度小于第一像素液晶的偏转角度，导致背光在穿过第一像素液晶时对应在第一观察角的穿透率最大，背光在穿过第二像素液晶时对应在第二观察角的穿透率最大，从而从多个角度观察显示画面均可得到较好的亮度，扩大了可视角的范围。

参考图1所示，在基板的第一方向和第二方向均排列有第一子像素11和第二子像素12。第一子像素11和第二子像素12在第一方向上依次相间排列。比如，图1中以方向a为基板的第一方向，沿着方向a任意相邻两个子像素都包含第一子像素11和第二子像素12。这样，可以使得沿方向a上的任意相邻两个子像素对应区域的液晶以不同的角度偏转，实现广视角。

参考图2所示，在其中一个实施例中，在第一方向和第二方向上均依次相间排列第一子像素11和第二子像素12，可以使得沿第一方向上任意相邻两个子像素对应区域的液晶以不同的角度偏转，同时第二方向上任意相邻两个子像素对应区域的液晶也以不同的角度偏转，实现两个方向上的广视角，保证各角度下的显示品质。

可选地，根据电容的决定式c＝εs/4πkd，其中，ε是介电常数，π为圆周率，k为静电力常数，s是电容两极的正对面积，d是电容两极的距离，可知，可以通过设置存储电容的两极正对面积的大小分别设定第一存储电容和第二存储电容的电容值，也可以通过设置存储电容两极之间的距离分别设定第一存储电容和第二存储电容的电容值，还可以通过设置存储电容两极之间的介质材料得到不同的介电常数，从而分别设定第一存储电容和第二存储电容的大小。

在传统的驱动阵列基板中，各个子像素的存储电容都配置为相同电容值的电容，因此采用传统驱动真理基板的显示设备在显示时的可视角度单一。而本发明实施例提供的驱动阵列基板，其第一存储电容的电容值大于第二存储电容的电容值，这种设置可以使第一像素液晶和第二像素液晶的偏转至不同的角度，实现广视角。

在其中一个实施例中，第一存储电容的电容值与第二存储电容的电容值之比为3/2。

在其中一个实施例中，每个第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4绝缘，并且第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4交叠形成第一重叠区。每个第二薄膜晶体管的漏极与公共电极4绝缘，并且第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4交叠形成第二重叠区。第一重叠区的面积大于第二重叠区的面积。其中，第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4之间的第一重叠区形成第一存储电容，第二薄膜晶体管漏极与公共电极4之间的第二重叠区形成第二存储电容。其中，第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4绝缘，是指第一薄膜晶体管的漏极23与公共电极4无电性导通，比如，第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4无接触，可以实现两者的绝缘；在比如，在第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4之间设置介质，也可以实现两者的绝缘。同样地，第二薄膜晶体管的漏极与公共电极4绝缘，也可以参照第一薄膜晶体管的漏极13与公共电极4之间的绝缘操作进行设置。其中，第一重叠区是空间上的重叠，可以是第一薄膜晶体管漏极23与公共电极4在平行基板1的方向形成的重叠区，也可以是第一薄膜晶体管漏极23和公共电极4在垂直基板1的方向形成的重叠区，只要第一薄膜晶体管与公共电极4能够存在交叠部即可。同样地，第二重叠区与第一重叠区的设置类似，可以是第二薄膜晶体管漏极与公共电极4在平行基板1的方向形成的重叠区，也可以是第二薄膜晶体管和公共电极4在垂直基板1的方向形成的重叠区，只要第二薄膜晶体管与公共电极4能够存在交叠部即可。

可选地，在制程中，第一薄膜晶体管2的漏极23和第二薄膜晶体管的漏极可以同时制作，与第一薄膜晶体管漏极23对应的公共电极4以及与第二薄膜晶体管漏极对应的公共电极4是相同性质的电极。因此，第一重叠区与第二重叠区仅面积不同，第一重叠区的面积大于第二重叠区，即第一存储电容的电容值大于第二存储电容的电容值。

本实施例通过第一薄膜晶体管与公共电极4之间形成第一重叠区、第二薄膜晶体管和公共电极4之间形成第二重叠区，通过此设置形成第一存储电容和第二存储电容，并使得第一重叠区的面积大于第二重叠区的面积，从而使得第一存储电容的电容值大于第二存储电容的电容值，实现使液晶偏转角度不同的效果。

在其中一个实施例中，参考图3所示，基板1上还设有绝缘层。其中，公共电极4覆盖部分基板1，绝缘层覆盖公共电极4和基板1。第一薄膜晶体管2的漏极23设置在绝缘层上，并部分覆盖绝缘层，同时，第一薄膜晶体管2的漏极23与公共电极4在空间上重叠以形成第一重叠区。同样地，第二薄膜晶体管的漏极设置在绝缘层上，并部分覆盖绝缘层，同时，第二薄膜晶体管的漏极与公共电极4在空间上重叠以形成第二重叠区。这里的第一重叠区形成第一存储电容，第二重叠区形成第二存储电容。可选地，在基板的制程上，第一薄膜晶体管2的漏极23和第二薄膜晶体管的漏极同时制作，即两者的制作材料一样。第一薄膜晶体管漏极23对应的公共电极4以及第二薄膜晶体管漏极对应的公共电极4为相同性质的电极，可选地，两者由相同材料制作。绝缘层覆盖公共电极4和基板1，即第一薄膜晶体管漏极23和公共电极4之间设有绝缘层，绝缘层作为第一薄膜晶体管漏极23和公共电极4之间的介质。同样地，第二薄膜晶体管漏极和公共电极4之间也设有绝缘层，即介质材料与第一薄膜晶体管和公共电极4之间的一样，介电常数一致。因此，第一重叠区与第二重叠区仅面积不同，通过曝光、显影、沉积的方式制作第一薄膜晶体管的漏极23和第二薄膜晶体管的漏极时，只需将两者的曝光图案设置不同，即可形成不同面积的重叠区，从而可以配置第一存储电容的电容值大于第二存储电容的电容值。

可选地，第一重叠区与第二重叠区的面积之比为3/2，由于第一重叠区与第二重叠区仅面积不同，因此，面积之比即为对应的电容之比，即通过设置重叠区的面积比将第一存储电容的电容值与第二存储电容的电容值之比设置为3/2。

可选地，驱动阵列基板还可以设置若干个第三子像素，第三子像素包括第三薄膜晶体管和第三存储电容。其中，每个第三子像素的栅极连接对应的扫描线3，源极连接对应的数据线5，漏极连接对应的第三存储电容的第一端，第三存储电容的第二端连接对应的公共电极4。其中，第三存储电容的电容值与第一存储电容和第二存储电容的电容值均不相同。通过这种设置，可以使得驱动阵列基板对应的显示面板有更大的可视角度。

本发明实施例还提供一种驱动阵列基板，包括基板，以及设置在基板上的若干个子像素。

其中，每个子像素均设置在基板上，子像素包括第一子像素和第二子像素。每个第一子像素均包括第一薄膜晶体管，每个第二子像素均包括第二薄膜晶体管。其中，每个第一子像素还包括第一存储电容，每个第二子像素还包括第二存储电容，第二存储电容的电容值小于第一存储电容的电容值。

第一存储电容的第一端连接对应的第一薄膜晶体管的漏极，即第一存储电容的第一端连接其所在第一子像素的第一薄膜晶体管的漏极。第一存储电容的第二端连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极。可选地，第一存储电容的第一端可以直接连接第一薄膜晶体管的漏极，也可以间接连接第一薄膜晶体管的漏极，只要是电连接即可。同样地，第一存储电容的第二端可以直接连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极，也可以间接连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极，只要是电连接即可。这里所指的相邻子像素，可以是相邻的第一子像素，也可以是相邻的第二子像素，只要是与第一存储电容相邻的子像素即可。

第二存储电容的第一端连接对应的第二薄膜晶体管的漏极，即第二存储电容的第一端连接所在第二子像素的第二薄膜晶体管的漏极。第二存储电容的第二端连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极。可选地，第二存储电容的第一端可以直接连接第二薄膜晶体管的漏极，也可以间接连接第二薄膜晶体管的漏极，只要是电连接即可。同样地，第二存储电容的第二端可以直接连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极，也可以间接连接相邻子像素薄膜晶体管的栅极，只要是电连接即可。这里所指的相邻子像素，是指与第二存储电容相邻的子像素。

其中，由于第二存储电容的电容值小于第一存储电容的电容值，因此第二保持电压小于第一保持电压，第二像素液晶的偏转角度小于第一像素液晶的偏转角度，导致背光在穿过第一像素液晶时对应在第一观察角的穿透率最大，背光在穿过第二像素液晶时对应在第二观察角的穿透率最大，从而扩大了可视角的范围。

可选地，根据电容的决定式c＝εs/4πkd，其中，ε是介电常数，π为圆周率，k为静电力常数，s是电容两极的正对面积，d是电容两极的距离，可以通过设置存储电容两极的正对面积的大小，分别设定第一存储电容和第二存储电容的电容值；也可以通过设置存储电容两极之间的距离，分别设定第一存储电容和第二存储电容的电容值；还可以通过设置存储电容两极之间的介质材料，得到不同的介电常数，从而分别设定第一存储电容和第二存储电容的大小。

本实施例提供的驱动阵列基板，通过将第一存储电容的电容值大于第二存储电容的电容值，使得第一像素液晶的偏转角度与第二像素液晶的偏转角度不同，实现广视角。同时，由于第一存储电容和第二存储电容均设置与扫描线3连接，在硬件上不必设置公共电极4，可以提高开口率。

在其中一个实施例中，第一存储电容的电容值与第二存储电容的电容值之比为3/2。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例提供的驱动阵列基板、与驱动阵列基板相匹配的彩膜基板，以及设置于驱动阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。本发明实施例提供的显示面板，第一像素液晶和第二像素液晶的偏转电压不相同，因而偏转角度不同，从而可以实现广视角。彩膜基板可以是由一种或多种颜色的光学滤光片组成的板子，每个光学滤光片都可以精确选择欲通过的小范围波段光波，而反射掉其他不希望通过的波段，使人眼可以接收到饱和的某个颜色光线。例如，可以由红、绿、蓝三种滤光片依次间隔排列。

在其中一个实施例中，彩膜基板包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，沿第一方向的各色阻按红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的顺序循环排列，且沿第二方向的各色阻按红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻的顺序循环排列，第一方向与第二方向垂直。通过采用这种色阻排列方式配合上述驱动阵列基板中第一存储电容和第二存储电容的大小关系设置，不仅可以实现广角显示，还可以减小在大视角下的色偏，提高画素显示质量。其中，第一方向和第二方向的释义与上述实施例中相同，在此不做赘述。按本领域技术人员可知的方式，各色阻与上述子像素之间一一对应设置。

本发明实施例还提供一种显示设备，包括上述实施例提供的显示面板。本实施例的显示设备，可以是手机、电脑、电视机等设备。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。