阵列基板和显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。


背景技术：

2.薄膜晶体管液晶显示面板因其体积小，功耗低和无辐射等特点，在当前显示市场占据主导地位。随着高分辨率，高开口率液晶显示面板的发展，限速设计空间逐渐减小，导致线宽及线间距越来越小，线间干扰增强，像素间耦合增大，这些因素最终导致串扰现象发生。
3.串扰现象之一便是由于像素电极与数据线之间的间距变小，耦合效应增大，导致显示面板出现串扰现象，因此像素电极与数据线之间的串扰成了本领域亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术的目的是提供一种阵列基板和显示面板，降低像素电极与数据线之间的串扰。
5.本技术公开了一种阵列基板，包括：多条数据线、多条扫描线和多个像素单元，相邻两条所述数据线和相邻两条所述扫描线之间对应一个所述像素单元，其特征在于，所述阵列基板还包括衬底、绝缘层、介质层和保护层；所述绝缘层设置在所述衬底上，所述数据线设置在所述绝缘层上；所述介质层设置在所述数据线上，所述保护层设置在所述介质层上；所述像素单元包括像素电极，所述像素电极设置在所述保护层上；所述介质层的介电常数大于所述保护层的介电常数。
6.在申请一实施例中，所述介质层采用纳米微孔间隙的聚四氟乙烯材料、微纳级多孔结构二氧化硅材料其中一种或多种。
7.在申请一实施例中，所述数据线的侧面和顶面都覆盖所述介质层，所述介质层与所述像素电极在所述阵列基板上的投影不重合，所述保护层的一部分设置在所述介质层上，所述保护层的另一部分设置在所述绝缘层上。
8.在申请一实施例中，所述介质层包括顶部和端部，所述顶部设置在所述数据线上，所述端部设置在所述绝缘层上，所述顶部与所述数据线的顶面接触，所述端部与所述数据线的侧面接触；所述顶部的厚度小于所述端部的厚度。
9.在申请一实施例中，所述端部的宽度大于所述端部的厚度；所述端部的宽度为所述端部在所述数据线的线宽方向上的长度，所述端部的厚度为所述端部在垂直于所述阵列基板上的长度。
10.在申请一实施例中，所述绝缘层对应所述数据线的位置设置有凹槽，所述数据线设置在所述凹槽内。
11.在申请一实施例中，所述阵列基板还包括公共线，所述公共线设置在衬底上，所述绝缘层设置在所述公共线上，所述数据线设置在所述绝缘层上；所述公共线与所述数据线
不同层，所述公共线与所述数据线走向相同，且所述数据线与所述公共线在所述衬底上的投影不重合。
12.在申请一实施例中，所述介质层完全覆盖所述绝缘层，所述保护层仅设置在所述介质层上。
13.在申请一实施例中，所述介质层的厚度为1-2um。
14.本技术还公开了一种显示面板，包括彩膜基板、液晶层和上述的阵列基板；所述彩膜基板和阵列基板对盒设置，所述液晶层设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
15.本技术通过将数据线与像素电极之间增设介质层，其中介质层的介电常数大于所述保护层的介电常数；使得数据线与像素电极之间的介电常数增大，进而根据电容公式可知，介电常数越大，电容越小，进而减少数据线与像素电极之间的电容串扰。
附图说明
16.所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
17.图1是本技术的第一实施例的一种显示面板的示意图；
18.图2是本技术的第一实施例的一种薄膜晶体管的示意图；
19.图3是本技术的第一实施例的一种阵列基板上的数据线与像素电极的俯视示意图的示意图；
20.图4是本技术的图3沿bb切割线的截面示意图；
21.图5是本技术的第二实施例沿bb切割线的截面示意图；
22.图6是本技术的第三实施例沿bb切割线的截面示意图。
23.其中，10、显示面板；100、阵列基板；101、衬底；102、第一金属层；103、绝缘层；104、有源层；105、第二金属层；106、保护层；107、透明导电层；108、凹槽；110、薄膜晶体管；120、数据线；130、扫描线；140、像素单元；141、像素电极；150、介质层；151、顶部；152、端部；200、彩膜基板；300、液晶层。
具体实施方式
24.需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
25.在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
26.另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅
是为了便于描述本技术的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
27.此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
28.下面参考附图和可选的实施例对本技术作详细说明。
29.如图1所示，作为本技术的第一实施例，图1示出了一种显示面板10，所述显示面板10包括彩膜基板200、液晶层300和阵列基板100；所述彩膜基板200和阵列基板100对盒设置，所述液晶层设置在所述阵列基板100和所述彩膜基板200之间。
30.需要说明的是，这里所指的彩膜基板200仅为与阵列基板100对盒设置的基板，并不限定彩色滤光层一定设置在彩膜基板200上，例如coa(color on array)制程的彩色滤光层直接形成在阵列基板100上。
31.如图2示出了一种阵列基板100的剖面示意图，所述阵列基板100的膜层结构以对应薄膜晶体管110区域的膜层结构为例，在衬底101上依次包括第一金属层102、绝缘层103、有源层104、第二金属层105、保护层106、透明导电层107。其中第一金属层102用作形成薄膜晶体管110的栅极，第二金属层105用作形成薄膜晶体管110的源极和漏极。该薄膜晶体管110对应一个像素单元140(见图3所示)设置。
32.如图3示出了阵列基板100上的数据线120与像素电极141的俯视示意图，阵列基板100还包括多条数据线120、多条扫描线130和多个像素单元140，相邻两条所述数据线120和相邻两条所述扫描线130之间对应一个所述像素单元140。所述像素单元140包括像素电极141，所述像素电极141设置在所述保护层106上；
33.其中扫描线130形成在第一金属层102，对应薄膜晶体管110区域的第一金属层102一般被用作薄膜晶体管110的栅极，其中栅极与对应的扫描线130连接，以驱动显示面板10。数据线120形成在第二金属层105，对应薄膜晶体管110区域的第二金属层105一般用来形成源极或漏极，数据线120与对应的源极连接；像素电极141通过过孔与漏极连接。
34.像素电极141与数据线120在俯视图上不重合，之间设置有间隙，但是随着高分辨率的发展，数据线120与像素电极141之间的间隙越来越小。间隙越小，使得数据线120与像素电极141之间的电容串扰越来越大，本技术通过设置介质层来改善数据线120与像素的电极141之间的电容串扰。具体设置如下：
35.如图4所示，图4是图3沿bb线进行切割的剖面示意图，所述绝缘层103设置在衬底101上；所述数据线120设置在所述绝缘层103上；所述介质层150设置在所述数据线120上，所述保护层106设置在所述介质层150上；所述像素电极141设置在所述保护层106上；所述介质层150的介电常数大于所述保护层106的介电常数。
36.本技术通过将数据线120与像素电极141之间增设介质层150，其中介质层150的介电常数大于所述保护层106的介电常数；使得数据线120与像素电极141之间的介电常数增大，进而根据电容公式可知，介电常数越大，电容越小，进而减少数据线120与像素电极141之间的电容串扰。
37.具体地，所述介质层150采用纳米微孔间隙的聚四氟乙烯材料、微纳米级多孔结构
二氧化硅材料其中一种或多种。
38.其中，纳米微孔间隙的聚四氟乙烯，这种材料具有低的介电常数，使得温度范围广泛，而且其化学稳定性稿，粘粘性强，形成介质层150后不影响其上下膜层的性能。而微纳级多孔结构二氧化硅材料，同样具备耐高温低温，稳定性高，耐腐蚀。这两种材料的介电常数皆小于保护层106的介电常数，这里的保护层106指一般使用氮化硅等的保护层106。
39.在图4中进一步的改进，所述数据线120的侧面和顶面都覆盖所述介质层150，所述介质层150与所述像素电极141在所述阵列基板100上的投影不重合，所述保护层106的一部分设置在所述介质层150上，所述保护层106的另一部分设置在所述绝缘层103上。即介质层150仅环绕数据线120设置，数据线120的底面与绝缘层103接触，数据线120的侧面、顶面都与所述介质层150接触，可全方位保护数据线120，而且介质层150与所述像素电极141在所述阵列基板100上的投影不重合，介质层150不影响像素电极141的发光，不影响原有的穿透率。而对应的介质层150的刻蚀，可使用保护层106对应的光罩即可制程，不需要在额外单独制作一张新的光罩来制程介质层150。
40.具体地，所述介质层150包括顶部151和端部152，所述顶部151设置在所述数据线120上，所述端部152设置在所述绝缘层103上，所述顶部151与所述数据线120的顶面接触，所述端部152与所述数据线120的侧面接触；所述顶部151的厚度小于所述端部152的厚度。
41.具体顶部151的厚度最薄可在500至1000a左右，而端部152的厚度可在1-2um左右，从图4中可以看出，数据线120和像素电极141在衬底101上的投影也是不重合的，因此，数据线120与像素电极141为斜对应关系，而影响数据线120与像素电极141之间的膜层即为端部152的介质层150，将此处的介质层150设置的较厚，而且不超出到像素电极141区域，可以增大像素电极141与数据线120之间的介电常数，从而减少电容。而又因为介质层150的介电常数较大，而是保护层106上的静电击穿效应，将数据线120上方的介质层150的顶部151设置较薄，较少保护层106上的静定击穿的可能性，从而增强显示面板10的稳定性。在一优选的实施例中，所述顶部151的厚度与数据线120的厚度之和等于所述端部152的厚度。使得介质层150较为平坦，对应上方的保护层106更平坦。
42.具体地，所述端部152的宽度大于所述端部152的厚度；所述端部152的宽度为所述端部152在所述数据线120的线宽方向上的长度，所述端部152的厚度为所述端部152在垂直于所述阵列基板100上的长度。相对来说，端部152的宽度大于端部152的厚度，若端部152的厚度较大，导致其端部152上方的保护层106较为稀薄，可能在制程后会导致像素电极141与数据线120之间出现电荷击穿的效应，因此在端部152的宽度上增大，从而增大数据线120与像素电极141之间的节点常数，可避免数据线120与像素电极141在制程中出现电荷击穿的问题。
43.如图5所示，作为本技术第二实施例，所述阵列基板100依次包括衬底101、绝缘层103、数据线120、介质层150、保护层106、像素电极141，所述数据线120设置在所述绝缘层103上，所述绝缘层103对应所述数据线120的位置设置有凹槽108，所述数据线120设置在所述凹槽108内。
44.本实施例中，将绝缘层103对应数据线120的位置设置凹槽108，可以使用半透膜掩膜板来形成对应的凹槽108，该凹槽108的长度方向应与数据线120的走向方向一致，通过形成凹槽108，使得数据线120与像素电极141之间的距离更远，来使得数据线120与像素电极
141之间的电容串扰更小。而且由于绝缘层本身是具有一定厚度的，因此设置凹槽108之后，需要考虑数据线120与扫描线130交错的位置处。因此在进一步的改进中，可以仅将凹槽对应数据线区域设置，该数据线区域可被定义为没有扫描线交错的其它位置处的数据线。即凹槽是间断设置的，在每一个扫描线的位置间断开来，在数据线下层有扫描线的位置不设置凹槽，防止与扫描线之间电荷击穿绝缘层。
45.具体地，所述介质层150也设置在凹槽108内，且所述介质层150不突出于所述凹槽108，即介质层150与绝缘层103在同一水平线上，使得保护层106平坦。进而使得保护层106上方的像素电极141更平坦。在该进一步改进的实施例中，对绝缘层103的厚度有一定要求，在绝缘层103厚度足够的情况下，可以设置较深的凹槽108，将数据线120和介质层150完全设置在凹槽108内，进一步使得该保护层106直接形成的平坦度，保证膜层更平坦。
46.所述绝缘层103设置在所述公共线上，所述数据线120设置在所述绝缘层103上；所述公共线与所述数据线120不同层，所述公共线与所述数据线120走向相同，且所述数据线120与所述公共线在所述衬底101上的投影不重合。在该实施例中的公共线形成在数据线120的周围，且采用较细的线宽设计，而且使得公共线与数据线120不交叠，即将数据线120和公共线在走线方向上一致，例如数据线120为竖直走线，那么公共线对应也设计成竖直走线。公共线对数据线120也能形成屏蔽作用，使得数据线120不受外界电场的干扰，有效减少数据线120和公共线之间的耦合作用。需要说明的是，该公共线除了可以设置在图5所示的实施例中，同样也可以应用在图3的实施例中，本领域技术人员可合理进行设计。
47.如图5所示，作为本技术第三实施例，所述阵列基板100还包括衬底101、公共线和绝缘层103，所述公共线设置在衬底101上，所述介质层150完全覆盖所述绝缘层103，所述保护层106仅设置在所述介质层150上。在该实施例中，介质层150不需要使用掩膜板进行刻蚀，直接形成一层完整的介质层150，且该介质层150的上表面平整，不会在对应数据线120的位置处突出，可保证保护层106的平坦度。
48.需要说明的是,本技术的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下,以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果
49.本技术的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如tn(twisted nematic，扭曲向列型)显示面板、ips(in-plane switching，平面转换型)显示面板、va(vertical alignment，垂直配向型)显示面板、mva(multi-domain vertical alignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。
50.以上内容是结合具体的可选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。