一种数字掩模投影光刻优化方法及系统

1.本发明涉及数字掩模投影光刻技术领域，更具体地，涉及一种数字掩模投影光刻的版图优化方法及系统。


背景技术：

2.随着光刻特征尺寸的减小，光刻图形将产生严重畸变，因此在传统掩模光刻中通常采用反演光刻技术(inverse lithography technology，ilt)来解决图像失真以及提高光刻图形分辨率。传统光刻多采用基于像素表征的反演计算掩模优化和修正，其本质是优化每个抽样后像素点的复振幅透过率，该方法优化的图形都是复杂的拓扑结构，不仅增加了掩膜的制造难度和成本，而且某些图形更是无法制造。所以商业化的反演光刻软件都会对掩膜的制造规则进行约束，保证其优化掩膜的可制造性，但这同样会对优化后的掩膜产生不可预测的影响，如特征尺寸误差，图形放置误差等。
3.目前基于空间光调制器(slm)的无掩模投影光刻技术中，一方面因其数字化的掩模成本远低于基于电子束光刻制造的传统实体掩模，可以省去掩模板及其制作设备的成本；另一方面“数字掩模”可以产生任意的复杂的拓扑结构，不受传统光刻掩模优化的制造规则限制，可显著提高了光刻图形的可制造性、灵活性和生产效率，因此该技术广泛受到工业界及国防等小批量、定制化生产应用领域的关注。然而，随着无掩模投影光刻特征尺寸的缩小，光刻图形依然会严重偏离设计的图形，或存在数字掩模投影光刻的分辨率较低的问题。因此需要对数字掩模进行基于反演光刻的邻近效应校正，但是传统掩模反演计算光刻算法并不能直接适用于离散化的数字掩模的优化。


技术实现要素：

4.本发明为解决现有的数字掩模投影光刻面临的实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提供一种数字掩模投影光刻优化方法，以及一种数字掩模投影光刻优化系统。
5.为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
6.一种数字掩模投影光刻优化方法，包括以下步骤：
7.建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型；
8.建立以数字掩膜为变量的关于图形保真度的代价函数f；
9.给定二元的目标图形并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数f计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行迭代优化，得到数字掩模m；
10.将所述数字掩模m加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案z。
11.在本技术方案中，
12.作为优选方案，所述数字掩模投影光刻成像模型包括光学模型和光刻胶的化学模
型。
13.作为优选方案，所述光刻胶的化学模型表示为：
[0014][0015]
式中，a
r
为常系数，其值越大sigmoid函数越接近硬阈值函数；t
r
为光刻胶阈值；z(x，y)的值在0到1之间；i(x，y)表示光源成像模型，其表达公式如下：
[0016][0017]
式中，h
p
(x，y)表示x、y、z偏振方向上的点扩散函数，m(x，y)表示数字掩模的复振幅透过率；*表示卷积运算。
[0018]
作为优选方案，所述光源成像模型i(x，y)包括偏振方向上的相干系统光强的线性叠加。
[0019]
作为优选方案，所述数字掩模由振幅空间光调制器生成，所述数字掩模的复振幅透过率m(x，y)表示为：
[0020][0021]
式中，a
m，n
(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)表示像素点(m，n)上的光场调制，且经归一化后其振幅为0到1的任意实数，位相为0或π；u(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)表示像素点(m，n)上复振幅透过率，u函数为矩形函数；d
x
、d
y
分别表示像素排列的x方向周期以及y方向周期；
[0022]
在建立所述以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式时，其表达式为：
[0023][0024]
式中，m为数字掩模的复振幅透过率m(x，y)的离散矩阵形式，m为a
m，n
(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)的矩阵表达形式，core为u(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)的离散表达形式，代表对数字掩模单个像元的抽样矩阵；表示克罗内克积。
[0025]
作为优选方案，以所述数字掩模复振幅透过率的离散矩阵建立数字掩模投影光刻成像模型的光学模型，其表达公式如下：
[0026][0027]
则生成的光刻图案z表示为：
[0028][0029]
式中，t{m}表示光刻正向系统，表示接收数字掩膜m得到的光刻图形。
[0030]
作为优选方案，所述数字掩模反演计算过程中，对于给定的二元的目标图形寻找一个数字掩模并加载在空间光调制器上使得光刻图案与目标图形的差距最小，其代价函数f表示为：
[0031][0032]
式中，n
m
表示数字掩膜像素在x或者y方向排列的像素数量；表示f范数的平方。
[0033]
作为优选方案，所述数字掩模反演计算过程中，当所述数字掩模只加载灰度振幅，不对相位进行调制时，数字掩模m第i行第j列的像素m
i，j
∈[0，1]，其中i，j＝1，2，...，n
m
，则有最优化问题：
[0034][0035]
其中，θ
i，j
∈[
‑
∞，+∞]；
[0036]
当所述数字掩模加载灰度幅度，且其位相处于0或者π时，数字掩模m第i行第j列的元素m
i，j
∈[
‑
1，1]，其中i，j＝1，2，...，n
m
，则有最优化问题：
[0037]
m＝cosθ
[0038]
其中，θ
i，j
∈[
‑
∞，+∞]；式中，θ表示数字掩模，θ
i，j
表示数字掩模θ中第i行第j列的元素。
[0039]
作为优选方案，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化过程中，根据所述最优化问题，采用最速下降法计算所述代价函数f对于数字掩模的梯度。
[0040]
一种数字掩模投影光刻优化系统，应用于上述任一技术方案所述的数字掩模投影光刻优化方法，包括轴上点光源、空间光调制器、处理器，其中：所述处理器执行上述任一技术方案所述的数字掩模投影光刻优化方法的步骤；所述轴上点光源经所述处理器生成优化后的数字掩模m后加载在所述空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案z。
[0041]
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：本发明使用空间光调制器来实现“数字掩模”，代替传统光刻系统昂贵的掩模版，并针对数字掩膜构建数字掩模投影光刻成像模型，进一步采用数字掩膜反演计算光刻技术求解数字掩膜的每个像元所加载的复振幅调制系数(即求解一个数字掩膜)，使其对应的光刻图案z与期望的目标图形一致，且能够有效提高数字掩模投影光刻的分辨率。
附图说明
[0042]
图1为实施例1的数字掩模投影光刻优化方法的流程图。
[0043]
图2为实施例1的运算的示意图。
[0044]
图3为实施例1的点光源x方向偏振的点扩散函数的振幅示意图。
[0045]
图4为实施例1的点光源y方向偏振的点扩散函数的振幅示意图。
[0046]
图5为实施例1的点光源z方向偏振的点扩散函数的振幅示意图。
[0047]
图6为实施例2的l型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。
[0048]
图7为实施例2的光栅型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。
[0049]
图8为实施例2的典型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。
[0050]
图9为实施例2的另一典型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。
[0051]
图10为实施例2的另一典型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。
[0052]
图11为实施例3的数字掩模投影光刻优化系统的结构示意图。
具体实施方式
[0053]
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
[0054]
为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；
[0055]
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0056]
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
[0057]
实施例1
[0058]
本实施例提出一种数字掩模投影光刻优化方法，如图1所示，为本实施例的数字掩模投影光刻优化方法的流程图。
[0059]
本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法中，包括以下步骤：
[0060]
步骤1：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型。
[0061]
本实施例中的数字掩模由空间光调制器生成，则数字掩模的复振幅透过率m(x，y)表示为：
[0062][0063]
式中，a
m，n
(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)表示像素点(m，n)上的光场调制，且经归一化后其振幅为0到1的任意实数，位相为0或π；d
x
、d
y
分别表示x、y方向的像素周期；u(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)表示像素点(m，n)上复振幅透过率，且由于空间光调制器一般由矩形小像元周期排布组成，故u函数为矩形函数。
[0064]
因此本步骤中在建立所述以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式时，其表达式为：
[0065][0066]
式中，m为数字掩模的复振幅透过率m(x，y)的离散矩阵形式，m为a
m，n
(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)的矩阵表达形式，core为u(x
‑
md
x
，y
‑
nd
y
)的离散表达形式，代表对数字掩模单个像元的抽样矩阵；表示克罗内克积(kronecker product)。
[0067]
本实施例考虑到数字掩膜的特殊性，其对不同方向的光的复振幅透过率可能不同，即传统掩膜的照明方式离轴照明的有效性无法验证，故为了保证空间光调制器的正常工作，使用轴上点光源照明，则数字掩膜投影光刻系统的光源成像模型表示为：
[0068][0069]
式中，h
p
(x，y)表示x、y、z偏振方向上的点扩散函数，m(x，y)表示数字掩模的复振幅透过率；*表示卷积运算。且本实施例中的光源成像模型i(x，y)为x、y、z三个偏振方向上的相干系统光强的线性叠加。
[0070]
进一步的，本实施例的数字掩模投影光刻成像模型包括光刻胶的化学模型和光学模型。
[0071]
其中，针对光刻胶的化学模型，通常光刻胶(本实施例以负性光刻胶为例)在接受光强达到曝光阈值，光刻胶分子发生交联不溶于显影液，作为光刻胶图形保留下来；其硬阈值模型为：
[0072][0073]
式中，z
b
表示，i
r
为光刻胶阈值；由上式可知，z
b
为二元，其表达式不可导，在反演计算光刻技术中，为了代价函数可导，本实施例使用sigmoid函数代替硬阈值函数，则本实施例的光刻胶的化学模型表示为：
[0074][0075]
式中，a
r
为常系数，其值越大sigmoid函数越接近硬阈值函数；t
r
为光刻胶阈值；z(x，y)的值在0到1之间。上述函数的意义在于，若某像素点接收光强大于光刻胶阈值t
r
，则其值越接近1，代表该位置曝光；若某像素点接收光强小于光刻胶阈值t
r
，则其值越接近0，代表该位置不曝光。
[0076]
本实施例中，以数字掩模复振幅透过率的离散矩阵建立数字掩模投影光刻成像模型的光学模型，其表达公式如下：
[0077][0078]
则生成的光刻图案z表示为：
[0079][0080]
式中，t{m}表示光刻正向系统，表示接收数字掩膜m得到的光刻图形。
[0081]
步骤2：建立以数字掩膜为变量的关于图形保真度的代价函数f。
[0082]
在本实施例的数字掩模反演计算过程中，对于给定的二元的目标图形寻找一个数字掩模并加载在空间光调制器上使得光刻图案z∈r
n
×
n
与目标图形的差距最小，则代价函数f表示为：
[0083][0084]
式中，n
m
表示数字掩膜的x或者y方向排列的像素数量；表示f范数的平方，式中表示光刻图案z与目标图形的欧拉距离的平方。代价函数f以数字掩模m为变量，因此代价函数f表征数字掩模m得到的光刻图案z与目标图形的差距，其值越小，则得到的光刻图案z越接近目标图形
[0085]
步骤3：给定二元的目标图形并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数f计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模m。
[0086]
本实施例中，当所述数字掩模只加载灰度振幅，不对相位进行调制时，数字掩模m中第i行第j列的元素m
i，j
∈[0，1]，其中i，j＝1，2，...，n
m
，对于约束最优化求解困难，本实施例利用三角函数将问题转化为无约束最优化问题：
[0087][0088]
其中，θ
i，j
∈[
‑
∞，+∞]，i，j＝1，2，...，n
m
；式中，θ表示数字掩模，θ
i，j
表示第i行第j列的数字掩模离散矩阵元素；
[0089]
此时采用最速下降法计算所述代价函数f对于数字掩模m的梯度，即计算代价函数f对于数字掩模θ的梯度：
[0090][0091]
当所述数字掩模加载灰度幅度，且其位相处于0或者π时，数字掩模m中第i行第j列的元素m
i，j
∈[
‑
1，1]，其中i，j＝1，2，...，n
m
，对于约束最优化求解困难，本实施例利用三角
函数将问题转化为无约束最优化问题：
[0092]
m＝cosθ
[0093]
其中，θ
i，j
∈[
‑
∞，+∞]，i，j＝1，2，...，n
m
；此时采用最速下降法计算所述代价函数f对于数字掩模m的梯度，即计算代价函数f对于数字掩模θ的梯度：
[0094][0095]
式中，a
r
表示sigmoid函数的参数；re{
·
}表示取实部；表示对矩阵h
p
的上下左右翻转操作；h
p*
表示对矩阵h
p
的取共轭操作；o表示矩阵元素对应相乘；core表示core矩阵；t表示目标光刻图形；
[0096]
为本实施例自定义的操作，表示将每个像元内的抽样点与core矩阵(数字掩模单个像元的抽样矩阵)中矩阵元素对应相乘后相加，再按照原来排列的顺序组成一个新的矩阵；其中，若core矩阵为全1矩阵时，该运算等于平均池化，由于与全1矩阵做克罗内克积等于一个上采样的过程，其梯度计算应为下采样过程。
[0097]
如图2所示，为本实施例的运算的示意图。图中表示为3
×
3的core矩阵与6
×
6的矩阵进行运算，假设该6
×
6矩阵为数字掩膜的每个抽样点的关于f的梯度，同一颜色的抽样点来自于同一个数字掩膜像元，由于振幅空间光的特性只能调制每个独立像元的振幅，无法调制像元内不同位置的振幅，因此来自同一个数字掩膜像元的抽样点的值也必须要保持一致。本实施例采用运算使数字掩膜的一个像元大小的“区域”内的抽样点在迭代过程保持一致。
[0098]
进一步的，本实施例采用最速下降法计算所述代价函数f对于数字掩模的梯度。最速下降法一般是直接使用梯度的反方向为迭代方向，以精确搜索或者非精确线搜索为步长，又或者常数步长；本实施例采用最速下降法不断迭代数字掩模的值，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模m。
[0099]
步骤4：将所述数字掩模m加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案z。
[0100]
本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法，使用空间光调制器来实现“数字掩模”，代替传统光刻系统昂贵的掩模版，并针对数字掩膜构建数字掩模投影光刻成像模型，进一步采用数字掩膜反演计算光刻技术求解数字掩膜的每个像元所加载的复振幅调制系数(即求解一个数字掩膜)，使其对应的光刻图案z与期望的目标图形一致，且能够有效提高数字掩模投影光刻的分辨率。
[0101]
实施例2
[0102]
本实施例提出一种数字掩模投影光刻优化方法的具体实施过程。
[0103]
首先确定仿真所使用的参数，采用轴上点光源照明，该点光源发出x方向的偏振光。系统选用波长为343nm，像方数值孔径为1.45，物方折射率为1，像方折射率为1.516，系统采用100
×
精缩，仿真所使用的空间光调制器周期为3.75微米，填充率为百分之89，仿真为了方便考虑其填充率为百分百(考虑填充率一般影响光强的绝对强度而不影响其光强的相对分布)。
[0104]
在空间光调制器的每个像元x和y维度各抽样10个点，故物方抽样间隔为375nm，对
应像方为3.75nm的抽样间隔。仿真区域选用31
×
31的像元个数，即对应像方1162.5nm
×
1162.5nm的区域。
[0105]
如图3～5所示，为本实施例的点光源矢量成像在像面的x、y、z方向偏振的点扩散函数的振幅示意图。
[0106]
本实施例为了方便评价数字掩膜反演计算光刻技术的优化效果，有以下评价标准：
[0107]
定义图形误差：
[0108]
定义归一化图形误差：l为光刻图形边缘的像素总数；
[0109]
定义特征尺寸误差(cde)：光刻图形在测量位置的尺度误差；
[0110]
放置误差(ple)：光刻图形在测量位置中心点移动的距离。
[0111]
在具体实施过程中，如图6所示，为l型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。图6(a)中的l型光刻图形为目标图形，其特征尺寸为112.5nm，图6(b)为迭代初值的数字掩膜，图6(c)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形，图6(d)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。采用上述评价标准对迭代初值的数字掩模进行评价，未经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为1600，npe为2.76，而且在较多的位置产生cde和ple。
[0112]
而图6(e)为采用本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法优化后的仅振幅灰度化而位相固定的数字掩膜，图6(f)为(e)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图6(g)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为96，npe为0.165。而且除了图形边角产生的一些误差，其边缘基本与我们所需的光刻图形重合。其中参数为a
r
＝100，i
r
＝0.4，其他参数与上面描述的一致。
[0113]
如图7所示，为光栅型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。其中，图7(a)为光栅型光刻图形，其特征尺寸为112.5nm，周期为255nm。由于该目标图形的周期并不是数字掩膜像元的整数倍，若不通过反演计算光刻技术无法产生该光刻图形。图7(b)为迭代初值的数字掩膜。图7(c)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形，图7(d)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。采用上述评价标准对未经过优化的数字掩膜产生的光刻图形进行评价，其pe值为7472，npe为12.88，而且在较多的位置产生cde和ple。
[0114]
而图7(e)为采用本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法优化后的仅振幅灰度化而位相固定的数字掩膜，图7(f)为图7(e)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图7(g)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。其中经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为301，npe为0.237。而且除了边角产生一些误差之后，其边缘基本与我们所需的光刻图形重合。其中参数为a
r
＝100，i
r
＝0.5，其他参数与上面描述的一致。
[0115]
如图8所示，为一典型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。其中，图8(a)为一典型光刻图形，其特征尺寸为112.5nm，图8(b)为迭代初值的数字掩膜，图8(c)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形，图8(d)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。采用上述评价标准对未经过优化的数字掩膜产生的光刻图形
进行评价，其pe值为2052，npe为2.56，而且在较多的位置产生cde和ple。
[0116]
图8(e)为采用本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法优化后的仅振幅灰度化而位相固定的数字掩膜，图8(f)为图8(e)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图8(g)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为305，npe为0.38。
[0117]
图8(h)为梯度算法优化过后的振幅灰度化而位相处于0或者π的数字掩膜，图8(i)为图8(h)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图8(j)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为121，npe为0.15，相对于纯振幅优化，其图形误差更小，其一些难以优化的圆角也得到了改善。其中参数为a
r
＝100，i
r
＝0.4，其他参数与上面描述的一致。
[0118]
如图9所示，为另一典型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。其中，图9(a)为典型光刻图形，其特征尺寸为112.5nm，图9(b)为迭代初值的数字掩膜，图9(c)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形，图9(d)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。采用上述评价标准对未经过优化的数字掩膜产生的光刻图形进行评价，其pe值为2952，npe为4.47，而且在较多的位置产生cde和ple。
[0119]
图9(e)为采用本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法优化后的仅振幅灰度化而位相固定的数字掩膜，图9(f)为图9(e)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图9(g)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为275，npe为0.416。图9(h)优化后的振幅灰度化而位相处于0或者π的数字掩膜，图9(i)为图9(h)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图9(j)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为209，npe为0.316，相对于纯振幅优化，其图形误差更小，其一些难以优化的圆角也得到了改善。其中参数为a
r
＝100，i
r
＝0.5，其他参数与上面描述的一致。
[0120]
如图10所示，为另一典型光刻图形及其数字掩模投影光刻优化示意图。其中，图10(a)为典型光刻图形，其特征尺寸为37.5nmnm周期为150nm，其迭代初值设定为交替反向掩膜，交替反向掩膜由于其特点使得可分辨周期为传统二值掩膜的一半；图10(b)为迭代初值的数字掩膜，图10(c)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形，图10(d)为迭代初值的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。采用上述评价标准对未经过优化的数字掩膜产生的光刻图形进行评价，其pe值为7500，npe为4.68，而且在较多的位置产生cde和ple。
[0121]
图10(e)为采用本实施例提出的数字掩模投影光刻优化方法优化后的仅振幅灰度化而位相固定的数字掩膜。图10(f)为图10(e)的数字掩膜对应的光刻胶图形，图10(g)为优化后的数字掩膜对应的光刻胶图形的边缘以及理想图形的边缘相加。经过优化的数字掩膜产生的光刻图形其pe值为186，npe为0.116。其中参数为a
r
＝100，i
r
＝0.25，其他参数与上面描述的一致。
[0122]
实施例3
[0123]
本实施例提出一种数字掩模投影光刻优化系统，应用实施例1提出的数字掩模投影光刻优化方法。如图11所示，为本实施例的数字掩模投影光刻优化系统的结构示意图。
[0124]
本实施例的数字掩模投影光刻优化系统包括轴上点光源1、空间光调制器2、处理
器3，其中：所述处理器3执行实施例1所述的数字掩模投影光刻优化方法的步骤；所述轴上点光源1经所述处理器3生成优化后的数字掩模m后加载在所述空间光调制器2上，轴上点光源1输出的入射光经过空间光调制器2的调制后，在光刻胶上进行光刻得到与目标图形差距最小的光刻图案z。
[0125]
本实施例中的数字掩模m由可编程纯振幅空间光调制器2(amplitude lcos slm)、可编程纯相位空间光调制器2组成(phase lcos slm)。其中空间光调制器2是由可独立寻址和控制的像素阵列组成，每个像素对其透射光、反射光的进行复振幅调制包括相位、强度或开关状态的调制。
[0126]
进一步的，结合数字微反射镜阵列(dmd)，实现位相和振幅的任意可调制。
[0127]
本实施例中的处理器3用于根据目标图形对预设的数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于最速下降法对数字掩模投影光刻成像模型进行迭代优化后，得到数字掩模m，再对空间光调制器2进行编程控制，得到与目标图形差距最小的光刻图案z。
[0128]
相同或相似的标号对应相同或相似的部件；
[0129]
附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
[0130]
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。