技术特征：
1.一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构，其特征在于，包括两组监控结构，所述监控结构包括cd上限观察图形和cd下限观察图形；cd上限观察图形和cd下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形。2.根据权利要求1所述的一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构，其特征在于，所述cd上限观察图形的长方形结构的长大于宽，上方的长方形结构与下方的长方形结构的水平间距相等，且水平间距等于监控层光刻线宽规范。3.根据权利要求1所述的一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构，其特征在于，所述cd下限观察图形的长方形结构的长大于宽，上方的长方形结构与下方的长方形结构的水平间距相等，且水平间距等于监控层光刻线宽规范。4.根据权利要求1所述的一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构，其特征在于，所述cd上限观察图形和cd下限观察图形的属性相反。5.根据权利要求4所述的一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构，其特征在于，当层光刻图形为条时，cd上限观察图形为不曝光的区域，cd下限观察图形为曝光的区域。6.一种基于光学显微镜光刻线宽检验方法，其特征在于，基于权利要求1～5任意一项所述的测试结构，包括以下步骤：观察cd上限观察图形，当构成品字形的下方左侧的长方形结构的内侧边与上方的长方形结构的左侧边在一条直线上，下方右侧的长方形结构的内侧边与上方的长方形结构的右侧边在一条直线上时，则判定当层线条图形的尺寸达到规定的上限；观察cd下限观察图形，当构成品字形的下方左侧的长方形结构的内侧边与上方的长方形结构的左侧边在一条直线上，下方右侧的长方形结构的内侧边与上方的长方形结构的右侧边在一条直线上时，则判定当层线条图形的尺寸达到规定的下限。7.根据权利要求6所述的一种基于光学显微镜光刻线宽检验方法，其特征在于，所述cd上限观察图形中上方的长方形结构与下方的长方形结构的水平间距相等，水平间距为零时，则判定当层线条图形的尺寸达到规定的上限。8.根据权利要求6所述的一种基于光学显微镜光刻线宽检验方法，其特征在于，所述cd下限观察图形中上方的长方形结构与下方的长方形结构的水平间距相等，水平间距为零时，则判定当层线条图形的尺寸达到规定的下限。
技术总结
本发明公开了一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法，属于微电子技术领域，CD上限观察图形和CD下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形，结构简单，光刻版设计及工艺实现容易，该结构只需要设计若干个同尺寸的长方形即可实现，同时大尺寸的长方形在工艺实现中也避免了小尺寸图形易出现的漂胶等异常；同时显微镜检验便捷，可以通过检验品字型结构上下两个长方形的侧边是否在一条直线上，来判别该层线宽是否超过范围，其图形和结构设计科学合理，辨识度高，可满足光刻工艺线宽≥2μm的层次在线检验的要求，为高质量完成光刻工艺打下基础。为高质量完成光刻工艺打下基础。为高质量完成光刻工艺打下基础。
技术研发人员：贺欣 郎刚平 李占文 邵璐 潘振雨
受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所
技术研发日：2022.08.26
技术公布日：2022/11/8